JPH02153520A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH02153520A JPH02153520A JP63308079A JP30807988A JPH02153520A JP H02153520 A JPH02153520 A JP H02153520A JP 63308079 A JP63308079 A JP 63308079A JP 30807988 A JP30807988 A JP 30807988A JP H02153520 A JPH02153520 A JP H02153520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- single crystal
- angle
- exposure mask
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241001480079 Corymbia calophylla Species 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、露光装置に関し、さらに詳しくは、半導体
装置の製造プロセスにおけるＸ線リソグラフィ工程で使
用される露光装置の改良に係るものである。
装置の製造プロセスにおけるＸ線リソグラフィ工程で使
用される露光装置の改良に係るものである。
従来例によるこの種の露光装置として、こＳでは、特開
昭１ｉ２−２０８６３１号に開示された露光装置の概要
を第５図および第６図に示す。
昭１ｉ２−２０８６３１号に開示された露光装置の概要
を第５図および第６図に示す。
まず、第５図はこの従来例装置に適用する単結晶体での
Ｘ線の非対称フラッグ反射現象を原理的に示した断面説
明図である。同図（ａ）に示されているように、等間隔
の平行線で模式的に示したｍ結晶体ｌの格子面に平行な
結晶表面＋ａに、フラッグ角θで入射される線束幅ａの
Ｘ線２は、この結晶表面１ａで対称的に同一線束幅ａで
反射されることが知られており、また一方、同図（ｂ）
に示すように、同様な単結晶体１において、その格子面
に対し角度αだけ傾斜させた結晶表面１ｂ、つまり、非
対称カットされた結晶表面！ｂの場合にあっては、Ｘ線
２の反射条件こそ変化しないが、その入射線束幅ａが反
射側で変化することが知られている。
Ｘ線の非対称フラッグ反射現象を原理的に示した断面説
明図である。同図（ａ）に示されているように、等間隔
の平行線で模式的に示したｍ結晶体ｌの格子面に平行な
結晶表面＋ａに、フラッグ角θで入射される線束幅ａの
Ｘ線２は、この結晶表面１ａで対称的に同一線束幅ａで
反射されることが知られており、また一方、同図（ｂ）
に示すように、同様な単結晶体１において、その格子面
に対し角度αだけ傾斜させた結晶表面１ｂ、つまり、非
対称カットされた結晶表面！ｂの場合にあっては、Ｘ線
２の反射条件こそ変化しないが、その入射線束幅ａが反
射側で変化することが知られている。
すなわち、この第５図（ａ）の場合には、格子面に対し
て角度αだけ傾斜させた結晶表面１ｂに、傾斜側から入
射されるＸ線２の線束幅ａが、これよりも縮小された線
束幅すで反射されることになるもので、このときのフラ
ッグ角θは、単結晶体１の種類、結晶表面１ｂの傾斜角
度α３．および使用するＸ線の波長などによって種々選
択可能であり、これらのフラッグ角θと傾斜角度αとの
組合せによって、その反射側での縮小率を任意にルＪ御
できるのである。
て角度αだけ傾斜させた結晶表面１ｂに、傾斜側から入
射されるＸ線２の線束幅ａが、これよりも縮小された線
束幅すで反射されることになるもので、このときのフラ
ッグ角θは、単結晶体１の種類、結晶表面１ｂの傾斜角
度α３．および使用するＸ線の波長などによって種々選
択可能であり、これらのフラッグ角θと傾斜角度αとの
組合せによって、その反射側での縮小率を任意にルＪ御
できるのである。
次に、第６図はこの従来例装置の概要を示す構成説明図
である。この第６図構成において、よく知られているよ
うに、モノクロメータ３によって所望波長に単色化され
た放射光は、まず、露光マスク４を通過した後、それぞ
れに非対称カットされた単結晶体からなるＸ方向縮少ミ
ラー５．およびＹ方向縮少ミラー６を順次に経て、レジ
スト膜を塗布した被露光基板７上に照射されるもので、
このように、非対称カットされた単結晶体からなるＸ方
向縮少ミラー５．およびＹ方向縮少ミラー６を用いるこ
とにより、露光マスク４上に表示されている所定のパタ
ーンを、被露光基板７のレジスト膜上に縮少投影させる
ことができる。
である。この第６図構成において、よく知られているよ
