JP2000031052A - リトグラフ投影装置 - Google Patents
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- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リトグラフ投影装置において台形の強度輪郭
を有する照明ビームを発生させるための便利な手段を提
供すること。 【解決手段】 パターン領域と不透過性支持部とを有す
るマスク上のパターンを、基板上の感光材料の層に照射
するために、例えば、電子ビームを用いるリトグラフ装
置が提供される。該装置は位置的な不正確さが生じた場
合に、サブフィールドのスティッチ部分において、より
均等な照射をするために、台形の輪郭を有するビームを
使用する。該台形のビーム輪郭は照射周期の間のマスク
上の照明ビームの寸法あるいは位置を変化させることに
よって発生される。
を有する照明ビームを発生させるための便利な手段を提
供すること。 【解決手段】 パターン領域と不透過性支持部とを有す
るマスク上のパターンを、基板上の感光材料の層に照射
するために、例えば、電子ビームを用いるリトグラフ装
置が提供される。該装置は位置的な不正確さが生じた場
合に、サブフィールドのスティッチ部分において、より
均等な照射をするために、台形の輪郭を有するビームを
使用する。該台形のビーム輪郭は照射周期の間のマスク
上の照明ビームの寸法あるいは位置を変化させることに
よって発生される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリトグラフ照明系の
制御に関するものである。さらに詳しくは、本発明はリ
トグラフ投影装置の照明系の制御に関するものであり、
該装置は、照明ビームを発生させるための放射光源と照
明系とを有する照射系と；マスクを保持するためのマス
ク保持器を有する第１の可動対物台と；基板を保持する
ための基板保持器を有する第２の可動対物台と；前記マ
スクの照射部分を基板の目標部分の上へ結像させるため
の投影系とを具備している。
制御に関するものである。さらに詳しくは、本発明はリ
トグラフ投影装置の照明系の制御に関するものであり、
該装置は、照明ビームを発生させるための放射光源と照
明系とを有する照射系と；マスクを保持するためのマス
ク保持器を有する第１の可動対物台と；基板を保持する
ための基板保持器を有する第２の可動対物台と；前記マ
スクの照射部分を基板の目標部分の上へ結像させるため
の投影系とを具備している。
【０００２】
【従来の技術】簡便のために、前記投影系のことを以後
「レンズ」と呼ぶことがあるが、この用語は、例えば屈
折光学器、反射光学器、屈折反射光学器、荷電粒子光学
器のような各種の型の投影系を包含するものとして広範
に用いられるべきである。前記照明系もまた、照射投影
ビームの照準、成形、あるいは制御のため、これらの原
理によって作用する要素を含んでおり、そのような要素
もまた、以下集合的あるいは単独的に「レンズ」と呼ぶ
ことがある。また、前記第１および第２の対物台は、そ
れぞれ「マスク台」および「基板台」と呼ぶことがあ
る。さらに、前記リトグラフ装置は２あるいはそれ以上
のマスク台および／あるいは２あるいはそれ以上の基板
台を有する型のものであってもよい。そのような「多
段」装置においては、付加的な台を平行的に用いても、
あるいは照射のために１あるいはそれ以上の他の段階が
実行されている間に、１あるいはそれ以上の段階におい
て準備的な段階が実行されてもよい。２段のリトグラフ
装置は、例えば国際特許出願ＷＯ９８／２８６６５、お
よびＷＯ９８／４０７９１において説明されている。
「レンズ」と呼ぶことがあるが、この用語は、例えば屈
折光学器、反射光学器、屈折反射光学器、荷電粒子光学
器のような各種の型の投影系を包含するものとして広範
に用いられるべきである。前記照明系もまた、照射投影
ビームの照準、成形、あるいは制御のため、これらの原
理によって作用する要素を含んでおり、そのような要素
もまた、以下集合的あるいは単独的に「レンズ」と呼ぶ
ことがある。また、前記第１および第２の対物台は、そ
れぞれ「マスク台」および「基板台」と呼ぶことがあ
る。さらに、前記リトグラフ装置は２あるいはそれ以上
のマスク台および／あるいは２あるいはそれ以上の基板
台を有する型のものであってもよい。そのような「多
段」装置においては、付加的な台を平行的に用いても、
あるいは照射のために１あるいはそれ以上の他の段階が
実行されている間に、１あるいはそれ以上の段階におい
て準備的な段階が実行されてもよい。２段のリトグラフ
装置は、例えば国際特許出願ＷＯ９８／２８６６５、お
よびＷＯ９８／４０７９１において説明されている。
【０００３】リトグラフ投影装置は、例えば、集積回路
（ＩＣS ）の製造において用いることができる。そのよ
うな場合には、マスク（レチクル）はＩＣの個々の層に
対応した回路パターン（様式）を有しており、該パター
ンは、感光材料（抵抗体）の層で覆われた基板（シリコ
ンウェーハ）上の目標領域（ダイすなわちさいの目状部
分）上に結像させることができる。一般的に、単一のウ
ェーハは隣接するダイの全網状組織を包含しており、こ
れらはレチクルを介して一度に１つづつ連続的に照射さ
れる。ある種の型のリトグラフ投影装置においては、各
々のダイは該ダイの上へレチクルパターン全体を露出す
ることにより照射され、そのような装置は一般的にウェ
ーハステッパーと呼ばれる。一般的にステップ アンド
スキャン（ｓｔｅｐ ａｎｄ ｓｃａｎ）と呼ばれる
別の装置においては、各々のダイは、与えられた基準方
向（「走査」方向）における投影ビームの下でレチクル
パターンを漸進的に走査し、同時にこの方向に平行ある
いは反平行な方向にウェーハ台を同期的に走査すること
によって照射され、一般的には前記投影系は倍率Ｍ（一
般的にはＭ＜１）を有しており、ウェーハ台が走査され
る速度Ｖはレチクル台が走査される速度のＭ倍になるで
あろう。ここで述べたリトグラフ装置に関する、さらに
詳しい情報は、国際特許出願ＷＯ９７／３３２０５から
収集することができる。
（ＩＣS ）の製造において用いることができる。そのよ
うな場合には、マスク（レチクル）はＩＣの個々の層に
対応した回路パターン（様式）を有しており、該パター
