JP3055232B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハ上に微細パタ
ーンを転写する投影露光装置に関し、特にＸ線領域ある
いは真空紫外領域のビームを用いた、解像力の高い微細
パターン転写方法およびその装置に関する。
ーンを転写する投影露光装置に関し、特にＸ線領域ある
いは真空紫外領域のビームを用いた、解像力の高い微細
パターン転写方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】マスク上に描かれた半導体素子等の回路
パターンをウェーハ上に転写する投影露光装置には、解
像力が高く微細なパターンの転写が可能な性能が要求さ
れる。一般に、投影レンズの開口数（ＮＡ）が大きいほ
ど、あるいは露光光の波長が短いほど解像力は向上す
る。ここで、ＮＡを大きくする方法はパターン転写時に
焦点深度の低下をもたらすので、その大きさには限界が
ある。そこで、Ｘ線等の短波長のビームを用いて解像力
を向上させる検討が盛んに行なわれてきた。しかし、波
長が短いほどビームは吸収されやすくなるので、水銀ラ
ンプを光源とするような従来の露光装置のように透過型
レンズによる結像光学系を実現することは難しい。そこ
で、反射型結像光学系を用いる方法が提案されてきた。
パターンをウェーハ上に転写する投影露光装置には、解
像力が高く微細なパターンの転写が可能な性能が要求さ
れる。一般に、投影レンズの開口数（ＮＡ）が大きいほ
ど、あるいは露光光の波長が短いほど解像力は向上す
る。ここで、ＮＡを大きくする方法はパターン転写時に
焦点深度の低下をもたらすので、その大きさには限界が
ある。そこで、Ｘ線等の短波長のビームを用いて解像力
を向上させる検討が盛んに行なわれてきた。しかし、波
長が短いほどビームは吸収されやすくなるので、水銀ラ
ンプを光源とするような従来の露光装置のように透過型
レンズによる結像光学系を実現することは難しい。そこ
で、反射型結像光学系を用いる方法が提案されてきた。
【０００３】Ｘ線を用いることを前提とした従来の反射
型結像光学系は、特開昭６３−１８６２６号公報や特開
昭６３−３１２６３８号公報に示されている。上記の従
来例は、マスクパターンをウェーハ上に転写する結像光
学系の構成について開示されている。
型結像光学系は、特開昭６３−１８６２６号公報や特開
昭６３−３１２６３８号公報に示されている。上記の従
来例は、マスクパターンをウェーハ上に転写する結像光
学系の構成について開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例は、Ｘ線を
集光させてパターンを結像する反射型結像光学系の詳細
な構成を示しており、また装置構成上Ｘ線をほぼ９０°
折り曲げる反射鏡も必要であることを示唆している。し
かし、Ｘ線源から発するＸ線は特定の面に沿って振動す
る電場の成分が強く現われること、および、この強い電
場の振動面とＸ線を９０°折り曲げる前記反射鏡とを特
定の位置関係に保たないとＸ線がウェーハ上に効率良く
到達できないという点については考慮されていない。従
って、本発明の目的は、Ｘ線源から発するＸ線の電場の
振動面を考慮した反射型結像光学系を構成して、Ｘ線利
用効率の高い微細パターン転写方法およびその装置を提
供することにある。
集光させてパターンを結像する反射型結像光学系の詳細
な構成を示しており、また装置構成上Ｘ線をほぼ９０°
折り曲げる反射鏡も必要であることを示唆している。し
かし、Ｘ線源から発するＸ線は特定の面に沿って振動す
る電場の成分が強く現われること、および、この強い電
場の振動面とＸ線を９０°折り曲げる前記反射鏡とを特
定の位置関係に保たないとＸ線がウェーハ上に効率良く
到達できないという点については考慮されていない。従
って、本発明の目的は、Ｘ線源から発するＸ線の電場の
振動面を考慮した反射型結像光学系を構成して、Ｘ線利
用効率の高い微細パターン転写方法およびその装置を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、露光用ビー
ムが上記９０°折り曲げ用反射鏡で反射されるときの入
射ビームと反射ビームとを含む面（以後入射面と称す）
と、該ビームの電場の振動面（以後偏光面と称す）とが
