JPS63187626A - X線縮小投影装置 - Google Patents
X線縮小投影装置Info
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- JPS63187626A JPS63187626A JP62018258A JP1825887A JPS63187626A JP S63187626 A JPS63187626 A JP S63187626A JP 62018258 A JP62018258 A JP 62018258A JP 1825887 A JP1825887 A JP 1825887A JP S63187626 A JPS63187626 A JP S63187626A
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- mask
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 10
- 206010007134 Candida infections Diseases 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(度業上の利用分野)
本発明は半導体装置製造に用いられる露光装置に好適な
X線縮小投影装置に関する。
X線縮小投影装置に関する。
(従来の技術)
半導体装置の製造工程には、基板にレジストを塗布し、
パターンが形成されたマスクを介してレジストを露光し
てパターンを転写することが行なわれている。このパタ
ーンは微細化の一途をたどり、紫外線を用いた露光から
、さらに進んでX線露光が試みられている。例えば日経
マグロウヒル社発行の日経マイクロデバイス1986年
11月号には「X線リングラフィ用縮小投影光学系」を
試作した論文が記載されている。これを第4図を用いて
略述すると、シンクロトロンからのX線ビーム(1)は
長波長側を遮蔽するフィルタ(2)を通り、さらfこパ
ターンが形成されたマスク(3)を通り、多層金属反射
膜を設けた凸面鏡(4)および凹面鏡(5)からなる縮
小光学系(6)に入射し、ウェハ(7)上に縮小された
マスク(3)の像を結ぶ。そしてマスク(3)とウェハ
(力を縮小率に対応して移動させ、順次マスク(3)全
面の縮小像を得るようになっている。
パターンが形成されたマスクを介してレジストを露光し
てパターンを転写することが行なわれている。このパタ
ーンは微細化の一途をたどり、紫外線を用いた露光から
、さらに進んでX線露光が試みられている。例えば日経
マグロウヒル社発行の日経マイクロデバイス1986年
11月号には「X線リングラフィ用縮小投影光学系」を
試作した論文が記載されている。これを第4図を用いて
略述すると、シンクロトロンからのX線ビーム(1)は
長波長側を遮蔽するフィルタ(2)を通り、さらfこパ
ターンが形成されたマスク(3)を通り、多層金属反射
膜を設けた凸面鏡(4)および凹面鏡(5)からなる縮
小光学系(6)に入射し、ウェハ(7)上に縮小された
マスク(3)の像を結ぶ。そしてマスク(3)とウェハ
(力を縮小率に対応して移動させ、順次マスク(3)全
面の縮小像を得るようになっている。
しかし、一般にX線ビームの径は小さく、大きくするこ
とは目下のところ不可能なので、実用的口 な大きさ、例えば10m 〜5010の被縮小体の、
例えば上述したマスクの鮮明な縮小像を得ることは困難
であり、また、マスクとウェハとを相対移動させるので
、十分な精度が得られない不都合があった。
とは目下のところ不可能なので、実用的口 な大きさ、例えば10m 〜5010の被縮小体の、
例えば上述したマスクの鮮明な縮小像を得ることは困難
であり、また、マスクとウェハとを相対移動させるので
、十分な精度が得られない不都合があった。
(発明が解決しようとする問題点)
上述したように、X線ビームはビーム径が小さく、鮮明
な縮小像が得られない不都合がある。
な縮小像が得られない不都合がある。
本発明は上述の不都合を除去するためになされたもので
、小さなビーム径でも鮮明な縮小像が得られるX線縮小