ンは、感光材料（抵抗体）の層で覆われた基板（シリコ
ンウェーハ）上の目標領域（ダイすなわちさいの目状部
分）上に結像させることができる。一般的に、単一のウ
ェーハは隣接するダイの全網状組織を包含しており、こ
れらはレチクルを介して一度に１つづつ連続的に照射さ
れる。ある種の型のリトグラフ投影装置においては、各
々のダイは該ダイの上へレチクルパターン全体を露出す
ることにより照射され、そのような装置は一般的にウェ
ーハステッパーと呼ばれる。一般的にステップ アンド
スキャン（ｓｔｅｐ ａｎｄ ｓｃａｎ）と呼ばれる
別の装置においては、各々のダイは、与えられた基準方
向（「走査」方向）における投影ビームの下でレチクル
パターンを漸進的に走査し、同時にこの方向に平行ある
いは反平行な方向にウェーハ台を同期的に走査すること
によって照射され、一般的には前記投影系は倍率Ｍ（一
般的にはＭ＜１）を有しており、ウェーハ台が走査され
る速度Ｖはレチクル台が走査される速度のＭ倍になるで
あろう。ここで述べたリトグラフ装置に関する、さらに
詳しい情報は、国際特許出願ＷＯ９７／３３２０５から
収集することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】リトグラフ装置におい
ては、ウェーハ上に結像される像の寸法は投影放射光の
波長によって制限される。デバイス濃度のより大きい、
従って動作速度のより大きな集積回路を生産するために
は、より小さな像を結像し得ることが望ましい。最も最
近のリトグラフ投影装置は水銀灯あるいはエキシマレー
ザーによって発生される紫外線を採用しているが、リト
グラフ装置における照明放射光としてもっと高周波（エ
ネルギー）の放射光、例えばＥＵＶ（超紫外線）あるい
はＸ線、あるいは電子あるいはイオンのような粒子ビー
ムを用いることが提案されている。
ては、ウェーハ上に結像される像の寸法は投影放射光の
波長によって制限される。デバイス濃度のより大きい、
従って動作速度のより大きな集積回路を生産するために
は、より小さな像を結像し得ることが望ましい。最も最
近のリトグラフ投影装置は水銀灯あるいはエキシマレー
ザーによって発生される紫外線を採用しているが、リト
グラフ装置における照明放射光としてもっと高周波（エ
ネルギー）の放射光、例えばＥＵＶ（超紫外線）あるい
はＸ線、あるいは電子あるいはイオンのような粒子ビー
ムを用いることが提案されている。
【０００５】しかしながら、従来のレチクルパターンを
画定するガラス板あるいは水晶板は、これらの照明放射
光の内の幾つかに対しては、一般的に透明ではない。例
えば荷電粒子リトグラフの場合における例として、前記
レチクルは照射に対して不透過性の金属のような材料か
ら形成されており、そこにはレチクルパターンを画定す
るための開口が切られている。パターン内の不透過部分
に覆いとなるような支持アームを設ける必要性をなくす
ために、該レチクルパターンは支持支柱によって分離さ
れた複数個のサブパターンに分割される。完全なパター
ンは、照明ビームが各々のサブパターンを貫通した後
に、照明ビームを連続的に移動させることによって、ウ
ェーハ上に正確に結像される。この型の装置は時々「支
柱マスク」と呼ばれ、その例が米国特許第５，０７９，
１１２に記載されている。
画定するガラス板あるいは水晶板は、これらの照明放射
光の内の幾つかに対しては、一般的に透明ではない。例
えば荷電粒子リトグラフの場合における例として、前記
レチクルは照射に対して不透過性の金属のような材料か
ら形成されており、そこにはレチクルパターンを画定す
るための開口が切られている。パターン内の不透過部分
に覆いとなるような支持アームを設ける必要性をなくす
ために、該レチクルパターンは支持支柱によって分離さ
れた複数個のサブパターンに分割される。完全なパター
ンは、照明ビームが各々のサブパターンを貫通した後
に、照明ビームを連続的に移動させることによって、ウ
ェーハ上に正確に結像される。この型の装置は時々「支
柱マスク」と呼ばれ、その例が米国特許第５，０７９，
１１２に記載されている。
【０００６】リトグラフに電子ビームを用いることに関
する一般的な情報は、米国特許第５，２６０，１５１か
ら収集することができる。
する一般的な情報は、米国特許第５，２６０，１５１か
ら収集することができる。
【０００７】１９９８年５月刊行のＡＥ６のＥＩＰＢＮ
の「高処理ＳＣＡＬＰＥＬ系における縫合されたサブフ
ィールド境界での重要な寸法制御」に記載されているよ
うに、照明放射光のビーム強度の輪郭が長方形である場
合には、スティッチング（縫合）工程におけるあらゆる
位置的な不正確さが、結果として相当な線量の誤差を与
えるであろう。長方形のビーム輪郭を用いたそのような
縫合工程は、時々「単純接合」と呼ばれ、もしビーム位
置が正しくなければ、その縫合方向に沿って零線量ある
いは２倍線量の領域が存在することになる。従って、前
記ＥＩＰＢＮの資料は台形のビーム輪郭を用い、縫合工
程の中で重複部分を発生させることを目的としている。
従って位置的な不正確さの結果として得られる線量誤差
はより小さくなるであろう。
の「高処理ＳＣＡＬＰＥＬ系における縫合されたサブフ
ィールド境界での重要な寸法制御」に記載されているよ
うに、照明放射光のビーム強度の輪郭が長方形である場
合には、スティッチング（縫合）工程におけるあらゆる
位置的な不正確さが、結果として相当な線量の誤差を与
えるであろう。長方形のビーム輪郭を用いたそのような
縫合工程は、時々「単純接合」と呼ばれ、もしビーム位
置が正しくなければ、その縫合方向に沿って零線量ある
いは２倍線量の領域が存在することになる。従って、前
記ＥＩＰＢＮの資料は台形のビーム輪郭を用い、縫合工
程の中で重複部分を発生させることを目的としている。
従って位置的な不正確さの結果として得られる線量誤差
はより小さくなるであろう。
【０００８】しかしながら、前記ＥＩＰＢＮの資料は、
所望の台形強度の輪郭を有する照明ビームを発生させる
ための方法を開示しているものではない。
所望の台形強度の輪郭を有する照明ビームを発生させる
ための方法を開示しているものではない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の目的はリトグラ
フ投影装置において台形の強度輪郭を有する照明ビーム
を発生させるための便利な手段を提供することにある。
