JP2010045357A - 放射源および放射を生成する方法 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 183
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 208000025174 PANDAS Diseases 0.000 description 1
- 208000021155 Paediatric autoimmune neuropsychiatric disorders associated with streptococcal infection Diseases 0.000 description 1
- 240000000220 Panda oleosa Species 0.000 description 1
- 235000016496 Panda oleosa Nutrition 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
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- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
- H05G2/006—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
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- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/064—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements having a curved surface
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- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
【解決手段】放射源は、放射を生成するように構成されている。放射源は、プラズマ生成部位へと誘導される燃料の小滴の流れを生成するように構成された燃料小滴ジェネレータと、プラズマ生成部位へと誘導されるレーザビームを生成するように構成されたレーザであって、小滴の流れの動きの方向とレーザビームの方向との間の角度は90℃より小さい、レーザと、放射ビームと小滴とが衝突した場合にプラズマ形成部位で形成されたプラズマによって生成される放射を集光するように構成されたコレクタとを含む。コレクタは、放射を実質的に放射源の光軸に沿って反射させるように構成されている。レーザビームは、コレクタに設けられたアパーチャを通ってプラズマ生成部位へと誘導される。
【選択図】図8a
Description
Claims (15)
- 放射を生成するように構成された放射源であって、前記放射源は、
プラズマ生成部位へと誘導される燃料の小滴の流れを生成するように構成された燃料小滴ジェネレータと、
前記プラズマ生成部位へと誘導されるレーザビームを生成するように構成されたレーザであって、前記小滴の流れの動きの方向と前記レーザビームの方向との間の角度は90℃より小さい、レーザと、
放射ビームと小滴とが衝突した場合にプラズマ形成部位で形成されたプラズマによって生成される放射を集光するように構成されたコレクタであって、前記コレクタは、前記放射を実質的に前記放射源の光軸に沿って反射させるように構成されている、コレクタとを含み、
前記レーザビームは、前記コレクタに設けられたアパーチャを通って前記プラズマ生成部位へと誘導される、
放射源。 - 前記レーザビームと前記小滴の流れとの間の前記角度を制御するために前記レーザビームの方向および/または前記小滴の流れの動きの方向を制御するためのコントローラをさらに含む、
請求項1に記載の放射源。 - 前記コントローラは、前記レーザビームの方向と前記小滴の流れの動きの方向との間の前記角度を制御するために前記燃料小滴ジェネレータおよび/または前記レーザの位置または配向を制御するように構成されている、
請求項2に記載の放射源。 - 前記小滴の流れは、前記小滴の流れが前記コレクタから離れる方向に向いている前記放射源の前記光軸に沿った動きの成分(component of movement)を有するように誘導される、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の放射源。 - 前記レーザビームおよび前記小滴の流れは、前記レーザビームおよび前記小滴の流れが前記コレクタから離れる方向に向いている前記放射源の前記光軸に沿った動きの成分(component of movement)を有するように誘導される、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の放射源。 - 前記小滴の流れの動きの方向と前記レーザビームの方向との間の前記角度は、85°より小さい、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の放射源。 - 前記小滴の流れの動きの方向と前記レーザビームの方向との間の前記角度は、45°より小さい、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の放射源。 - 前記レーザビームおよび前記小滴の流れは、前記コレクタに設けられたアパーチャを通って前記プラズマ生成部位へと誘導される、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の放射源。 - 前記放射源は、EUV放射を生成するように構成されている、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の放射源。 - 放射を生成する方法であって、
燃料の小滴の流れをプラズマ生成部位に誘導することと、
レーザビームを前記プラズマ生成部位に誘導することであって、前記小滴の流れの動きの方向と前記レーザビームの方向との間の角度は90°より小さい、ことと、
放射ビームと小滴が衝突した場合にプラズマ形成部位で形成されたプラズマによって生成される放射を集光するためにコレクタを使用し、前記放射を実質的に前記放射源の光軸に沿って反射させることと、
を含み、
前記レーザビームおよび前記小滴の流れのうちの1つは、前記コレクタに設けられたアパーチャを通って前記プラズマ生成部位へと誘導される、
方法。 - 放射を生成するように構成された放射源であって、前記放射源は、
プラズマ生成部位へと誘導される燃料の小滴の流れを生成するように構成された燃料小滴ジェネレータと、
前記プラズマ生成部位へと誘導されるレーザビームを生成するように構成されたレーザと、
前記レーザビームと前記小滴の流れとの間の角度を制御するために前記レーザビームの方向および/または前記小滴の流れの動きの方向を制御するためのコントローラと、
を含む、
放射源。 - 前記コントローラは、前記レーザビームの方向と前記小滴の流れの動きの方向との間の前記角度を制御するために前記燃料小滴ジェネレータおよび/または前記レーザの位置または配向を制御するように構成されている、
請求項11に記載の放射源。 - 前記レーザビームおよび/または前記小滴の流れの方向は、前記小滴の流れの小滴が前記レーザビームの少なくとも一部を通り抜けるためにかかる時間を制御するために制御されている、
請求項11または12に記載の放射源。 - 前記小滴の流れと前記レーザビームの方向との間の角度は、90°より小さい、
請求項11〜13のいずれか一項に記載の放射源。 - 請求項1〜9、または請求項11〜14のいずれか一項に記載の放射源と、
パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、前記パターニングデバイスは、中間焦点を通り抜ける放射をパターン形成するように構成されている、サポートと、
前記パターン形成された放射を基板上に投影するように構成された投影システムと
を含む、
リソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13613408P | 2008-08-14 | 2008-08-14 | |
US61/136,134 | 2008-08-14 | ||
US19351008P | 2008-12-04 | 2008-12-04 | |
US61/193,510 | 2008-12-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010045357A true JP2010045357A (ja) | 2010-02-25 |
JP4966342B2 JP4966342B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=41361258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009183972A Active JP4966342B2 (ja) | 2008-08-14 | 2009-08-07 | 放射源、放射を生成する方法およびリソグラフィ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8278636B2 (ja) |
EP (1) | EP2154574B1 (ja) |
JP (1) | JP4966342B2 (ja) |
AT (1) | ATE536567T1 (ja) |
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US9625824B2 (en) | 2015-04-30 | 2017-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Extreme ultraviolet lithography collector contamination reduction |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8278636B2 (en) | 2012-10-02 |
JP4966342B2 (ja) | 2012-07-04 |
EP2154574A3 (en) | 2010-06-23 |
EP2154574A2 (en) | 2010-02-17 |
EP2154574B1 (en) | 2011-12-07 |
US20100039631A1 (en) | 2010-02-18 |
ATE536567T1 (de) | 2011-12-15 |
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