JP4319642B2 - デバイス製造方法 - Google Patents
デバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4319642B2 JP4319642B2 JP2005115239A JP2005115239A JP4319642B2 JP 4319642 B2 JP4319642 B2 JP 4319642B2 JP 2005115239 A JP2005115239 A JP 2005115239A JP 2005115239 A JP2005115239 A JP 2005115239A JP 4319642 B2 JP4319642 B2 JP 4319642B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- resist layer
- resist
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70941—Stray fields and charges, e.g. stray light, scattered light, flare, transmission loss
Description
− レジストでの吸収によって決定される光子の平均自由路、
− 原子の様々な殻におけるエネルギレベル、
− レジストの原子密度、および
− 放射した光電子の角度分布、である。
− 使用可能な殻間遷移(エネルギ差)、
− 移動が発生する確率、および
− 蛍光発光の角度分布、である。
− 電子密度、
− 散乱/衝撃移動の確率、
− 散乱した一次電子の角度分布、
− 生成した二次電子の角度分布、および
− 両タイプの電子の平均自由路(原則として、電子エネルギが低下すると、平均自由路が、例えば5eVの約5nmから248nmへと増加する)である。
− レジスト層に収集された二次電子の電圧によって、損傷をもたらす電圧が生じる。
− 二次電子が選択層に入り、その層内の結合または構造を損傷する。
− 放射線(例えばUVまたはEUV放射線)の投影ビームPBを供給する照明システムILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持し、かつ、品目PLに対して正確にパターニングデバイスの位置決めを行う第一位置決め装置に連結を行った第一支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジスト塗布したシリコンウェハ)Wを支持し、かつ、品目PLに対して正確に基板の位置決めを行う第二位置決め装置PWに連結を行った基板テーブル(例えばウェハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって投影ビームPBに与えられたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、1つあるいはそれ以上のダイから成る)に描像する投影システム(例えば反射性投影レンズ)PLを有する。
Claims (13)
- リソグラフィのプロセスを使用するデバイスの製造方法であって、
基板上のレジスト層の一部を放射線に露光することと、
レジスト層に電界を適用することとを含み、露光中、電界の方向が、レジスト層の面に対してほぼ直角であり、
さらに、
導電材料の層をレジストの上面に適用することと、
導電材料の層をレジストの下面と基板の表面との間に設けることと、
露光中の前記電界を、2つの導電層間に電位差を適用することによって適用することとを含む方法。 - 前記導電材料が金属質である、請求項1に記載の方法。
- さらに、前記導電材料の層を50nm未満の厚さで適用することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記導電材料の層が、基板の側部に重なり、基板の基部の少なくとも一部の中に延在する、請求項1に記載の方法。
- 前記放射線が極紫外線範囲になる、請求項1に記載の方法。
- さらに、レジスト層の上面がレジスト層の下面に対してプラスの電位になるように、電界を配向することを含む、請求項1に記載の方法。
- さらに、レジスト層の上面がレジスト層の下面に対してマイナスの電位になるように、電界を配向することを含む、請求項1に記載の方法。
- リソグラフィのプロセスを使用するデバイスの製造方法であって、
基板上のレジスト層の一部を放射線に露光することと、
導電材料を組み込んだレジスト層を固定電位に直接結合することによって、レジスト層に電界を適用することとを含み、露光中、電界の方向が、レジスト層の面に対してほぼ直角であり、
さらに、レジスト層から基板の表面へ向かう導電性イオンの移動を防止するバリア層を、レジスト層の下面と基板の表面との間に設けることを含む方法。 - 導電材料を組み込んだレジスト層が、基板の側部に重なり、基板の基部の少なくとも一部の中に延在する、請求項8に記載の方法。
- さらに、ガス放出を減少させる層をレジストの上面に適用することを含む、請求項8に記載の方法。
- ガス放出を減少させる層が、窒化アルミ、Ru、Ir、Au、SiN、Rh、SiまたはCのうち1つを有する、請求項10に記載の方法。
- リソグラフィ装置で、
放射線の投影ビームを供給する照明システムと、
投影ビームにパターンを与えるパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターン形成したビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、
前記基板の表面に設けたレジスト層に電界を適用するように構成され、配置された電界生成器とを有し、前記電界の方向が、レジスト層の面に対してほぼ直角であり、
前記電界生成器は、レジスト層の上面に設けた導電層と、レジスト層の下面と基板の表面との間に設けた導電層との間に電位差を適用することによってレジスト層に電界を適用するリソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置で、
放射線の投影ビームを供給する照明システムと、
投影ビームにパターンを与えるパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターン形成したビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、
前記基板の表面に設けたレジスト層に電界を適用するように構成され、配置された電界生成器とを有し、前記電界の方向が、レジスト層の面に対してほぼ直角であり、
前記電界生成器は、導電材料を組み込んだレジスト層を固定電位に直接結合することによって、レジスト層に電界を適用し、
さらに、レジスト層の下面と基板の表面との間には、レジスト層から基板の表面へ向かう導電性イオンの移動を防止するバリア層が設けられているリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/823,775 US7463336B2 (en) | 2004-04-14 | 2004-04-14 | Device manufacturing method and apparatus with applied electric field |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005303315A JP2005303315A (ja) | 2005-10-27 |
JP4319642B2 true JP4319642B2 (ja) | 2009-08-26 |
