JP2006032578A - 光源装置、当該光源装置を有する露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 プラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を供給する光源装置であって、前記プラズマから放射される光の位置を一定に維持する維持手段を有することを特徴とする光源装置を提供する。
【選択図】 図1
Description
110 ターゲット供給装置
120 レーザー装置
124 集光素子
124b 反射ミラー
130 光学部材
190 プラズマ光源
191 電界印加装置
192 電極
193 電界印加装置
200 維持手段
210 調整手段
220 検出手段
221 ピンホール板
221a ピンホール
222 2次元センサ
222A 2次元CCD
222B 4分割センサ
220D 検出手段
221D 第1のスリット
222D 第2のスリット
223D 第1の光量センサ
224D 第2の光量センサ
225 凹面ミラー
230 制御部
250 検出手段
260 調整手段
270、280及び290 検出手段
290A 4分割センサ
292B フィルタ
294B レンズ
296B CCD
100A乃至100G 光源装置
200A乃至200E 維持手段
300 露光装置
400 測定装置
Claims (8)
- プラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を供給する光源装置であって、
前記プラズマから放射される光の位置を一定に維持する維持手段を有することを特徴とする光源装置。 - ターゲットを供給するターゲット供給装置と、
レーザー光を射出するレーザー発生部と、前記ターゲットに前記レーザー光を集光する集光素子とを有し、前記プラズマを生成するレーザー装置と、
前記プラズマから放射される光を集光する光学部材とを更に有することを特徴とする請求項1記載の光源装置。 - ワークガスを供給するガス供給装置と、
前記ワークガスに対して電圧を印加する電極を有し、前記プラズマを生成する印加装置と、
前記プラズマから放射される光を集光する光学部材とを更に有することを特徴とする請求項1記載の光源装置。 - 前記維持手段は、前記光の位置を検出する第1の検出手段、前記プラズマの位置を検出する第2の検出手段、前記光学部材の位置及び/又は角度を検出する第3の検出手段、前記集光素子の位置及び/又は角度を検出する第4の検出手段のうち少なくとも一の検出手段と、
前記光学部材の位置及び/又は角度を調整する第1の調整手段、前記集光素子の位置及び/又は角度を調整する第2の調整手段、前記ターゲット供給装置の位置及び/又は角度を調整する第3の調整手段のうち少なくとも一の調整手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて、前記光の位置を一定に維持するように、前記調整手段を制御する制御部とを有することを特徴とする請求項3記載の光源装置。 - 前記維持手段は、前記光の位置を検出する第1の検出手段、前記プラズマの位置を検出する第2の検出手段、前記光学部材の位置及び/又は角度を検出する第3の検出手段、前記電極の位置及び/又は角度を検出する第4の検出手段のうち少なくとも一の検出手段と、
前記光学部材の位置及び/又は角度を調整する第1の調整手段、前記電極の位置及び/又は角度を調整する第2の調整手段のうち少なくとも一の調整手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて、前記光の位置を一定に維持するように、前記調整手段を制御する制御部とを有することを特徴とする請求項3記載の光源装置。 - レチクルに形成されたパターンを被処理体に露光する露光装置であって、
請求項1乃至5のうちいずれか一項記載の光源装置と、
前記光源装置から供給される光を用いて前記レチクルを照明する照明光学系と、
前記レチクルに形成されたパターンを前記被処理体に投影する投影光学系とを有することを特徴とする露光装置。 - 請求項6記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。 - 被測定体の反射率を測定する測定装置であって、
請求項1乃至5記載のうちいずれか一項記載の光源装置と、
前記光源装置から供給された光を前記被測定体に照射する照射手段と、
前記被測定体から反射した前記光を検出する検出手段とを有することを特徴とする測定装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010045357A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-02-25 | Asml Netherlands Bv | 放射源および放射を生成する方法 |
JP2010067911A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Nikon Corp | 計測装置、光源装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2012510156A (ja) * | 2008-11-24 | 2012-04-26 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源における駆動レーザビーム送出のためのシステム及び方法 |
WO2018131146A1 (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005235959A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Canon Inc | 光発生装置及び露光装置 |
US7164144B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-01-16 | Cymer Inc. | EUV light source |
JP4574211B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 光源装置、当該光源装置を有する露光装置 |
JP5025236B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2012-09-12 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
JP5149514B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2013-02-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
NL2003192A1 (nl) * | 2008-07-30 | 2010-02-02 | Asml Netherlands Bv | Alignment of collector device in lithographic apparatus. |
JP5670174B2 (ja) | 2010-03-18 | 2015-02-18 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置および極端紫外光生成装置 |
US9110377B2 (en) * | 2010-09-08 | 2015-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, EUV radiation generation apparatus and device manufacturing method |
US9029813B2 (en) * | 2011-05-20 | 2015-05-12 | Asml Netherlands B.V. | Filter for material supply apparatus of an extreme ultraviolet light source |
US9678431B2 (en) * | 2015-03-16 | 2017-06-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV lithography system and method with optimized throughput and stability |
US9826615B2 (en) * | 2015-09-22 | 2017-11-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV collector with orientation to avoid contamination |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0697027A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Toshiba Corp | X線リソグラフィ装置 |
JP2000056099A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Nikon Corp | X線照射装置及びx線発生位置検出器 |
JP2000340395A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Nikon Corp | X線発生装置及びこれを有するx線露光装置及びx線の発生方法 |
