JP2688958B2 - 露光装置およびその露光方法 - Google Patents
露光装置およびその露光方法Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、露光装置およびその露光方法に関し、さ
らに詳しくは、半導体装置の製造プロセスにおけるＸ線
リソグラフィ工程などに適用される露光装置およびその
露光方法の改良に係るものである。
らに詳しくは、半導体装置の製造プロセスにおけるＸ線
リソグラフィ工程などに適用される露光装置およびその
露光方法の改良に係るものである。
従来例によるこの種の露光装置として、こゝでは、特
開昭62−208631号公報に開示された露光装置の概要を第
５図および第６図に示す。
開昭62−208631号公報に開示された露光装置の概要を第
５図および第６図に示す。
最初に、第５図（ａ），（ｂ）は、この従来例装置に
使用する単結晶体でのＸ線の非対称ブラッグ反射現象を
原理的に説明するために模式的に示したそれぞれに断面
説明図である。
使用する単結晶体でのＸ線の非対称ブラッグ反射現象を
原理的に説明するために模式的に示したそれぞれに断面
説明図である。
従来から、第５図（ａ）に見られるように、単結晶体
１において、その等間隔の平行線で模式的に示された格
子面に平行する結晶面1aに対し、単なる一般的なブラッ
グ角θで入射される線束幅ａのＸ線２については、この
結晶面1aにあって、対称的に同一の角度，同一の線束幅
ａで反射されることが知られており、また一方で、第５
図（ｂ）に見られるように、前記と同様な単結晶体１に
おいて、その格子面に対して角度αだけ傾斜させた結晶
面1b,つまりこゝでは、非対称カットされた結晶面1bの
場合、入射されるＸ線２の反射条件こそ変化しないが、
反射側にあって、その入射線束幅ａが変化することもよ
く知られている。
１において、その等間隔の平行線で模式的に示された格
子面に平行する結晶面1aに対し、単なる一般的なブラッ
グ角θで入射される線束幅ａのＸ線２については、この
結晶面1aにあって、対称的に同一の角度，同一の線束幅
ａで反射されることが知られており、また一方で、第５
図（ｂ）に見られるように、前記と同様な単結晶体１に
おいて、その格子面に対して角度αだけ傾斜させた結晶
面1b,つまりこゝでは、非対称カットされた結晶面1bの
場合、入射されるＸ線２の反射条件こそ変化しないが、
反射側にあって、その入射線束幅ａが変化することもよ
く知られている。
すなわち、この第５図（ｂ）の場合、格子面に対して
角度αだけ傾斜させた結晶面1bに、その傾斜した側から
入射される線束幅ａのＸ線２は、反射側において、これ
よりも縮小された線束幅ｂによって反射されることにな
り、このときのブラッグ角θについては、単結晶体１の
種類，結晶表面1bの傾斜角度α，入射されるＸ線２の波
長などのそれぞれによって、種々かつ任意に選択可能な
もので、これらのブラッグ角θと結晶表面1bの傾斜角度
αとの組み合わせによって、反射側で得る線束幅ｂの縮
小率を所望通り任意に制御できるのである。
角度αだけ傾斜させた結晶面1bに、その傾斜した側から
入射される線束幅ａのＸ線２は、反射側において、これ
よりも縮小された線束幅ｂによって反射されることにな
り、このときのブラッグ角θについては、単結晶体１の
種類，結晶表面1bの傾斜角度α，入射されるＸ線２の波
長などのそれぞれによって、種々かつ任意に選択可能な
もので、これらのブラッグ角θと結晶表面1bの傾斜角度
αとの組み合わせによって、反射側で得る線束幅ｂの縮
小率を所望通り任意に制御できるのである。
次に、第６図は、こゝでの従来例による露光装置の概
要を示す構成説明図である。
要を示す構成説明図である。
この第６図に示す従来例装置の構成において、よく知
られているように、モノクロメーター３によって所望波
長に単色化された放射光は、まず、所望パターン表示の
露光マスク４を透過させた後に、引続き、それぞれに非
対称カットされた単結晶体からなるＸ方向の縮小用単結
晶５およびＹ方向の縮小用単結晶６を順次に経て所望通
りに縮小された上で、レジスト膜を塗布した被露光基板
７上に照射され、当該レジスト膜を所期通りに露光させ
る。
られているように、モノクロメーター３によって所望波
長に単色化された放射光は、まず、所望パターン表示の
露光マスク４を透過させた後に、引続き、それぞれに非
対称カットされた単結晶体からなるＸ方向の縮小用単結
晶５およびＹ方向の縮小用単結晶６を順次に経て所望通
りに縮小された上で、レジスト膜を塗布した被露光基板
７上に照射され、当該レジスト膜を所期通りに露光させ
る。
つまり、このように従来例装置では、非対称カットさ
れた単結晶体からなるＸ方向の縮小用単結晶５およびＹ
方向の縮小用単結晶６をそれぞれに用いることにより、
露光マスク４上に表示されている所定のパターンを被露
光基板７のレジスト膜上に縮小投影して露光させ得るの
である。
れた単結晶体からなるＸ方向の縮小用単結晶５およびＹ
方向の縮小用単結晶６をそれぞれに用いることにより、
露光マスク４上に表示されている所定のパターンを被露
光基板７のレジスト膜上に縮小投影して露光させ得るの
である。
しかしながら、前記のように構成される従来の露光装
置においては、Ｘ方向の縮小用単結晶５およびＹ方向の
縮小用単結晶６として、それぞれに表面か結晶格子面に
ならないように非対称カットされた単結晶体を用いてお
り、実質的には、この単結晶体に対する非対称カット加
工が、極めて困難であるという好ましくない問題点を有
するものであった。
置においては、Ｘ方向の縮小用単結晶５およびＹ方向の
縮小用単結晶６として、それぞれに表面か結晶格子面に
ならないように非対称カットされた単結晶体を用いてお
り、実質的には、この単結晶体に対する非対称カット加
工が、極めて困難であるという好ましくない問題点を有
するものであった。
従って、この発明の目的とするところは、単結晶体を
非対称カットせずにＸ方向およびＹ方向の縮小または拡
大用単結晶として利用できるようにした，この種の露光
装置およびその露光方法を提供することである。
非対称カットせずにＸ方向およびＹ方向の縮小または拡
大用単結晶として利用できるようにした，この種の露光
装置およびその露光方法を提供することである。
この発明の第１の発明に係わる露光装置は、表面が加
工しやすい結晶格子面と一致し、この表面が露光マスク
を透過した所定波長の透過ビームに対して、透過ビーム
を結晶格子面とは異なる格子面による回折ビームとして
出射する角度にして配置され、入射された透過ビームの
第１方向を縮小または拡大して第１の出射ビームを出射
する第１の単結晶体と、表面が加工しやすい結晶格子面
と一致し、この表面が第１の単結晶体からの第１の出射
ビームに対して、第１の出射ビームを結晶格子面とは異
なる格子面による回折ビームとして出射する角度にして
配置され、入射された第１の出射ビームの第１の方向と
直交する第２の方向を縮小又は拡大して第２の出射ビー
ムを被露光基板に出射する第２の単結晶体とを設けたも
のである。
工しやすい結晶格子面と一致し、この表面が露光マスク
を透過した所定波長の透過ビームに対して、透過ビーム
を結晶格子面とは異なる格子面による回折ビームとして
出射する角度にして配置され、入射された透過ビームの
第１方向を縮小または拡大して第１の出射ビームを出射
する第１の単結晶体と、表面が加工しやすい結晶格子面
と一致し、この表面が第１の単結晶体からの第１の出射
ビームに対して、第１の出射ビームを結晶格子面とは異
なる格子面による回折ビームとして出射する角度にして
配置され、入射された第１の出射ビームの第１の方向と
直交する第２の方向を縮小又は拡大して第２の出射ビー
ムを被露光基板に出射する第２の単結晶体とを設けたも
のである。
この発明の第２の発明に係わる露光方法は、露光マス
クを透過した所定波長の透過ビームを、表面が加工しや
すい結晶格子面と一致する第１の単結晶体の表面に、こ
の第１の単結晶体の結晶格子面とは異なる格子面による
回折ビームとしての第１の出射ビームが得られる角度に
入射させ、第１方向が縮小または拡大された第１の出射
ビームを得るステップと、第１の単結晶体からの第１の
出射ビームを、表面が加工しやすい結晶格子面である第
２の単結晶体の表面に、この第２の単結晶体の結晶格子
面とは異なる格子面による回折ビームとしての第２の出
射ビームが得られる角度に入射させ、第１方向と直交す
る第２方向が縮小または拡大された第２の出射ビームを
得、この第２の出射ビームを被露光基板に出射させるス
テップとを設けたものである。
