JPS59222932A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59222932A JPS59222932A JP58099144A JP9914483A JPS59222932A JP S59222932 A JPS59222932 A JP S59222932A JP 58099144 A JP58099144 A JP 58099144A JP 9914483 A JP9914483 A JP 9914483A JP S59222932 A JPS59222932 A JP S59222932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rays
- wafer
- mask
- ray
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体集積回路の微細加工技術に関する。
（従来技術）
半導体集積回路は、従来、光露光を用いたホトエツチン
グ工程とホトマスク製造工程とにより、／リコンウエハ
を微細加工して製造されてきた。
グ工程とホトマスク製造工程とにより、／リコンウエハ
を微細加工して製造されてきた。
集積回路の機能当りの価格の低下と性能の向上とは、こ
の微細加工技術によるデバイス寸法の縮小に負うところ
が極めて大きい。デバイスの集積度が増大するにつれ、
要求される素子寸法は小さくなり、露光光源の波長に起
因する加工の限界（約１μｍ）に近づいてきた。そこで
、電子線、Ｘ線およびイオンビームを用いて、ＩＰｍ以
下のサブミクロンまでの超微細加工技術が研究および実
用化されつつある。
の微細加工技術によるデバイス寸法の縮小に負うところ
が極めて大きい。デバイスの集積度が増大するにつれ、
要求される素子寸法は小さくなり、露光光源の波長に起
因する加工の限界（約１μｍ）に近づいてきた。そこで
、電子線、Ｘ線およびイオンビームを用いて、ＩＰｍ以
下のサブミクロンまでの超微細加工技術が研究および実
用化されつつある。
この発明は、超微細加工技術のなかのＸ線転写に関し、
Ｘ線転写とは、波長がＱ、４４−５ｎ程度の軟Ｘ線を用
いて、マスクパターンをウェハに転写する技術である。
Ｘ線転写とは、波長がＱ、４４−５ｎ程度の軟Ｘ線を用
いて、マスクパターンをウェハに転写する技術である。
第１図は従来のＸ線転写の概念図である。電子銃１から
の電子ビーム２は金属（たとえばパラジウム）のターゲ
ット３に衝突してＸ線４を発生する。このＸ線はＸ線取
出し窓５から取出され、Ｘ線吸収の少ないヘリウム気体
中を通り、Ｘ線マスク６の中の空間を通り、ウェハ７の
上のＸ線レジスト膜８に感光し、こうして、Ｘ線マスク
６のパターンをＸ線レジスト膜８に転写する。Ｘ線マス
ク、６は、通常Ｘ線レジスト膜と少し間隔をとって御手
段によって、位置を制御れる。
の電子ビーム２は金属（たとえばパラジウム）のターゲ
ット３に衝突してＸ線４を発生する。このＸ線はＸ線取
出し窓５から取出され、Ｘ線吸収の少ないヘリウム気体
中を通り、Ｘ線マスク６の中の空間を通り、ウェハ７の
上のＸ線レジスト膜８に感光し、こうして、Ｘ線マスク
６のパターンをＸ線レジスト膜８に転写する。Ｘ線マス
ク、６は、通常Ｘ線レジスト膜と少し間隔をとって御手
段によって、位置を制御れる。
△
Ｘ ｔ、！ｉ！転写の一つの利点は、使用波長が極めて
短いため（パランウムＬα線ではＱ、 ４ ｎ ＩＴＩ
） 、従来の紫外線（２５０−４５ＯｎＩｎ）などを
使用した場音と異なり、回折や屈折等による解像度の低
下は生じないことである。このため、サブミクロンのパ
ターンの転写は容易で、転写の精度やコントラストのＳ
Ｎ比などにおいて特に問題、はないので、新しい１トム
写公ＩＬｉ、として、Ｘ線を光源とした方法が開発され
ようとしている。一方、Ｘ線転写の実用化の問題点の一
つは、Ｘ線源の効率か低いためと、またＸ線を偏光や集
束することが困難なのて点光源として利用するので１．
Ｘ線源とウェハとの距離を長くとり、平行光線に近づけ
る必要があるためなどの理由から強力なＸ線源を必要と
することてあり、従来、種々の工夫がなされてきた。
短いため（パランウムＬα線ではＱ、 ４ ｎ ＩＴＩ
） 、従来の紫外線（２５０−４５ＯｎＩｎ）などを
使用した場音と異なり、回折や屈折等による解像度の低
下は生じないことである。このため、サブミクロンのパ
ターンの転写は容易で、転写の精度やコントラストのＳ
Ｎ比などにおいて特に問題、はないので、新しい１トム
写公ＩＬｉ、として、Ｘ線を光源とした方法が開発され
ようとしている。一方、Ｘ線転写の実用化の問題点の一
つは、Ｘ線源の効率か低いためと、またＸ線を偏光や集
束することが困難なのて点光源として利用するので１．
Ｘ線源とウェハとの距離を長くとり、平行光線に近づけ
る必要があるためなどの理由から強力なＸ線源を必要と
することてあり、従来、種々の工夫がなされてきた。
（発明の目的）
この発明の目的は、上記の強力なＸ線源を得ることの困
難性に関連して、反射鏡を用いて擬似平行Ｘ線を得るこ
とである。
難性に関連して、反射鏡を用いて擬似平行Ｘ線を得るこ
とである。
（発明の構成）
構成した反射鏡で二重に反射して、擬似平行Ｘ線を得、
この擬似平行Ｘ線をマスクおよびウェハに垂直方向に露
光することにより、マスクのパターンをウェハに転写す
る。
この擬似平行Ｘ線をマスクおよびウェハに垂直方向に露
光することにより、マスクのパターンをウェハに転写す
る。
（実施例）
第２図は、カセグレン式反射鏡を備えたＸ線転写装置の
本発明に関する部分の概念図である。Ｘ線源（図示せず
）からのＸ線４は装置本体９のＸ線取出し窓５から装置
本体９内に導ひかれ、装置本 Δ体９内に設けた凹面反射鏡１０と１１とで二度反射さ
れて、擬似平行Ｘ線４’、４’となる。この−組の反射
鏡１０．１１の構成は、大径の反射鏡１１の中心部開口
１２から入射するＸ線４を小径の反射鏡１０で大径の反
射鏡１１に向けて反射し、大径の反射鏡１１によって平
行光線を得る、カセグレン式として光学において周知の
、方式を用いる。
本発明に関する部分の概念図である。Ｘ線源（図示せず
）からのＸ線４は装置本体９のＸ線取出し窓５から装置
本体９内に導ひかれ、装置本 Δ体９内に設けた凹面反射鏡１０と１１とで二度反射さ
れて、擬似平行Ｘ線４’、４’となる。この−組の反射
鏡１０．１１の構成は、大径の反射鏡１１の中心部開口
１２から入射するＸ線４を小径の反射鏡１０で大径の反
射鏡１１に向けて反射し、大径の反射鏡１１によって平
行光線を得る、カセグレン式として光学において周知の
、方式を用いる。
Ｘ線源が少し拡がりをもっていて、点光源ではないので
、得られたＸ線４は完全な平行光線にはならす、擬似平
行光線となる。こうして得られた擬似平行Ｘ線４’、４
’を、マスク６とウエノＸ７に垂直力向に入射して露光
する。なお、この露光に際しては、マスク６に対しウェ
ハ７の位りを制御するために、具体的に図示しない周知
の位１ｄ制御機構を用いて、得られた擬似平行Ｘ線４’
、４’に対し、垂直方向にウェハ７を平行移動し、マス
クパターンをウェハ７上のＸ線レジスト膜８上に転写す
る。
、得られたＸ線４は完全な平行光線にはならす、擬似平
行光線となる。こうして得られた擬似平行Ｘ線４’、４
’を、マスク６とウエノＸ７に垂直力向に入射して露光
する。なお、この露光に際しては、マスク６に対しウェ
ハ７の位りを制御するために、具体的に図示しない周知
の位１ｄ制御機構を用いて、得られた擬似平行Ｘ線４’
、４’に対し、垂直方向にウェハ７を平行移動し、マス
クパターンをウェハ７上のＸ線レジスト膜８上に転写す
る。
（発明の効果）
一般に、Ｘ線を屈折・集光することは困難であるが、本
発明によれは、カセグレン式反射鏡を用いることによっ
て、擬似平行Ｘ線を得ることができる。この反射鏡をタ
ーゲットの近くに取付けることにより、ターゲットから
放射されたＸ線をより有効に利用し得る。
発明によれは、カセグレン式反射鏡を用いることによっ
て、擬似平行Ｘ線を得ることができる。この反射鏡をタ
ーゲットの近くに取付けることにより、ターゲットから
放射されたＸ線をより有効に利用し得る。
また、この擬似平行Ｘ線を露光に用いると、反射鏡から
マスクまでの距離を短く出来るので、上記の特徴とも関
連して、より強力なＸ線源とより小型の転写装置が可能
にする。
マスクまでの距離を短く出来るので、上記の特徴とも関
連して、より強力なＸ線源とより小型の転写装置が可能
にする。
第１図は、Ｘ線転写装置の概念図である。第２図は、カ
セグレン式反射鏡を用いたＸ線転写装置の一部の概念図
である。 ４・・・Ｘ線、４’、４’・・・擬似平行Ｘ線、５・・
・Ｘ線取出し窓、６・・・Ｘ線マスク、７・・・ウエノ
）、８・・・Ｘ線レジスト膜、１０．１１・・・カセグ
レン式反射鏡。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代理 人升
理士 青白 葆ほか２名 第１図 −１６５−
セグレン式反射鏡を用いたＸ線転写装置の一部の概念図
である。 ４・・・Ｘ線、４’、４’・・・擬似平行Ｘ線、５・・
・Ｘ線取出し窓、６・・・Ｘ線マスク、７・・・ウエノ
）、８・・・Ｘ線レジスト膜、１０．１１・・・カセグ
レン式反射鏡。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代理 人升
理士 青白 葆ほか２名 第１図 −１６５−
Claims (1)
- （１）Ｘ線源から放射されたＸ線を擬似平行Ｘ線に変換
するカセグレン式反射鏡を備え、この擬似平行Ｘ線をマ
スクおよびウェハに垂直方向に露光することを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58099144A JPS59222932A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58099144A JPS59222932A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59222932A true JPS59222932A (ja) | 1984-12-14 |
Family
ID=14239502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58099144A Pending JPS59222932A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59222932A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02174111A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線投影露光装置 |
| EP1469334A1 (en) * | 2001-12-27 | 2004-10-20 | Riken | Broadband telescope |
-
1983
- 1983-06-02 JP JP58099144A patent/JPS59222932A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02174111A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線投影露光装置 |
| EP1469334A1 (en) * | 2001-12-27 | 2004-10-20 | Riken | Broadband telescope |
| EP1469334A4 (en) * | 2001-12-27 | 2007-06-13 | Riken | BROADBAND TELESCOPE |
| US7450299B2 (en) | 2001-12-27 | 2008-11-11 | Riken | Broadband telescope |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI243287B (en) | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method using the same | |
| US6798494B2 (en) | Apparatus for generating partially coherent radiation | |
| US6504896B2 (en) | X-ray illumination optical system and x-ray reduction exposure apparatus | |
| JP2001284240A (ja) | 照明光学系、および該照明光学系を備えた投影露光装置と該投影露光装置によるデバイスの製造方法 | |
| JP2004343082A (ja) | 凹面および凸面を含む集光器を備えたリトグラフ投影装置 | |
| US6395455B2 (en) | Low thermal distortion Extreme-UV lithography reticle and method | |
| US6859263B2 (en) | Apparatus for generating partially coherent radiation | |
| US5127029A (en) | X-ray exposure apparatus | |
| US6927887B2 (en) | Holographic illuminator for synchrotron-based projection lithography systems | |
| JPS59138335A (ja) | ウエハ端部のレジスト露光装置 | |
| JPS59222932A (ja) | 半導体装置 | |
| KR0179297B1 (ko) | 반도체 노광 장치 | |
| US5923719A (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
| JP3618856B2 (ja) | Ｘ線露光装置、及びこれを用いたデバイス生産方法 | |
| JP3189528B2 (ja) | Ｘ線投影露光装置 | |
| US5548625A (en) | Method for parallel multiple field processing in X-ray lithography | |
| JP3254771B2 (ja) | Ｘ線縮小投影露光装置および方法 | |
| JP3618853B2 (ja) | Ｘ線発生装置、及びこれを用いた露光装置やデバイス生産方法 | |
| JPH03120714A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH0527080B2 (ja) | ||
| Tichenor et al. | Extreme ultraviolet lithography for circuit fabrication at 0.1-um feature size | |
| JPS5915380B2 (ja) | 微細パタ−ンの転写装置 | |
| JPH0359569B2 (ja) | ||
| JPS60166951A (ja) | 照明光学装置 | |
| JP3531245B2 (ja) | 照明装置及び露光装置 |