平行になることを避け、むしろ直交するように露光シス
テムを構成することにより達成される。
ムが上記９０°折り曲げ用反射鏡で反射されるときの入
射ビームと反射ビームとを含む面（以後入射面と称す）
と、該ビームの電場の振動面（以後偏光面と称す）とが
平行になることを避け、むしろ直交するように露光シス
テムを構成することにより達成される。
【０００６】
【作用】入射角を約４５°としてＸ線をほぼ９０°折り
曲げる反射鏡は、反射型結像光学系を用いて第１の基板
上のパターンを第２の基板上に転写する際に、第１の基
板あるいは第２の基板が結像光学系の光路をさえぎらな
いようにするために必要である。露光用ビームがＸ線領
域あるいは真空紫外領域なので、反射鏡は多層膜鏡であ
る。入射角が４５°の場合、多層膜鏡の入射面と前記Ｘ
線領域のビームの偏光面とが平行なときは反射率は極め
て小さいものの、両者の面が直行しているときは実用的
な反射率が得られる。したがって、パターン転写に寄与
するビームが４５°の入射角で反射鏡に入射する際に、
ビームの偏光面あるいは最も強い電場の振動面を入射面
と直交するように構成することにより、反射鏡で最大の
反射率が得られ、ビーム利用効率の高いパターン転写が
行なわれる。
曲げる反射鏡は、反射型結像光学系を用いて第１の基板
上のパターンを第２の基板上に転写する際に、第１の基
板あるいは第２の基板が結像光学系の光路をさえぎらな
いようにするために必要である。露光用ビームがＸ線領
域あるいは真空紫外領域なので、反射鏡は多層膜鏡であ
る。入射角が４５°の場合、多層膜鏡の入射面と前記Ｘ
線領域のビームの偏光面とが平行なときは反射率は極め
て小さいものの、両者の面が直行しているときは実用的
な反射率が得られる。したがって、パターン転写に寄与
するビームが４５°の入射角で反射鏡に入射する際に、
ビームの偏光面あるいは最も強い電場の振動面を入射面
と直交するように構成することにより、反射鏡で最大の
反射率が得られ、ビーム利用効率の高いパターン転写が
行なわれる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について述べる。図１
は、Ｘ線源１として電子蓄積リングを用い、そこから放
射されるＸ線（シンクロトロン放射光）を露光光として
用いる本発明の微細パターン転写装置を示す図である。
Ｘ線源１から放射されたＸ線は、照明光学系として作用
する楕円面鏡２で反射して、第１の基板であるマスク３
を照明する。楕円面鏡２はトロイダル面鏡でもよい。マ
スク３からの反射光は、凹面鏡６、凸面鏡７、凹面鏡８
および平面鏡９から構成される反射型結像光学系１０を
通して第２の基板であるウェーハ１１に到達する。その
結果、マスク３上の照明された領域に描かれているパタ
ーンがウェーハ１１上に転写される。マスク３上の照明
領域が狭い場合は、マスク３を搭載したステージ４とウ
ェーハ１１を載置したウェーハ載置台１２を反射型結像
光学系１０の縮小倍率にあわせて同期走査させることに
より、マスク３上のパターンを全てウェーハ１１上に転
写できる。
は、Ｘ線源１として電子蓄積リングを用い、そこから放
射されるＸ線（シンクロトロン放射光）を露光光として
用いる本発明の微細パターン転写装置を示す図である。
Ｘ線源１から放射されたＸ線は、照明光学系として作用
する楕円面鏡２で反射して、第１の基板であるマスク３
を照明する。楕円面鏡２はトロイダル面鏡でもよい。マ
スク３からの反射光は、凹面鏡６、凸面鏡７、凹面鏡８
および平面鏡９から構成される反射型結像光学系１０を
通して第２の基板であるウェーハ１１に到達する。その
結果、マスク３上の照明された領域に描かれているパタ
ーンがウェーハ１１上に転写される。マスク３上の照明
領域が狭い場合は、マスク３を搭載したステージ４とウ
ェーハ１１を載置したウェーハ載置台１２を反射型結像
光学系１０の縮小倍率にあわせて同期走査させることに
より、マスク３上のパターンを全てウェーハ１１上に転
写できる。
【０００８】ウェーハ載置台１２はウェーハ１１の面と
直角方向に移動できるｚステージ１５上に固定され、ｚ
ステージ１５はウェーハ１１の面方向に移動可能なｘｙ
ステージ１６上に搭載されている。ウェーハ１１の載置
位置誤差は裏面に形成されているマークを検出光学系２
０を介して位置検出器２１で検出され、その検出結果は
制御系２２に送られる。一方、ウェーハ１１の移動位置
の計測は、レーザ測長器１３でステージ１５上に固定さ
れたミラー１４の位置を測定することにより行なわれ、
その結果は常に制御系２２に送られる。制御系２２は、
マスク駆動手段５、ｚステージ駆動手段１７およびｘｙ
ステージ駆動手段１８を制御することにより、マスク３
とウェーハ１１を所望の位置関係に保つ。
直角方向に移動できるｚステージ１５上に固定され、ｚ
ステージ１５はウェーハ１１の面方向に移動可能なｘｙ
ステージ１６上に搭載されている。ウェーハ１１の載置
位置誤差は裏面に形成されているマークを検出光学系２
０を介して位置検出器２１で検出され、その検出結果は
制御系２２に送られる。一方、ウェーハ１１の移動位置
の計測は、レーザ測長器１３でステージ１５上に固定さ
れたミラー１４の位置を測定することにより行なわれ、
その結果は常に制御系２２に送られる。制御系２２は、
マスク駆動手段５、ｚステージ駆動手段１７およびｘｙ
ステージ駆動手段１８を制御することにより、マスク３
とウェーハ１１を所望の位置関係に保つ。
【０００９】ここで、反射面は全てＭｏ（モリブデン）
とＳｉ（シリコン）とを交互に積層させた多層膜構造体
とし、波長１４ｎｍのＸ線に対して、４０％以上の反射
率が得られるようにした。また、凹面鏡６、凸面鏡７、
凹面鏡８の面は、いずれも一つの中心軸のまわりに回転
軸対称に配置された面、あるいはその一部を切り出した
面とした。図２は、図１に示した微細パターン転写装置
のうち、凹面鏡６、凸面鏡７、凹面鏡８による結像関係
のみを示す部分を抽出して示した図である。反射鏡９は
ｘ線の進行方向を変えるだけで結像性能を支配するもの
ではないので、図２では省略している。ここで、各光学
素子の間の距離は光学系の中心軸上の距離で表わすこと
とする。図２に示すように、マスク３に相当する物体面
３００と凹面鏡６との間の距離をｔ1、凹面鏡６から凸
面鏡７までの距離をｔ2、凸面鏡７から凹面鏡８までの
距離をｔ3、凹面鏡８からウェーハ１１の表面に相当す
る像面１１０までの距離をｔ4とし、凹面鏡６、凸面鏡
７、凹面鏡８の面頂点の曲率半径をそれぞれｒ1、ｒ2、
ｒ3、さらにそれぞれの面の非球面量を表わす円錐定数
をｃ1、ｃ2、ｃ3とすると、本実施例では上記パラメー
タの値を以下のように選んだ。
とＳｉ（シリコン）とを交互に積層させた多層膜構造体
とし、波長１４ｎｍのＸ線に対して、４０％以上の反射
率が得られるようにした。また、凹面鏡６、凸面鏡７、
凹面鏡８の面は、いずれも一つの中心軸のまわりに回転
軸対称に配置された面、あるいはその一部を切り出した
面とした。図２は、図１に示した微細パターン転写装置
のうち、凹面鏡６、凸面鏡７、凹面鏡８による結像関係
のみを示す部分を抽出して示した図である。反射鏡９は
ｘ線の進行方向を変えるだけで結像性能を支配するもの
ではないので、図２では省略している。ここで、各光学
素子の間の距離は光学系の中心軸上の距離で表わすこと
とする。図２に示すように、マスク３に相当する物体面
３００と凹面鏡６との間の距離をｔ1、凹面鏡６から凸
面鏡７までの距離をｔ2、凸面鏡７から凹面鏡８までの
距離をｔ3、凹面鏡８からウェーハ１１の表面に相当す
る像面１１０までの距離をｔ4とし、凹面鏡６、凸面鏡
７、凹面鏡８の面頂点の曲率半径をそれぞれｒ1、ｒ2、
ｒ3、さらにそれぞれの面の非球面量を表わす円錐定数
をｃ1、ｃ2、ｃ3とすると、本実施例では上記パラメー
タの値を以下のように選んだ。
【００１０】 ｔ1＝1000.0ｍｍ， ｔ2＝-149.863ｍｍ， ｔ3＝7
0.003ｍｍ ｔ4＝-120.951ｍｍ ｒ1＝-393.970ｍｍ， ｒ2＝108.6567ｍｍ， ｒ3＝-
149.640ｍｍ ｃ1＝-0.94301 ， ｃ2＝-0.09193 ， ｃ3＝
0.14273 図２に示す系だけでは、像面１１０に沿って移動位置決
めされるウェーハ１１が物体面３００と凹面鏡６との間
の光路をさえぎる可能性があるので、実際には図１に示
すように平面鏡９を挿入してウェーハ１１の移動方向を
ｘｙ面内にしている。
0.003ｍｍ ｔ4＝-120.951ｍｍ ｒ1＝-393.970ｍｍ， ｒ2＝108.6567ｍｍ， ｒ3＝-