クを透過した所定波長の透過ビームを、表面が加工しや
すい結晶格子面と一致する第１の単結晶体の表面に、こ
の第１の単結晶体の結晶格子面とは異なる格子面による
回折ビームとしての第１の出射ビームが得られる角度に
入射させ、第１方向が縮小または拡大された第１の出射
ビームを得るステップと、第１の単結晶体からの第１の
出射ビームを、表面が加工しやすい結晶格子面である第
２の単結晶体の表面に、この第２の単結晶体の結晶格子
面とは異なる格子面による回折ビームとしての第２の出
射ビームが得られる角度に入射させ、第１方向と直交す
る第２方向が縮小または拡大された第２の出射ビームを
得、この第２の出射ビームを被露光基板に出射させるス
テップとを設けたものである。
［作用］ この発明の第１の発明においては、第１の単結晶体
が、入射される透過ビームを第１の方向が縮小または拡
大された第１の出射ビームとして出力し、第２の単結晶
体が、入射される第１の出射ビームを第２の方向が縮小
または拡大された第２の出射ビームとして出力するた
め、表面が加工しやすい結晶格子面と一致する第１及び
第２の単結晶体を簡単かつ容易に、しかも表面の精度が
良く得られた上、縮小又は拡大された第２の出射ビーム
を容易にかつ精度良く被露光基板に出射せしめる。
が、入射される透過ビームを第１の方向が縮小または拡
大された第１の出射ビームとして出力し、第２の単結晶
体が、入射される第１の出射ビームを第２の方向が縮小
または拡大された第２の出射ビームとして出力するた
め、表面が加工しやすい結晶格子面と一致する第１及び
第２の単結晶体を簡単かつ容易に、しかも表面の精度が
良く得られた上、縮小又は拡大された第２の出射ビーム
を容易にかつ精度良く被露光基板に出射せしめる。
この発明の第２の発明においては、透過ビームを、表
面が加工しやすい結晶格子面である第１の単結晶体の表
面に、この第１の単結晶体の結晶格子面とは異なる格子
面による回折ビームとしての第１の出射ビームが得られ
る角度に入射させ、第１の単結晶体からの第１の出射ビ
ームを、表面が加工しやすい結晶格子面と一致する第２
の単結晶体の表面に、この第２の単結晶体の結晶格子面
とは異なる格子面による回折ビームとしての第２の出射
ビームが得られる角度に入射させるため、表面が加工し
やすい結晶格子面と一致する第１及び第２の単結晶体を
簡単かつ容易に、しかも表面の精度が良く得られた上、
縮小又は拡大された第２の出射ビームを容易にかつ精度
良く被露光基板に出射できる。
面が加工しやすい結晶格子面である第１の単結晶体の表
面に、この第１の単結晶体の結晶格子面とは異なる格子
面による回折ビームとしての第１の出射ビームが得られ
る角度に入射させ、第１の単結晶体からの第１の出射ビ
ームを、表面が加工しやすい結晶格子面と一致する第２
の単結晶体の表面に、この第２の単結晶体の結晶格子面
とは異なる格子面による回折ビームとしての第２の出射
ビームが得られる角度に入射させるため、表面が加工し
やすい結晶格子面と一致する第１及び第２の単結晶体を
簡単かつ容易に、しかも表面の精度が良く得られた上、
縮小又は拡大された第２の出射ビームを容易にかつ精度
良く被露光基板に出射できる。
以下、この発明に係る露光装置およびその露光方法の
実施例につき、第１図ないし第４図を参照して詳細に説
明する。
実施例につき、第１図ないし第４図を参照して詳細に説
明する。
第１図は、この発明の一実施例を適用した露光装置の
概要を示す構成説明図であり、また、第２図は、同上露
光装置における単結晶体を拡大して模式的に示す断面説
明図、第３図は、同上単結晶体における回折現象の斜視
説明図である。
概要を示す構成説明図であり、また、第２図は、同上露
光装置における単結晶体を拡大して模式的に示す断面説
明図、第３図は、同上単結晶体における回折現象の斜視
説明図である。
最初に、第１図に示す実施例装置の構成において、符
号11は、シンクロトロンなどのＸ線発生源であり、12
は、このＸ線発生源11から放射されるＸ線（以下、放射
ビームと呼ぶ）を示し、13は、入力される放射ビーム12
を回折し、所望の波長に単色化して出力するモノクロメ
ーターである。
号11は、シンクロトロンなどのＸ線発生源であり、12
は、このＸ線発生源11から放射されるＸ線（以下、放射
ビームと呼ぶ）を示し、13は、入力される放射ビーム12