Family
ID=35095921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005115239A Expired - Fee Related JP4319642B2 (ja) | 2004-04-14 | 2005-04-13 | デバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7463336B2 (ja) |
JP (1) | JP4319642B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070076292A1 (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fully electric field shielding reticle pod |
US20080060974A1 (en) * | 2006-02-21 | 2008-03-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask carrier treatment to prevent haze and ESD damage |
DE102006053074B4 (de) * | 2006-11-10 | 2012-03-29 | Qimonda Ag | Strukturierungsverfahren unter Verwendung chemisch verstärkter Fotolacke und Belichtungsvorrichtung |
KR102099880B1 (ko) * | 2013-05-06 | 2020-04-10 | 삼성전자 주식회사 | 유효 열 전자 강화 유닛을 갖는 리소그래피 장치 및 패턴 형성 방법 |
KR20220112135A (ko) * | 2021-02-03 | 2022-08-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 극자외선광 및 전기장을 이용한 레지스트 패턴 형성 방법 및 장치 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63244622A (ja) | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH01158729A (ja) | 1987-12-16 | 1989-06-21 | Matsushita Electron Corp | X線露光方法 |
US5258266A (en) * | 1989-11-16 | 1993-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming minute patterns using positive chemically amplifying type resist |
JPH04166947A (ja) | 1990-10-31 | 1992-06-12 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | X線リソグラフィによる露光方法および露光装置 |
JPH04258110A (ja) | 1991-02-12 | 1992-09-14 | Canon Inc | X線露光装置及びx線露光方法 |
US5444590A (en) * | 1992-12-04 | 1995-08-22 | Texas Instruments Incorporated | Solid state power controller with power switch protection apparatus |
US5948219A (en) * | 1997-05-07 | 1999-09-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus for selectively exposing a semiconductor topography to an electric field |
US6459472B1 (en) | 1998-05-15 | 2002-10-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic device |
JP4058195B2 (ja) * | 1999-05-31 | 2008-03-05 | パイオニア株式会社 | ディスク原盤とディスク原盤形成装置並びにディスク原盤形成方法 |
US6319643B1 (en) * | 2000-06-19 | 2001-11-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Conductive photoresist pattern for long term calibration of scanning electron microscope |
US6482558B1 (en) * | 2000-10-24 | 2002-11-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Conducting electron beam resist thin film layer for patterning of mask plates |
US6686132B2 (en) * | 2001-04-20 | 2004-02-03 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for enhancing resist sensitivity and resolution by application of an alternating electric field during post-exposure bake |
KR100533719B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2005-12-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 |
US6897940B2 (en) * | 2002-06-21 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | System for correcting aberrations and distortions in EUV lithography |
US6846360B2 (en) * | 2003-01-13 | 2005-01-25 | Aptos Corporation | Apparatus and method for bubble-free application of a resin to a substrate |
WO2004079833A1 (en) * | 2003-03-07 | 2004-09-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an electronic arrangement |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6891176B2 (en) * | 2003-06-20 | 2005-05-10 | Nanion Aps | Planar electron emitter with extended lifetime and system using same |