投影装誼を提供することを目的とする0 〔発明の構成〕 (問題点を解決するための手段と作用)本発明は、X線
ビームでマスクを照射しその透過X線ビームを縮小光学
系に導き上記マスクの縮小像を得るX線縮小投影装置に
おいて、互に直交した2方向をそれぞれ軸として回動振
動する2個の反射鏡からなる走査手段を上記X線ビーム
を発生するX線光源内の励起ビームの光路中またはX線
ビームの光路中に介在させ上記マスクをX線ビームで走
査することを特徴とするX線縮小投影装置である。そし
て励起ビームを振動させてX線ビームを振動させ、また
はX線ビームを直接振動させることにより、マスク全面
をX線ビームで走査し、径小なX線ビームで、これより
大きな面積のマスク全面を均一に、照らして鮮明な縮小
像を得るようにしたものである。好ましいマロ スフの大きさとは10++++a〜5010程度である
。
、小さなビーム径でも鮮明な縮小像が得られるX線縮小
投影装誼を提供することを目的とする0 〔発明の構成〕 (問題点を解決するための手段と作用)本発明は、X線
ビームでマスクを照射しその透過X線ビームを縮小光学
系に導き上記マスクの縮小像を得るX線縮小投影装置に
おいて、互に直交した2方向をそれぞれ軸として回動振
動する2個の反射鏡からなる走査手段を上記X線ビーム
を発生するX線光源内の励起ビームの光路中またはX線
ビームの光路中に介在させ上記マスクをX線ビームで走
査することを特徴とするX線縮小投影装置である。そし
て励起ビームを振動させてX線ビームを振動させ、また
はX線ビームを直接振動させることにより、マスク全面
をX線ビームで走査し、径小なX線ビームで、これより
大きな面積のマスク全面を均一に、照らして鮮明な縮小
像を得るようにしたものである。好ましいマロ スフの大きさとは10++++a〜5010程度である
。
(実施例)
以下、本発明の詳細を第1図ないし第3図に示す一実施
例により説明する。
例により説明する。
第1図は第1の実施例で、被縮小体として半導体製造に
用いられる露光用のマスクを用いた場合である。(1)
はレーザプラズマX線光源で、励起ビーム(2) トし
てのレーザプラズマビーム(2a)は、X線を出すター
ゲット(3)に集束入射する。ここでX線ビーム(4)
が放射され走査手段(6)に入射する。この走査手段(
6)は、紙面に平行で、かつX線ビーム(4)の光軸(
5)に45°傾斜した軸(力を中心に矢印(8)のよう
に振動する第1反射鏡(9)と、紙面に直角な軸a値を
中心に矢印!iυのように振動し、反射面が第1反射鏡
(9)の反射面と平行な第2反射鏡a7Jとからなりて
いる。各反射面はそれぞれ多層金属膜からなっていて、
第1反射鏡(9)に入射したX線ビーム(4)は、振動
を停止した状態では、第2反射鏡(Lzで反射した後、
入射方向とほぼ平行な方向に反射して出て行き、マスク
(Isからなる被縮小体(leに入射する。マスクuっ
け公知の半導体製造用のもので、説明を省略する。この
マスクa9を透過したX線ビーム(4)は縮小光学系0
樽(縮小比5:1)に入って行く。これは金属多層膜の
凸面鏡Iと同じく多層膜の凹面鏡(刀とからなるシュワ
ルツシルト型の反射光学系である。なお、球面状に図示
されているが、非球面で形成されている。そしてここを
出たX線ビーム(4)は保持台0■に固定されたウェハ
[有]上に結像する。
用いられる露光用のマスクを用いた場合である。(1)
はレーザプラズマX線光源で、励起ビーム(2) トし
てのレーザプラズマビーム(2a)は、X線を出すター
ゲット(3)に集束入射する。ここでX線ビーム(4)
が放射され走査手段(6)に入射する。この走査手段(
6)は、紙面に平行で、かつX線ビーム(4)の光軸(
5)に45°傾斜した軸(力を中心に矢印(8)のよう
に振動する第1反射鏡(9)と、紙面に直角な軸a値を
中心に矢印!iυのように振動し、反射面が第1反射鏡
(9)の反射面と平行な第2反射鏡a7Jとからなりて
いる。各反射面はそれぞれ多層金属膜からなっていて、
第1反射鏡(9)に入射したX線ビーム(4)は、振動
を停止した状態では、第2反射鏡(Lzで反射した後、
入射方向とほぼ平行な方向に反射して出て行き、マスク
(Isからなる被縮小体(leに入射する。マスクuっ
