JPS629632A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPS629632A JPS629632A JP60149013A JP14901385A JPS629632A JP S629632 A JPS629632 A JP S629632A JP 60149013 A JP60149013 A JP 60149013A JP 14901385 A JP14901385 A JP 14901385A JP S629632 A JPS629632 A JP S629632A
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- JP
- Japan
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- wafer
- mask
- soft
- optical system
- rays
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超ＬＳＩ等の線幅１μｍ以下の微細パター
ンの焼き付けに用いる露光装置の構成に関するものであ
る、 〔従来の技術〕 現在ＬＳＩの量産に用いられている投影露光装置は紫外
光を用いた投影露光装置であるが、その解像限界αは α＝λ／２ＮＡ ・・・・・・・・・・・・
・・・・・・（１）で決定される。ここで、λは紫外光
の波長、ＮＡは投影レンズの開口数である。（鳳「半導
体リングラフィ枝術」、（昭和５９．７）、産業図書
ｐ 。
ンの焼き付けに用いる露光装置の構成に関するものであ
る、 〔従来の技術〕 現在ＬＳＩの量産に用いられている投影露光装置は紫外
光を用いた投影露光装置であるが、その解像限界αは α＝λ／２ＮＡ ・・・・・・・・・・・・
・・・・・・（１）で決定される。ここで、λは紫外光
の波長、ＮＡは投影レンズの開口数である。（鳳「半導
体リングラフィ枝術」、（昭和５９．７）、産業図書
ｐ 。
９８）。この種の露光装置の代表的な数値例としてλ＝
０．４μｍ、ＮＡ＝０．３をとると、第（１）式よりα
＝０．７μｍであって、紫外線を使っては０．５μｍよ
り細いパターンを焼き付けることは相当に難しい。
０．４μｍ、ＮＡ＝０．３をとると、第（１）式よりα
＝０．７μｍであって、紫外線を使っては０．５μｍよ
り細いパターンを焼き付けることは相当に難しい。
そこで、０．５μｍ以下の微細パターンを焼き付ける方
法としてＸ１ｌｌよる露光が研究されているが、その場
合の波長λはＩＯ１程度であるため、レンズ、ミラー等
を使って投影光学系を構成することは実際上はとんと不
可能である。それ故露光方式としては第４図に示すよう
にウェーハ１とマスク２を近接させ、Ｘ線源３からＸ＠
光束４を照射する近接露光が採用されている。この場合
の解儂限界αは、シンクａトｅン放射光のように平行性
の良いビームを使って半影ぼけを環＜シた場合でもプレ
ネル回折によって決定され、 上記のような従来の近接露光方式では、マスク２がウェ
ーハ１にきわめ℃近いので、位置合せやウェーハ１のス
テップ移動の際にマスク２を傷めやすい。また、高解像
度を維持するｋはギャップを精密に調整しなければなら
ないが、そのＭＫもマスク２をウェーハ１のすぐ近くで
動かさなければならず、Ｖはりマスク２を傷めやすいと
いう問題点があった。
法としてＸ１ｌｌよる露光が研究されているが、その場
合の波長λはＩＯ１程度であるため、レンズ、ミラー等
を使って投影光学系を構成することは実際上はとんと不
可能である。それ故露光方式としては第４図に示すよう
にウェーハ１とマスク２を近接させ、Ｘ線源３からＸ＠
光束４を照射する近接露光が採用されている。この場合
の解儂限界αは、シンクａトｅン放射光のように平行性
の良いビームを使って半影ぼけを環＜シた場合でもプレ
ネル回折によって決定され、 上記のような従来の近接露光方式では、マスク２がウェ