149.640ｍｍ ｃ1＝-0.94301 ， ｃ2＝-0.09193 ， ｃ3＝
0.14273 図２に示す系だけでは、像面１１０に沿って移動位置決
めされるウェーハ１１が物体面３００と凹面鏡６との間
の光路をさえぎる可能性があるので、実際には図１に示
すように平面鏡９を挿入してウェーハ１１の移動方向を
ｘｙ面内にしている。
【００１１】平面鏡の挿入位置は必ずしも図１に示す場
所に限られることはない。例えば、マスク３と反射鏡６
との間でもよい。
所に限られることはない。例えば、マスク３と反射鏡６
との間でもよい。
【００１２】ここで、露光光として用いるシンクロトロ
ン放射光は、図３に示すように一点１０１から水平面内
の拡がり角φ1および鉛直面内の拡がり角φ2を有するＸ
線として矢印２３で示す向きに放射される。実際、Ｘ線
の鉛直面内の拡がり角φ2は１ｍｒａｄ程度で、数十ｍ
ｒａｄの拡がり角φ1に比べては充分小さいから、Ｘ線
は水平面内に設定したｚ軸に沿って進む。このＸ線の電
場は水平面内（ｘｚ面内）に振動する成分２４が鉛直面
内（ｙｚ面内）に振動する成分２５に比べて一桁以上大
きいから、実質上Ｘ線はその電場の振動面が水平面内で
ある偏光としてとみなせる。
ン放射光は、図３に示すように一点１０１から水平面内
の拡がり角φ1および鉛直面内の拡がり角φ2を有するＸ
線として矢印２３で示す向きに放射される。実際、Ｘ線
の鉛直面内の拡がり角φ2は１ｍｒａｄ程度で、数十ｍ
ｒａｄの拡がり角φ1に比べては充分小さいから、Ｘ線
は水平面内に設定したｚ軸に沿って進む。このＸ線の電
場は水平面内（ｘｚ面内）に振動する成分２４が鉛直面
内（ｙｚ面内）に振動する成分２５に比べて一桁以上大
きいから、実質上Ｘ線はその電場の振動面が水平面内で
ある偏光としてとみなせる。
【００１３】上記の偏光面を有するＸ線が図１に示す経
路を経て多層膜からなる平面鏡９で折り曲げられてパタ
ーン像２９を形成する部分を図４に示す。Ｘ線束の主光
線２６は、平面鏡９に入射する直前に電場のベクトル２
７、２８を有している。ここで、本発明の実施例で用い
たようなＸ線の多層膜鏡における反射特性は図５で示さ
れることがわかっている。すなわち、電場のベクトルが
入射面と直交する偏光の反射率は曲線３０に示すように
単調に変化するのに対し、電場のベクトルが入射面内に
ある偏光の反射率は入射角４５°付近で激減する。した
がって、図４においてベクトル２７で表わされる成分は
ほとんど反射せず、ベクトル２８で表わされる成分のみ
が反射する。本実施例では、パターン転写用のＸ線は、
楕円面鏡２には８０°以上の入射角で入射し、マスク３
や反射鏡６、７、８に対しては１０°以下の入射角で入
射するので、図５に示す反射特性から、反射鏡９に入射
するＸ線２６の偏光面は光源１０１から発するＸ線とほ
とんど同一であることがわかる。すなわち、図４におい
てベクトル２８で表わされる成分はベクトル２７で表わ
される成分より一桁以上大きい。したがって、図４に示
す反射鏡９は、ベクトル２８で表わされる強い電場成分
を反射する。もし、平面鏡９の向きを変えて主光線２６
をベクトル２８と同一面内に９０°折り曲げるように構
成すると、２８で表わされる強い電場成分がほとんど反
射されないので、Ｘ線の利用効率が激減する。
路を経て多層膜からなる平面鏡９で折り曲げられてパタ
ーン像２９を形成する部分を図４に示す。Ｘ線束の主光
線２６は、平面鏡９に入射する直前に電場のベクトル２
７、２８を有している。ここで、本発明の実施例で用い
たようなＸ線の多層膜鏡における反射特性は図５で示さ
れることがわかっている。すなわち、電場のベクトルが
入射面と直交する偏光の反射率は曲線３０に示すように
単調に変化するのに対し、電場のベクトルが入射面内に
ある偏光の反射率は入射角４５°付近で激減する。した
がって、図４においてベクトル２７で表わされる成分は
ほとんど反射せず、ベクトル２８で表わされる成分のみ
が反射する。本実施例では、パターン転写用のＸ線は、
楕円面鏡２には８０°以上の入射角で入射し、マスク３
や反射鏡６、７、８に対しては１０°以下の入射角で入
射するので、図５に示す反射特性から、反射鏡９に入射
するＸ線２６の偏光面は光源１０１から発するＸ線とほ
とんど同一であることがわかる。すなわち、図４におい
てベクトル２８で表わされる成分はベクトル２７で表わ