フ投影装置において台形の強度輪郭を有する照明ビーム
を発生させるための便利な手段を提供することにある。
【００１０】本発明によると、不透過領域によって囲ま
れた複数個の透過領域を有するマスク内のマスクパター
ンを、放射ビーム敏感材料の層で覆われた基板の上へ結
像させるためのリトグラフの投影装置において、照明ビ
ームを発生させるための放射光源と照明系とを有する照
射系と；マスクを保持するためのマスク保持器を有する
第１の可動対物台と；基板を保持するための基板保持器
を有する第２の可動対物台と；前記マスクの照射部分を
基板の目標部分の上へ結像させるための投影系とを具備
し、前記照明系が、与えられた透過領域の少なくとも一
部分を周期的に照射している最中に、マスク上の照明ビ
ームの寸法あるいは位置を変化させて、実効的な台形の
ビーム輪郭を発生させるようになっていることを特徴と
するリトグラフの投影装置が提供される。
れた複数個の透過領域を有するマスク内のマスクパター
ンを、放射ビーム敏感材料の層で覆われた基板の上へ結
像させるためのリトグラフの投影装置において、照明ビ
ームを発生させるための放射光源と照明系とを有する照
射系と；マスクを保持するためのマスク保持器を有する
第１の可動対物台と；基板を保持するための基板保持器
を有する第２の可動対物台と；前記マスクの照射部分を
基板の目標部分の上へ結像させるための投影系とを具備
し、前記照明系が、与えられた透過領域の少なくとも一
部分を周期的に照射している最中に、マスク上の照明ビ
ームの寸法あるいは位置を変化させて、実効的な台形の
ビーム輪郭を発生させるようになっていることを特徴と
するリトグラフの投影装置が提供される。
【００１１】「透過領域」という用語は、用いられる照
明放射光に対して、少なくともほぼ透明なマスク領域の
ことをいう。
明放射光に対して、少なくともほぼ透明なマスク領域の
ことをいう。
【００１２】本発明によると、ビームの寸法あるいは位
置を電子制御することによって、簡単に所望のビーム輪
郭を発生させることができる
置を電子制御することによって、簡単に所望のビーム輪
郭を発生させることができる
【００１３】本発明のさらに他の観点によると、リトグ
ラフの投影装置を用いたデバイスの製造方法において、
該投影装置が、照明ビームを発生させるための放射光源
と照明系とを有する照射系と；マスクを保持するための
マスク保持器を有する第１の可動対物台と；基板を保持
するための基板保持器を有する第２の可動対物台と；前
記マスクの照射部分を放射ビーム敏感材料の層を設けた
基板の目標の上へ結像させ、従って部分的に重複させる
ための投影系とを具備しており、マスク上の照明ビーム
の寸法あるいは位置が、与えられた透過領域の少なくと
も一部分を照射している間に変化し、従って実効的な台
形のビーム輪郭を発生させることを特徴とするデバイス
の製造方法が提供される。
ラフの投影装置を用いたデバイスの製造方法において、
該投影装置が、照明ビームを発生させるための放射光源
と照明系とを有する照射系と；マスクを保持するための
マスク保持器を有する第１の可動対物台と；基板を保持
するための基板保持器を有する第２の可動対物台と；前
記マスクの照射部分を放射ビーム敏感材料の層を設けた
基板の目標の上へ結像させ、従って部分的に重複させる
ための投影系とを具備しており、マスク上の照明ビーム
の寸法あるいは位置が、与えられた透過領域の少なくと
も一部分を照射している間に変化し、従って実効的な台
形のビーム輪郭を発生させることを特徴とするデバイス
の製造方法が提供される。
【００１４】本発明によるリトグラフ投影装置を用いた
製造工程において、マスク内のパターンは少なくとも部
分的にエネルギー敏感材料（抵抗体）を設けた基板の上
へ結像される。この結像段階の前に、該基板はプライミ
ング（地塗り）や、抵抗被覆、ソフトベーキング（弱加
熱硬化）のような各種の処理を受ける。照射後は、該基
板は照射後ベーキング（ＰＥＢ）や、現像、ハードベー
キング（強加熱硬化）、結像部の測定／点検のような他
の処理を受ける。この一連の処理は例えばＩＣといった
デバイスの個々の層をパターン化する基本として用いら
れる。そのようなパターン化された層は次に、エッチン
グ（腐食処理）や、イオン注入（化学処理）、金属化、
酸化、化学および機械的な研摩等の各種の処理を受ける
が、これらは全て個々の層を仕上げるためのものであ
る。もし幾つかの層が必要な時には、全ての処理あるい
はその変形処理を各々の新しい層に対して繰り返さなけ
ればならないであろう。結果として基板（ウェーハ）上
に一連のデバイスが形成されることになる。これらのデ
バイスは次にダイシング（すなわちさいの目毎に分割）
あるいはソーイング（すなわち切断処理）のような技術
によって互いに他から分離され、個々のデバイスはキャ
リヤに取り付けられたり、ピンに連結されたりすること
ができる。そのような処理に関する他の情報は、例え
ば、１９９７年のマグロウヒル社からピーター・ファン
・シャントによって出版されたＩＳＢＮ０−０７−０６
７２５０−４「マイクロチップの製造／半導体処理の実
用ガイド」という本から得られる。
製造工程において、マスク内のパターンは少なくとも部
分的にエネルギー敏感材料（抵抗体）を設けた基板の上
へ結像される。この結像段階の前に、該基板はプライミ
ング（地塗り）や、抵抗被覆、ソフトベーキング（弱加
熱硬化）のような各種の処理を受ける。照射後は、該基
板は照射後ベーキング（ＰＥＢ）や、現像、ハードベー
キング（強加熱硬化）、結像部の測定／点検のような他
の処理を受ける。この一連の処理は例えばＩＣといった
デバイスの個々の層をパターン化する基本として用いら
れる。そのようなパターン化された層は次に、エッチン
グ（腐食処理）や、イオン注入（化学処理）、金属化、
酸化、化学および機械的な研摩等の各種の処理を受ける
が、これらは全て個々の層を仕上げるためのものであ
る。もし幾つかの層が必要な時には、全ての処理あるい
はその変形処理を各々の新しい層に対して繰り返さなけ
ればならないであろう。結果として基板（ウェーハ）上
に一連のデバイスが形成されることになる。これらのデ
バイスは次にダイシング（すなわちさいの目毎に分割）
あるいはソーイング（すなわち切断処理）のような技術
によって互いに他から分離され、個々のデバイスはキャ