ーハ１にきわめ℃近いので、位置合せやウェーハ１のス
テップ移動の際にマスク２を傷めやすい。また、高解像
度を維持するｋはギャップを精密に調整しなければなら
ないが、そのＭＫもマスク２をウェーハ１のすぐ近くで
動かさなければならず、Ｖはりマスク２を傷めやすいと
いう問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためＫなされたも
ので、マスクやウェーハを傷めることなく高解像度が得
られる投影露光装置を得ることを目的とする。
ので、マスクやウェーハを傷めることなく高解像度が得
られる投影露光装置を得ることを目的とする。
この発明に係る投影露光装置は、光源となる軟Ｘ＠源と
、この軟Ｘａ源から放射される軟Ｘ＃が照射される所要
数のマスクと、このマスクを透過し、もしくはマスク表
面で反射された軟ｘ１ｍを収束してクエーへ上に投影す
る所要数の反射鏡からなる光学系と、この光学系によっ
て収束される軟Ｘ＠がウエーハ上を走査するよう忙ウエ
ーハを移動させるウェーハ位置制御機構と、ウェーハ上
でパターンが投影されるべき位＆に正確に投影されるよ
う化マスクを移動させるマスク位置制御機構とを設けた
ものである。
、この軟Ｘａ源から放射される軟Ｘ＃が照射される所要
数のマスクと、このマスクを透過し、もしくはマスク表
面で反射された軟ｘ１ｍを収束してクエーへ上に投影す
る所要数の反射鏡からなる光学系と、この光学系によっ
て収束される軟Ｘ＠がウエーハ上を走査するよう忙ウエ
ーハを移動させるウェーハ位置制御機構と、ウェーハ上
でパターンが投影されるべき位＆に正確に投影されるよ
う化マスクを移動させるマスク位置制御機構とを設けた
ものである。
この発明においては、光源として用いた軟Ｘ１ｗ源から
の軟Ｘ＠がマスクに照射され、透過し、もしくは反射さ
れた軟ＸＩｌが所要数の反射鏡からなる光学系によって
クエーへ上に収束される。
の軟Ｘ＠がマスクに照射され、透過し、もしくは反射さ
れた軟ＸＩｌが所要数の反射鏡からなる光学系によって
クエーへ上に収束される。
第１図はこの発明の投影露光装置の一実施例の構成を示
す概要図である。１忙おいて、１０はウェーハ、１）は
前記ウェーハ１０を保持および移動するウェーハホルダ
である。１２はマスクで、前記ウェーハＩＯＫ転写した
いパターンの５倍の大きさで軟Ｘ線を通過する部分と阻
止する部分とから構成されており、電子ビーム縮小転写
方式忙使われる金属箔に穴あけをしたステンシル・マス
クといわれるものである。１３は前記マスク１２を保持
および移動するマスクホルダである。１４は波長１７０
Ａの軟ＸｉＩを発生する電子蓄積リング、１５は軟Ｘ線
光束である。１６は凹面鏡１６ｍ。
す概要図である。１忙おいて、１０はウェーハ、１）は
前記ウェーハ１０を保持および移動するウェーハホルダ
である。１２はマスクで、前記ウェーハＩＯＫ転写した
いパターンの５倍の大きさで軟Ｘ線を通過する部分と阻
止する部分とから構成されており、電子ビーム縮小転写
方式忙使われる金属箔に穴あけをしたステンシル・マス
クといわれるものである。１３は前記マスク１２を保持
および移動するマスクホルダである。１４は波長１７０
Ａの軟ＸｉＩを発生する電子蓄積リング、１５は軟Ｘ線
光束である。１６は凹面鏡１６ｍ。
１６ｃおよび凸面鏡１６ｂからなる縮少率１）５の光学
系で、ＮＡ＝０．２である。１）は前記ウェーハ１０の
位置を検出するウェーハ位置検出光学系、１８は前記マ
スク１２の位置を検出するマスク位置検出光学系、１９
はウェーハおよびマスク位置合せサーボ機構で、前記ウ
ェーハ位は検出光学系ＩＴとマスク位置検出光学系１８
の出力を受けて前記ウェーハホルダ１）および前記マス
クホルダ１３を制御する。
系で、ＮＡ＝０．２である。１）は前記ウェーハ１０の
位置を検出するウェーハ位置検出光学系、１８は前記マ
スク１２の位置を検出するマスク位置検出光学系、１９
はウェーハおよびマスク位置合せサーボ機構で、前記ウ
ェーハ位は検出光学系ＩＴとマスク位置検出光学系１８
