JP2842879B2 - 表面分析方法および装置 - Google Patents

表面分析方法および装置

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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は表面分析に係り、特に微小領域の分析におい
て、高分解能化達成に好適な表面分析方法およびその装
置に関する。
［従来の技術］ 表面分析において、分析領域の微小化が進められつつ
ある。その理由は、半導体素子製造プロセスに代表され
るように、材料の微小化、薄膜化、複合化に伴ない、微
小領域の物性，構造，電気的特性を知る必要性が増大し
たためである。この微小領域の大きさは、半導体回路素
子のパタンサイズや結晶粒界の大きさから判断して、お
およそ１μｍφ以下である。従って、表面分析技術に要
求される面方向分解能（どの程度の微小領域に対し情報
を同定できるかどうか）は、１μｍ以下である。
［発明が解決しようとする課題］ 以上のような要求に対し、表面分析法において面方向
に分解能を高めた方法として、以下に述べる方法があ
る。
その１つは、集光、集束作用を持つ素子やレンズ系を
用いて、プローブビームを試料面上に集光、集束させる
方法である。その代表例は電子顕微鏡やμ−ESCA（グル
ントハナー，エム・アール・エス・ブルテン，第30巻,6
1頁（1987年）。（F.J.Grunthaner.MRS Bulletin 30,61
（1987））である。また、Ｘ線の分野では、全反射線や
ゾーンプレートを用いての集光が試みられている（特開
昭61−292600号，同62−265555号公報）。
分解能を高めるもう１つの方法は、プローブビームは
そのままにして、観測系の視野を制限する方法である。
この方法には、電子レンジ系やアパーチャ，強磁場等が
用いられる。たとえば、前述のμ−ESCAでは、軟Ｘ線の
集光と同時に電子レンズ系とアパーチャを用い、面方向
分解能の向上をはかっている。また、別のμ−ESCAでは
（ビームソン他，ネイチャー，第290巻,556頁（1981
年）。（G.Beamson et al.,Nature 290.556（198
1））、試料面近傍に強磁場を印加し、試料面から放出
された電子をこの磁場で捕捉して（電にサイクロトロン
運動）、分解能の向上をはかっている。
しかし、これらの方法には以下に述べる問題点があ
る。まず第１に、プローブビームを１μｍφ以下の領域
に集光、集束するためには、各種収差を取り除いた超低
収差光学系の開発が必要である。この光学系の開発は、
高度な技術が要求され難しい。電子ビームを除けば、0.
1μｍφ以下のイオンビームやＸ線ビームは実現されて
いない。
第２の問題点は、視野制限型の方法に関する。この方
法では表面分析の高分解能化は望めない。試料表面から
放出される電子を観測する表面分析方法を例に説明す
る。試料面にプローブビームが入射すると、あらゆる方
向に様々な運動エネルギーを持った電子が試料面から放
出される。この射出方向や運動エネルギーのばらつき
は、放出される電子を集め観測する際の収差になる。表
面分析の高分解能化のためには収差をできる限り小さく
する必要があるが、上記収差は電子放出に本質的に付随
する収差であり、取り除くことはできない。
以上述べたように、従来方法には、プローブビームの
集光、集束に関する技術的難しさ、あるいは採用方法が
本質的に不適当という問題点がある。
本発明の目的は、微小領域の表面分析において、面方
向の高分解能化達成に容易、かつ効果的な方法を用いた
表面分析方法、装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、プローブビーム内のビー
ム強度分布、およびこのプローブビームで試料面上を走
査した時の信号の分布を測定する。次に、これら分布に
対し数学的変換（積分変換）を行なう。この変換によ
り、面方向分解能を向上させて表面分析を行なうことが
できる。
プローブビームを単に集光，集束して試料面上に照射
する従来方法では、面方向分解能はプローブビームのビ
ーム径によって決定される。しかし、上記方法では、ビ
ーム径で決定される分解能に比べはるかに高い分解能が
得られる。
［作用］ 以下、本発明で用いる数学的変換（積分変換）を説明
する。