される成分より一桁以上大きい。したがって、図４に示
す反射鏡９は、ベクトル２８で表わされる強い電場成分
を反射する。もし、平面鏡９の向きを変えて主光線２６
をベクトル２８と同一面内に９０°折り曲げるように構
成すると、２８で表わされる強い電場成分がほとんど反
射されないので、Ｘ線の利用効率が激減する。
【００１４】以上のように入射面と偏光面とを平行にす
ることを避け、むしろ直交させることにより利用効率を
確保できる。中間の角度のときは中程度の反射率が得ら
れる。
ることを避け、むしろ直交させることにより利用効率を
確保できる。中間の角度のときは中程度の反射率が得ら
れる。
【００１５】本実施例ではＸ線源１として電子蓄積リン
グを用いたので、そこから放射されるＸ線は図３に示す
ように偏光面が水平面内である偏光として取扱った。他
のＸ線源を用いたり、または他の結像光学系を用いて偏
光面が変化した場合でも、平面鏡を用いてＸ線をほぼ９
０°折り曲げる際には入射面と偏光面とを直交させる必
要があることは言うまでもない。
グを用いたので、そこから放射されるＸ線は図３に示す
ように偏光面が水平面内である偏光として取扱った。他
のＸ線源を用いたり、または他の結像光学系を用いて偏
光面が変化した場合でも、平面鏡を用いてＸ線をほぼ９
０°折り曲げる際には入射面と偏光面とを直交させる必
要があることは言うまでもない。
【００１６】尚、パターン転写とは通常ウェーハ上に塗
布されたレジストにＸ線等のビームを照射して感光させ
て潜像を作ることであるが、本発明はＸ線を用いてマス
クパターンの像をウェーハ上に形成する光学系に関する
ものであるから、レジストの使用に限ることなく、例え
ばＸ線照射による試料表面の直接加工やＸ線を励起光と
する加工等にも適用できる。
布されたレジストにＸ線等のビームを照射して感光させ
て潜像を作ることであるが、本発明はＸ線を用いてマス
クパターンの像をウェーハ上に形成する光学系に関する
ものであるから、レジストの使用に限ることなく、例え
ばＸ線照射による試料表面の直接加工やＸ線を励起光と
する加工等にも適用できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、Ｘ線領域あるいは真空
紫外領域のビームを多層膜鏡を用いてパターン転写を行
なう装置において、ビームをほぼ９０°偏向させる平面
鏡を挿入する際、放射する光源を用いてビームの偏光面
あるいは最も強い電場の振動面を入射面と直交するよう
に構成したので、反射鏡で最大の反射率が得られ、ビー
ム利用効率の高いパターン転写が行なわれるようになっ
た。
紫外領域のビームを多層膜鏡を用いてパターン転写を行
なう装置において、ビームをほぼ９０°偏向させる平面
鏡を挿入する際、放射する光源を用いてビームの偏光面
あるいは最も強い電場の振動面を入射面と直交するよう
に構成したので、反射鏡で最大の反射率が得られ、ビー
ム利用効率の高いパターン転写が行なわれるようになっ
た。
【図１】本発明の実施例である微細パターン転写装置の
構成図である
構成図である
【図２】微細パターン転写装置の結像光学系における主
光線の進行経路を示す図である
光線の進行経路を示す図である
【図３】Ｘ線の放射状態を示す図である
【図４】Ｘ線を９０°折り曲げて反射させる平面鏡とＸ
線の偏光状態を示す図である
線の偏光状態を示す図である
【図５】多層膜鏡におけるＸ線反射率の入射角依存性を
示す図である
示す図である
１…Ｘ線源、２…楕円面鏡、３…マスク、６…凹面鏡、
７…凸面鏡、８…凹面鏡、９…平面鏡、１１…ウェー
ハ、２４…Ｘ線の強い電場の振動成分、２５…Ｘ線の弱
い電場の振動成分、２９…ウェーハ上に投影される結像
領域、３０…入射面と偏光面とが直交するＸ線の反射
率、３１…入射面と偏光面とが平行なＸ線の反射率。
７…凸面鏡、８…凹面鏡、９…平面鏡、１１…ウェー
ハ、２４…Ｘ線の強い電場の振動成分、２５…Ｘ線の弱
い電場の振動成分、２９…ウェーハ上に投影される結像
領域、３０…入射面と偏光面とが直交するＸ線の反射
率、３１…入射面と偏光面とが平行なＸ線の反射率。