の出力を受けて前記ウェーハホルダ１）および前記マス
クホルダ１３を制御する。
なお、光学系１６を形成する凹面鏡１６ａ、１６ｅおよ
び凸！１ｆｌ１）６ｂの各鏡面は、軟Ｘ線に対する反射
率を高めるため表面鏡は厚さ３８Ａのモリブデンと厚さ
５７Ａのシリコンが文互に２０層ずつ蒸着されており、
波長１７０Ａの軟Ｘ＠に対しての反射率は約７０％にな
っている。
び凸！１ｆｌ１）６ｂの各鏡面は、軟Ｘ線に対する反射
率を高めるため表面鏡は厚さ３８Ａのモリブデンと厚さ
５７Ａのシリコンが文互に２０層ずつ蒸着されており、
波長１７０Ａの軟Ｘ＠に対しての反射率は約７０％にな
っている。
以下、動作について説明する。
電子蓄積シリング１４から放射された波長１７０Ａの軟
Ｘ線は、マスク１２を透過し１光学系１６に入射される
。そして、凹面鏡１６龜、凸面鏡１−凹面鏡１６ｃで反
射され、ワエーノＳ１０の表面に結像される。この光学
系では、所望の解儂度でクエーへ１０にパターン偉が結
像される領域は後述する第２図で示す弓形領域２（ｌ限
られるので、−区間分のパターンを転写するために、ま
たはクエーへ１Ｇの全体忙パターンを転写するために、
ワエーーー１０とマスク１２をそれぞれ以下に示すよう
に移動させなければならない。なお、このワ二−へ１（
ｌマスク１２の移動は、ワエーノ１ホルダ１）とマスク
ホルダ１３によって行う。
Ｘ線は、マスク１２を透過し１光学系１６に入射される
。そして、凹面鏡１６龜、凸面鏡１−凹面鏡１６ｃで反
射され、ワエーノＳ１０の表面に結像される。この光学
系では、所望の解儂度でクエーへ１０にパターン偉が結
像される領域は後述する第２図で示す弓形領域２（ｌ限
られるので、−区間分のパターンを転写するために、ま
たはクエーへ１Ｇの全体忙パターンを転写するために、
ワエーーー１０とマスク１２をそれぞれ以下に示すよう
に移動させなければならない。なお、このワ二−へ１（
ｌマスク１２の移動は、ワエーノ１ホルダ１）とマスク
ホルダ１３によって行う。
第２図はｊｌＩ１図に示したこの発明の投影露光装置に
おけるウェーハ１０とマスク１２の移動の一例をワ二−
〕１０上での弓形領域２０の相対的な動きで示したもの
で、矢印は弓形領域２０の移動経路２０ａ〜２０ｄは移
動途中の点、２１は位置検出用マーク９２２ｍ、２２ｂ
はそれぞれウェーハ１０上の一区画を示している。
おけるウェーハ１０とマスク１２の移動の一例をワ二−
〕１０上での弓形領域２０の相対的な動きで示したもの
で、矢印は弓形領域２０の移動経路２０ａ〜２０ｄは移
動途中の点、２１は位置検出用マーク９２２ｍ、２２ｂ
はそれぞれウェーハ１０上の一区画を示している。
例えば、区画２２ｍを績光する場合は、ウェーハ１０は
第１図に示した下向き矢印方向に直線的に移動し、マス
ク１２は上向き矢印方向に直線的に移動する。その結果
、弓形領域２０は第２因の２０ｍから２０ｂまで併進し
て、区画２２＆にパターンが転写される。次いで、ウェ
ーハ１０のみが前述した移１）１）＋に対して直角方向
にステップ移動し、弓形領域２０は２０ｂから２０ｃへ
と移動する。そして、ここからマスク１２とウェーハ１
０は上記した第１図の矢印方向と逆方向に移動し、弓形
領域２０が２０ｃから２０ｄへと移動して区画２２ｂＫ
パターンが転写される。以下、同様の手順を繰り返し、
９エーハ１０の下側部分の露光を、＃％了すると、ウェ
ーハ１Ｑのみをステップ移ｅＩｋさせてウェーハ１０の
中央部分、次いで上側部分の各区間へのパターンの転写
が行われ、ウェーハ１０全体のパターン転写が完了する
。
第１図に示した下向き矢印方向に直線的に移動し、マス
ク１２は上向き矢印方向に直線的に移動する。その結果
、弓形領域２０は第２因の２０ｍから２０ｂまで併進し
て、区画２２＆にパターンが転写される。次いで、ウェ
ーハ１０のみが前述した移１）１）＋に対して直角方向
にステップ移動し、弓形領域２０は２０ｂから２０ｃへ
と移動する。そして、ここからマスク１２とウェーハ１