うに、モノクロメータ３によって所望波長に単色化され
た放射光は、まず、露光マスク４を通過した後、それぞ
れに非対称カットされた単結晶体からなるＸ方向縮少ミ
ラー５．およびＹ方向縮少ミラー６を順次に経て、レジ
スト膜を塗布した被露光基板７上に照射されるもので、
このように、非対称カットされた単結晶体からなるＸ方
向縮少ミラー５．およびＹ方向縮少ミラー６を用いるこ
とにより、露光マスク４上に表示されている所定のパタ
ーンを、被露光基板７のレジスト膜上に縮少投影させる
ことができる。
しかしながら、前記のように構成される従来の露光装置
においては、Ｘ方向縮少ミラー５．およびＹ方向縮少ミ
ラー６として、それぞれに結晶面と格子面とが一致しな
い非対称カットされた単結晶体を用いているために、こ
の単結晶体の非対称カット加工が極めて困難であるなど
の実際上、好ましくない問題点を有するものであった。
においては、Ｘ方向縮少ミラー５．およびＹ方向縮少ミ
ラー６として、それぞれに結晶面と格子面とが一致しな
い非対称カットされた単結晶体を用いているために、こ
の単結晶体の非対称カット加工が極めて困難であるなど
の実際上、好ましくない問題点を有するものであった。
従って、この発明の目的とするところは、単結晶体を非
対称カットせずにＸ方向、喝よびＹ方向縮少ミラーとし
て用い得るようにした。この種の露光装置を提供するこ
とである。
対称カットせずにＸ方向、喝よびＹ方向縮少ミラーとし
て用い得るようにした。この種の露光装置を提供するこ
とである。
〔課題を解決するための手段）
前記目的を達成するために、この発明に係る露光装置は
、入射されるＸ線を所望波長に単色化するモノクロメー
タと、所定のパターンを表示させた露光マスクと、それ
ぞれに対称カットされた単結晶体からなるＸ方向縮少、
または拡大ミラーおよびＹ方向縮少、または拡大ミラー
とを備え、単色化されたＸ線を、露光マスクに通過させ
、かつ所定のフラッグ角に選択設定させたＸ方向、およ
びＹ方向の各ミラーを順次に経て、その非対称反射によ
り縮少、または拡大させた後、これを被露光基板のレジ
スト股上に投影し得るようにしたことを特徴とするもの
である。
、入射されるＸ線を所望波長に単色化するモノクロメー
タと、所定のパターンを表示させた露光マスクと、それ
ぞれに対称カットされた単結晶体からなるＸ方向縮少、
または拡大ミラーおよびＹ方向縮少、または拡大ミラー
とを備え、単色化されたＸ線を、露光マスクに通過させ
、かつ所定のフラッグ角に選択設定させたＸ方向、およ
びＹ方向の各ミラーを順次に経て、その非対称反射によ
り縮少、または拡大させた後、これを被露光基板のレジ
スト股上に投影し得るようにしたことを特徴とするもの
である。
すなわち、この発明においては、それぞれに対称カット
された単結晶体からなるＸ方向縮少、または拡大ミラー
、およびＹ方向縮少、または拡大ミラーを用い、これら
のＸ方向、およびＹ方向の各ミラーを所定のフラッグ角
に選択設定させることにより、その非対称反射を利用し
、単色化されたｘｌｌを縮少、または拡大して投影させ
得るのである。
された単結晶体からなるＸ方向縮少、または拡大ミラー
、およびＹ方向縮少、または拡大ミラーを用い、これら
のＸ方向、およびＹ方向の各ミラーを所定のフラッグ角
に選択設定させることにより、その非対称反射を利用し
、単色化されたｘｌｌを縮少、または拡大して投影させ
得るのである。
（実 施 例）
以下、この発明に係る露光装置の実施例につき、第１図
ないし第４図を参照して詳細に説明する。
ないし第４図を参照して詳細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例を適用した露光装置の概要
を示す構成説明図であり、また、第２図は同上装置にお
ける単結晶体を拡大して模式的に示す断面説明図、第３
図は同上単結晶体の回折現象を説明するための斜視図で
ある。
を示す構成説明図であり、また、第２図は同上装置にお
ける単結晶体を拡大して模式的に示す断面説明図、第３
図は同上単結晶体の回折現象を説明するための斜視図で
ある。
まず最初に、第１図に示す実施例構成において、符号１
１はシンクロトロンなどのＸ線発生源、１２はこのＸ線
発生源１１から放射されるＸ線（以下、放射光とも呼ぶ
）、１３は人力される放射光１２を回折し、所望波長に
単色化して出力するモノクロメータであり、また、１４
は所定のパターンを表示させた露光マスク、１５および
１６はそれぞれに対称カットされた単結晶体２１からな
るＸ方向およびＹ方向縮少ミラー、１７はレジスト膜を
塗布した被露光基板である。
１はシンクロトロンなどのＸ線発生源、１２はこのＸ線