を回折し、所望の波長に単色化して出力するモノクロメ
ーターである。
また、14は、所定のパターンを表示させた露光マス
ク、15および16は、それぞれに対称カットされた単結晶
体21からなるＸ方向およびＹ方向の各縮小用単結晶、17
は、レジスト膜を塗布した被露光基板である。
ク、15および16は、それぞれに対称カットされた単結晶
体21からなるＸ方向およびＹ方向の各縮小用単結晶、17
は、レジスト膜を塗布した被露光基板である。
次に、第２図は、前記Ｘ方向の縮小用単結晶15および
Ｙ方向の縮小用単結晶16としての対称カットされた単結
晶体，すなわち、格子面と結晶面とが一致されている、
つまり、表面が結晶格子面と一致する単結晶体21の詳細
を示すもので、この第２図において、符号２θは、前記
単結晶体21に入射される放射ビーム12での所定線束幅に
よる入射ビーム12aと、当該単結晶体21で非対称回折さ
れて縮小された線束幅の出射ビーム12bとのなす角を示
しており、ωは、同上入射ビーム12aと結晶格子面との
なす角を示している。
Ｙ方向の縮小用単結晶16としての対称カットされた単結
晶体，すなわち、格子面と結晶面とが一致されている、
つまり、表面が結晶格子面と一致する単結晶体21の詳細
を示すもので、この第２図において、符号２θは、前記
単結晶体21に入射される放射ビーム12での所定線束幅に
よる入射ビーム12aと、当該単結晶体21で非対称回折さ
れて縮小された線束幅の出射ビーム12bとのなす角を示
しており、ωは、同上入射ビーム12aと結晶格子面との
なす角を示している。
さらに、前記単結晶体21,こゝでは、シリコン（Si）
単結晶体21の回折現象を説明する第３図において、符号
31は、Si単結晶体21に対する入射ビーム12aの入射角、3
2は、Si［100］結晶格子面、33はSi［111］格子面を示
しており、34は、前記Si［100］結晶格子面32とSi［11
1］格子面33とのなす角、35は、前記入射ビーム12aとSi
［111］格子面33とのなすブラッグ角、36は、前記Si単
結晶体21からの出射ビーム12bの出射角を示している。
単結晶体21の回折現象を説明する第３図において、符号
31は、Si単結晶体21に対する入射ビーム12aの入射角、3
2は、Si［100］結晶格子面、33はSi［111］格子面を示
しており、34は、前記Si［100］結晶格子面32とSi［11
1］格子面33とのなす角、35は、前記入射ビーム12aとSi
［111］格子面33とのなすブラッグ角、36は、前記Si単
結晶体21からの出射ビーム12bの出射角を示している。
引続き、この構成の実施例装置における作用について
述べる。
述べる。
第１図において、シンクロトロンなどのＸ線発生源11
から放射される放射ビーム12は、モノクロメーター13に
よって所望の波長に単色化された後、まず、所定パター
ンに表示された露光マスク14を透過し、ついで、それぞ
れに対称カットされた単結晶体21からなるＸ方向の縮小
用単結晶15およびＹ方向の縮小用単結晶16のそれぞれの
各結晶格子面に対して、前記露光マスクを透過した透過
ビーム，こゝでは入射ビームをそれぞれ該当方向に設定
されて非対称回折されるブラッグ角で入射させ、当該各
結晶格子面での非対称回折によって、つまり、当該各結
晶格子面とは異なる格子面による回折ビームとして当該
各結晶格子面と一致する表面から得たことによって、Ｘ
方向およびＹ方向に順次に縮小させた上で、被露光基板
17上に塗布されたレジスト膜に対して、このようにＸ方
向およびＹ方向にそれぞれ縮小させた回折ビーム，こゝ
では出射ビーム，換言すると、露光マスク14上の表示パ
ターンを縮小投影させて、当該レジスト膜を露光させる
のである。
から放射される放射ビーム12は、モノクロメーター13に
よって所望の波長に単色化された後、まず、所定パター
ンに表示された露光マスク14を透過し、ついで、それぞ
れに対称カットされた単結晶体21からなるＸ方向の縮小
用単結晶15およびＹ方向の縮小用単結晶16のそれぞれの
各結晶格子面に対して、前記露光マスクを透過した透過
ビーム，こゝでは入射ビームをそれぞれ該当方向に設定
されて非対称回折されるブラッグ角で入射させ、当該各
結晶格子面での非対称回折によって、つまり、当該各結