分析対象である、試料面上での（たとえば）元素Ａの
分布をnA（x,y）とする（簡単のため、以下の説明では
Ａの深さ方向分布は考えない。Ａが深さ方向分布を持つ
場合でも、ここで述べた説明の本質は変わらない）。こ
のnA（x,y）をいかに高制度に求めるかが、表面分析の
面方向分解能を決定する。一方、プローブビームの試料
面上でのビーム内強度分布をｆ（η，ζ）とする。今、
このプローブビームが試料面上に照射され（プローブビ
ームの中心は、（x0，y0）にある）、元素Ａに関連した
信号Ｓが検出器によって検出されたとすると、nA,f,Sの
間には次式が成立する。
ここで、K:積分に無関係な定数 F:プローブビーム全入射強度 Ω：積分領域（プローブビーム照射領域） ただし、∫∫ｆ（η，ζ）ｄηｄζ＝１。
（１）式において、ｆ（η，ζ）は領域Ω内で定義さ
れた関数であるが、これをΩの外の領域に対しても
（２）式のように拡張する。
この条件下で（１）式にフーリエ変換を適用すると、次
式が成立する。
ｓ（X,Y）＝Ｋ・Ｆ・２πNA（X,Y）（X,Y） （３） ただし、 （３），（４）式より求めるべき分布nA（x,y）は、 となる。（１）式から、Ｓ（X,Y）は試料面上の各点に
対応した検出信号である。一方、（X,Y）は、プロー
ブビームの強度分布ｆ（η，ζ）のフーリエ変換であ
る。（６）式より、測定可能（あるいは計算可能）な量
Ｓ（X,Y）、（X,Y）をもとに、分布nA（x,y）を計算
によって求めることができる。
nA（x,y）の位置（x,y）に関する決定精度（表面分析
の面方向分解能）は、Ｓ（X,Y）およびＦ（X,Y）、従っ
て、信号Ｓおよびプローブビーム強度分布ｆの位置に関
する決定精度と同程度である。Ｓやｆの測定では、プロ
ーブビームのビーム径に比べ、位置座標の変化幅をはか
るに小さくとることができる。この結果、ビーム径の大
きなプローブビームを用いても、面方向に高分解能で表
面分析が可能である。また、ビーム径の小さなプローブ
ビーム（集光，集束されたプローブビーム）を用いた場
合には、より高分解能で表面分析が可能になる。この点
において、本発明は、プローブビームのビーム径で面方
向分解能が決定される従来の表面分析法と決定的に異な
る。さらに、（１）〜（６）式はプローブビームの種類
に無関係に成立する。このことは、本発明がプローブビ
ームを用いるすべての表面分析法を対象にしていること
を示している。
また、本発明は、ビーム内強度分布ｆ（η，ζ）が
η，ζに関し複雑に変化している場合にも有効である。
たとえば、ζを固定してηを変化させた時、ｆ（η，
ζ）に複数の極大値が観測されたとする。この場合、従
来方法では、先に述べたように、全体のビーム径（たと
えば、ｆ（η，ζ）の半値幅）が面方向分解能を決定す
る。しかし、本発明では、各々の極大値に対応するピー
クの（たとえば）半値幅によって面方向分解能が決定さ
れる。従って、従来方法に比べ、この点においても、よ
り高分解能化ができる。
なお、本節の説明では、積分変換としてフーリエ変換
を例に説明したが、これ以外の積分変換の使用ももちろ
ん可能である。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
〈実施例１〉 第１図に実施例の一例を示した。ビーム源１で発生し
たプローブビーム（もしくは粒子）は、試料３上の試料
２表面に照射される。ここで、ビーム源１は、荷電粒子
源、中性粒子源あるいは光源（シンクロトロン放射光や
レーザも含む）である。ビーム照射により発生した電子
やイオン、中性粒子や光が、検出器５により検出され
る。検出器５は、エネルギー分析可能な検出器（たとえ
ば、静電型エネルギー分析器やエネルギー分散型、波長
分散型Ｘ線検出器）や質量分析可能な検出器（たとえば
質量分析計）、あるいは単なる電子，イオン，中性粒
子，光の検出器である。検出器としての種類や性能は問
わない。検出器５はコントローラテクにより制御されて
いる。
一方、試料２の後方にはプローブビーム強度分布測定
用の検出器４が配置されている。前節で述べたように、
プローブビーム強度分布は２次元分布（ｆ（η，ζ），
（２）式）であるから、検出器４も２次元検出器である
ことが望ましい。２次元検出器でない場合には、（第２
図に示された）ナイフエッヂやピンホール、スリット等
と検出器との組合せを用いればよい。検出器４も、検出