フロントページの続き (72)発明者 片桐 創一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 平３−155117（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−312640（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−243000（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｘ線領域あるいは真空紫外領域のビームを
放射する光源を用いて、第１の基板上に形成されたパタ
ーンを結像光学系を介して半導体ウエハに露光する工程
を含む半導体装置の製造方法であって、前記光源から前
記半導体ウエハまでの光路に前記ビームをほぼ直角に折
り曲げて反射させる反射鏡を含み、前記光源から発する
ビームが前記反射鏡で反射される際に、前記ビームの強
い電場の振動面が前記反射鏡における入射ビームと反射
ビームを含む平面と平行にならないようにしたことを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記反射鏡は多層膜で形成されていること
を特徴とした請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記ビームを放射する光源はシンクロトロ
ン放射であることを特徴とする請求項１に記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3211877A JP3055232B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
| US07/812,022 US5222112A (en) | 1990-12-27 | 1991-12-23 | X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system |
| KR1019910024303A KR100243965B1 (ko) | 1990-12-27 | 1991-12-26 | 미세패턴 전사 방법 및 그 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3211877A JP3055232B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555107A JPH0555107A (ja) | 1993-03-05 |
| JP3055232B2 true JP3055232B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=16613102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3211877A Expired - Fee Related JP3055232B2 (ja) | 1990-12-27 | 1991-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3055232B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006111319A2 (en) * | 2005-04-20 | 2006-10-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure system, method for manufacturing a micro-structured structural member by the aid of such a projection exposure system and polarization-optical element adapted for use in such a system |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP3211877A patent/JP3055232B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH0555107A (ja) | 1993-03-05 |
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