晶格子面とは異なる格子面による回折ビームとして当該
各結晶格子面と一致する表面から得たことによって、Ｘ
方向およびＹ方向に順次に縮小させた上で、被露光基板
17上に塗布されたレジスト膜に対して、このようにＸ方
向およびＹ方向にそれぞれ縮小させた回折ビーム，こゝ
では出射ビーム，換言すると、露光マスク14上の表示パ
ターンを縮小投影させて、当該レジスト膜を露光させる
のである。
こゝで、第２図に示す格子面と結晶格子面とが一致さ
れた単結晶体，つまり、前記対称カットされた単結晶体
21において、入射ビーム12aと出射ビーム12bとのなす角
２θは、格子面間隔ｄとの間に、次のような関係にあ
る。すなわち、 2d Sinθ＝ｎλ ……（１） 但し、n:整数 λ：入射ビームの波長 である。
れた単結晶体，つまり、前記対称カットされた単結晶体
21において、入射ビーム12aと出射ビーム12bとのなす角
２θは、格子面間隔ｄとの間に、次のような関係にあ
る。すなわち、 2d Sinθ＝ｎλ ……（１） 但し、n:整数 λ：入射ビームの波長 である。
そして、このとき、角２θが２θ＝２×ωの関係にあ
れば、入射ビーム12aに主軸回折を生ずるのであるが、
立方晶の場合には、この格子面間隔ｄが、次の関係 但し、a:立方晶の場合の格子定数 h,k,l:回折指数 にあって、前記（１）式を満たす場合にも回折を生ず
る。
れば、入射ビーム12aに主軸回折を生ずるのであるが、
立方晶の場合には、この格子面間隔ｄが、次の関係 但し、a:立方晶の場合の格子定数 h,k,l:回折指数 にあって、前記（１）式を満たす場合にも回折を生ず
る。
従って、こゝでは、２θ−ωが10゜付近で、かつ２θ
が90゜付近での回折された出射ビーム12bを選択するこ
とによって、この種の露光装置における所期通りの縮小
投影による露光が可能になる。
が90゜付近での回折された出射ビーム12bを選択するこ
とによって、この種の露光装置における所期通りの縮小
投影による露光が可能になる。
こゝで、一つの具体例として、第３図に示されている
入射ビーム12aが波長４ÅのＸ線で、かつ単結晶体21がS
i単結晶体であるときの場合につき、実質的に検討して
みる。
入射ビーム12aが波長４ÅのＸ線で、かつ単結晶体21がS
i単結晶体であるときの場合につき、実質的に検討して
みる。
この場合、入射ビーム12aは、Si［100］結晶格子面32
に対して、94.37゜の入射角31で入射させるが、このと
き、Si［111］格子面33は、Si［100］結晶格子面32に対
し、54.73゜の傾斜角34だけ傾斜しているために、こゝ
での入射ビーム12aは、結果的に、Si［111］格子面33に
対して、39.64゜のブラッグ角で入射されることにな
る。
に対して、94.37゜の入射角31で入射させるが、このと
き、Si［111］格子面33は、Si［100］結晶格子面32に対
し、54.73゜の傾斜角34だけ傾斜しているために、こゝ
での入射ビーム12aは、結果的に、Si［111］格子面33に
対して、39.64゜のブラッグ角で入射されることにな
る。
そして、このように39.64゜のブラッグ角で入射され
る入射ビーム12aは、Si［111］格子面33によりブラッグ
回折されて出射ビーム12bを生じ、この出射ビーム12bに
ついては、Si［100］結晶格子面32に対して、4.37゜の
出射角36で出射される。すなわち、このときの露光マス
ク14に表示されたパターンの縮小率は、おゝよそ1/13倍
である。
る入射ビーム12aは、Si［111］格子面33によりブラッグ
回折されて出射ビーム12bを生じ、この出射ビーム12bに
ついては、Si［100］結晶格子面32に対して、4.37゜の
出射角36で出射される。すなわち、このときの露光マス
ク14に表示されたパターンの縮小率は、おゝよそ1/13倍
である。
なお、以上の実施例構成の説明では、露光装置におけ
る縮小投影についてのみ述べたが、このような縮小投影
にのみ限定されるものではなく、例えば、第４図に示さ
れている如く、全く逆の露光条件，つまり、第２図に示
したものにおいて、出射ビーム12b側から入射すれば、
入射ビーム12a側から出射されるものであり、この時、
２θ−ωが80゜付近で、かつ２θが90゜付近の回折ビー
ムを選択することによっては、こゝでの露光フィールド