発生源１１から放射されるＸ線（以下、放射光とも呼ぶ
）、１３は人力される放射光１２を回折し、所望波長に
単色化して出力するモノクロメータであり、また、１４
は所定のパターンを表示させた露光マスク、１５および
１６はそれぞれに対称カットされた単結晶体２１からな
るＸ方向およびＹ方向縮少ミラー、１７はレジスト膜を
塗布した被露光基板である。
続いて、第２図は前記Ｘ方向縮少ミラー１５．およびＹ
方向縮少ミラー１６としての対称カットされた単結晶体
、すなわち格子面と結晶面とが一致されている単結晶体
２１を示しており、 ２θは前記放射光１２による入射
ビーム＋２ａと出射ビーム＋２ｂとのなす角、ωは同上
入射ビーム１２ａと結晶面とのなす角である。
方向縮少ミラー１６としての対称カットされた単結晶体
、すなわち格子面と結晶面とが一致されている単結晶体
２１を示しており、 ２θは前記放射光１２による入射
ビーム＋２ａと出射ビーム＋２ｂとのなす角、ωは同上
入射ビーム１２ａと結晶面とのなす角である。
さらに、第３図は前記単結晶体２１の回折現象を表わし
ている。すなわち、このｉ３図において、３１は入射ビ
ーム１２ａの入射角を示しており、３２はＳｉ［１００
］結晶面、３３はＳｉ ［１１１］格子面であり、３４
はこれらのＳｉ［１００］結晶面３２とＳｉ［ｌｌｌ］
格子面３３とのなす角、３５は同Ｓｉ［Ｉ１１］１１］
格子と入射ビーム１２ａとのなすフラッグ角、３６は出
射ビーム１２ｂの出射角を示している。
ている。すなわち、このｉ３図において、３１は入射ビ
ーム１２ａの入射角を示しており、３２はＳｉ［１００
］結晶面、３３はＳｉ ［１１１］格子面であり、３４
はこれらのＳｉ［１００］結晶面３２とＳｉ［ｌｌｌ］
格子面３３とのなす角、３５は同Ｓｉ［Ｉ１１］１１］
格子と入射ビーム１２ａとのなすフラッグ角、３６は出
射ビーム１２ｂの出射角を示している。
次に、この実施例構成における作用について述べる。
第１図構成に見られるように、シンクロトロンなどのＸ
線発生源１０からの放射光１１は、まず、モノクロメー
タ１２により所望波長に単色化された上で露光マスク１
３を通過し、ついで、それぞれに対称カットされた単結
晶体からなるＸ方向縮少ミラー１４．およびＹ方向縮少
ミラー１５を順次に経た後、レジスト膜を塗布した被露
光基板１６上に、露光マスク１３のパターンを縮少投影
させることができる。
線発生源１０からの放射光１１は、まず、モノクロメー
タ１２により所望波長に単色化された上で露光マスク１
３を通過し、ついで、それぞれに対称カットされた単結
晶体からなるＸ方向縮少ミラー１４．およびＹ方向縮少
ミラー１５を順次に経た後、レジスト膜を塗布した被露
光基板１６上に、露光マスク１３のパターンを縮少投影
させることができる。
また、第２図に示す格子面と結晶面とが一致された単結
晶体２Ｉにおいて、入射ビーム＋２ａと出射ビーム＋２
ｂとがなす角２θは、格子面間隔ｄと次の関係にある。
晶体２Ｉにおいて、入射ビーム＋２ａと出射ビーム＋２
ｂとがなす角２θは、格子面間隔ｄと次の関係にある。
すなわち。
２ｄ ｓｉｎθ＝ ｎ …”・（１
）但し１口：整数 λ：入射ビームの波長 である。
）但し１口：整数 λ：入射ビームの波長 である。
そしてこのとき、 ２θ＝２×ω の関係にあれば主軸
回折を生ずるが、立方晶の場合、この格子面間隔ｄが、
次の関係 り、に、１ ：反射指数 にあって、前記（１）式を満す場合にも、回折光を生ず
る。
回折を生ずるが、立方晶の場合、この格子面間隔ｄが、
次の関係 り、に、１ ：反射指数 にあって、前記（１）式を満す場合にも、回折光を生ず
る。
従って、こＳでは、 ２θ−ω カ月０″付近で、かつ
２θ が９０°付近の回折光を選択することによって、
この種の露光装置における所期通りの縮少投影が可能に
なる。
２θ が９０°付近の回折光を選択することによって、
この種の露光装置における所期通りの縮少投影が可能に
なる。
こ１で、一つの具体例として第３図には、入射ビーム１
２ａが波長４人のＸ線であり、かつ単結晶体２１がＳｉ
単結晶体であるときの例について検討する。
２ａが波長４人のＸ線であり、かつ単結晶体２１がＳｉ
単結晶体であるときの例について検討する。
この場合、入射ビーム１２ａは、Ｓｉ［＋００］結晶面
３２に対し、 ９４．３７°の入射角３１によって入射
させるが、このとき、 Ｓｉ［１１１］格子面３３は、
Ｓｉ［１００］結晶面３２に対して、 ５４．７３°
の傾斜角３４だけ傾斜しているため、従って、この入射
ビーム１２ａは、Ｓｉ［１１１］格子面３３に対して、
３９．６４°のフラッグ角３５で入射されることにな
る。そして、この入射ビーム１２ａは、 Ｓｉ［１１１