器５と同様、電子，イオン中性粒子、あるいは光の検出
器である。プローブビームの強度分布測定時には、プロ
ーブビームを遮らないよう試料２と試料台３は移動し、
必要ならば検出器４が試料２表面位置まで移動するもの
とする。
試料台３は３次元の微小移動が可能である。この微小
移動にはピエゾ素子を利用する。試料台３の微小移動
は、位置制御用コントローラ６により制御されている。
次に、信号およびデータ処理系を説明する。検出器５
からの観測信号は、コントローラ７を介して高速演算処
理装置８に入力される。ここで、高速演算処理装置８
は、大容量メモリー機能，ディスプレー機能等を有す
る。高速演算可能な計算装置である。位置制御コントロ
ーラ６からのプローブビーム照射位置に対応した信号
も、高速演算処理装置８に入力される。この両信号をも
とに、（前記（３）式の）Ｓ（X,Y）が求まる。一方、
検出器４からの出力信号は、検出器４のコントローラ10
を介して高速演算処理装置８に入力される。ここでは、
検出器４は２次元検出器であると仮定して説明を進める
（その他の場合は、実施例２の説明を参照）。コントロ
ーラ10からの出力信号は、（前節（５）式の）ｆ（x,
y）に対応するものである。高速演算処理装置８では、
（前節（５）式の）ｆ（x,y）から（X,Y）への変換を
高速で行なう。ｆ（x,y）の測定、（X,Y）の計算は、
Ｓ（X,Y）の測定、計算に先だって行なう。
以上、求められたＳ（X,Y）、（X,Y）をもとに、前
節（６）式に従って高速演算処理装置８で計算を行なえ
ば、求めるべき面方向の分布nA（x,y）が得られる。得
られた結果は、高速演算処理装置８のディスプレー上に
表示できる。また、専用の出力・表示装置９に入力して
出力、表示できる。この結果、分析結果を（たとえば）
画像として出力することが可能になる。
本実施例によれば、試料面上の分析対象物の分布を、
プローブビームのビーム強度分布と検出信号の面内分布
をもとに、数学的変換によって求めることができる。こ
の結果、ビーム径の大きなプローブビームを用いた場合
でも、面方向分解能の高い表面分析が可能になる。
〈実施例２〉 第１図に示した実施例では、ビーム源１と試料２との
間にプローブビーム集光、集束用の光学系は設置されて
いない。しかし、細いプローブビームを用いれば、より
信頼性の高い高分解能分析が可能である。このような分
布には、ビーム源１からのプローブビーム（もしくは粒
子）を集光、集束して試料面に照射し、前節で述べた数
学的変換を用いればよい。第２図にその実施例の一例を
示した。
第２図では、ビーム源１からのプローブビーム（もし
くは粒子）がレンズ系16で集光，集束されて、試料２表
面に照射される。ここで、レンズ系16は、電子レンズ系
や光学レンズ（反射ミラー系も含む）である。どのよう
なレンズ系を用いるかは、プローブビーム（もしくは粒
子）の種類によって決まる。また、加速系41は、集光，
集束に粒子加速が不必要な場合（たとえば、プローブビ
ームが光の場合）、取り去ることができるものとする。
プローブビームの強度分布は、ナイフエッヂ12と検出
器11を用いて測定される（先の実施例１では、この測定
に検出器４のみを用いていた）。ナイフエッフヂ12は、
スリットやピンホールでもよい。
ナイフエッヂ12は、コントローラ14で制御された微小
移動機構13に設置されている。コントローラ14からの位
置制御に対応した信号は、検出器11からの出力信号と共
に処理装置15に入力される。処理装置15では、この両信
号をもとに、ｆ（x,y）を求め、この結果を高速演算処
理装置８に入力する。その他の部分は、第１図に示され
た実施例１と同じである。
本実施例によれば、より微細なプローブビームを用い
ることができるので、実施例１に比べより信頼性の高い
高分解能分析が可能になる。
〈実施例３〉 前節で述べたように、本発明では、観測信号の試料表
面上での分析Ｓ（X,Y）を測定する必要がある。すなわ
ちプローブビームは試料表面上を走査しなければならな
い。実施例１および２では、試料台３の微小移動によっ
てこの走査を行なっていた。しかし、プローブビームの
試料面上での走査は、別方式によっても可能である。第
３図にその一例を示した。
第３図では、荷電粒子源17からのビーム（もしくは粒
子）がレンズ系18によって集束され、偏向系19を通過し