け公知の半導体製造用のもので、説明を省略する。この
マスクa9を透過したX線ビーム(4)は縮小光学系0
樽(縮小比5:1)に入って行く。これは金属多層膜の
凸面鏡Iと同じく多層膜の凹面鏡(刀とからなるシュワ
ルツシルト型の反射光学系である。なお、球面状に図示
されているが、非球面で形成されている。そしてここを
出たX線ビーム(4)は保持台0■に固定されたウェハ
[有]上に結像する。
次に本実施例の作用につき述べる。レーザプラごシ
ズビーム(2a)がターゲット(3)に当り、ここから
X線ビーム(4)が放射される。このX線ビーム(4)
は走査手段(6)に入射する。入射したX線ビーム(4
)は第1反射鏡(9)により紙面に直角な面内に振られ
、第2反射鏡f13に入射し、さらに紙面に平行な面内
に振られ、適宜同期させて結局、マスクαQ(こ対し、
第2図に示すように、そのスポラ) (4a)が走査に
よりマスク(1!19全面を照射する。このX線ビーム
(4)は上述したように縮小光学系(1樽に入ってウェ
ハ盛上にマスク住9の先の像を結ぶ。そのときマスクa
e全面が十分照射されているので、見掛は上マスりα■
と同大の光源で照射されたことになり、鮮明な縮小像を
結ぶ。
X線ビーム(4)が放射される。このX線ビーム(4)
は走査手段(6)に入射する。入射したX線ビーム(4
)は第1反射鏡(9)により紙面に直角な面内に振られ
、第2反射鏡f13に入射し、さらに紙面に平行な面内
に振られ、適宜同期させて結局、マスクαQ(こ対し、
第2図に示すように、そのスポラ) (4a)が走査に
よりマスク(1!19全面を照射する。このX線ビーム
(4)は上述したように縮小光学系(1樽に入ってウェ
ハ盛上にマスク住9の先の像を結ぶ。そのときマスクa
e全面が十分照射されているので、見掛は上マスりα■
と同大の光源で照射されたことになり、鮮明な縮小像を
結ぶ。
次に第3図を参照して第2の実施例につき述べる。31
)はX線光源で、励起ビーム02としてのレーザプラズ
マビーム(32a)はターゲットQに入射しここから放
射されるX線ビーム(ロ)はマスク(至)に入射し、そ
の透過ビームが第1の実施例におけると同様な凸面鏡(
1!lIと凹面鏡■とからなる縮小光学系αυに入り、
保持台@のウェハOaに縮小像を結ぶことは第1の実施
例と同じである。しかし、本実施例におい゛ては励起ビ
ーム(32の光路曽に第1の実施例と同じ走査手段G7
)が介在している点が相違している。第1の実施例にお
けると同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略
する。
)はX線光源で、励起ビーム02としてのレーザプラズ
マビーム(32a)はターゲットQに入射しここから放
射されるX線ビーム(ロ)はマスク(至)に入射し、そ
の透過ビームが第1の実施例におけると同様な凸面鏡(
1!lIと凹面鏡■とからなる縮小光学系αυに入り、
保持台@のウェハOaに縮小像を結ぶことは第1の実施
例と同じである。しかし、本実施例におい゛ては励起ビ
ーム(32の光路曽に第1の実施例と同じ走査手段G7
)が介在している点が相違している。第1の実施例にお
けると同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略
する。
次に第2の実施例の作用につき説明する。X線光源31
)の図示しないレーザ発振器から出力したレーザプラズ
マビーム(32a)からなる励起ビーム03は走査手段
■に入射する。
)の図示しないレーザ発振器から出力したレーザプラズ
マビーム(32a)からなる励起ビーム03は走査手段
■に入射する。
ここで第1反射鏡(9)と第2反射ad2とを適宜同期
をとって振動させることによりターゲット時の表面をほ
ぼマスク国の大きさの面積にわたって頴欠、例えば第2
図に示すと同じように走査し、1掛は上は12マスク鏝
と同じ大きさの光源のよ51こマスク(至)全面を均一
に照射する。マスク(至)は全面が十分照射されるので
、鮮明な縮小像がウェハの上に限定きれず、電子ビーム
を用いてもよく、また ′9マ また、第2の実施例においても、励起ビームはし ?
