JP4058404B2 - リソグラフィ投影装置およびリソグラフィ工程により集積構造を製造する方法 - Google Patents
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Description
− 放射線ソースにより放出される放射線から、放射線の投影ビームを形成する放射線システムと、
− 該投影ビームをパターン化するために投影ビームが照射されるパターニング手段を保持するように構成された支持構造と、
− 基板を保持するように構成された基板テーブルと、
− パターニング手段の照射部分を基板の目標部分に結像するように構成、配列された投影システムと、
− 照射中に形成された二次電子が、シールドされる対象物に入射するのを防ぐよう電磁界を作り出すシールド手段とにより構成されるリソグラフィ投影装置において、該シールド手段が、
− 対象物に近接した電極と、
− 電極に対応して対象物に電圧を印加する、対象物および/または電極に接続した電圧ソースとから成るリソグラフィ投影装置に関する。
− マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。放射線ビームにこのようなマスクを配置することにより、マスクに照射する放射線の、マスクパターンに従う選択的透過(透過性マスクの場合)や選択的反射(反射性マスクの場合)を可能にする。マスクの場合、その支持構造は一般的に、入射する放射線ビームの所望する位置にマスクを保持しておくことが可能であり、かつ、必要な場合、ビームに対して運動させることの可能なマスクテーブルである。
− プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例として、粘弾性制御層および反射面を有するマトリクスアドレス可能面があげられる。こうした装置の基本的原理は、(例えば)反射面のアドレスされた領域は入射光を回折光として反射するが、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するといったことである。適切なフィルタを使用することにより、回折光のみを残して上記非回折光を反射ビームからフィルタすることが可能である。この方法において、ビームはマトリクスアドレス可能面のアドレスパターンに従ってパターン形成される。プログラマブルミラーアレイのまた別の実施形態では小さな複数のミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、適した局部電界を適用することによって、もしくは圧電作動手段を用いることによって、軸を中心に個々に傾けられている。もう一度言うと、ミラーはマトリクスアドレス可能であり、それによりアドレスされたミラーはアドレスされていないミラーとは異なる方向に入射の放射線ビームを反射する。このようにして、反射されたビームはマトリクスアドレス可能ミラーのアドレスパターンに従いパターン形成される。必要とされるマトリクスアドレッシングは適切な電子手段を用いて実行される。前述の双方の場合、パターニング手段は1つ以上のプログラマブルミラーアレイから構成可能である。ここに参照を行ったミラーアレイに関する詳細な情報は、例えば、米国特許第US5,296,891号および同第US5,523,193号、並びに、PCT特許種出願第WO98/38597および同WO98/33096から得ることが出来る。プログラマブルミラーアレイの場合、上記支持構造は、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。
− プログラマブルLCDアレイ。このような構成の例が米国特許第US5,229,872号に開示されている。この内容を本明細書に引用したものとする。上記同様、この場合における支持構造も、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これも必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。簡潔化の目的で、本文の残りを、特定の箇所において、マスクおよびマスクテーブルを必要とする例に限定して導くものとする。しかし、こうした例において論じられる一般的な原理は、既に述べたようなパターニング手段のより広範な状況において理解されるべきである。
− 特別な本実施形態において放射線システムに放射線源LAも備えた、例えば11nmから14nmの波長を有する放射線の投影ビームPB(例えばEUV放射線)を供給する放射線システムILと、
− マスクMA(例えばレクチル)を保持するマスクホルダーw備え、かつ、品目PLに対して正確にマスクの位置決めを行う第一位置決め手段PMに連結を行った第一オブジェクト・テーブル(マスクテーブル)MTと、
− 基板W(例えば、レジスト塗布シリコンウェハ)を保持する基板ホルダを備え、かつ、品目PLに対して正確に基板の位置決めを行う第二位置決め手段PWに連結を行った第二オブジェクト・テーブル(基板テーブル)WTと、
− マスクMAの照射部分を、基板Wの目標部分C(例えば、1つあるいはそれ以上のダイから成る)に像形成する投影システム(「レンズ」)PLとから構成されている。ここで示しているように、この装置は反射タイプ(すなわち反射マスクを有する)である。しかし、一般的には、例えば透過マスクを有する透過タイプのものも可能である。あるいは、本装置は、上記に関連するタイプであるプログラマブルミラーアレイといったような、他の種類のパターニング手段も使用可能である。
1. ステップモードにおいて、マスクテーブルMTは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスクの像全体が1回の作動(すなわち1回の「フラッシュ」)で目標部分Cに投影される。次に基板テーブルWTがx方向および/あるいはy方向にシフトされ、異なる目標部分CがビームPBにより照射され得る。