た後試料２表面に照射される。偏向系はコントローラ20
で制御されており、これによりプローブビームの試料２
表面上での走査が可能である。
プローブビームの走査に関する信号は、プローブビー
ムの位置信号としてコントローラ20より高速演算処理装
置８に入給される。この位置信号とコントローラ７を介
した検出器５からの観測信号とを用いて、高速演算処理
装置８でＳ（X,Y）を求める。その他の部分は、前述の
実施例と同じである。
〈実施例４〉 第４図は、荷電粒子以外のプローブビームを偏向する
実施例の一例である。粒子源21からのビーム（もしくは
粒子）が光学系22によって集光、集束され、偏向用光学
系23を通過した後試料２表面に照射される。偏向用光学
系23は駆動機構で24で制御され、その駆動機構24はコン
トローラ25で制御されている。偏向用光学系23は、たと
えば反射鏡でよい。以上の構成により、プローブビーム
の試料２表面上での走査が可能である。
プローブビームの走査に関する信号は、プローブビー
ム位置信号としてコントローラ25より高速演算処理装置
８に入力される。この信号とコントローラ７からの観測
信号とを用いて、高速演算処理装置８内でＳ（X,Y）が
求まる。その他の部分は、前述の実施例と同じである。
実施例３および４においては、レンズ系18、光学系22
の後方に偏向系19,偏光用光学系22が配置されている。
しかし、この配置は逆になっても同等の効果が得られ
る。
〈実施例５〉 第５図に、プローブビームの試料面上での走査の別実
施例を示した。本実施例は、ビームの発生位置を変化さ
せることにより、プローブビームが試料面上を走査する
実施例の一例である（たとえば、光をプローブビームに
使用する場合、この実施例が適用できる）。
第５図において、粒子源30からのビーム（もしくは粒
子）が集光・集束系29を通過し、偏向系28で偏向されて
ターゲット26に入射する。粒子ビームのターゲット26へ
の入射によって発生したプローブ粒子は、集光・集束系
27を通過して、プロークビームが試料２表面に入射す
る。プローブビーム粒子の発生位置が変化すれば、プロ
ーブビームは試料２表面上を走査できる。
プローブ粒子の発生位置は、偏向系28に接続されたコ
ントローラ31で制御されている。従って、プローブビー
ムの試料２表面上での位置は、このコントローラ31で制
御できる。プローブビームの試料２表面上での位置に対
応する信号は、コントローラ31から高速演算処理装置８
に入力される。この信号とコントローラ７からの出力信
号を用いて、高速演算処理装置８内でＳ（X,Y）が求ま
る。その他の部分は、前述の実施例と同じである。
実施例３〜５の特長は、試料台３を微小移動する方式
に比べ、より高速の走査ができることにある。すなわ
ち、Ｓ（X,Y）がより短時間で求められることにある。
〈実施例６〉 実施例１〜５においては、プローブビームを試料２表
面に照射することによって発生する電子、イオン、中性
粒子や光を検出していた。しかし、前節で述べた高分解
能化の原因は、これら以外にも適用できる。第６図にそ
の実施例の一例を示した。
第６図において、粒子源１からのプローブビーム（も
しくは粒子）が試料34に入力する。この時、プローブビ
ーム中の粒子の一部が試料34を構成する原子、分子と相
互作用して、試料34透過後のビームのエネルギー分布や
強度に変化が生じる。この変化を検出器36によって測定
する。検出器36としては、ビームのエネルギーや強度が
測定できれば、その種類は問わない。
検出器36での検出信号は、検出器36のコントローラ37
を介して高速演算処理装置８に入力される。一方、実施
例１と同じく、プローブビームの位置に関する信号は、
試料台35の微小移動を制御するコントローラ37から高速
演算処理装置８に入力される。従って、本実施例におい
ても、検出信号の分布Ｓ（X,Y）を求めることができ
る。
先に述べた実施例と同じく、前節で述べた数学的変換
を高速演算処理装置８で行なうことにより、透過ビーム
を用いる表面分析においても、高分解能分析が可能であ
る。
〈実施例７〉 実施例１から６までは、プローブビームが試料２表面
にほぼ垂直に入射していた。しかし、プローブビームに
よっては、プローブビームの試料面への入射角と放出粒
子の再度分布に相関関係が存在する場合がある（たとえ
ば、光入射による試料表面からの光電子放出等）。この