０は上記した第１図の矢印方向と逆方向に移動し、弓形
領域２０が２０ｃから２０ｄへと移動して区画２２ｂＫ
パターンが転写される。以下、同様の手順を繰り返し、
９エーハ１０の下側部分の露光を、＃％了すると、ウェ
ーハ１Ｑのみをステップ移ｅＩｋさせてウェーハ１０の
中央部分、次いで上側部分の各区間へのパターンの転写
が行われ、ウェーハ１０全体のパターン転写が完了する
。
この聞咎区画の位置ずれを無くしたり、また転写された
パターンの上に次の工程のパターンを正しく重ね焼きす
るためにも、ワエーノＳ１０とマスク１２との正確な位
置合わせが必要である。この発明の投影露光装置では、
クエー／〜１０上の区画内に設けた位置検出用マーク２
１および図示しないマスク１２上の位置検出用マークを
ウエーノ〜位置検出光学系１７およびマスク位置検出光
学系１８によってウエーハ１０およびマスク１２の正確
な位置を検出し、クエーノ〜およびマスク位置合せサー
ボ機８１９によって精密な位置決めを行う。
パターンの上に次の工程のパターンを正しく重ね焼きす
るためにも、ワエーノＳ１０とマスク１２との正確な位
置合わせが必要である。この発明の投影露光装置では、
クエー／〜１０上の区画内に設けた位置検出用マーク２
１および図示しないマスク１２上の位置検出用マークを
ウエーノ〜位置検出光学系１７およびマスク位置検出光
学系１８によってウエーハ１０およびマスク１２の正確
な位置を検出し、クエーノ〜およびマスク位置合せサー
ボ機８１９によって精密な位置決めを行う。
また、通常Ｘ１ｍ露光に用いられるレジスト（ＢＢＲ−
９等］は、いずれも波長１００〜２００Ｘ程度の軟ｘ憑
を表面でよく吸収するので高感度になる。そして、厚い
レジストにパターン形成する必要があるときは、二層レ
ジスト法を用いるか。
９等］は、いずれも波長１００〜２００Ｘ程度の軟ｘ憑
を表面でよく吸収するので高感度になる。そして、厚い
レジストにパターン形成する必要があるときは、二層レ
ジスト法を用いるか。
軟ＸＭＡ照射に伴うレジストの直接膜減り（−村ほか：
Ｊ、 Ｖａｅ、 Ｓｃｌ 、＆ Ｔ＠ｃｈｎｏ１．＋
Ｖｏｌ、 Ｂ ｌ （１９８３）、Ｐ、１０７６）を
利用すればよい。
Ｊ、 Ｖａｅ、 Ｓｃｌ 、＆ Ｔ＠ｃｈｎｏ１．＋
Ｖｏｌ、 Ｂ ｌ （１９８３）、Ｐ、１０７６）を
利用すればよい。
以上のように構成したこの発明の投影露光装置では、た
とえばλ＝ｌフＯＡ、ＮＡ＝０．２のとき前記第（１）
式α＝λ／２ＮＡより解像限界α＝＝４２５Ａと、波長
１０Ａでの近接ａ元よりはるかに微細な解像限界αが得
られる。また、従来は電子蓄積リングで磁気中径２ｍの
場合、８００Ｍ５Ｖ 以上の電子エネルギーが必要であ
ったが、この発明の投影露光装置の場合には２８０Ｍ＠
Ｖで良く、著しく小型化、省電力化が図れる。
とえばλ＝ｌフＯＡ、ＮＡ＝０．２のとき前記第（１）
式α＝λ／２ＮＡより解像限界α＝＝４２５Ａと、波長
１０Ａでの近接ａ元よりはるかに微細な解像限界αが得
られる。また、従来は電子蓄積リングで磁気中径２ｍの
場合、８００Ｍ５Ｖ 以上の電子エネルギーが必要であ
ったが、この発明の投影露光装置の場合には２８０Ｍ＠
Ｖで良く、著しく小型化、省電力化が図れる。
また、光学系１６の縮小率を１）５としているノテ、マ
スク１２上に作成するパターンはウェーハ１０上に所望
する５倍の拡大パターンでよく。
スク１２上に作成するパターンはウェーハ１０上に所望
する５倍の拡大パターンでよく。
マスクの加工が容易であるうえ、ウェーハ１Ｇ上での軟
ＸＭのパワー面密度は２５倍になり、実用的な速度で露
光を完了することができる。
ＸＭのパワー面密度は２５倍になり、実用的な速度で露
光を完了することができる。
なお、この発明の投影露光装置の光学系は第１図に示し
たものに限らず第３図に示すように構成してもよい。第
３図において、１）１図と同一符号は同一部分を示し、
２３は凹面鏡２３ｍと凸面鏡２３ｂとからなる光学系で
ある。この光学系２３では縮少率１／ｌ０ＮＡ”０．３
