JPS60208831A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS60208831A JPS60208831A JP59065258A JP6525884A JPS60208831A JP S60208831 A JPS60208831 A JP S60208831A JP 59065258 A JP59065258 A JP 59065258A JP 6525884 A JP6525884 A JP 6525884A JP S60208831 A JPS60208831 A JP S60208831A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rays
- ray
- slit
- reflecting plates
- gold
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、Ｘ線露光装置に関し、特に半導体フ゛ロセス
におけるＸ線露光装置に関する。
におけるＸ線露光装置に関する。
近年半導体における微細加工技術が進歩し、露光技術の
分野においてもサブミ゛クロン転写技術が要求されてい
る。特にＸ線露光技術は０．５ミクロン以下の微細パタ
ーンの転写が可能なことから将来太いに期待されている
。
分野においてもサブミ゛クロン転写技術が要求されてい
る。特にＸ線露光技術は０．５ミクロン以下の微細パタ
ーンの転写が可能なことから将来太いに期待されている
。
従来この種のＸ線露光装置には大きく分けて２通りの方
式があった。１つは点光源から出る発散Ｘ線を用いる方
式であり、他の１つはシンクロトロン放射光（Ｓ］％）
やソーラスリットで代表される平行Ｘ線を用いる方式で
ある。前者はウェハ中心から外側に向って転写されるパ
ターンの歪が大きくなるため発散角を余り大きく出来な
い。それに対して後者の平行方式では、その歪はないが
ＳＯＲを除くと平行性を高めるだめのスリットの開口角
を大きく出来ない。したがって倒れの方式においても従
来のＸ線露光の光学系においては、Ｘ線の集光効率が悪
いために露光のスループットを向上することができない
という欠点があった。
式があった。１つは点光源から出る発散Ｘ線を用いる方
式であり、他の１つはシンクロトロン放射光（Ｓ］％）
やソーラスリットで代表される平行Ｘ線を用いる方式で
ある。前者はウェハ中心から外側に向って転写されるパ
ターンの歪が大きくなるため発散角を余り大きく出来な
い。それに対して後者の平行方式では、その歪はないが
ＳＯＲを除くと平行性を高めるだめのスリットの開口角
を大きく出来ない。したがって倒れの方式においても従
来のＸ線露光の光学系においては、Ｘ線の集光効率が悪
いために露光のスループットを向上することができない
という欠点があった。
本発明の目的は、上記従来例の欠点に鑑み、Ｘ線の集光
効率を高め、スループットを向上したＸ線露光装置を提
供することにある。
効率を高め、スループットを向上したＸ線露光装置を提
供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、Ｘ線源の下に配
置した全反射板を用いてＸ線を集光し、さらにその下に
スリットを設置することにより、方向性の揃ったＸ線を
効率良く集光することを特徴とする。
置した全反射板を用いてＸ線を集光し、さらにその下に
スリットを設置することにより、方向性の揃ったＸ線を
効率良く集光することを特徴とする。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図であり、マスク
６のパターン６ａをウエノ・７上の不図示のレジストに
露光する。
６のパターン６ａをウエノ・７上の不図示のレジストに
露光する。
例示するようにＸ線源ｌのＸ線路に沿って、金を反射面
に被着した２つの全反射板４がＸ線照射方向に対向して
配置され、更に後述するスリッド５が配置されている。
に被着した２つの全反射板４がＸ線照射方向に対向して
配置され、更に後述するスリッド５が配置されている。
２は全反射板４に衝突することなくスリット５の後述す
る微細孔を通過するほぼ真直ぐなＸ線であシ、３は全反
射板４０反射面で全反射されるＸ線であり、９は全反射
板４の反射面で散乱するＸ線である。
る微細孔を通過するほぼ真直ぐなＸ線であシ、３は全反
射板４０反射面で全反射されるＸ線であり、９は全反射
板４の反射面で散乱するＸ線である。
ここでＸ線の全反射の臨界角θＣは、
で決定される。この条件によりＸ線源１の波長が４Ａ前
後であるとすると、例えば金を反射面とした場合、臨界
角θＣ中２° となる。従・りて数度の角で発散するＸ
線を全反射板４を使って集光することが可能で−ある。
後であるとすると、例えば金を反射面とした場合、臨界
角θＣ中２° となる。従・りて数度の角で発散するＸ
線を全反射板４を使って集光することが可能で−ある。
ソーラスリットは、ガラス１の材料より成る厚さが０．
５乃至５ｕ程度の板状部材に、規則正しく平行かつ同一
の断面形状の微細（内径が２５μｍ乃至１００μｍ程度
）な孔が多数開けられて構成されている。尚スリット開
口角αとは、孔の内径を板状部材の厚さすなわち孔の長
さで除した値である。このスリットにおいて、図示上方
からＸ線が入射すると、孔により形成される隔壁の表面
に照射されずに孔を通過したものが、はぼ平行化された
Ｘ線として出射され、隔壁に照射したＸ線は吸収される
。しだがって全反射板４の全反射の反射角βとスリット
５の開口角αとを略等しくすると最大の集光効率を得る
ことができる。
５乃至５ｕ程度の板状部材に、規則正しく平行かつ同一