ような場合は、プローブビームを試料２表面に対し斜入
射にすると都合のよい場合が多い。また、イオン散乱分
光（ISS）や電子エネルギー損失分光（EELS）等のよう
に、試料２表面で反射もしくは散乱したプローブビーム
を観測する場合にも、斜入射方式が多く用いられる。本
実施例は、このような場合の実施例の一例である。
第７図において、ビーム源１からのプローブビーム
（もしくは粒子）は、加速系41,集光，集束系16を通過
して、試料２表面に入射する。先に述べたように、この
入射は斜入射である。試料２表面への入射角は、検出器
５で検出する粒子に最適な入射角となるよう、調節がで
きるものとする。加速系14や集光、集光系16は、先の実
施例と同じく、必要のない場合は取り除くことができる
ものとする。
試料２表面上でのプローブビームの強度分布は、微小
移動機構13に設置されたアパーチャ40と、検出器11を用
いて測定される。アパーチャ40のかわりに、実施例２で
述べたナイフエッヂやスリットを用いてもよい。検出器
11は、プローブビームに正対するよう配置されている。
その他の部分は他実施例と同じである。
〈実施例８〉 第８図は、別の実施例である。本実施例では、プロー
ブビームの試料２表面への入射により発生する電流や音
波を検出して、表面分析を行なう。実施例７と同じく、
加速系41や集光，集束系16は必要のない場合は取り除く
ことができる。
プローブビームの試料２表面への入射により発生した
電流や音波は、センサ43で検出され、コントローラ44に
センサ43の出力信号として送られる。一方、プローブビ
ームの照射位置に対応する信号は、試料台３の微小移動
を制御する位置制御用コントローラ６から高速演算処理
装置８に入力されるこの入力信号と、コントローラ44か
らの出力信号により、高速演算処理装置８内でＳ（X,
Y）が得られる。その他の部分は実施例と同じである。
実施例６〜８においては、第３図〜第５図に示したよ
うなプローブビームの走査方式は図示しなかった。しか
し、これらの走査方式が実施例６〜８で使用できること
は言うまでもない。
また、プローブビームのビーム内強度分布を測定する
方式が、各実施例に異なっている場合がある。しかし、
これには特別の理由はない。ある実施例で使用できる方
式は、他のすべての実施例で使用できる。プローブビー
ムのビーム内強度分布を測定できる方式であれば、その
方式の方法は問わない。ビーム内強度分布を測定するこ
と自体が各実施例での本質である。
〈実施例９〉 最後に本発明の応用例を述べる。これまでの実施例
は、すべてnA（x,y）を求めるものであった。しかし、
前節（３）〜（５）式に従えば、逆にnA（x,y）からｆ
（η，ζ）を求めることができる。すなわち、nA（x,
y）が既知の試料（たとえば、金属メッシュ試料）があ
れば、その試料を照射しているビームの強度分布が分か
る。すなわち、ビームの評価が可能である。
第９図にその実施例の一例を示した。第９図におい
て、ビーム源45からのプローブビームが、試料46に照射
されている。ここで、ビーム源45は、評価すべきプロー
ブビームを発生するビーム源である。プローブビームは
集光，集束されていてもよいし、そうでなくてもよい。
また、試料45は、先に述べたようにnA（x,y）が既知の
試料、たとえば金属メッシュ等である。
先の実施例と同様、検出器５からの観測信号と、位置
制御用コントローラ６からの出力信号をもとに、高速演
算処理装置８でＳ（X,Y）が求められる。一方、nA（x,
y）は既知であるから、nA（x,y）が求められる。一方、
nA（x,y）は既知であるから、nA（x,y）に関する情報を
高速演算処理装置８に入力しておけば、（前節）（４）
式からNA（X,Y）が同装置で求まる。従って、Ｓ（X,
Y），NA（X,Y）を用いると、（３）式から（X,Y）が
求まる。（X,Y）からｆ（η，ζ）を求まるには、
（５）式の送変換を用いればよい。これらの計算は、す
べて高速演算処理装置８で行なう。処理結果は、高速演
算処理装置８のディスプレー上に表示できるし、必要な
らば、出力・表示装置９を用いて、画像として出力でき
る。同様の考え方が、第６図〜第８図に示された構成と
類似の装置構成でも可能であることは言うまでもない。
［発明の効果］ 本発明によれば、プローブビームのビーム内強度分布
と、そのプローブビームで試料面上を走査した時に得ら