リヤに取り付けられたり、ピンに連結されたりすること
ができる。そのような処理に関する他の情報は、例え
ば、１９９７年のマグロウヒル社からピーター・ファン
・シャントによって出版されたＩＳＢＮ０−０７−０６
７２５０−４「マイクロチップの製造／半導体処理の実
用ガイド」という本から得られる。
【００１５】本明細書においては、ＩＣs を製造する場
合に、本発明による装置の使用に関する特別な参考例を
述べてきたが、そのような装置は他にも適用することが
できることは極めてよく理解されるはずである。例え
ば、それは集積光学系や、磁気領域記憶装置のための誘
導パターンおよび検出パターン、液晶表示パネル、薄膜
磁気ヘッド等の製造に用いられる。当業者は、そのよう
な他の適用例においては、この明細書で用いている「レ
チクル」、「ウェーハ」、あるいは「ダイ」という用語
が、それぞれ「マスク」、「基板」、「目標領域」とい
う用語に置き換えられることを知っている。
合に、本発明による装置の使用に関する特別な参考例を
述べてきたが、そのような装置は他にも適用することが
できることは極めてよく理解されるはずである。例え
ば、それは集積光学系や、磁気領域記憶装置のための誘
導パターンおよび検出パターン、液晶表示パネル、薄膜
磁気ヘッド等の製造に用いられる。当業者は、そのよう
な他の適用例においては、この明細書で用いている「レ
チクル」、「ウェーハ」、あるいは「ダイ」という用語
が、それぞれ「マスク」、「基板」、「目標領域」とい
う用語に置き換えられることを知っている。
【００１６】本明細書においては、照明放射光や照明ビ
ームという用語は、全ての型の電磁放射光、あるいは、
限定はされないが、紫外線（ＵＶ）、ＥＵＶ、Ｘ線、電
子、イオンを含む粒子束を包含して用いられる。
ームという用語は、全ての型の電磁放射光、あるいは、
限定はされないが、紫外線（ＵＶ）、ＥＵＶ、Ｘ線、電
子、イオンを含む粒子束を包含して用いられる。
【００１７】本発明について、以下例示的な実施例と添
付された概略図を参照しながら説明する。図においては
類似部品については類似の番号が付されている。
付された概略図を参照しながら説明する。図においては
類似部品については類似の番号が付されている。
【００１８】
【発明の実施の形態】実施例１；図１は本発明によるリ
トグラフの投影装置を概略的に示している。該装置は ・放射光（例えばＵＶあるいはＥＵＶ）の投影ビームＰ
Ｂを供給するための照射系ＬＡ、Ｅｘ，ＩＮ，ＣＯと； ・マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するためのマス
ク保持器を備え、かつアイテムＰＬに関してマスクを正
確に位置づけるための第１の位置決め装置に連結された
第１の対物台（マスク台）ＭＴと； ・基板Ｗ（抵抗体を被覆したシリコンウェーハ）を保持
するための基板保持器を備え、かつアイテムＰＬに関し
て基板を正確に位置決めするための第２の位置決め装置
に連結された第２の対物台（基板台）ＷＴと； ・マスクＭＡの照射された部分の像を基板Ｗの目標部分
Ｃ（ダイ）の上へ結像するための投影系（レンズ）ＰＬ
（例えば、屈折型あるいは反射屈折型の系、鏡群あるい
はフィールド偏向器）とを有している。ここで述べたよ
うに、本装置は透過型の装置（即ち、透過マスクを有し
ている）である。しかしながら、一般的には、それは、
例えば反射型の装置であってもよい。
トグラフの投影装置を概略的に示している。該装置は ・放射光（例えばＵＶあるいはＥＵＶ）の投影ビームＰ
Ｂを供給するための照射系ＬＡ、Ｅｘ，ＩＮ，ＣＯと； ・マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するためのマス
ク保持器を備え、かつアイテムＰＬに関してマスクを正
確に位置づけるための第１の位置決め装置に連結された
第１の対物台（マスク台）ＭＴと； ・基板Ｗ（抵抗体を被覆したシリコンウェーハ）を保持
するための基板保持器を備え、かつアイテムＰＬに関し
て基板を正確に位置決めするための第２の位置決め装置
に連結された第２の対物台（基板台）ＷＴと； ・マスクＭＡの照射された部分の像を基板Ｗの目標部分
Ｃ（ダイ）の上へ結像するための投影系（レンズ）ＰＬ
（例えば、屈折型あるいは反射屈折型の系、鏡群あるい
はフィールド偏向器）とを有している。ここで述べたよ
うに、本装置は透過型の装置（即ち、透過マスクを有し
ている）である。しかしながら、一般的には、それは、
例えば反射型の装置であってもよい。
【００１９】前記照射系は照射ビームを発生させる光源
ＬＡ（例えば水銀灯、エキシマレーザー、ストレージリ
ングあるいはシンクロトロンにおける電子ビームの軌跡
周囲に設けられるアンデュレータ、あるいは電子ビーム
源あるいはイオンビーム源）を有している。このビーム
は照明系内に含まれる各種の光学要素、例えば、ビーム
成形用光学素子Ｅｘ、積分器ＩＮおよび集光装置ＣＯに
沿って通過し、その結果、得られるビームＰＢはほぼ平
行なビームになっており、その断面積全体に亘って均一
な強度を有している。
ＬＡ（例えば水銀灯、エキシマレーザー、ストレージリ
ングあるいはシンクロトロンにおける電子ビームの軌跡
周囲に設けられるアンデュレータ、あるいは電子ビーム
源あるいはイオンビーム源）を有している。このビーム
は照明系内に含まれる各種の光学要素、例えば、ビーム
成形用光学素子Ｅｘ、積分器ＩＮおよび集光装置ＣＯに
沿って通過し、その結果、得られるビームＰＢはほぼ平
行なビームになっており、その断面積全体に亘って均一
な強度を有している。
【００２０】前記ビームＰＢは、マスク台ＭＴ上のマス
ク保持器内に保持されたマスクＭＡで遮断される。該マ
スクＭＡを通過したビームＰＢはレンズＰＬを通過し、
これが基板Ｗの目標領域Ｃ上にビームＰＢの焦点を合わ
せる。前記基板台ＷＴは干渉変位、測定装置ＩＦによっ
て正確に駆動させられ、例えばビームＰＢの軌跡の中に
各種の目標領域Ｃを位置決めすることができる。同様
に、前記第１の位置決め装置は、例えばマスクＭＡをマ
スクの収納場所から機械的に回収した後に、ビームＰＢ
の軌跡に関して、マスクＭＡを正確に位置決めするため
に用いることができる。一般的には、前記対物台ＭＴ、
ＷＴは、図１で明示していないが、長尺モジュール（粗
位置決め装置）と短尺モジュール（微細位置決め装置）
