JP2555592B2 - Ｘ線投影露光用照明系 - Google Patents
Ｘ線投影露光用照明系Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 イ．産業上の利用分野 本発明は、Ｘ線リソグラフィーにおけるＸ線投影露光
の均一照明技術に関する。
の均一照明技術に関する。
ロ．従来の技術 従来LSIの製造過程において、レジストパターンの形
成には一般に光転写方式が用いられてきた。しかし、光
転写方式では0.5μｍが限界と言われており、又フレネ
ル回析の影響や焦点深度が小さい為に、１μｍ以下の微
細パターンを形成する為には、多層レジスト法やCEL法
等のプロセス技術を用いなくてはならない。その為に工
程が複雑になり歩留まりの低下の原因となり、近い将来
限界に達すると思われる。これに変わる手段として電子
ビーム直接描画やＸ線リソグラフィーが考えられてい
る。しかし、電子ビーム直接描画方式ではスループット
やステージのつなぎ合わせ精度、更には高アスペクト比
を達成するために、多層レジストを使わねばならないな
どの難点がある。これに対して、Ｘ線リソグラフィーは
転写工程であるため大量生産に向いていることから特に
有望視されており、波長数Å〜数十Åの光線を用いる
為、実用上回析の影響は無視できる程度であり、0.1μ
ｍ程度までの解像度が期待できる。
成には一般に光転写方式が用いられてきた。しかし、光
転写方式では0.5μｍが限界と言われており、又フレネ
ル回析の影響や焦点深度が小さい為に、１μｍ以下の微
細パターンを形成する為には、多層レジスト法やCEL法
等のプロセス技術を用いなくてはならない。その為に工
程が複雑になり歩留まりの低下の原因となり、近い将来
限界に達すると思われる。これに変わる手段として電子
ビーム直接描画やＸ線リソグラフィーが考えられてい
る。しかし、電子ビーム直接描画方式ではスループット
やステージのつなぎ合わせ精度、更には高アスペクト比
を達成するために、多層レジストを使わねばならないな
どの難点がある。これに対して、Ｘ線リソグラフィーは
転写工程であるため大量生産に向いていることから特に
有望視されており、波長数Å〜数十Åの光線を用いる
為、実用上回析の影響は無視できる程度であり、0.1μ
ｍ程度までの解像度が期待できる。
Ｘ線リソグラフィーは大別して２つの方法が考えられ
る。一つは現在使用されているＸ線マスクとウエハーの
間隔を10μｍ前後に近接させてＸ線を照射し、マスクの
パターンを転写する、いわゆるプロキシミティー法であ
り、もう一つはＸ線結像素子を使ってマスクの投影像を
転写する投影露光法である。
る。一つは現在使用されているＸ線マスクとウエハーの
間隔を10μｍ前後に近接させてＸ線を照射し、マスクの
パターンを転写する、いわゆるプロキシミティー法であ
り、もう一つはＸ線結像素子を使ってマスクの投影像を
転写する投影露光法である。
第３図に等倍プロキシミティー法を示す。同図におい
て、マスクパターン３を有するＸ線マスク２をパターン
を転写するウエハー４に間隔ｇで近接させて設けてい
る。間隔ｇを設けるのはマスクが極めて繊細なものであ
るから、他物質との接触で破壊されないようにするため
必要なことなのである。この構成においてＸ線源１から
Ｘ線をＸ線マスク２を通してウエハー４上のレジスト５
に照射するとマスクパターン３がレジスト５上に転写さ
れる。しかし、パターン転写の際に、Ｘ線源１の広がり
による半影ボケδ＝g/L×ψとＸ線マスク２とウエハー
４の間隔ｇによるランアウト誤差ｒ＝g/L×Ｒが生じ、
Ｘ線を使うメリットが充分生かされていなかった。又、
等倍露光である為、Ｘ線マスクを製作する場合、レジス
トパターンは電子ビーム描画で形成する為、パターン幅
が減少するにつれ、マスク製作の困難さは飛躍的に増大
する等の技術的困難があった。
て、マスクパターン３を有するＸ線マスク２をパターン
を転写するウエハー４に間隔ｇで近接させて設けてい
る。間隔ｇを設けるのはマスクが極めて繊細なものであ
るから、他物質との接触で破壊されないようにするため
必要なことなのである。この構成においてＸ線源１から
Ｘ線をＸ線マスク２を通してウエハー４上のレジスト５
に照射するとマスクパターン３がレジスト５上に転写さ
れる。しかし、パターン転写の際に、Ｘ線源１の広がり
による半影ボケδ＝g/L×ψとＸ線マスク２とウエハー
４の間隔ｇによるランアウト誤差ｒ＝g/L×Ｒが生じ、
Ｘ線を使うメリットが充分生かされていなかった。又、
等倍露光である為、Ｘ線マスクを製作する場合、レジス
トパターンは電子ビーム描画で形成する為、パターン幅
が減少するにつれ、マスク製作の困難さは飛躍的に増大
する等の技術的困難があった。
これらの困難さを解決する為、Ｘ線縮小投影露光方式
が考えられている。この方式の照明系として、第４図に
示す様にブラックの条件2dsinθ＝λ（d;格子定数、
θ；入射Ｘ線と結晶の格子画のなす角、λ；波長）を満
たすようにローランド円11上にＸ線源１を置き、xy平面
内では湾曲結晶７の格子面をローランド円の直径０−12
を半径として12を中心とする円に沿うように曲げ、反射
面をローランド円11に沿うように研磨し、xz平面内では
Ｘ線源１とＸ線の集束点９と結ぶ直線１−９とローラン
ド円の直径０−12との交点13を中心とする円に沿うよう
に格子面を湾曲させたトロイダル型湾曲結晶を用いるこ
と、即ち、直線１−９を含み分光結晶を切る全ての平面
内で1,9,湾曲結晶の３者が常にローランド円11上に位置
するような構成にする。この構成によりＸ線源１から放
射されたＸ線束を無収差で集束点９に集束させることが
できる。そして結晶７と集束点９との間にＸ線マスク２
を配置することにより、集光点９の近傍に位置させたウ
エハー４にマスク像を縮小投影することが考えられてい
る。しかし、このときに用いられる湾曲結晶は結晶格子
面をトロイダル面に湾曲させなければならない。結晶格
子面をトロイダル面に湾曲させることはかなり困難であ
り、さらにこの湾曲面をxy平面内では格子面の1/2の曲
率で、yz平面内では格子面に沿うように研磨することも
困難である。またＸ線源１が点線源でないとウエハー４
に転写されるマスク２の像にぼけが生じるために、Ｘ線
源が強くできない。
が考えられている。この方式の照明系として、第４図に
示す様にブラックの条件2dsinθ＝λ（d;格子定数、
θ；入射Ｘ線と結晶の格子画のなす角、λ；波長）を満
たすようにローランド円11上にＸ線源１を置き、xy平面
内では湾曲結晶７の格子面をローランド円の直径０−12
を半径として12を中心とする円に沿うように曲げ、反射
面をローランド円11に沿うように研磨し、xz平面内では
Ｘ線源１とＸ線の集束点９と結ぶ直線１−９とローラン
ド円の直径０−12との交点13を中心とする円に沿うよう
に格子面を湾曲させたトロイダル型湾曲結晶を用いるこ
と、即ち、直線１−９を含み分光結晶を切る全ての平面
内で1,9,湾曲結晶の３者が常にローランド円11上に位置
するような構成にする。この構成によりＸ線源１から放
射されたＸ線束を無収差で集束点９に集束させることが
できる。そして結晶７と集束点９との間にＸ線マスク２
を配置することにより、集光点９の近傍に位置させたウ
エハー４にマスク像を縮小投影することが考えられてい
る。しかし、このときに用いられる湾曲結晶は結晶格子
面をトロイダル面に湾曲させなければならない。結晶格
子面をトロイダル面に湾曲させることはかなり困難であ
り、さらにこの湾曲面をxy平面内では格子面の1/2の曲
率で、yz平面内では格子面に沿うように研磨することも
困難である。またＸ線源１が点線源でないとウエハー４
に転写されるマスク２の像にぼけが生じるために、Ｘ線
源が強くできない。
ハ．発明が解決しようとする問題点 本発明は、上述したような照明系の結晶の製作上の困
難さを解決すると共に、Ｘ線結像素子を用いＸ線マスク
の均一照射を行い、高解像度というＸ線の特長を利用す
るとともに光源強度の増大を実現することを目的とす
る。
難さを解決すると共に、Ｘ線結像素子を用いＸ線マスク
の均一照射を行い、高解像度というＸ線の特長を利用す
るとともに光源強度の増大を実現することを目的とす
る。
ニ．問題点解決のための手段 Ｘ線投影露光用照明系において、短冊状のヨハン型或
はヨハンソン型のシリンドリカル湾曲結晶を少なくとも
２個以上各湾曲結晶のローランド円のＸ線入射点とＸ線
集光点とが夫々一致するようにして、各ローランド円を
交わらせるように積み重ねて配置した多層型湾曲結晶
と、同結晶によってＸ線が集束される位置に設けられた
フレネル・ゾーンプレート或はＸ線多層膜ミラー等のＸ
線結像素子と、上記結晶と同結像素子との間の光軸上に
配置したＸ線透過型マスクとよりなり、上記結像素子に
よる上記マスクの像の位置に感光体を配置するようにし
た。
はヨハンソン型のシリンドリカル湾曲結晶を少なくとも
２個以上各湾曲結晶のローランド円のＸ線入射点とＸ線
集光点とが夫々一致するようにして、各ローランド円を
交わらせるように積み重ねて配置した多層型湾曲結晶
と、同結晶によってＸ線が集束される位置に設けられた
フレネル・ゾーンプレート或はＸ線多層膜ミラー等のＸ
線結像素子と、上記結晶と同結像素子との間の光軸上に
配置したＸ線透過型マスクとよりなり、上記結像素子に
よる上記マスクの像の位置に感光体を配置するようにし
た。
ホ．作用 本発明によれば、Ｘ線結像素子を用い、湾曲結晶のＸ
線集束点に位置させたから、Ｘ線の利用率が甚だ良く、
湾曲結晶はヨハン型或はヨハンソン型のシリンドリカル
湾曲結晶をその反射面が、同一線源，同一集束点を持つ
ようにトロイダル面に沿わせて、多数積み重ねた配置を
取ることによって、結晶を一方に湾曲させるだけでよい
ようにして、照明系の結晶の製作上の困難さと製作時間
を著しく低減できた。このような結晶を用いるときは、
点状Ｘ線源からのＸ線でも完全に一点に集束させること
はできないが、結像素子を用いる本発明の場合、このこ
とは欠点ではなく利点である。即ち、結像素子はその全
面がＸ線で照射されないと結像の機能を現せない。従っ
て、第４図のように完全に一点に集束する構造は却って
不適である。同じ理由で本発明ではＸ線源は広がりを有
することが必要で、そのためＸ線源を非常に明るくする
ことができる。
線集束点に位置させたから、Ｘ線の利用率が甚だ良く、
湾曲結晶はヨハン型或はヨハンソン型のシリンドリカル
湾曲結晶をその反射面が、同一線源，同一集束点を持つ
ようにトロイダル面に沿わせて、多数積み重ねた配置を
取ることによって、結晶を一方に湾曲させるだけでよい
ようにして、照明系の結晶の製作上の困難さと製作時間
を著しく低減できた。このような結晶を用いるときは、
点状Ｘ線源からのＸ線でも完全に一点に集束させること
はできないが、結像素子を用いる本発明の場合、このこ
とは欠点ではなく利点である。即ち、結像素子はその全
面がＸ線で照射されないと結像の機能を現せない。従っ
て、第４図のように完全に一点に集束する構造は却って
不適である。同じ理由で本発明ではＸ線源は広がりを有
することが必要で、そのためＸ線源を非常に明るくする
ことができる。
ヘ．実施例 第１図に本発明の一実施例の構成図を示す。第１図は
投影結像素子としてフレネル・ゾーンプレート（FZP）
９を用いた場合の実施例で、同図おいて、１は多少の広
がりを持つＸ線源でMoLα5.406Åの特性Ｘ線束６を放射
する。２はウエハー４上のレジスト５に転写するマスク
パターン３を設けたＸ線マスク、７はシリンドリカルの
ヨハンソン型湾曲結晶を単柵状に切って多数積み重ねた
照明素子で、格子定数ｄ＝3.25ÅのGe（111）を用いて
いる。10はFZP9の後方に置かれたレジスト５上にFZP9に
より結像されたマスクパターン３の縮小像、11は湾曲結
晶７の中心を通るローランド円である。
投影結像素子としてフレネル・ゾーンプレート（FZP）
９を用いた場合の実施例で、同図おいて、１は多少の広
がりを持つＸ線源でMoLα5.406Åの特性Ｘ線束６を放射
する。２はウエハー４上のレジスト５に転写するマスク
パターン３を設けたＸ線マスク、７はシリンドリカルの
ヨハンソン型湾曲結晶を単柵状に切って多数積み重ねた
照明素子で、格子定数ｄ＝3.25ÅのGe（111）を用いて
いる。10はFZP9の後方に置かれたレジスト５上にFZP9に
より結像されたマスクパターン３の縮小像、11は湾曲結
晶７の中心を通るローランド円である。
Ｘ線束はブラッグの条件2dsinθ＝λをみたす時、結
晶照明素子７において反射されるから、この構成におい
て、θ＝56゜16'となり、Ｘ線源１及びFZP9の中心はxy
平面内でローランド円11上にこのブラッグの条件を満た
すように配置する。結晶照明素子７はxy平面内の中心に
おける法線とローランド円11との交点12を中心とする円
周に沿うように結晶の格子面を曲げ、反射面はローラン
ド円11に一致するように研磨したものをxy平面と平行に
数個に切断したものである。この結晶素子をyz平面内に
おいてＸ線源１とFZP9を結ぶ直線がｘ軸と交わる点13を
中心とする円周上に格子面と反射面が一致する様に積み
重ねて多層型結晶照明素子を形成する。例えば、１個の
シリンドリカル結晶の大きさが70×５である結晶を14個
積み重ねて結晶全体の大きさを70×70とした結晶照明素
子を形成する。このようにして形成された結晶照明素子
を用いてFZP上に収束するＸ線束８を形成する。このよ
うにしてFZP9上には広がりのあるＸ線源１の等倍像が形
成される。多層型結晶照明素子はxy平面内方向では無収
差で集束するが、xz平面内ではシリンドリカル結晶を多
数積み重ねて格子面及び反射面をトロイダル面に直線近
似させているから若干の収差が発生するが、これはFZP
が配置されているＸ線収束点でＸ線の集光点の散らばり
を生じFZP9を均一照射する上で却って効果があり、結晶
照明素子７とFZP9間の所定の位置にＸ線マスク２を配置
すると、結像照明素子７で反射されたＸ線束はＸ線マス
ク２を均一照明し、マスク２を透過したＸ線束はFZP9上
に集中する。Ｘ線マスク２の有効面は50×50mmであり、
BN（ボロンナイトライト）基板上にAuでマスクパターン
３を形成している。このような構成において、Ｘ線源１
から結晶照明素子７にＸ線を放射すると、マスクパター
ン３はFZP9により、レジスト５の10×10mmフィールドに
1/5縮小像として転写される。この場合、マスクパター
ン３を通過したＸ線は全部FZP9を通るから、Ｘ線の無駄
が生じない。
晶照明素子７において反射されるから、この構成におい
て、θ＝56゜16'となり、Ｘ線源１及びFZP9の中心はxy
平面内でローランド円11上にこのブラッグの条件を満た
すように配置する。結晶照明素子７はxy平面内の中心に
おける法線とローランド円11との交点12を中心とする円
周に沿うように結晶の格子面を曲げ、反射面はローラン
ド円11に一致するように研磨したものをxy平面と平行に
数個に切断したものである。この結晶素子をyz平面内に
おいてＸ線源１とFZP9を結ぶ直線がｘ軸と交わる点13を
中心とする円周上に格子面と反射面が一致する様に積み
重ねて多層型結晶照明素子を形成する。例えば、１個の
シリンドリカル結晶の大きさが70×５である結晶を14個
積み重ねて結晶全体の大きさを70×70とした結晶照明素
子を形成する。このようにして形成された結晶照明素子
を用いてFZP上に収束するＸ線束８を形成する。このよ
うにしてFZP9上には広がりのあるＸ線源１の等倍像が形
成される。多層型結晶照明素子はxy平面内方向では無収
差で集束するが、xz平面内ではシリンドリカル結晶を多
数積み重ねて格子面及び反射面をトロイダル面に直線近
似させているから若干の収差が発生するが、これはFZP
が配置されているＸ線収束点でＸ線の集光点の散らばり
を生じFZP9を均一照射する上で却って効果があり、結晶
照明素子７とFZP9間の所定の位置にＸ線マスク２を配置
すると、結像照明素子７で反射されたＸ線束はＸ線マス
ク２を均一照明し、マスク２を透過したＸ線束はFZP9上
に集中する。Ｘ線マスク２の有効面は50×50mmであり、
BN（ボロンナイトライト）基板上にAuでマスクパターン
３を形成している。このような構成において、Ｘ線源１
から結晶照明素子７にＸ線を放射すると、マスクパター
ン３はFZP9により、レジスト５の10×10mmフィールドに
1/5縮小像として転写される。この場合、マスクパター
ン３を通過したＸ線は全部FZP9を通るから、Ｘ線の無駄
が生じない。
上記の方法は、略完全に無収差の照明が行える一実施
例であるが、照明系の配置や結晶照明素子の形態（例え
ば、結晶分割数が少ない）によっては収差が発生し、Ｘ
線マスクを照明した光の全てが必ずしも結像素子に達し
て結像に係わるとは限らない。この場合はＸ線源の実効
焦点の形を結像素子の照明系による収差像に合わせる
か、又は十分大きくすることによって、結像に係わるＸ
線束を実用上差し支えないように選択すれば良い。例え
ば、結晶分割数が少ないときは、点線源の像はローラン
ド円の面に垂直な線状になるが、Ｘ線源の焦点をローラ
ンド円の面と平行な方向の線状にすることで、集光点で
は方形領域にＸ線が分布して結像素子全面を効果的に照
射させることができる。
例であるが、照明系の配置や結晶照明素子の形態（例え
ば、結晶分割数が少ない）によっては収差が発生し、Ｘ
線マスクを照明した光の全てが必ずしも結像素子に達し
て結像に係わるとは限らない。この場合はＸ線源の実効
焦点の形を結像素子の照明系による収差像に合わせる
か、又は十分大きくすることによって、結像に係わるＸ
線束を実用上差し支えないように選択すれば良い。例え
ば、結晶分割数が少ないときは、点線源の像はローラン
ド円の面に垂直な線状になるが、Ｘ線源の焦点をローラ
ンド円の面と平行な方向の線状にすることで、集光点で
は方形領域にＸ線が分布して結像素子全面を効果的に照
射させることができる。
上記実施例で説明したように、結晶照明素子とFZPを
組合わせることにより、Ｘ線投影縮小露光装置が構成で
きるが、なお、Ｘ線マスクの縮小像を得る為に、FZP以
外のＸ線素子例えばＸ線ミラーで構成された反射対物等
を用いても良い。更に、縮小像だけでなく同様な方法に
よる等倍投影露光等を行う場合にも利用できる。
組合わせることにより、Ｘ線投影縮小露光装置が構成で
きるが、なお、Ｘ線マスクの縮小像を得る為に、FZP以
外のＸ線素子例えばＸ線ミラーで構成された反射対物等
を用いても良い。更に、縮小像だけでなく同様な方法に
よる等倍投影露光等を行う場合にも利用できる。
ト．効果 本発明によれば、複数の細長いヨハン型或はヨハンソ
ン型のシリンドリカル湾曲結晶を共通のＸ線源からのＸ
線を共通の集束点に集光させるようにトロイダル面に沿
わせて積み重ねて結晶照明素子とし、これをＸ線投影露
光方式のＸ線マスクの照明系に利用し、FZPやＸ線ミラ
ー等の高解像力を有する結像素子と組合わせることによ
り、強力なＸ線光源を用いることが可能になり、高解像
力で焦点深度の深い像を形成できる。又、Ｘ線転写であ
る為に、マスクに付着したゴミ等が転写されないこと、
投影方式であるためマスク寿命が長くなること、又、縮
小露光を行った場合Ｘ線マスクを製作しやすいことなど
の利点が得られ、従って、100Mビットクラスの集積度を
持ったLSIのリソグフィー工程まで特別なプロセス技術
を用いず、又、スループットの減少なしに対応できるよ
うになった。
ン型のシリンドリカル湾曲結晶を共通のＸ線源からのＸ
線を共通の集束点に集光させるようにトロイダル面に沿
わせて積み重ねて結晶照明素子とし、これをＸ線投影露
光方式のＸ線マスクの照明系に利用し、FZPやＸ線ミラ
ー等の高解像力を有する結像素子と組合わせることによ
り、強力なＸ線光源を用いることが可能になり、高解像
力で焦点深度の深い像を形成できる。又、Ｘ線転写であ
る為に、マスクに付着したゴミ等が転写されないこと、
投影方式であるためマスク寿命が長くなること、又、縮
小露光を行った場合Ｘ線マスクを製作しやすいことなど
の利点が得られ、従って、100Mビットクラスの集積度を
持ったLSIのリソグフィー工程まで特別なプロセス技術
を用いず、又、スループットの減少なしに対応できるよ
うになった。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は結晶照明
素子でＸ線が集光できる原理を示す集光説明図、第３図
は従来の等倍プロキシミティ法Ｘ線リシグラフィーを模
式的に示した側面図、第４図はトロイダル型湾曲結晶の
集光原理図である。 １……Ｘ線源、２……Ｘ線マスク、５……レジスト、７
……多層型結晶照明素子、８……Ｘ線束、９……フレネ
ルゾーンプレート（FZP）、10……縮小像、11……ロー
ランド円、12……格子面のxy平面の曲率中心、13……格
子面及び反射面のxz平面の曲率中心。
素子でＸ線が集光できる原理を示す集光説明図、第３図
は従来の等倍プロキシミティ法Ｘ線リシグラフィーを模
式的に示した側面図、第４図はトロイダル型湾曲結晶の
集光原理図である。 １……Ｘ線源、２……Ｘ線マスク、５……レジスト、７
……多層型結晶照明素子、８……Ｘ線束、９……フレネ
ルゾーンプレート（FZP）、10……縮小像、11……ロー
ランド円、12……格子面のxy平面の曲率中心、13……格
子面及び反射面のxz平面の曲率中心。
Claims (1)
- 【請求項１】短冊状のヨハン型或はヨハンソン型のシリ
ンドリカル湾曲結晶を少なくとも２個以上各湾曲結晶の
ローランド円のＸ線入射点とＸ線集光点とが夫々一致す
るようにして、各ローランド円を交わらせるように積み
重ねて配置した多層型湾曲結晶と、同結晶によってＸ線
が集束される位置に設けられたフレネル・ゾーンプレー
ト或はＸ線多層膜ミラー等のＸ線結像素子と、上記結晶
と同結像素子との間の光軸上に配置したＸ線透過型マス
クとよりなり、上記結像素子による上記マスクの像の位
置に感光体を配置するようにしたことを特徴とするＸ線
投影露光用照明系。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62080243A JP2555592B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Ｘ線投影露光用照明系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62080243A JP2555592B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Ｘ線投影露光用照明系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63245923A JPS63245923A (ja) | 1988-10-13 |
| JP2555592B2 true JP2555592B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=13712883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62080243A Expired - Lifetime JP2555592B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Ｘ線投影露光用照明系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555592B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6625250B2 (en) | 1999-12-20 | 2003-09-23 | Agere Systems Inc. | Optical structures and methods for x-ray applications |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62080243A patent/JP2555592B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63245923A (ja) | 1988-10-13 |
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