れる信号分析をもとに、これらの諸量に対し数学的変換
を行なって、表面分析の面方向分解能を向上させること
ができる。
この結果、プローブビームのビーム径で決まる通常の
分解能に比べ、はるかに高い分解能でより高精度な表面
分析が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第１図から第８図はそれぞれ本発明の一実施例になる表
面分析装置の概略構成を示すブロック図である。 第９図はプローブビーム強度分布を求めるための一実施
例を示すブロック図である。 １…ビーム源、２…試料、３…試料台、４…検出器、５
…検出器、６…位置制御用コントローラ、７…コントロ
ーラ、８…高速演算処理装置、９…出力・表示装置、10
…コントローラ、11…検出器、12…ナイフエッヂ、13…
微小移動機構、14…コントローラ、15…処理装置、16…
集光・集束系、17…荷電粒子源、18…レンズ系、19…偏
向系、20…コントローラ、21…粒子源、22…光学系、23
…偏光用光学系、24…駆動機構、25…コントローラ、26
…ターゲット、27…集光・集束系、28…偏向系、29…集
光・集束系、30…粒子源、31…コントローラ、34…試
料、35…試料台、36…検出器、37…コントローラ、40…
アパーチャ、41…加速系、43…センサ、44…コントロー
ラ、45…ビーム系、46…試料。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−39594（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−275643（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−37857（ＪＰ，Ａ) 米国特許5055679（ＵＳ，Ａ) 欧州特許377446（ＥＰ，Ｂ１) 独国特許69018838（ＤＥ，Ｃ０) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01N 23/00 - 23/227 G01N 21/84 - 21/90 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (24)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】分析すべき試料表面に１次粒子を二次元的
    に走査しながら照射する工程と、上記試料表面上での上
    記１次粒子の二次元的な照射強度分布を測定する工程
    と、上記１次粒子の照射によって上記試料表面から放出
    される２次粒子の二次元的な放出強度分布を求める工程
    と、上記１次粒子の照射強度分布および上記２次粒子の
    放出強度分布に対して二次元の積分変換を施す工程とを
    有してなることを特徴とする表面分析方法。
  2. 【請求項２】前記の積分変換がフーリエ変換であること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の表面分析方
    法。
  3. 【請求項３】前記１次粒子が電子であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項または第２項に記載の表面分析
    方法。
  4. 【請求項４】前記１次粒子がイオンであることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項または第２項に記載の表面分
    析方法。
  5. 【請求項５】前記１次粒子が電荷を持たない粒子である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に
    記載の表面分析方法。
  6. 【請求項６】前記１次粒子が光子であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項または第２項に記載の表面分析
    方法。
  7. 【請求項７】前記２次粒子が電子であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項から第６項までのいずれかに記
    載の表面分析方法。