“−ザプラズマビームでも電子ビームでもよいこと
tはいうまでもない。さらにまた岡実施例とも半導
1゜体の露光の場合(ごつき述べたが、他のX線縮小投
をとって振動させることによりターゲット時の表面をほ
ぼマスク国の大きさの面積にわたって頴欠、例えば第2
図に示すと同じように走査し、1掛は上は12マスク鏝
と同じ大きさの光源のよ51こマスク(至)全面を均一
に照射する。マスク(至)は全面が十分照射されるので
、鮮明な縮小像がウェハの上に限定きれず、電子ビーム
を用いてもよく、また ′9マ また、第2の実施例においても、励起ビームはし ?
“−ザプラズマビームでも電子ビームでもよいこと
tはいうまでもない。さらにまた岡実施例とも半導
1゜体の露光の場合(ごつき述べたが、他のX線縮小投
第1図は本発明の第1の実施例の構成図、第2図は同じ
く走査を説明する説明図、第3図は本発明の第2の実施
例の構成図、第4図は従来例を説明するイ4成図である
。 (1)・・・X線光源、(2)・・・励起ビーム。 +4)・・・X線ビーム、(6)・・・走査手段。 (8)・・・軸、(9)・・・反射鏡。 員・・・軸、(13・・・反射鏡。 (i勺・・・被縮小体、ue・・被縮小体。 0樽・・・縮小光学系、cl)・・・X線光源。 (33・・・励起ビーム+ 1:34)・・・X線
ビーム。 C6・・・レーザプラズマビーム。 (1)・・・被縮小体、 C3f)・・・走査手
段。 代理人 弁理士 則 近 憲 償 同 竹 花 喜久男
く走査を説明する説明図、第3図は本発明の第2の実施
例の構成図、第4図は従来例を説明するイ4成図である
。 (1)・・・X線光源、(2)・・・励起ビーム。 +4)・・・X線ビーム、(6)・・・走査手段。 (8)・・・軸、(9)・・・反射鏡。 員・・・軸、(13・・・反射鏡。 (i勺・・・被縮小体、ue・・被縮小体。 0樽・・・縮小光学系、cl)・・・X線光源。 (33・・・励起ビーム+ 1:34)・・・X線
ビーム。 C6・・・レーザプラズマビーム。 (1)・・・被縮小体、 C3f)・・・走査手
段。 代理人 弁理士 則 近 憲 償 同 竹 花 喜久男
Claims (5)
- (1)X線ビームで被縮小体を照射しその透過X線ビー
ムを縮小光学系に導き上記被縮小体の縮小像を得るX線
縮小投影装置において、 互に直交した2方向をそれぞれ軸として回動振動する2
個の反射鏡からなる走査手段を上記X線ビームを発生す
るX線光源内の励起ビームの光路中にまたはX線ビーム
の光路中に介在させ上記被縮小体をX線ビームで走査す
ることを特徴とするX線縮小投影装置。 - (2)励起ビームはレーザプラズマビームであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のX線縮小投影装
置。 - (3)X線光源はSORX線光源であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のX線縮小投影装置。 - (4)X線光源は電子励起X線光源であることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のX線縮小投影装置。 - (5)走査手段はレーザプラズマビームの光路中に介在
していることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の
X線縮小投影装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62018258A JPS63187626A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | X線縮小投影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62018258A JPS63187626A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | X線縮小投影装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63187626A true JPS63187626A (ja) | 1988-08-03 |
Family
ID=11966654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62018258A Pending JPS63187626A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | X線縮小投影装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63187626A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03196513A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-28 | Hiroshima Univ | 単収束ミラーによる反射型2次元パターン縮小転写法および装置 |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP62018258A patent/JPS63187626A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03196513A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-28 | Hiroshima Univ | 単収束ミラーによる反射型2次元パターン縮小転写法および装置 |
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