の拡大投影もまた可能である。
る縮小投影についてのみ述べたが、このような縮小投影
にのみ限定されるものではなく、例えば、第４図に示さ
れている如く、全く逆の露光条件，つまり、第２図に示
したものにおいて、出射ビーム12b側から入射すれば、
入射ビーム12a側から出射されるものであり、この時、
２θ−ωが80゜付近で、かつ２θが90゜付近の回折ビー
ムを選択することによっては、こゝでの露光フィールド
の拡大投影もまた可能である。
そしてまた、より以上の複数個の単結晶体を用いるこ
とによっては、その投影倍率を任意かつ選択的に可変で
きるほか、さらには、モノクロメーターによる放射ビー
ムの波長を変更することによっても、その投影倍率を任
意に選択し得ることは勿論である。
とによっては、その投影倍率を任意かつ選択的に可変で
きるほか、さらには、モノクロメーターによる放射ビー
ムの波長を変更することによっても、その投影倍率を任
意に選択し得ることは勿論である。
この発明の第１の発明は、表面が結晶格子面と一致
し、この表面が露光マスクを透過した所定波長の透過ビ
ームに対して、透過ビームを結晶格子面とは異なる格子
面による回折ビームとして出射する角度にして配置さ
れ、入射された透過ビームの第１方向を縮小または拡大
して第１の出射ビームを出射する第１の単結晶体と、表
面が結晶格子面と一致し、この表面が第１の単結晶体か
らの第１の出射ビームに対して、第１の出射ビームを結
晶格子面とは異なる格子面による回折ビームとして出射
する角度にして配置され、入射された第１の出射ビーム
の第１の方向と直交する第２の方向を縮小又は拡大して
第２の出射ビームを被露光基板に出射する第２の単結晶
体とを設けたので、表面が結晶格子面と一致する第１及
び第２の単結晶体を、従来例に見られるような加工が頗
る困難であり、かつ、表面の平坦度が得られにくい非対
称カットによる単結晶体に比較して、簡単かつ容易に、
しかも表面の精度が良いものを得られ、しかも、縮小又
は拡大された第２の出射ビームを容易にかつ精度良く被
露光基板に出射でき、装置構成の実質的な簡略化が可能
になり、装置の信頼性も向上できるという効果を有する
ものである。
し、この表面が露光マスクを透過した所定波長の透過ビ
ームに対して、透過ビームを結晶格子面とは異なる格子
面による回折ビームとして出射する角度にして配置さ
れ、入射された透過ビームの第１方向を縮小または拡大
して第１の出射ビームを出射する第１の単結晶体と、表
面が結晶格子面と一致し、この表面が第１の単結晶体か
らの第１の出射ビームに対して、第１の出射ビームを結
晶格子面とは異なる格子面による回折ビームとして出射
する角度にして配置され、入射された第１の出射ビーム
の第１の方向と直交する第２の方向を縮小又は拡大して
第２の出射ビームを被露光基板に出射する第２の単結晶
体とを設けたので、表面が結晶格子面と一致する第１及
び第２の単結晶体を、従来例に見られるような加工が頗
る困難であり、かつ、表面の平坦度が得られにくい非対
称カットによる単結晶体に比較して、簡単かつ容易に、
しかも表面の精度が良いものを得られ、しかも、縮小又
は拡大された第２の出射ビームを容易にかつ精度良く被
露光基板に出射でき、装置構成の実質的な簡略化が可能
になり、装置の信頼性も向上できるという効果を有する
ものである。
また、この発明の第２の発明は、露光マスクを透過し
た所定波長の透過ビームを、表面が結晶格子面と一致す
る第１の単結晶体の表面に、この第１の単結晶体の結晶
格子面とは異なる格子面による回折ビームとしての第１
の出射ビームが得られる角度に入射させ、第１方向が縮
小または拡大された第１の出射ビームを得るステップ
と、第１の単結晶体からの第１の出射ビームを、表面が
結晶格子面と一致する第２の単結晶体の表面に、この第
２の単結晶体の結晶格子面とは異なる格子面による回折
ビームとしての第２の出射ビームが得られる角度に入射
させ、第１方向と直交する第２方向が縮小または拡大さ
れた第２の出射ビームを得、この第２の出射ビームを被
露光基板に出射させるステップとを設けたので、表面が
結晶格子面と一致する第１及び第２の単結晶体を簡単か
つ容易に、しかも表面の精度が良く得られた上、縮小又
は拡大された第２の出射ビームを容易にかつ精度良く被
露光基板に出射できるという効果を有するものである。
た所定波長の透過ビームを、表面が結晶格子面と一致す
る第１の単結晶体の表面に、この第１の単結晶体の結晶
格子面とは異なる格子面による回折ビームとしての第１
の出射ビームが得られる角度に入射させ、第１方向が縮
小または拡大された第１の出射ビームを得るステップ
と、第１の単結晶体からの第１の出射ビームを、表面が
結晶格子面と一致する第２の単結晶体の表面に、この第
２の単結晶体の結晶格子面とは異なる格子面による回折
ビームとしての第２の出射ビームが得られる角度に入射
させ、第１方向と直交する第２方向が縮小または拡大さ
れた第２の出射ビームを得、この第２の出射ビームを被
露光基板に出射させるステップとを設けたので、表面が
結晶格子面と一致する第１及び第２の単結晶体を簡単か
つ容易に、しかも表面の精度が良く得られた上、縮小又
は拡大された第２の出射ビームを容易にかつ精度良く被
露光基板に出射できるという効果を有するものである。
第１図は、この発明の一実施例を適用した露光装置の概
要を示す構成説明図、第２図は、同上露光装置における
単結晶体を拡大して模式的に示す断面説明図、第３図
は、同上単結晶体における回折現象の斜視説明図、第４
図は、同上他の実施例による露光装置の概要を示す構成
説明図であり、また、第５図（ａ），（ｂ）は、この従
来例装置に使用する単結晶体でのＸ線の非対称ブラッグ
反射現象を原理的に説明するために模式的に示したそれ
ぞれに断面説明図、第６図は、従来例による露光装置の
概要を示す構成説明図である。 11……Ｘ線発生源、12……放射されるＸ線（放射ビー
ム）、12a……入射ビーム、12b……出射ビーム、13……
モノクロメーター、14……露光マスク、15,16……対称
カットされた単結晶体からなるＸ方向およびＹ方向の縮
小用（または拡大用）単結晶、17……レジスト膜を塗布
した被露光基板。 21……単結晶体（またはSi単結晶体）、31……入射ビー
ムの入射角、32……Si［100］結晶面、33……Si［111］
格子面、34……Si［100］結晶面とSi［111］格子面との
なす角、35……入射ビームとSi［111］格子面とのなす
ブラッグ角、36……出射ビームの出射角。 ２θ……入射ビームと出射ビームとのなす角、ω……入
射ビームと結晶面とのなす角。
要を示す構成説明図、第２図は、同上露光装置における
単結晶体を拡大して模式的に示す断面説明図、第３図
は、同上単結晶体における回折現象の斜視説明図、第４
図は、同上他の実施例による露光装置の概要を示す構成
説明図であり、また、第５図（ａ），（ｂ）は、この従
来例装置に使用する単結晶体でのＸ線の非対称ブラッグ
反射現象を原理的に説明するために模式的に示したそれ
ぞれに断面説明図、第６図は、従来例による露光装置の
概要を示す構成説明図である。 11……Ｘ線発生源、12……放射されるＸ線（放射ビー
ム）、12a……入射ビーム、12b……出射ビーム、13……
モノクロメーター、14……露光マスク、15,16……対称
カットされた単結晶体からなるＸ方向およびＹ方向の縮
小用（または拡大用）単結晶、17……レジスト膜を塗布
した被露光基板。 21……単結晶体（またはSi単結晶体）、31……入射ビー
ムの入射角、32……Si［100］結晶面、33……Si［111］
格子面、34……Si［100］結晶面とSi［111］格子面との
なす角、35……入射ビームとSi［111］格子面とのなす
ブラッグ角、36……出射ビームの出射角。 ２θ……入射ビームと出射ビームとのなす角、ω……入
射ビームと結晶面とのなす角。
Claims (3)
- 【請求項１】表面が加工しやすい結晶格子面と一致し、
この表面が露光マスクを透過した所定波長の透過ビーム
に対して、上記透過ビームを上記結晶格子面とは異なる
格子面による回折ビームとして出射する角度にして配置
され、入射された透過ビームの第１方向を縮小または拡
大して第１の出射ビームを出射する第１の単結晶体、 表面が加工しやすい結晶格子面と一致し、この表面が上
記第１の単結晶体からの第１の出射ビームに対して、上
記第１の出射ビームを上記結晶格子面とは異なる格子面
による回折ビームとして出射する角度にして配置され、
入射された第１の出射ビームの上記第１の方向と直交す
る第２の方向を縮小又は拡大して第２の出射ビームを非
