JP5025236B2 - 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 98
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 84
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 70
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 51
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 15
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70083—Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
-
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
10 光源部
20 シャッター
30 照明光学系
40 レチクル
50 投影光学系
60 ウエハ
70 ウエハステージ
80 測定部(ピンホールセンサ)
82 マスク
82a ピンホール
84 受光部
90 制御部
1A 露光装置
10A 光源部
12A 光源
14A 引き回し光学系
16A 揺動部
80A 測定部(スリットセンサ)
82A マスク
82Aa スリット
84A 受光部
90A 制御部
Claims (9)
- 光源からの光束でレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、
前記投影光学系の像面における露光領域内の光量分布を測定する測定部と、
前記測定部によって測定された光量分布の局所変化に基づいて、前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくとも一方に存在する遮光物を検出する異常検出部とを有し、
前記異常検出部は、前記光量分布を示す関数を測定位置で2階微分することを特徴とする露光装置。 - 前記測定部は、前記露光領域内の複数の測定位置で光量を検出することによって前記光量分布を測定することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記測定部は、ピンホールと、前記ピンホールを通過した光束を受光する受光部とを有するピンホールセンサを含み、
前記露光領域内の光量分布は、前記ピンホールセンサを2次元格子状に移動させながら光量を検出することによって測定され、
前記異常検出部は、前記ピンホールセンサによって測定された光量分布の測定位置に対する2階微分値に基づいて、前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくとも一方に存在する遮光物を検出することを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 前記レチクルと前記基板とは相対的に走査され、
前記測定部は、前記レチクル及び前記基板の走査方向に長手方向を有するスリットと、前記スリットを通過した光束を受光する受光部とを有するスリットセンサを含み、
前記露光領域内の光量分布は、前記スリットセンサを前記レチクル及び前記基板の走査方向に対して直交する方向に移動させながら光量を検出することによって測定され、
前記異常検出部は、前記スリットセンサによって測定された光量分布の測定位置に対する2階微分値に基づいて、前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくとも一方に存在する遮光物を検出することを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 前記光源は、レーザー光を射出し、
前記露光装置は、前記レーザー光を導光する光学系を揺動する揺動部を更に有することを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - レチクルのパターンを基板に露光する露光方法であって、
測定部が、前記レチクルのパターンを前記基板に投影する投影光学系の像面において露光領域内の光量分布を測定する測定ステップと、
異常判断部が、前記測定ステップで測定した光量分布の局所変化に基づいて、前記レチクルを照明する照明光学系及び前記投影光学系の少なくとも一方に遮光物が存在するかどうかを判断する異常判断ステップと、
露光判断部が、前記異常判断ステップで遮光物が存在すると判断した場合に、露光を継続するかどうかを判断する露光判断ステップとを有し、
前記異常判断ステップでは、前記光量分布を示す関数を測定位置で2階微分することを特徴とする露光方法。 - 前記露光判断ステップで露光の継続が不可能であると判断した場合に、露光を停止して前記遮光物を除去する除去ステップを更に有することを特徴とする請求項6記載の露光方法。
- 前記異常判断ステップで遮光物が存在すると判断した場合に、前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくとも一方に存在する遮光物の位置を特定する特定ステップを更に有することを特徴とする請求項6記載の露光方法。
- 請求項1乃至5のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006322526A JP5025236B2 (ja) | 2006-11-29 | 2006-11-29 | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
TW096143203A TWI397780B (zh) | 2006-11-29 | 2007-11-15 | 曝光設備、曝光方法、和裝置製造方法 |
US11/943,885 US7936442B2 (en) | 2006-11-29 | 2007-11-21 | Exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method |
KR1020070122385A KR100913271B1 (ko) | 2006-11-29 | 2007-11-29 | 노광장치, 노광방법, 및 디바이스의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006322526A JP5025236B2 (ja) | 2006-11-29 | 2006-11-29 | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008140795A JP2008140795A (ja) | 2008-06-19 |
JP2008140795A5 JP2008140795A5 (ja) | 2010-01-21 |
JP5025236B2 true JP5025236B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=39463333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006322526A Expired - Fee Related JP5025236B2 (ja) | 2006-11-29 | 2006-11-29 | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7936442B2 (ja) |
JP (1) | JP5025236B2 (ja) |
KR (1) | KR100913271B1 (ja) |
TW (1) | TWI397780B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI456356B (zh) * | 2009-04-09 | 2014-10-11 | Nsk Technology Co Ltd | 曝光裝置用之光照射裝置及其點亮控制方法、曝光裝置及基板 |
JP6506670B2 (ja) * | 2015-10-07 | 2019-04-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US10274836B2 (en) * | 2017-06-23 | 2019-04-30 | International Business Machines Corporation | Determination of lithography effective dose uniformity |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0225016A (ja) | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Nec Corp | 露光装置 |
JP2842879B2 (ja) * | 1989-01-06 | 1999-01-06 | 株式会社日立製作所 | 表面分析方法および装置 |
US5389555A (en) * | 1989-12-21 | 1995-02-14 | Olympus Optical Co., Ltd. | Particle pattern judging method |
US5172421A (en) * | 1991-03-27 | 1992-12-15 | Hughes Aircraft Company | Automated method of classifying optical fiber flaws |
JP3314440B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2002-08-12 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
WO1999027568A1 (fr) * | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Nikon Corporation | Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection |
JP4066083B2 (ja) * | 1998-02-09 | 2008-03-26 | 株式会社ニコン | 光学素子光洗浄方法および投影露光装置 |
JPH11288870A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2002289515A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-10-04 | Nikon Corp | 製品の製造方法、露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2004335575A (ja) * | 2003-05-01 | 2004-11-25 | Canon Inc | 露光装置 |
JP4878108B2 (ja) * | 2004-07-14 | 2012-02-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置、デバイス製造方法、および測定装置 |
US7659976B2 (en) * | 2005-12-12 | 2010-02-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Devices and methods for inspecting optical elements with a view to contamination |
-
2006
- 2006-11-29 JP JP2006322526A patent/JP5025236B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-15 TW TW096143203A patent/TWI397780B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-11-21 US US11/943,885 patent/US7936442B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-29 KR KR1020070122385A patent/KR100913271B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100913271B1 (ko) | 2009-08-21 |
TWI397780B (zh) | 2013-06-01 |
US7936442B2 (en) | 2011-05-03 |
US20080123068A1 (en) | 2008-05-29 |
JP2008140795A (ja) | 2008-06-19 |
KR20080048966A (ko) | 2008-06-03 |
TW200837504A (en) | 2008-09-16 |
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