US7374867B2 (en) * | 2003-10-06 | 2008-05-20 | Intel Corporation | Enhancing photoresist performance using electric fields |
US7509505B2 (en) * | 2005-01-04 | 2009-03-24 | Cisco Technology, Inc. | Method and system for managing power delivery for power over Ethernet systems |
US9769090B2 (en) * | 2005-01-25 | 2017-09-19 | Linear Technology Corporation | Adjusting current limit thresholds based on power requirement of powered device in system for providing power over communication link |
US20060168459A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-07-27 | Dwelley David M | Providing data communication between power supply device and powered device in system for supplying power over communication link |
-
2004
- 2004-04-14 US US10/823,775 patent/US7463336B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-13 JP JP2005115239A patent/JP4319642B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005303315A (ja) | 2005-10-27 |
US7463336B2 (en) | 2008-12-09 |
US20050231704A1 (en) | 2005-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3696163B2 (ja) | リソグラフィ投影装置、素子製造方法、およびそれによって製造される素子 | |
JP5055310B2 (ja) | リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法 | |
JP5535194B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、クリーニングシステム、およびパターニングデバイスをクリーニングする方法 | |
KR100748447B1 (ko) | 리소그래피 투영장치 및 상기 장치에 사용하기 위한파티클 배리어 | |
JP5732392B2 (ja) | 放射源およびリソグラフィ装置 | |
JP2008268956A (ja) | ペリクル、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 | |
US11333984B2 (en) | Apparatus for and method of in-situ particle removal in a lithography apparatus | |
KR20120102145A (ko) | 조명 시스템, 리소그래피 장치 및 조명 방법 | |
KR101776837B1 (ko) | 다중층 거울 | |
JP2012506133A (ja) | コレクタアセンブリ、放射源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4319642B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
JP2007517396A (ja) | リソグラフィ装置、及びデブリ軽減システムを備える放射源、並びにリソグラフィ装置におけるデブリ粒子を軽減する方法 | |
JP4058404B2 (ja) | リソグラフィ投影装置およびリソグラフィ工程により集積構造を製造する方法 | |
TW201316842A (zh) | 輻射源 | |
KR20130009773A (ko) | 스펙트럼 퓨리티 필터 | |
JP2004153279A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US20070075276A1 (en) | Exposure system and method for operating an exposure system | |
JP2010153857A (ja) | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
US20160170309A1 (en) | Light exposure method, and light exposure apparatus | |
JP4966410B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4384082B2 (ja) | かすめ入射ミラー、かすめ入射ミラーを含むリソグラフィ装置、かすめ入射ミラーを提供する方法、かすめ入射ミラーのeuv反射を強化する方法、デバイス製造方法およびそれによって製造したデバイス | |
TWI754500B (zh) | 反射式光罩坯體及其製造方法 | |
JP2010045355A (ja) | 放射源、リソグラフィ装置、および、デバイス製造方法 | |
CN114641731A (zh) | 用于在光刻过程中改善衬底的均匀性的方法 | |
WO2021073817A1 (en) | Patterning device conditioning system and method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080423 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080718 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080724 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081016 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090501 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090528 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120605 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120605 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130605 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |