JPH01244400A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH01244400A JPH01244400A JP63071039A JP7103988A JPH01244400A JP H01244400 A JPH01244400 A JP H01244400A JP 63071039 A JP63071039 A JP 63071039A JP 7103988 A JP7103988 A JP 7103988A JP H01244400 A JPH01244400 A JP H01244400A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- radiation
- exposure
- vertical direction
- radiation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 2
- 229910007277 Si3 N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020489 SiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は露光装置、特に半導体装置に用いられる放射線
露光装置に関する鎚のである。
露光装置に関する鎚のである。
最近の放射線露光装置のうち、Ｘ線露光装置用のＸ線源
にＳＯＲ線源を使用しようとする動きが目立ってきた。
にＳＯＲ線源を使用しようとする動きが目立ってきた。
ＳＯＲ線源は、水平方向には大きな発散角、垂直方向に
は小さな発散角をもつ、シート状の電磁波を放射する放
射線源である。垂直方向の発散角が小さな為、ＳＯＲビ
ームをそのまま照射したのでは垂直方向に小さな範囲し
か照明されない。そこでＳＯＲ線源を用いるＸ線露光装
置では、露光エリアを垂直方向に広げるための何らかの
方法が必要になる。
は小さな発散角をもつ、シート状の電磁波を放射する放
射線源である。垂直方向の発散角が小さな為、ＳＯＲビ
ームをそのまま照射したのでは垂直方向に小さな範囲し
か照明されない。そこでＳＯＲ線源を用いるＸ線露光装
置では、露光エリアを垂直方向に広げるための何らかの
方法が必要になる。
これらの方法として（ｉ）斜入射ミラーをＳＯＲ線源と
露光面との間に配置し、数ｍ ｒ ａ ｄの角度で振動
させる方法（Ｒ，Ｐ、Ｈａｅｌｂｉｃｈ他、Ｊ、Ｖａｃ
。
露光面との間に配置し、数ｍ ｒ ａ ｄの角度で振動
させる方法（Ｒ，Ｐ、Ｈａｅｌｂｉｃｈ他、Ｊ、Ｖａｃ
。
Ｓｃｊ’、Ｔｅｃｈｎｏｊ！、Ｂ １ （４）、 ０
ｃｔ−Ｄｅｃ、１９８３゜Ｐ、１２６２〜１２６６）、
（ｉｉ ）曲面形状の斜入射ミラーをＳＯＲ線源と露光
面との間に配置し、ミラー曲面での反射によって、Ｘ線
ビームの垂直方向の発散角（を拡大する方法（Ｗａｒｒ
ｅｎ Ｄ、Ｇｒｏｂｍａｎ、Ｈａｎｄｂｏｏｋｏｎ
５ｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ、
Ｖｏ Ｉ！ 、１゜ｃｈａｐｔｅｒ １３．Ｐ、１１３
５． Ｎｏｔｈ−Ｈｏｊ！１ａｎｄ Ｐｕｂｌｉｓｈｉ
ｎｇＣｏ、１９８３）などが知られている。
ｃｔ−Ｄｅｃ、１９８３゜Ｐ、１２６２〜１２６６）、
（ｉｉ ）曲面形状の斜入射ミラーをＳＯＲ線源と露光
面との間に配置し、ミラー曲面での反射によって、Ｘ線
ビームの垂直方向の発散角（を拡大する方法（Ｗａｒｒ
ｅｎ Ｄ、Ｇｒｏｂｍａｎ、Ｈａｎｄｂｏｏｋｏｎ
５ｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ、
Ｖｏ Ｉ！ 、１゜ｃｈａｐｔｅｒ １３．Ｐ、１１３
５． Ｎｏｔｈ−Ｈｏｊ！１ａｎｄ Ｐｕｂｌｉｓｈｉ
ｎｇＣｏ、１９８３）などが知られている。
〔発明が解決しようとしている問題点〕これらの方法の
うち、（ｉ）は瞬間的には露光面の一部分しかビームが
照射されないので、露光用マスクが部分的に膨張する。
うち、（ｉ）は瞬間的には露光面の一部分しかビームが
照射されないので、露光用マスクが部分的に膨張する。
この膨張の影響は、ミラーの振動周期が十分に短（なけ
れば除くことはできず、微細パターンの正確な転写が困
難になる。
れば除くことはできず、微細パターンの正確な転写が困
難になる。
一方、振動周期を十分に短くするためには大きな駆動パ
ワーが必要になり、実用的には実現できない場合も多い
。
ワーが必要になり、実用的には実現できない場合も多い
。
これに対して（ｉｉ ）は所要露光面を一括照射出来る
為、上述した（ｉ）の欠点をカバーする一方策といえる
。しかし−括照射を行うためには、ビームの照度むらを
取り除き均一化せねばならず、ビームの拡大に伴い、エ
ネルギーを損失するものであった。特にＳＯＲビームの
様にビーム断面がガウス分布に従うようなＸ線源である
場合、露光面での照度むらを無くすためには、ビーム断
面を数十倍にまで拡大する必要があり、著しくエネルギ
ーを損失するという短所をともなうものであった。
為、上述した（ｉ）の欠点をカバーする一方策といえる
。しかし−括照射を行うためには、ビームの照度むらを
取り除き均一化せねばならず、ビームの拡大に伴い、エ
ネルギーを損失するものであった。特にＳＯＲビームの
様にビーム断面がガウス分布に従うようなＸ線源である
場合、露光面での照度むらを無くすためには、ビーム断
面を数十倍にまで拡大する必要があり、著しくエネルギ
ーを損失するという短所をともなうものであった。
本発明の目的は前述従来例の欠点に鑑み、広範囲な被露
光面をエネルギー損失を大きるする事なく、かつ均一照
度分布で一括露光する事が可能な露光装置を提供する事
である。
光面をエネルギー損失を大きるする事なく、かつ均一照
度分布で一括露光する事が可能な露光装置を提供する事
である。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明では一
実施例として入射したＸ線を拡大し、かつ被露光物体上
でＸ線強度分布を均一にする様なミラーにＸ線源からの
Ｘ線を入射し、反射Ｘ線で物体を露光する事により、広
範囲の均一照度分布露光が少ないエネルギー損失で可能
になる。
実施例として入射したＸ線を拡大し、かつ被露光物体上
でＸ線強度分布を均一にする様なミラーにＸ線源からの
Ｘ線を入射し、反射Ｘ線で物体を露光する事により、広
範囲の均一照度分布露光が少ないエネルギー損失で可能
になる。
第１図は本発明の露光装置の一実施例の構成を示す概観
図である。同図に於いて、ｌはＳＯＲ線源の放射源、２
は円柱凸面からずれた形状のミラー、３は露光面で、こ
こでは転写されるべきパターンを有するマスクである。
図である。同図に於いて、ｌはＳＯＲ線源の放射源、２
は円柱凸面からずれた形状のミラー、３は露光面で、こ
こでは転写されるべきパターンを有するマスクである。
尚、図示はしていないが、ビーム路中にはミラー２の他
に、Ｂｅ窓等の種々の材料が挿入されている。
に、Ｂｅ窓等の種々の材料が挿入されている。
第２図は第１図の露光装置のビーム軸を含む垂直断面図
である。第２図に於いて１〜３は第１図と同様であり、
ｄｌはＳＯＲ線源の放射源ｌからミラー２の有効径中心
までの距離、ｄ２はミラー２の有効径中心から露光面３
までの距離、αはミラー２の有効径中心近傍でのミラー
の傾き角を示すものである。
である。第２図に於いて１〜３は第１図と同様であり、
ｄｌはＳＯＲ線源の放射源ｌからミラー２の有効径中心
までの距離、ｄ２はミラー２の有効径中心から露光面３
までの距離、αはミラー２の有効径中心近傍でのミラー
の傾き角を示すものである。
第１図または第２図において、ＳＯＲ線源の放射源ｌか
ら出射したＸ線ビームはＳＯＲの水平軌道面近傍を進み
、ミラー２に入射する。ミラー２は垂直方向に曲率をも
つので、入射Ｘ線ビームの垂直方向の発散角を拡大して
出射する。従って、露光面３上で垂直方向にも十分法が
ったＸ線ビームが得られるものである。
ら出射したＸ線ビームはＳＯＲの水平軌道面近傍を進み
、ミラー２に入射する。ミラー２は垂直方向に曲率をも
つので、入射Ｘ線ビームの垂直方向の発散角を拡大して
出射する。従って、露光面３上で垂直方向にも十分法が
ったＸ線ビームが得られるものである。
第３図はミラーの断面形状を示す図である。図示の座標
系でミラー２の曲面は次のように表わされる。
系でミラー２の曲面は次のように表わされる。
ｙ＝ｎ巴イしＲ＋Ｂｘ’＋Ｃｘ’＋Ｄｘ”＋Ｅｘ ”
・・（１）尚、ミラー面は紙面に垂直方向（２方向）
には一定である。
・・（１）尚、ミラー面は紙面に垂直方向（２方向）
には一定である。
（１）式のＲは原点近傍における曲率半径を表わし、Ｂ
、Ｃ，Ｄ、Ｅは円柱面からのずれ量を表わすパラメータ
である。第３図において５は曲率半径Ｒの基準円柱面、
４は（１）式で表わされるミラー表面の形状を示す。表
１に本実施例の露光装置における（１）式の数値例を示
す。
、Ｃ，Ｄ、Ｅは円柱面からのずれ量を表わすパラメータ
である。第３図において５は曲率半径Ｒの基準円柱面、
４は（１）式で表わされるミラー表面の形状を示す。表
１に本実施例の露光装置における（１）式の数値例を示
す。
表１ 数値例
（ｄ １ ＝＝４７００ｍｍ、 ｄ ２ ＝６７００ｍ
ｍ、 ａ ＝１１ｍｒａｄは各数値例に共通） また窓材として２５μｍ厚のＢｅ、マスク材として２μ
ｍ厚のＳｉ３ Ｎ４ 、レジスト材として１μｍ厚のＰ
ＭＭＡを用いた場合、露光面上のレジストに吸収される
放射強度（相対値）を第４図に示す。同図で横軸はレジ
スト上での位置（垂直断面内）を示す。同図の（１）、
（ｎ）、（ＩＩＩ）はそれぞれ実施例１．２．３に対応
する強度分布であり、（０）はパラメータＢ＝Ｃ＝Ｄ＝
Ｅ＝Ｏ１即ち円柱面ミラーの場合の強度分布を示す。
ｍ、 ａ ＝１１ｍｒａｄは各数値例に共通） また窓材として２５μｍ厚のＢｅ、マスク材として２μ
ｍ厚のＳｉ３ Ｎ４ 、レジスト材として１μｍ厚のＰ
ＭＭＡを用いた場合、露光面上のレジストに吸収される
放射強度（相対値）を第４図に示す。同図で横軸はレジ
スト上での位置（垂直断面内）を示す。同図の（１）、
（ｎ）、（ＩＩＩ）はそれぞれ実施例１．２．３に対応
する強度分布であり、（０）はパラメータＢ＝Ｃ＝Ｄ＝
Ｅ＝Ｏ１即ち円柱面ミラーの場合の強度分布を示す。
同図から分かるように、ミラーの面形状を円柱面からず
らすことによって、放射照度ムラを大幅に改善できるこ
とが分かる。尚、実施例は露光装置の一例を示すだけの
ものであり、これに限定するものではない。またミラー
材料はＳｉＯ３，ＳｉＣ。
らすことによって、放射照度ムラを大幅に改善できるこ
とが分かる。尚、実施例は露光装置の一例を示すだけの
ものであり、これに限定するものではない。またミラー
材料はＳｉＯ３，ＳｉＣ。
Ａｕ、Ｐｔ等を用いることができるが、ミラー材料が変
わっても第４図の曲線の形状は殆んど変化しない。
わっても第４図の曲線の形状は殆んど変化しない。
尚、本実施例ではＳＯＲ放射源を線源としたが、放射源
としてはプラズマ線源、Ｘ線管球、自由電子レーザーに
ついても同様に扱うことができる。
としてはプラズマ線源、Ｘ線管球、自由電子レーザーに
ついても同様に扱うことができる。
以上説明した様に、本発明の露光装置によれば、放射線
源からの放射線を物体の方向へ反−射するミラーによっ
て線を拡大かつ均一化するので、簡易な構成でかつ損失
エネルギーを少な（して拡大均一化ビームで露光ができ
る。
源からの放射線を物体の方向へ反−射するミラーによっ
て線を拡大かつ均一化するので、簡易な構成でかつ損失
エネルギーを少な（して拡大均一化ビームで露光ができ
る。
更に、均一性の良いビームが得られるため、Ｘ線露光装
置などのＸ線ビームを応用する機器の実用化をより簡易
にするものである。
置などのＸ線ビームを応用する機器の実用化をより簡易
にするものである。
第１図は本発明の一実施例の露光装置の構成を示づ１
七、 １ す概観図、 第２図は本実施例の露光装置の構成の垂直断面図、第３
図はミラーの断面形状を示す図、 第４図は本実施例において、露光面上のレジストに吸収
される放射強度を示す図である。 図中、 ｌ・・・・・・・・・・・・・ＳＯＲ線源の放射源２・
・・・・・・円柱面からずれた形状のミラー３・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・露光面４・・・・・・
・・・・・・・ミラー表面の形状５・・・・・・・・・
・曲率半径Ｒの基準円柱面ｄ１° ・・・・・ＳＯＲ線
源からミラーまでの距離ｄ２ ・・・・・・・ミラーか
ら露光面までの距離α ・・・・・・・・・・・・・・
ミラーの傾き角Ｒ・・・・・・・・・・・基準円柱面の
曲率半径（１）、（ｎ）、（ｍ）−・・それぞれ実施例
１，２．３（７）露光面上でレジストに吸収される放射
強度を示す曲線（０）・・・円柱面形状ミラーを用いた
場合に露光面上でレジストに吸収される放射強度を示す
曲線
七、 １ す概観図、 第２図は本実施例の露光装置の構成の垂直断面図、第３
図はミラーの断面形状を示す図、 第４図は本実施例において、露光面上のレジストに吸収
される放射強度を示す図である。 図中、 ｌ・・・・・・・・・・・・・ＳＯＲ線源の放射源２・
・・・・・・円柱面からずれた形状のミラー３・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・露光面４・・・・・・
・・・・・・・ミラー表面の形状５・・・・・・・・・
・曲率半径Ｒの基準円柱面ｄ１° ・・・・・ＳＯＲ線
源からミラーまでの距離ｄ２ ・・・・・・・ミラーか
ら露光面までの距離α ・・・・・・・・・・・・・・
ミラーの傾き角Ｒ・・・・・・・・・・・基準円柱面の
曲率半径（１）、（ｎ）、（ｍ）−・・それぞれ実施例
１，２．３（７）露光面上でレジストに吸収される放射
強度を示す曲線（０）・・・円柱面形状ミラーを用いた
場合に露光面上でレジストに吸収される放射強度を示す
曲線
Claims (2)
- （１）放射線源より入射した放射線を露光すべき物体の
方向へ反射する為のミラーを有し、前記ミラーによって
放射線を拡大し、かつ前記物体上で放射線強度分布が均
一になる様にした後、前記放射線を露光する事を特徴と
する露光装置。 - （２）前記ミラーの反射面の断面形状ｆ（ｘ）が▲数式
、化学式、表等があります▼ （Ｒ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ：定数） の形で表わされる事を特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63071039A JPH0827399B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63071039A JPH0827399B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01244400A true JPH01244400A (ja) | 1989-09-28 |
| JPH0827399B2 JPH0827399B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=13448981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63071039A Expired - Fee Related JPH0827399B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0827399B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5923719A (en) * | 1996-07-19 | 1999-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| US5949844A (en) * | 1996-07-19 | 1999-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US6167111A (en) * | 1997-07-02 | 2000-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus for synchrotron radiation lithography |
| CN111315804A (zh) * | 2017-10-17 | 2020-06-19 | 3M创新有限公司 | 可拉伸膜和表面涂料组合物 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60156000A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-16 | 工業技術院長 | 軟ｘ線投射装置 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63071039A patent/JPH0827399B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60156000A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-16 | 工業技術院長 | 軟ｘ線投射装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5923719A (en) * | 1996-07-19 | 1999-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| US5949844A (en) * | 1996-07-19 | 1999-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US6167111A (en) * | 1997-07-02 | 2000-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus for synchrotron radiation lithography |
| CN111315804A (zh) * | 2017-10-17 | 2020-06-19 | 3M创新有限公司 | 可拉伸膜和表面涂料组合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0827399B2 (ja) | 1996-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |