JP2010153857A - 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】極端紫外線の生成又は高解像度リソグラフィのための放射源は、燃料が放射ビームと接触してEUV放射を生成するプラズマ形成部位を含む。ミラー付きコレクタは、第1焦点で生成されたEUV放射を集めて第2焦点に向かって反射させる。汚染バリアは、周縁部が第2焦点においてミラーに規定される立体角の50%より多くを閉塞しないように位置決めされ、それによって、EUV放射は過度に減衰されない。汚染バリアは、プラズマからのイオン、原子、分子又はナノ小滴などの燃料材料をトラップし、集光ミラー上への堆積を防ぐ。ガス抽出口は、集光ミラーに向かう燃料デブリ及び汚染の拡散を抑制するためにプラズマ形成部位付近に設けられてよい。
【選択図】図2
Description
上の式で、λは、使用される放射の波長であり、NAPSは、パターンを印刷するために使用される投影システムの開口数である。k1は、レイリー定数とも呼ばれているプロセス依存調整係数であり、CDは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ(又はクリティカルディメンジョン)である。式(1)から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、3つの方法:露光波長λを短くすることによって、開口数NAPSを大きくすることによって、あるいはk1の値を小さくすることによって達成することができる、と言える。
Claims (15)
- 極端紫外線を生成するように構成された放射源であって、
燃料が放射ビームと接触してプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位と、
前記プラズマ形成部位で形成された極端紫外線を集めるように構成されたコレクタであって、前記コレクタは前記極端紫外線を第2焦点に反射させるためにミラーを含み、前記プラズマ形成部位の位置は、第1焦点及び前記第2焦点によって画定された光軸に沿って測定された前記コレクタからの焦点距離Fにおける前記コレクタの第1焦点にある、コレクタと、
周縁部を有し、かつ前記プラズマ形成部位と前記コレクタとの間に配置された汚染バリアであって、前記汚染バリアの前記周縁部は、前記第2焦点において前記ミラーによって規定される立体角のうちの50%より多くは閉塞しない、汚染バリアと、
を備える放射源。 - 前記汚染バリアの前記周縁部は、前記第2焦点において前記ミラーによって規定される前記立体角を閉塞しない、
請求項1に記載の放射源。 - 前記コレクタは、前記放射ビームが前記プラズマ形成部位における前記燃料と接触するためにコレクタを通り抜けることを可能にするように構成されたアパーチャを含む、
請求項1又は2に記載の放射源。 - 前記汚染バリアは、前記第2焦点において前記アパーチャによって規定される前記立体角内に完全に位置付けられている、
請求項3に記載の放射源。 - 前記コレクタは、ガス流を前記プラズマ形成部位に向かって誘導するように構成されたガス入口及びガス出口を有するノズルを含む、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の放射源。 - 前記アパーチャは、前記ノズルの前記ガス入口であるように構成されている、
請求項5に記載の放射源。 - 前記汚染バリアは、前記ノズルに取り付けられている、
請求項5又は6に記載の放射源。 - 前記汚染バリアは、前記ノズルの前記ガス出口に取り付けられている、
請求項7に記載の放射源。 - 前記汚染バリアは、前記コレクタに対して回転する、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の放射源。 - 前記プラズマ形成部位付近からガスを抽出するように位置決めおよび構成されたガス抽出口をさらに含む、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の放射源。 - 前記ガス抽出口は、前記第2焦点と前記光軸に対して垂直であり、かつ前記プラズマ形成部位を通り抜ける平面との間に配置される、
請求項10に記載の放射源。 - 極端紫外線を生成するように構成された放射源であって、
燃料が放射ビームと接触してプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位と、
前記プラズマ形成部位で形成された極端紫外線を集めるように構成されたコレクタであって、前記コレクタは前記極端紫外線を第2焦点に反射させるためにミラーを含み、前記プラズマ形成部位の前記位置は、第1焦点及び前記第2焦点によって画定された光軸に沿って測定された前記コレクタからの焦点距離Fにおける前記コレクタの第1焦点にある、コレクタと、
前記プラズマ形成部位付近からガスを抽出するように位置決め及び構成されたガス抽出口と、
を備える放射源。 - 基板をパターン付けするように構成されたリソグラフィ装置であって、
請求項1〜12のいずれか一項に記載の放射源と、
前記第2焦点に向かって誘導される前記放射源からの極端紫外線をパターン付けするように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、
前記基板に前記パターン付けされたビームを投影するように構成された投影システムと、
を備えるリソグラフィ装置。 - プラズマ形成部位で極端紫外線を生成することと、
周縁部を有し、かつ前記プラズマ形成部位とミラーを含むコレクタとの間に配置された汚染バリアを用いて前記プラズマ形成部位からの前記極端紫外線によって生成された汚染をかき集めることと、
前記コレクタを用いて前記汚染バリアを通り抜けた前記極端紫外線を集めることと、