2. スキャンモードにおいて、基本的に同一シナリオが適用されるが、但し、ここでは、所定の目標部分Cは1回の「フラッシュ」では露光されない。代わって、マスクテーブルMTが、速度vにて所定方向(いわゆる「走査方向」、例えばy方向)に運動可能であり、それによってビームPBがマスクの像を走査する。これと同時に、基板テーブルWTが速度V=Mvで、同一方向あるいは反対方向に運動する。ここで、MはレンズPLの倍率(一般的にM=1/4あるいは1/5)である。このように、解像度を妥協することなく、比較的大きな目標部分Cを露光することが可能となる。
Claims (17)
- 放射線ソースにより放出される放射線から放射線の投影ビームを形成する放射線システムと、
前記投影ビームをパターン化するために前記投影ビームが照射されるパターニング手段を保持するように構成された支持構造と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターニング手段の照射部分を前記基板の目標部分に結像するように構成、配列された投影システムと、
照射中に形成された二次電子が、シールドされる対象物に入射するのを防ぐよう電磁界を作り出すシールド手段とを備えるリソグラフィ投影装置であって、
前記シールド手段は、前記対象物に近接した電極と、前記電極に相対して前記対象物に電圧を印加するために前記対象物又は前記電極に接続した電圧ソースとを備え、
前記放射線ソースは、パルス方式にて高低状態間を稼動するようにされていることを特徴とし、
前記リソグラフィ投影装置は、前記電極に相対して前記対象物に反復的な負電位を与える時間的に変化する電圧を、前記放射線ソースと同期して、前記対象物又は前記電極に供給する同期手段を備えており、前記反復的な負電位の後に正電位が続くことを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - 前記時間的に変化する電圧は、照射中に形成された実質的に全ての二次電子が前記対象物から遷移する時間にわたって、前記電極に相対して前記対象物に反復的な負電位を与えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記負電位は、0.01マイクロ秒と10マイクロ秒との間の時間、印加されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記負電位は、0.1マイクロ秒間、印加されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記負電位は、0Vと−1000Vとの間であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のうち何れか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記負電位は、−100Vであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のうち何れか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記電圧ソースは、前記対象物に連結していることを特徴とする請求項1乃至請求項6のうち何れか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記電圧ソースは、前記対象物に近接した前記電極に連結していることを特徴とする請求項1乃至請求項6のうち何れか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記負電位は、前記放射線ソースの高位状態と同位相にて印加されることを特徴とする請求項1乃至請求項8のうち何れか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記負電位は、前記放射線ソースの高位状態とは位相差不一致にて印加されることを特徴とする請求項1乃至請求項8のうち何れか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記正電圧は、0Vと+1000Vとの間であることを特徴とする請求項1乃至請求項10のうち何れか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記正電圧は、+100Vであることを特徴とする請求項1乃至請求項10のうち何れか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記時間的に変化する電圧は、方形波の形状を有することを特徴とする請求項1乃至請求項12のうち何れか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記時間的に変化する電圧は、正弦波の形状を有することを特徴とする請求項1乃至請求項12のうち何れか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記リソグラフィ投影装置は、前記電極において二次電子により作り出される電流を計測する計測手段を備えていることを特徴とする請求項1乃至請求項14のうち何れか1項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 放射線ソースにより放出される放射線から放射線の投影ビームを形成する放射線システムを提供し、
前記投影ビームをパターン化するために前記投影ビームが照射されるパターニング手段を保持するように構成された支持構造を提供し、
基板を保持するように構成された基板テーブルを提供し、
前記パターニング手段の照射部分を前記基板の目標部分に結像するように構成、配列された投影システムを提供し、
照射中に形成された二次電子が、シールドされる対象物に入射するのを防ぐように電磁界を作り出すステップとからなる、リソグラフィ工程により集積構造を製造する方法において、
前記放射線ソースをパルス方式にて高低状態間を稼動させ、
前記対象物に近接した電極に相対して前記対象物に反復的な負電位を与える時間的に変化する電圧を、前記放射線ソースと同期して、前記対象物又は前記電極に供給し、前記反復的な負電位の後に正電位が続くことを特徴とする、リソグラフィ工程により集積構造を製造する方法。 - 前記電極に入射する二次電子量が計測されることを特徴とする、請求項16に記載の方法。
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