露光基板に出射する第２の単結晶体を備えた露光装置。 - 【請求項２】第１の単結晶体の表面と透過ビームとのな
す角度ω１は、透過ビームと第１の出射ビームとのなす
角度２θ１との関係において、２θ１が90゜であり、２
θ１−ω１が10゜とされ、第２の単結晶体の表面と第１
の出射とのなす角度ω２は、第１の出射ビームと第２の
出射ビームとのなす角度２θ２との関係において、２θ
２が90゜であり、２θ２−ω２が10゜とされたことを特
徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】露光マスクを透過した所定波長の透過ビー
ムを、表面が加工しやすい結晶格子面と一致する第１の
単結晶体の表面に、この第１の単結晶体の結晶格子面と
は異なる格子面による回折ビームとしての第１の出射ビ
ームが得られる角度に入射させ、第１方向が縮小または
拡大された第１の出射ビームを得るステップ、 上記第１の単結晶体からの第１の出射ビームを、表面が
加工しやすい結晶格子面と一致する第２の単結晶体の表
面に、この第２の単結晶体の結晶格子面とは異なる格子
面による回折ビームとしての第２の出射ビームが得られ
る角度に入射させ、上記第１方向と直交する第２方向が
縮小または拡大された第２の出射ビームを得、この第２
の出射ビームを被露光基板に出射させるステップを備え
た露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63308079A JP2688958B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 露光装置およびその露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63308079A JP2688958B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 露光装置およびその露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02153520A JPH02153520A (ja) | 1990-06-13 |
| JP2688958B2 true JP2688958B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=17976619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63308079A Expired - Fee Related JP2688958B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 露光装置およびその露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2688958B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004027347B4 (de) * | 2004-05-27 | 2008-12-24 | Qimonda Ag | Wellenlängenselektor für den weichen Röntgen- und den extremen Ultraviolettbereich |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58101426A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | Nec Corp | Ｘ線露光装置 |
| JPS62208631A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 縮小型ｘ線リソグラフイ装置 |
-
1988
- 1988-12-05 JP JP63308079A patent/JP2688958B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02153520A (ja) | 1990-06-13 |
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