前記ミラーを用いて前記極端紫外線を第2焦点に向かって反射させることと、
パターニングデバイスを用いて前記第2焦点に向かって反射した前記極端紫外線をパターン付けすることと、
前記パターン付けされた極端紫外線を基板上に投影することと、
を含み、
前記汚染バリアの前記周縁部は、前記第2焦点において前記ミラーによって規定される立体角のうちの50%より多くは閉塞しない、
デバイス製造方法。 - プラズマ形成部位で極端紫外線を生成することと、
ミラーを含むコレクタを用いて汚染バリアを通り抜けた前記極端紫外線を集めることと、
前記ミラーを用いて前記極端紫外線を第2焦点に向かって反射させることと、
パターニングデバイスを用いて前記第2焦点に向かって反射した前記極端紫外線をパターン付けすることと、
前記パターン付けされた極端紫外線を基板上に投影することと、
ガス抽出口を用いて前記プラズマ形成部位付近からガスを抽出することと、
を含むデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US19371908P | 2008-12-18 | 2008-12-18 | |
US61/193,719 | 2008-12-18 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012129640A Division JP5531053B2 (ja) | 2008-12-18 | 2012-06-07 | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010153857A true JP2010153857A (ja) | 2010-07-08 |
JP5016017B2 JP5016017B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=42077227
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009281085A Expired - Fee Related JP5016017B2 (ja) | 2008-12-18 | 2009-12-11 | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2012129640A Expired - Fee Related JP5531053B2 (ja) | 2008-12-18 | 2012-06-07 | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012129640A Expired - Fee Related JP5531053B2 (ja) | 2008-12-18 | 2012-06-07 | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8232537B2 (ja) |
EP (1) | EP2199857B1 (ja) |
JP (2) | JP5016017B2 (ja) |
AT (1) | ATE544096T1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105518530A (zh) * | 2013-09-04 | 2016-04-20 | Asml荷兰有限公司 | 用于保护euv光学元件的设备 |
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JP2019168477A (ja) * | 2016-08-18 | 2019-10-03 | 国立大学法人東北大学 | 軟x線光源、露光装置および顕微鏡 |
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-
2009
- 2009-08-13 US US12/540,542 patent/US8232537B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-09 AT AT09169802T patent/ATE544096T1/de active
- 2009-09-09 EP EP09169802A patent/EP2199857B1/en not_active Not-in-force
- 2009-12-11 JP JP2009281085A patent/JP5016017B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-07 JP JP2012129640A patent/JP5531053B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5016017B2 (ja) | 2012-09-05 |
JP2012199582A (ja) | 2012-10-18 |
US20100157267A1 (en) | 2010-06-24 |
US8232537B2 (en) | 2012-07-31 |
EP2199857B1 (en) | 2012-02-01 |
ATE544096T1 (de) | 2012-02-15 |
JP5531053B2 (ja) | 2014-06-25 |
EP2199857A1 (en) | 2010-06-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111028 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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