によって駆動される。ここで示した装置は２つの異なっ
た様式で用いられる。即ち、 ・ステップ様式。前記マスク台ＭＴは本質的に静止保持
され、マスクの全体像が目標領域Ｃ上に単一像（即ち、
単一の「フラッシュ（閃光）」）として投影される。次
に基板台ＷＴがｘ方向および／あるいはｙ方向に移動さ
れ、これによって各種の目標領域ＣがビームＰＢで照射
される； ・走査様式。与えられた目標領域Ｃが単一のフラッシュ
中で露出されないこと以外は本質的に同一の筋書きが適
用される。その代わりに、マスク台ＭＴが速度ｖで与え
られた方向（いわゆる「走査方向」、例えばｘ方向）に
駆動可能となっており、これによって投影ビームＰＢは
マスク像全体に亘って走査される；同時に、基板台ＷＴ
が同一方向あるいは反対方向に速度Ｖ＝Ｍｖで駆動され
る。ここでＭはレンズＰＬの倍率（典型的には、Ｍ＝１
／４あるいは１／５）である。このようにして、比較的
大きな目標領域Ｃを、分解能を犠牲にすることなしに、
露出させることができる。
ク保持器内に保持されたマスクＭＡで遮断される。該マ
スクＭＡを通過したビームＰＢはレンズＰＬを通過し、
これが基板Ｗの目標領域Ｃ上にビームＰＢの焦点を合わ
せる。前記基板台ＷＴは干渉変位、測定装置ＩＦによっ
て正確に駆動させられ、例えばビームＰＢの軌跡の中に
各種の目標領域Ｃを位置決めすることができる。同様
に、前記第１の位置決め装置は、例えばマスクＭＡをマ
スクの収納場所から機械的に回収した後に、ビームＰＢ
の軌跡に関して、マスクＭＡを正確に位置決めするため
に用いることができる。一般的には、前記対物台ＭＴ、
ＷＴは、図１で明示していないが、長尺モジュール（粗
位置決め装置）と短尺モジュール（微細位置決め装置）
によって駆動される。ここで示した装置は２つの異なっ
た様式で用いられる。即ち、 ・ステップ様式。前記マスク台ＭＴは本質的に静止保持
され、マスクの全体像が目標領域Ｃ上に単一像（即ち、
単一の「フラッシュ（閃光）」）として投影される。次
に基板台ＷＴがｘ方向および／あるいはｙ方向に移動さ
れ、これによって各種の目標領域ＣがビームＰＢで照射
される； ・走査様式。与えられた目標領域Ｃが単一のフラッシュ
中で露出されないこと以外は本質的に同一の筋書きが適
用される。その代わりに、マスク台ＭＴが速度ｖで与え
られた方向（いわゆる「走査方向」、例えばｘ方向）に
駆動可能となっており、これによって投影ビームＰＢは
マスク像全体に亘って走査される；同時に、基板台ＷＴ
が同一方向あるいは反対方向に速度Ｖ＝Ｍｖで駆動され
る。ここでＭはレンズＰＬの倍率（典型的には、Ｍ＝１
／４あるいは１／５）である。このようにして、比較的
大きな目標領域Ｃを、分解能を犠牲にすることなしに、
露出させることができる。
【００２１】図２はレチクルの平面図であり、照明ビー
ムによって走査する体系が示されている。図示したよう
に、該レチクル１は支柱３によって分離された細長いサ
ブフィールド２（例えば長さ１２ｍｍ）の列を有してい
る。該レチクル は、例えば１Χ１ｍｍ2寸法の正方形
ビームによって照射される。該ビームは各々のサブフィ
ールドを十分な時間周期をかけて照射して、基板ウェー
ハ上の抵抗体を照射するための光量を送らなければなら
ない。例を挙げると、もし抵抗体の感度が１０μＣ／ｃ
ｍ2で、ビーム電流が１０μАで、倍率が１／４の場合
には、各々の（サブ）フィールドを照射するのに要する
時間は６２５μ秒である。
ムによって走査する体系が示されている。図示したよう
に、該レチクル１は支柱３によって分離された細長いサ
ブフィールド２（例えば長さ１２ｍｍ）の列を有してい
る。該レチクル は、例えば１Χ１ｍｍ2寸法の正方形
ビームによって照射される。該ビームは各々のサブフィ
ールドを十分な時間周期をかけて照射して、基板ウェー
ハ上の抵抗体を照射するための光量を送らなければなら
ない。例を挙げると、もし抵抗体の感度が１０μＣ／ｃ
ｍ2で、ビーム電流が１０μАで、倍率が１／４の場合
には、各々の（サブ）フィールドを照射するのに要する
時間は６２５μ秒である。
【００２２】従来技術において知られているように、前
記走査体系は、矢印Ｂの方向においてサブフィールドの
幅を横切って走査し、過剰な加熱を防ぐために支柱を横
切るようにステップし、矢印Ａの方向（相互に平行ある
いは反平行になっている）においてサブフィールドの長
さ方向に沿ってウェーハとレチクルを機械的に走査す
る。
記走査体系は、矢印Ｂの方向においてサブフィールドの
幅を横切って走査し、過剰な加熱を防ぐために支柱を横
切るようにステップし、矢印Ａの方向（相互に平行ある
いは反平行になっている）においてサブフィールドの長
さ方向に沿ってウェーハとレチクルを機械的に走査す
る。
【００２３】図３に示したように、隣接するサブフィー
ルド２を走査するために用いられるビーム５ａと５ｂは
台形の（強度）輪郭を有している。縫合工程において
は、該ビーム５ａ，５ｂは横方向にずれて、ウェーハ４
上の領域６において重なっている。図４Ａに示したよう
に、ビームが正確に位置決めされている場合には、重複
領域６における正味の照射量７ａは主なビーム部分にお
ける照射量と等しい。
ルド２を走査するために用いられるビーム５ａと５ｂは
台形の（強度）輪郭を有している。縫合工程において
は、該ビーム５ａ，５ｂは横方向にずれて、ウェーハ４
上の領域６において重なっている。図４Ａに示したよう
に、ビームが正確に位置決めされている場合には、重複
領域６における正味の照射量７ａは主なビーム部分にお
ける照射量と等しい。
【００２４】図４Ｂ、４Ｃには小さな不整合の影響が示
されている。もしビームが少し離れ過ぎている場合に
は、正味照射量は重複領域において、点線７ｂで示した
ように、少し減少している。もしビームが重なり過ぎる
と正味照射量は、点線７ｃで示したように、少し増加し
ている。この両者の場合における少し多いあるいは少な
い照射量は、単純な突き合わせ縫合技術を用いる時の不
整合の場合に生じる２倍照射あるいは零照射のような有
害なものではない。
されている。もしビームが少し離れ過ぎている場合に
は、正味照射量は重複領域において、点線７ｂで示した
ように、少し減少している。もしビームが重なり過ぎる
と正味照射量は、点線７ｃで示したように、少し増加し
ている。この両者の場合における少し多いあるいは少な
い照射量は、単純な突き合わせ縫合技術を用いる時の不
整合の場合に生じる２倍照射あるいは零照射のような有
害なものではない。
【００２５】図５は１つのマスクのサブフィールドの部
分図であり、本発明の１実施例によって所望のビーム輪
郭が得られる様子が示されている。
分図であり、本発明の１実施例によって所望のビーム輪
郭が得られる様子が示されている。
【００２６】前記サブフィールド２は支柱３によって取
り囲まれており、そのエッジ周辺において混合領域２１
を有し、そのパターンが隣接するサブフィールドの混合
領域において繰り返される。前記支柱３の内側エッジに
はパターンを有していない裾部分３１が設けられてい
る。
り囲まれており、そのエッジ周辺において混合領域２１
を有し、そのパターンが隣接するサブフィールドの混合
領域において繰り返される。前記支柱３の内側エッジに
はパターンを有していない裾部分３１が設けられてい
る。
【００２７】前記照明系（図示せず）は均一な強度の照
明光の正方形の照明ビーム５をサブフィールド２上に投
影する。該照明ビーム５の幅は主なサブフィールド部分
２０の幅（Ｙ方向）に、混合領域２１の一方の側部の幅
を加えた値に等しくなるように調節されている。従っ
て、前記照明ビームは支柱３の裾部３１の間の長さより
小さい。
明光の正方形の照明ビーム５をサブフィールド２上に投
影する。該照明ビーム５の幅は主なサブフィールド部分
２０の幅（Ｙ方向）に、混合領域２１の一方の側部の幅
を加えた値に等しくなるように調節されている。従っ
て、前記照明ビームは支柱３の裾部３１の間の長さより
小さい。
【００２８】前記望みの台形のビーム輪郭は、本発明に
よると、ビームをサブフィールドの中で矢印Ｂの方向、
即ちサブフィールド２の長さ方向に直角な方向において
急速に走査させることにより得られる。図３に示された
照明輪郭は、方向Ｂにおける前方後方への複数回の走査
の合計として立ち上げられる。
よると、ビームをサブフィールドの中で矢印Ｂの方向、
即ちサブフィールド２の長さ方向に直角な方向において
急速に走査させることにより得られる。図３に示された
照明輪郭は、方向Ｂにおける前方後方への複数回の走査
の合計として立ち上げられる。
【００２９】サブフィールドの長さ方向に沿った台形輪
郭もまた、ビームが該方向にステップする場合に必要で
あり、このことは前記矢印Ｂの方向における動きより遅
い矢印Ａの方向（すなわちサブフィールドの長さ方向に
沿う方向）における動きによって達成される。
郭もまた、ビームが該方向にステップする場合に必要で
あり、このことは前記矢印Ｂの方向における動きより遅
い矢印Ａの方向（すなわちサブフィールドの長さ方向に
沿う方向）における動きによって達成される。
【００３０】実施例２；図６は図５と同様な図である
が、本発明の第２の実施例によって、どのようにして所
望のビーム輪郭が得られるかを示している。この実施例
においては、照明ビームの形状は照明系における２つの
開口１１、１２の重なり、もっと正確にいうと１つの開
口の像が他の開口の像の上に重なることによって画定さ
れる。前記所望のビーム輪郭は第１の開口１１の像を第
２の開口１２の上へ移動させ、該第２の開口の像をレチ
クルの上へ移動させることによって得られ、これら２つ
の動きは共に対角線方向Ｃに沿って行われる。好的実施
例においては、照明ビームは、最初は主サブフィールド
領域２（の一部分）のみを覆うように設定されていて、
照射の工程中に混合領域２１（の対応部分）をも覆うよ
うに徐々に拡大されていく。従って図３に示された照明
輪郭は、照射周期の間における照明の合計（集積）とし
て立ち上げられる。他のやり方として、照明ビームを最
初は広く設定しておき、照射の工程中に寸法を減少させ
ていくこともある。
が、本発明の第２の実施例によって、どのようにして所
望のビーム輪郭が得られるかを示している。この実施例
においては、照明ビームの形状は照明系における２つの
開口１１、１２の重なり、もっと正確にいうと１つの開
口の像が他の開口の像の上に重なることによって画定さ
れる。前記所望のビーム輪郭は第１の開口１１の像を第
２の開口１２の上へ移動させ、該第２の開口の像をレチ
クルの上へ移動させることによって得られ、これら２つ
の動きは共に対角線方向Ｃに沿って行われる。好的実施
例においては、照明ビームは、最初は主サブフィールド
領域２（の一部分）のみを覆うように設定されていて、
照射の工程中に混合領域２１（の対応部分）をも覆うよ
うに徐々に拡大されていく。従って図３に示された照明
輪郭は、照射周期の間における照明の合計（集積）とし
て立ち上げられる。他のやり方として、照明ビームを最
初は広く設定しておき、照射の工程中に寸法を減少させ
ていくこともある。
【００３１】実施例３；本発明の第３の実施例が図７に
示されており、特に、例えば電子ビームで直接書き込む
装置においてフラッシュ照明するような、正方形あるい
は正方形に近い長方形のサブフィールド（例えば縦横比
が１：１から２：１まで）に関して用いるようになって
いる。前記正方形のサブフィールド２′はビーム５によ
って照明され、これは静止したままであるが、照射周期
の間は実効的な台形ビーム輪郭を発生させるためにその
寸法が変化される。照射開始の時点においては、ビーム
はサブフィールドの非重複領域と一致した寸法で照射さ
れるが、照射周期の間でＸ方向およびＹ方向において着
実に拡大され、サブフィールド２′の外周周辺における
混合領域２１を付加的に覆うまでになる。他のやり方と
して、本装置は最初は混合領域２１を含んだサブフィー
ルド２′全体を覆う大きなビームを投影するようにし
て、照射周期の間はビームの寸法を減少させるように調
節することもできる。ビームを交番的に拡大、収縮させ
てサブフィールドを順次照射することにより、処理量は
さらに改善されるであろう。この方法においては、照射
中にビーム成形要素を再初期化する必要がない。さら
に、正方形あるいは正方形に近いサブフィールドを一定
寸法のビームの旋回軌道運動（Ｘ方向およびＹ方向にお
いて振動運動する）によって照射することも可能であ
る。
示されており、特に、例えば電子ビームで直接書き込む
装置においてフラッシュ照明するような、正方形あるい
は正方形に近い長方形のサブフィールド（例えば縦横比
が１：１から２：１まで）に関して用いるようになって
いる。前記正方形のサブフィールド２′はビーム５によ
って照明され、これは静止したままであるが、照射周期
の間は実効的な台形ビーム輪郭を発生させるためにその
寸法が変化される。照射開始の時点においては、ビーム
はサブフィールドの非重複領域と一致した寸法で照射さ
れるが、照射周期の間でＸ方向およびＹ方向において着
実に拡大され、サブフィールド２′の外周周辺における
混合領域２１を付加的に覆うまでになる。他のやり方と
して、本装置は最初は混合領域２１を含んだサブフィー
ルド２′全体を覆う大きなビームを投影するようにし
て、照射周期の間はビームの寸法を減少させるように調
節することもできる。ビームを交番的に拡大、収縮させ
てサブフィールドを順次照射することにより、処理量は
さらに改善されるであろう。この方法においては、照射
中にビーム成形要素を再初期化する必要がない。さら
に、正方形あるいは正方形に近いサブフィールドを一定
寸法のビームの旋回軌道運動（Ｘ方向およびＹ方向にお
いて振動運動する）によって照射することも可能であ
る。
【００３２】電子ビームリトグラフあるいはイオンビー
ムリトグラフに用いるための本発明の実施例において、
例えばビームの形状は、特許出願中の欧州特許出願第９
８２０１９９７．８（Ｐ−０１１３）に記載されたよう
に、２つの成形用の開口の像を移動させ、その装置を用
いることによって、電子的に制御することができる。
ムリトグラフに用いるための本発明の実施例において、
例えばビームの形状は、特許出願中の欧州特許出願第９
８２０１９９７．８（Ｐ−０１１３）に記載されたよう
に、２つの成形用の開口の像を移動させ、その装置を用
いることによって、電子的に制御することができる。
【００３３】本発明の特定の実施例について説明してき
たが、本発明は記載した以外の方法でも実行できること
は理解されるであろう。記載した内容は本発明を限定す
るものではない。
たが、本発明は記載した以外の方法でも実行できること
は理解されるであろう。記載した内容は本発明を限定す
るものではない。
【図１】本発明の第１の実施例によるリトグラフ投影装
置の図。
置の図。
【図２】本発明の実施例において用いられる、走査方向
を示す支柱付きのレチクル平面図。
を示す支柱付きのレチクル平面図。
【図３】スティッチング工程におけるビーム間の重複を
説明する図。
説明する図。
【図４】Ａ，ＢおよびＣは、スティッチング工程、およ
び正誤の位置決めケースにおける照射量の結果を示す。
び正誤の位置決めケースにおける照射量の結果を示す。
【図５】本発明の第１の実施例によるビーム輪郭の発生
の様子を示すレチクルの部分図。
の様子を示すレチクルの部分図。
【図６】本発明の第２の実施例によるビーム輪郭の発生
の様子を示すレチクルの部分図。
の様子を示すレチクルの部分図。
【図７】本発明の第３の実施例によるビーム輪郭の発生
の様子を示すレチクルの部分図。
の様子を示すレチクルの部分図。
ＬＡ 光源 Ｅｘ ビーム形成光学素子 ＩＮ 積分器 ＣＯ 集光装置 ＭＴ マスク台 ＭＡ マスク ＷＴ 基板台 Ｗ 基板 ＰＬ 投影系 Ｃ 目標部分 ＰＢ ビーム １ レクチル ２，２′ サブフィールド ３ 支柱 ４ ウェーハ ５ ビーム ６ 重複領域 ７ 照射量 １１，１２ 開口 ２０ サブフィールド部分 ２１ 混合領域 ３１ 裾部
Claims (8)
- 【請求項１】 不透過領域によって囲まれた複数個の透
過領域を有するマスクのマスクパターンを、放射ビーム
敏感材料の層を設けた基板の上へ結像させるためのリト
グラフ投影装置であって、 照明ビームを発生させるための放射光源と照明系とを有
する照射系と；マスクを保持するためのマスク保持器を
有する第１の可動対物台と；基板を保持するための基板
保持器を有する第２の可動対物台と；前記マスクの照射
系を基板の目標部分の上へ結像させるための投影系とを
有し、 前記照明系が、与えられた透過領域の少なくとも一部分
を照射している周期中に、マスク上の照明ビームの寸法
あるいは位置を変化させて、実効的な台形のビーム輪郭
を発生させるようになっていることを特徴とするリトグ
ラフ投影装置。 - 【請求項２】 前記照明系が、照明される透過領域の幅
よりも小さな幅を有する照明ビームを発生させ、照射周
期中に該透過領域を横切るように該照明ビームを走査さ
せるようになっている、請求項１に記載されたリトグラ
フ投影装置。 - 【請求項３】 前記照明系が、照射周期中に複数回、該
透過領域の幅を横切るように前記照明ビームを走査させ
るようになっている、請求項２に記載されたリトグラフ
投影装置。 - 【請求項４】 与えられた透過領域が、その像が隣接す
る透過領域の一部の像と基板上で重なるような重複領域
と、隣接する透過領域の像と重ならない非重複領域とを
有し、前記照明装置が照射周期の開始時点において該透
過領域の該非重複部分のみを照明するための照明ビーム
を発生し、該照射周期中に該透過領域の該重複部分を付
加的に照明するために該照明ビームの寸法を増加させる
ようになっている、請求項１に記載されたリトグラフ投
影装置。 - 【請求項５】 与えられた透過領域が、その像が隣接す
る透過領域の一部の像と基板上で重なるような重複領域
と、隣接する透過領域の像と重ならない非重複領域とを
有し、前記照明装置が照射周期の開始時点において該透
過領域の該非重複部分と重複領域を照明するための照明
ビームを発生し、該照射周期中において照明ビームの寸
法を減少させ、該照射周期の終了時点において該透過領
域の該非重複部分のみを照明するようになっている、請
求項１に記載されたリトグラフ投影装置。 - 【請求項６】前記透過領域が実質的に正方形になってい
る、請求項４または請求項５に記載されたリトグラフ投
影装置。 - 【請求項７】 前記透過領域が細長い形状である、請求
項４または請求項５に記載されたリトグラフ投影装置。 - 【請求項８】 リトグラフ投影装置を用いたデバイスの
製造方法であって、該投影装置が、 照明ビームを発生させるための放射光源と照明系とを有
する照射系と；マスクを保持するためのマスク保持器を
有する第１の可動対物台と；基板を保持するための基板
保持器を有する第２の可動対物台と；前記マスクの照射
部分を放射ビーム敏感材料の層を設けた基板の目標部分
の上へ結像させ、これによって部分的に重複させる投影
系とを有し、 マスク上の照明ビームの寸法あるいは位置が、与えられ
た透過領域の少なくとも一部分を照射している間に変化