］格子面３３によりフラッグ回折されて出射ビーム１２
ｂを生じ、この出射ビーム＋２ｂは、 Ｓｉ［１００］
結晶面３２に対して、４．３７°の出射角３６で出射さ
れる。すなわち、このときの露光マスク１３のパターン
縮少率は、お工よそ１３倍である。
３２に対し、 ９４．３７°の入射角３１によって入射
させるが、このとき、 Ｓｉ［１１１］格子面３３は、
Ｓｉ［１００］結晶面３２に対して、 ５４．７３°
の傾斜角３４だけ傾斜しているため、従って、この入射
ビーム１２ａは、Ｓｉ［１１１］格子面３３に対して、
３９．６４°のフラッグ角３５で入射されることにな
る。そして、この入射ビーム１２ａは、 Ｓｉ［１１１
］格子面３３によりフラッグ回折されて出射ビーム１２
ｂを生じ、この出射ビーム＋２ｂは、 Ｓｉ［１００］
結晶面３２に対して、４．３７°の出射角３６で出射さ
れる。すなわち、このときの露光マスク１３のパターン
縮少率は、お工よそ１３倍である。
なお、前記実施例においては、露光装置での縮少投影に
ついて述べたが、例えば、第４図に示されているように
、逆の条件、つまり、 ２θ−ωが９０°付近で、かつ
２θ が１０°付近の回折光を選択することによって、
この露光フィールドの拡大投影が可能である。そしてま
た、複数のミラーを用いることにより、その投影倍率を
可変できるほか、さらには、モノクロメータによる放射
光の波長を変えることによっても、投影倍率を任意に選
択し得るものである。
ついて述べたが、例えば、第４図に示されているように
、逆の条件、つまり、 ２θ−ωが９０°付近で、かつ
２θ が１０°付近の回折光を選択することによって、
この露光フィールドの拡大投影が可能である。そしてま
た、複数のミラーを用いることにより、その投影倍率を
可変できるほか、さらには、モノクロメータによる放射
光の波長を変えることによっても、投影倍率を任意に選
択し得るものである。
以上詳述したように、この発明によれば、入射されるＸ
線を所望波長に単色化するモノクロメータと、所定のパ
ターンを表示させた露光マスクと、それぞれに対称カッ
トされた単結晶体からなるＸ方向縮少、または拡大ミラ
ー、およびＹ方向縮少、または拡大ミラーとを設けて、
単色化されたＸ線を、露光マスクに通過させると共に、
所定のフラッグ角に選択設定させたＸ方向、およびＹ方
向の各ミラーを順次に経て、その非対称反射により縮少
、または拡大させた後、これを被露光基板のレジスト膜
上に投影し得るようにしたから、Ｘ方向縮少、または拡
大ミラー、およびＹ方向縮少、または拡大ミラーとして
、従来例に見られるように、加工が困難な非対称カット
による単結晶体に換えて、対称カットされた単結晶体を
用いることができ、これによって装置構成の簡略化を可
能にし、併せて装置の信頼性についても向上し得るなど
の優れた特長がある。
線を所望波長に単色化するモノクロメータと、所定のパ
ターンを表示させた露光マスクと、それぞれに対称カッ
トされた単結晶体からなるＸ方向縮少、または拡大ミラ
ー、およびＹ方向縮少、または拡大ミラーとを設けて、
単色化されたＸ線を、露光マスクに通過させると共に、
所定のフラッグ角に選択設定させたＸ方向、およびＹ方
向の各ミラーを順次に経て、その非対称反射により縮少
、または拡大させた後、これを被露光基板のレジスト膜
上に投影し得るようにしたから、Ｘ方向縮少、または拡
大ミラー、およびＹ方向縮少、または拡大ミラーとして
、従来例に見られるように、加工が困難な非対称カット
による単結晶体に換えて、対称カットされた単結晶体を
用いることができ、これによって装置構成の簡略化を可
能にし、併せて装置の信頼性についても向上し得るなど
の優れた特長がある。
第１図はこの発明の一実施例を通用した露光装置の概要
を示す構成説明図、第２図は同上装置における単結晶体
を拡大して模式的に示す断面説明図、第３図は同上単結
晶体の回折現象を説明するための斜視図、第４図は同上
他の実施例による露光装置の概要を示す構成説明図であ
り、また、第５図（ａ） 、 （ｂ）は単結晶体でのＸ
線の非対称フラッグ反射現象を原理的に示した断面説明
図、第６図は従来例による露光装置の概要を示す構成説
明図である。 １１・・・・Ｘ線発生源、１２・・・・放射されるＸ線
（放射光）、１２ａ・・・・入射ビーム、１２ｂ・・・
・出射ビーム、！３・・・・モノクロメータ、１４・・
・・露光マスク、１５．１６・・・・対称カットされた
単結晶体からなるＸ方向、Ｙ方向縮少（または拡大）ミ
ラー、１７・・・・レジスト膜を塗布した被露光基板。 ２１・・・・単結晶体、３１・・・・入射ビームの入射
角、３２・・・・Ｓｉ ［１００］結晶面、３３・・・
・Ｓｉ［１１１］結晶面、３４・・・・Ｓｉ ［＋００