が実現されている。
たものに限らず第３図に示すように構成してもよい。第
３図において、１）１図と同一符号は同一部分を示し、
２３は凹面鏡２３ｍと凸面鏡２３ｂとからなる光学系で
ある。この光学系２３では縮少率１／ｌ０ＮＡ”０．３
が実現されている。
さらに、上記実施例では軟Ｘｉｌ＠に波長１７ＯＡの軟
ＸＩを出力する電子蓄積リングを用いた場合について説
明したが、軟ＸＭ源は１’００〜３００Ａの軟Ｘ＊を出
力するものであればよ（、ワイグラ、アンジュレータ、
プラズマＸ１線源、また将来においてはｘＷ＆レーザ等
が使用できる。
ＸＩを出力する電子蓄積リングを用いた場合について説
明したが、軟ＸＭ源は１’００〜３００Ａの軟Ｘ＊を出
力するものであればよ（、ワイグラ、アンジュレータ、
プラズマＸ１線源、また将来においてはｘＷ＆レーザ等
が使用できる。
また、上記実施例ではマスクにステンシル・マスクを用
いたが、金属箔からなる阻止部をメツシュで保持したマ
スクおよびＸ線近接露光用ＫＩＡ発されたシリコン窒化
膜にイオンビームで穴あけしｆ、−ｆｆ ７．り（阿刀
田ほか： Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｅｌ 、 ＆Ｔｅ −Ｃ
ｈｎｏｌ、、ＶＯｌ、 Ｂ １ （１９８３） Ｐ、ｌ
２６７）を使用してもよい。
いたが、金属箔からなる阻止部をメツシュで保持したマ
スクおよびＸ線近接露光用ＫＩＡ発されたシリコン窒化
膜にイオンビームで穴あけしｆ、−ｆｆ ７．り（阿刀
田ほか： Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｅｌ 、 ＆Ｔｅ −Ｃ
ｈｎｏｌ、、ＶＯｌ、 Ｂ １ （１９８３） Ｐ、ｌ
２６７）を使用してもよい。
さらに、上記実施例では凹面鏡１６ａ＊１６ｃ。
凸面鏡１６ｂの各ａｌｌは、モリブデンとシリコンを交
互に蒸着したものを用いたが、この他炭素薄膜とタング
ステン、もしくはチタン、もしくは白金、もしくはレニ
クム・タングステン合金薄膜を交互に蒸着したり、ある
いはペリリワム薄膜とｐジワム薄膜とを交互に蒸着して
もよい。
互に蒸着したものを用いたが、この他炭素薄膜とタング
ステン、もしくはチタン、もしくは白金、もしくはレニ
クム・タングステン合金薄膜を交互に蒸着したり、ある
いはペリリワム薄膜とｐジワム薄膜とを交互に蒸着して
もよい。
この発明は以上説明したとおり、軟ＸＭをマスクに照射
し、その透過光を反射鏡からなる光学系によつ工収束し
エラニーノー上に投影し工いるの二マスクやウェーハを
傷めることカイなく、かつ高い解像限界による投影露光
が行えるとい５効果がある。
し、その透過光を反射鏡からなる光学系によつ工収束し
エラニーノー上に投影し工いるの二マスクやウェーハを
傷めることカイなく、かつ高い解像限界による投影露光
が行えるとい５効果がある。
第１図はこの発明の一実施例である投影露光装置の構成
を示す概要図、ｍ２図はこの発明の投影露光装置におけ
るウェーハとマスクの相灯的な動きを説明するための図
、第３図はこの発明の投影露光装置の光学系の他の実施
例を示す概要図、第４図は従来の近接露光法を説明する
ための図である。 図において、１０はウェーハ、１）はフエーハホルダ、
１２はマスク、１３はマスクホルダ、１４は電子蓄積リ
ング、１５は軟Ｘ腺光束、１６は光学系、１）はウエー
ハ位置検出光学系、１８はマスク位置検出光学系、１９
はウェーハおよびマスク位置合せサーボ機構である。 指定代理人 電子技術総合研究所長 佐 藤孝平Ｎ（ｖ
′）−％Ｓ ＰＰ μ）ｑコ
を示す概要図、ｍ２図はこの発明の投影露光装置におけ
るウェーハとマスクの相灯的な動きを説明するための図
、第３図はこの発明の投影露光装置の光学系の他の実施
例を示す概要図、第４図は従来の近接露光法を説明する
ための図である。 図において、１０はウェーハ、１）はフエーハホルダ、
１２はマスク、１３はマスクホルダ、１４は電子蓄積リ