させ、これによって実効的な台形のビーム輪郭を発生さ
せることを特徴とするデバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP98202190.9 | 1998-07-01 | ||
| EP98202190 | 1998-07-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031052A true JP2000031052A (ja) | 2000-01-28 |
| JP4111631B2 JP4111631B2 (ja) | 2008-07-02 |
Family
ID=8233865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18379799A Expired - Fee Related JP4111631B2 (ja) | 1998-07-01 | 1999-06-29 | リソグラフィ投影装置及びデバイスの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6362871B1 (ja) |
| JP (1) | JP4111631B2 (ja) |
| KR (1) | KR100539665B1 (ja) |
| TW (1) | TW530189B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134404A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-05-10 | Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss | 荷電粒子による放射線感応層の露光装置および方法、ならびにこの目的のためのマスク |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW490598B (en) | 1999-11-30 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus |
| JP4850558B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 光源装置、及びそれを用いた露光装置、デバイス製造方法 |
| KR101586202B1 (ko) * | 2011-02-16 | 2016-01-18 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 자기 차폐용 시스템 |
| CN111936934B (zh) * | 2018-03-29 | 2023-04-28 | Asml荷兰有限公司 | 用于扫描曝光装置的控制方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5227839A (en) * | 1991-06-24 | 1993-07-13 | Etec Systems, Inc. | Small field scanner |
| US5777724A (en) * | 1994-08-24 | 1998-07-07 | Suzuki; Kazuaki | Exposure amount control device |
| JPH07254559A (ja) * | 1994-01-26 | 1995-10-03 | Canon Inc | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| JP3057998B2 (ja) | 1994-02-16 | 2000-07-04 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
| US5437946A (en) | 1994-03-03 | 1995-08-01 | Nikon Precision Inc. | Multiple reticle stitching for scanning exposure system |
| DE69703076T2 (de) * | 1996-04-01 | 2001-05-03 | Asm Lithography Bv | Lithographischer projektionsapparat zur abtastbelichtung |
-
1999
- 1999-06-10 TW TW088109699A patent/TW530189B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-06-29 US US09/340,710 patent/US6362871B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-29 KR KR10-1999-0025115A patent/KR100539665B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-06-29 JP JP18379799A patent/JP4111631B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134404A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-05-10 | Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss | 荷電粒子による放射線感応層の露光装置および方法、ならびにこの目的のためのマスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100539665B1 (ko) | 2005-12-28 |
| JP4111631B2 (ja) | 2008-07-02 |
| TW530189B (en) | 2003-05-01 |
| US6362871B1 (en) | 2002-03-26 |
| KR20000011343A (ko) | 2000-02-25 |
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