  8. 【請求項８】前記２次粒子がイオンであることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項から第６項までのいずれかに
    記載の表面分析方法。
  9. 【請求項９】前記２次粒子が電荷を持たない粒子である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第６項まで
    のいずれかに記載の表面分析方法。
  10. 【請求項１０】前記２次粒子が光子であることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項から第６項までのいずれかに
    記載の表面分析方法。
  11. 【請求項１１】前記２次粒子が、前記１次粒子が前記試
    料表面で反射もしくは散乱されて放出される粒子である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第６項まで
    のいずれかに記載の表面分析方法。
  12. 【請求項１２】前記１次粒子が、前記試料表面に集束さ
    れて照射されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
    から第11項までのいずれかに記載の表面分析方法。
  13. 【請求項１３】１次粒子の発生手段と、上記１次粒子を
    分析すべき試料表面に二次元的に走査しながら照射する
    手段と、上記試料表面上での上記１次粒子の二次元的な
    照射強度分布を測定する手段と、上記１次粒子の照射に
    より上記試料表面から放出される２次粒子を検出して上
    記２次粒子の上記試料表面上での二次元的な放出強度分
    布を求める手段と、上記１次粒子の照射強度分布及び上
    記２次粒子の放出強度分布に対し二次元の積分変換を施
    す演算手段とを有してなることを特徴とする表面分析装
    置。
  14. 【請求項１４】前記の積分変換がフーリエ変換であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第13項に記載の表面分析
    装置。
  15. 【請求項１５】前記１次粒子が電子であることを特徴と
    する特許請求の範囲第13項または第14項に記載の表面分
    析装置。
  16. 【請求項１６】前記１次粒子がイオンであることを特徴
    とする特許請求の範囲第13項または第14項に記載の表面
    分析装置。
  17. 【請求項１７】前記１次粒子が電荷を持たない粒子であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第13項または第14項
    に記載の表面分析装置。
  18. 【請求項１８】前記１次粒子が光子であることを特徴と
    する特許請求の範囲第13項または第14項に記載の表面分
    析装置。
  19. 【請求項１９】前記２次粒子が電子であることを特徴と
    する特許請求の範囲第13項から第18項までのいずれかに
    記載の表面分析装置。
  20. 【請求項２０】前記２次粒子がイオンであることを特徴
    とする特許請求の範囲第13項から第18項までのいずれか
    に記載の表面分析装置。
  21. 【請求項２１】前記２次粒子が電荷を持たない粒子であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第13項から第18項ま
    でのいずれかに記載の表面分析装置。
  22. 【請求項２２】前記２次粒子が光子であることを特徴と
    する特許請求の範囲第13項から第18項までのいずれかに
    記載の表面分析装置。
  23. 【請求項２３】前記２次粒子が、前記１次粒子が前記試
    料表面で反射もしくは散乱されて放出される粒子である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第13項から第18項まで
    のいずれかに記載の表面分析装置。
  24. 【請求項２４】前記１次粒子が、前記試料表面に集束さ
    れて照射されることを特徴とする特許請求の範囲第13項
    から第23項までのいずれかに記載の表面分析装置。
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