ング、１５は軟Ｘ腺光束、１６は光学系、１）はウエー
ハ位置検出光学系、１８はマスク位置検出光学系、１９
はウェーハおよびマスク位置合せサーボ機構である。 指定代理人 電子技術総合研究所長 佐 藤孝平Ｎ（ｖ
′）−％Ｓ ＰＰ μ）ｑコ
Claims (3)
- （１）軟Ｘ線源と、所要のパターンが形成され前記軟Ｘ
線源から放射される軟Ｘ線が照射される所要数のマスク
と、このマスクを透過し、あるいはこのマスク面より反
射した前記軟Ｘ線を収束してウェーハ上に投影する所要
数の反射鏡を含む光学系と、この光学系によつて収束さ
れる前記軟Ｘ線が前記ウェーハ上を走査するように前記
ウェーハを移動させるウエーハ位置制御機構と、前記ウ
ェーハ上でパターンが投影されるべき位置に正確に投影
されるよう前記マスクを移動させるマスク位置制御機構
とからなることを特徴とする投影露光装置。 - （２）光学系を形成する反射鏡は、鏡面がモリブデン薄
膜とシリコン薄膜とを交互に積層させて形成したことを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の投影露光装
置。 - （３）軟Ｘ線の波長は、１００〜３００Åであることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の投影露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149013A JPS629632A (ja) | 1985-07-06 | 1985-07-06 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149013A JPS629632A (ja) | 1985-07-06 | 1985-07-06 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629632A true JPS629632A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15465762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60149013A Pending JPS629632A (ja) | 1985-07-06 | 1985-07-06 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629632A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318626A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Canon Inc | 投影露光装置 |
| JPS63312639A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS63312641A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Canon Inc | Ｘ線露光装置 |
| JPS63312640A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS63312638A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Canon Inc | 露光装置 |
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| JPH01175736A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Canon Inc | 反射型マスクならびにこれを用いた露光方法 |
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