］結晶面とＳｉ［＋１１］格子面とのなす角、３５・・
・・Ｓｉ［１１１］格子面と入射ビームとのなすフラッ
グ角、３６・・・・出射ビームの出射角。 ２θ・・・・入射ビームと出射ビームとのなす角、ω・
・・・入射ビームと結晶面とのなす角。 代理人 大 岩 増 雄第２図 １３；モノクロメータ ４ 露見マｌり ４Ｊ：入Ｖじ一ムと結晶面ヒのｔ７円 第４図
を示す構成説明図、第２図は同上装置における単結晶体
を拡大して模式的に示す断面説明図、第３図は同上単結
晶体の回折現象を説明するための斜視図、第４図は同上
他の実施例による露光装置の概要を示す構成説明図であ
り、また、第５図（ａ） 、 （ｂ）は単結晶体でのＸ
線の非対称フラッグ反射現象を原理的に示した断面説明
図、第６図は従来例による露光装置の概要を示す構成説
明図である。 １１・・・・Ｘ線発生源、１２・・・・放射されるＸ線
（放射光）、１２ａ・・・・入射ビーム、１２ｂ・・・
・出射ビーム、！３・・・・モノクロメータ、１４・・
・・露光マスク、１５．１６・・・・対称カットされた
単結晶体からなるＸ方向、Ｙ方向縮少（または拡大）ミ
ラー、１７・・・・レジスト膜を塗布した被露光基板。 ２１・・・・単結晶体、３１・・・・入射ビームの入射
角、３２・・・・Ｓｉ ［１００］結晶面、３３・・・
・Ｓｉ［１１１］結晶面、３４・・・・Ｓｉ ［＋００
］結晶面とＳｉ［＋１１］格子面とのなす角、３５・・
・・Ｓｉ［１１１］格子面と入射ビームとのなすフラッ
グ角、３６・・・・出射ビームの出射角。 ２θ・・・・入射ビームと出射ビームとのなす角、ω・
・・・入射ビームと結晶面とのなす角。 代理人 大 岩 増 雄第２図 １３；モノクロメータ ４ 露見マｌり ４Ｊ：入Ｖじ一ムと結晶面ヒのｔ７円 第４図
Claims (1)
- 入射されるＸ線を所望波長に単色化するモノクロメータ
と、所定のパターンを表示させた露光マスクと、それぞ
れに対称カットされた単結晶体からなるＸ方向縮少、ま
たは拡大ミラー、およびＹ方向縮少、または拡大ミラー
とを備え、単色化されたＸ線を、露光マスクに通過させ
、かつ所定のフラッグ角に選択設定させたＸ方向、およ
びＹ方向の各ミラーを順次に経て、その非対称反射によ
り縮少、または拡大させた後、これを被露光基板のレジ
スト膜上に投影し得るようにしたことを特徴とする露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63308079A JP2688958B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 露光装置およびその露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63308079A JP2688958B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 露光装置およびその露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02153520A true JPH02153520A (ja) | 1990-06-13 |
| JP2688958B2 JP2688958B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=17976619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63308079A Expired - Fee Related JP2688958B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 露光装置およびその露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2688958B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005116771A3 (de) * | 2004-05-27 | 2006-06-08 | Infineon Technologies Ag | Wellenlängenselektor für den weichen röntgen- und den extremen ultraviolettbereich |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58101426A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | Nec Corp | Ｘ線露光装置 |