の断面形状の微細（内径が２５μｍ乃至１００μｍ程度
）な孔が多数開けられて構成されている。尚スリット開
口角αとは、孔の内径を板状部材の厚さすなわち孔の長
さで除した値である。このスリットにおいて、図示上方
からＸ線が入射すると、孔により形成される隔壁の表面
に照射されずに孔を通過したものが、はぼ平行化された
Ｘ線として出射され、隔壁に照射したＸ線は吸収される
。しだがって全反射板４の全反射の反射角βとスリット
５の開口角αとを略等しくすると最大の集光効率を得る
ことができる。
走査台８は、マスク６とウェハ７を一体で担持し、水平
方向に移動可能である。
方向に移動可能である。
上記構成において、Ｘ線源１から放射したＸ線２はスリ
ット５の開口角αに相当した透過率でスリット５を通過
し、マスク６上の回路パターンをウェハ７上のレジスト
に転写する。一方広い角度に放射された結果、従来は使
用されなかったＸ線８が、全反射板４の表面で反射した
後、スリット５を通過可能なＸ線となる。この時スリッ
ト５の開口角より広い入射角で入射したＸ線や全反射板
４から発生する散乱Ｘ線９は、スリット５の微細孔を構
成する隔壁等に吸収される。従って、スリットのみを使
用した時のＸ線強度よりも強い強度のＸ線がスリットを
通過することになる。マスク６とウエノ・７を水平方向
に移動することにより走査を行うとマスク６のパターン
がウエノ・８上に転写されるが、Ｘ線強度の強い分だけ
走査速度を速くすることができ、スループットを向上す
ることができる。
ット５の開口角αに相当した透過率でスリット５を通過
し、マスク６上の回路パターンをウェハ７上のレジスト
に転写する。一方広い角度に放射された結果、従来は使
用されなかったＸ線８が、全反射板４の表面で反射した
後、スリット５を通過可能なＸ線となる。この時スリッ
ト５の開口角より広い入射角で入射したＸ線や全反射板
４から発生する散乱Ｘ線９は、スリット５の微細孔を構
成する隔壁等に吸収される。従って、スリットのみを使
用した時のＸ線強度よりも強い強度のＸ線がスリットを
通過することになる。マスク６とウエノ・７を水平方向
に移動することにより走査を行うとマスク６のパターン
がウエノ・８上に転写されるが、Ｘ線強度の強い分だけ
走査速度を速くすることができ、スループットを向上す
ることができる。
前記実施例では全反射板として平板を用いたが曲面でも
良い。この場合Ｘ線の集光率は平板よりも更に高まり、
スループットが向上する。また前記実施例では２枚の全
反射板を対抗して用いたが、薄い全反射板を複数枚組み
合わせて用いても良い。
良い。この場合Ｘ線の集光率は平板よりも更に高まり、
スループットが向上する。また前記実施例では２枚の全
反射板を対抗して用いたが、薄い全反射板を複数枚組み
合わせて用いても良い。
更に反射板の表面はＡｕ、Ｐｔの様な重金属の表面が効
率良いが、それ以外の物質の表面でも良い。
率良いが、それ以外の物質の表面でも良い。
以上説明したように、全反射板とスリットを用いること
により、Ｘ線の集光効率が高まシ、露光時間が短縮され
、従ってスループットが改善され ・る。
により、Ｘ線の集光効率が高まシ、露光時間が短縮され
、従ってスループットが改善され ・る。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図である。
■・・・Ｘｍ源。
２・・・スリット透過Ｘ線。
３・・・全反射Ｘ線。
４・・・全反射板。
５・・・スリット。
６・・・マスク。
７・・・ウェハ。
８・・・露光台。
９・・・散乱Ｘ線。
Claims (1)
- （１） Ｘ線源と、Ｘ線照射方向に設けられたＸ線を反
射する部材と、ソーラスリットを有するＸ線露出装置。 い）前記Ｘ線反射部材の反射角と前記ソーラス１ノツト
の開口角が略等しいことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065258A JPS60208831A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065258A JPS60208831A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208831A true JPS60208831A (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=13281703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59065258A Pending JPS60208831A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208831A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02174111A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線投影露光装置 |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP59065258A patent/JPS60208831A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02174111A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線投影露光装置 |
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