JP2000346817A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Nikon Corp | 測定装置、照射装置および露光方法 |
JP2001267096A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-09-28 | Nikon Corp | X線発生装置 |
JP2002006096A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Nikon Corp | 電磁波発生装置、これを用いた半導体製造装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
JP2004128105A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Nikon Corp | X線発生装置及び露光装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4870289A (en) * | 1987-09-25 | 1989-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for controlling relation in position between a photomask and a wafer |
US5149972A (en) * | 1990-01-18 | 1992-09-22 | University Of Massachusetts Medical Center | Two excitation wavelength video imaging microscope |
US5390203A (en) * | 1994-06-13 | 1995-02-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method and apparatus for locking laser wavelength to an atomic transition |
US6355570B1 (en) * | 1998-03-04 | 2002-03-12 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses |
JP3833810B2 (ja) * | 1998-03-04 | 2006-10-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体の製造方法並びにプラズマ処理方法およびその装置 |
US6324255B1 (en) * | 1998-08-13 | 2001-11-27 | Nikon Technologies, Inc. | X-ray irradiation apparatus and x-ray exposure apparatus |
JP2001032096A (ja) | 1999-07-23 | 2001-02-06 | Daihatsu Motor Co Ltd | 自動車車体の電着塗装方法 |
EP1139521A4 (en) * | 1999-09-10 | 2006-03-22 | Nikon Corp | LIGHT SOURCE AND WAVELENGTH STABILIZATION CONTROL METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND METHOD, METHOD FOR PRODUCING EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE THEREOF |
JP2001267239A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US6826424B1 (en) * | 2000-12-19 | 2004-11-30 | Haishan Zeng | Methods and apparatus for fluorescence and reflectance imaging and spectroscopy and for contemporaneous measurements of electromagnetic radiation with multiple measuring devices |
US7253032B2 (en) * | 2001-04-20 | 2007-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of flattening a crystallized semiconductor film surface by using a plate |
JP4298336B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2009-07-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置、光源装置及びデバイス製造方法 |
JP2005294087A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Nikon Corp | 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP4574211B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 光源装置、当該光源装置を有する露光装置 |
-
2004
- 2004-07-14 JP JP2004207856A patent/JP4878108B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-07-13 EP EP05254383A patent/EP1617292B1/en not_active Expired - Fee Related
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- 2005-07-13 US US11/181,192 patent/US7276710B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0697027A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Toshiba Corp | X線リソグラフィ装置 |
JP2000056099A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Nikon Corp | X線照射装置及びx線発生位置検出器 |
JP2000340395A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Nikon Corp | X線発生装置及びこれを有するx線露光装置及びx線の発生方法 |
JP2000346817A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Nikon Corp | 測定装置、照射装置および露光方法 |
JP2001267096A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-09-28 | Nikon Corp | X線発生装置 |
JP2002006096A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Nikon Corp | 電磁波発生装置、これを用いた半導体製造装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
JP2004128105A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Nikon Corp | X線発生装置及び露光装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010045357A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-02-25 | Asml Netherlands Bv | 放射源および放射を生成する方法 |
JP2010067911A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Nikon Corp | 計測装置、光源装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2012510156A (ja) * | 2008-11-24 | 2012-04-26 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源における駆動レーザビーム送出のためのシステム及び方法 |
WO2018131146A1 (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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