| JPS62208631A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 縮小型ｘ線リソグラフイ装置 |
-
1988
- 1988-12-05 JP JP63308079A patent/JP2688958B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58101426A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | Nec Corp | Ｘ線露光装置 |
| JPS62208631A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 縮小型ｘ線リソグラフイ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005116771A3 (de) * | 2004-05-27 | 2006-06-08 | Infineon Technologies Ag | Wellenlängenselektor für den weichen röntgen- und den extremen ultraviolettbereich |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2688958B2 (ja) | 1997-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7697117B2 (en) | Providing a pattern of polarization | |
| US6392740B1 (en) | Projection exposure apparatus | |
| US6558881B2 (en) | Method of exposing a lattice pattern onto a photo-resist film | |
| US3776633A (en) | Method of exposure for ghost line suppression | |
| JPH02142111A (ja) | 照明方法及びその装置並びに投影式露光方法及びその装置 | |
| EP0083394B1 (en) | A method and apparatus for providing a uniform illumination of an area | |
| JP2979667B2 (ja) | 反射型のｘ線露光用マスク | |
| JPH0324769B2 (ja) | ||
| CN104656376B (zh) | 远紫外线光刻工艺和掩模 | |
| JPH0611609A (ja) | 露光装置 | |
| JPH02153520A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0588355A (ja) | 反射型マスク及びそれを用いた露光装置 | |
| JPH01292821A (ja) | 光学装置 | |
| CN110927962B (zh) | 棱镜的设计方法、自参考干涉仪及其设计方法和对准系统 | |
| JPS6362231A (ja) | Ｘ線縮小投影露光装置 | |
| US20130017495A1 (en) | Interference exposure apparatus, interference exposure method, and manufacturing method of semiconductor device | |
| JPH0359569B2 (ja) | ||
| JPH0770464B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3171013B2 (ja) | 回折格子からなる物品の作製方法および作製装置 | |
| JPH01263599A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0422954A (ja) | マスク、マスクを用いた露光装置及びマスクを用いた露光方法 | |
| JPH05241007A (ja) | 回折格子プロッター | |
| JPS62208631A (ja) | 縮小型ｘ線リソグラフイ装置 | |
| JPH01205528A (ja) | 縮小型ｘ線リソグラフィ装置 | |
| JPH01102398A (ja) | コリメート光学系 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |