JPS61117830A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPS61117830A
JPS61117830A JP59238274A JP23827484A JPS61117830A JP S61117830 A JPS61117830 A JP S61117830A JP 59238274 A JP59238274 A JP 59238274A JP 23827484 A JP23827484 A JP 23827484A JP S61117830 A JPS61117830 A JP S61117830A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
sample
ratio
reduction
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59238274A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH055162B2 (ja
Inventor
Satoshi Ido
井戸 敏
Toyoki Kitayama
北山 豊樹
Toa Hayasaka
早坂 東亜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP59238274A priority Critical patent/JPS61117830A/ja
Publication of JPS61117830A publication Critical patent/JPS61117830A/ja
Publication of JPH055162B2 publication Critical patent/JPH055162B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、X線源から放射されるX線をマスク上に照射
し、マスク上に描かれたパタンをX線縮小光学系によっ
て縮小したのち、試料上に投影露光する8元装置に関す
る。
従来技術と問題点 従来、半導体集積回路を製造するだめのリングラフィ技
術としては、紫外光によって、マスク上に描かれたバタ
ンをウニ八等の試料上に転写する方法がとられてきた。
しかしこの方法では、紫外光による回折現象などが影響
して解像力に限界を生じ、回路のバタン幅が72m以下
の超LSIの製造には適用できない。そこで、この解像
力の限界を克服するため、紫外光よりもさらに波長の短
いX線を利用した転写技術、すなわちX線リングラフィ
の研究が進められてきた。
従来のX線リングラフィは、X線源から放射されるX線
束をマスク上に照射することKより、マスクと互いに平
行な位置関係を保ち、かつ微小な間隙をもって保持され
た試料上に、マスクバタンを/対/の等倍率で転写する
ものである。
xmリソグラフィの解像力は、半影ぼけ。
フレネル回折、マスクコントラスト、レジスト内での散
乱等の色々な要因によって支配される。なかでも、X線
がマスク全面にわたって垂直に入射しないために生じる
半影ぼけは、解像力を低下させる大きな要因であり、半
影ぼけを回避するため、平行性の高いX線束の実現が待
望されていた。
そこで近年、従来のX線ようも強度がはるかに高く、シ
かも指向性の強いシンクロトロン放射光(以後SO几光
と略称する)をX線リングラフィに適用する試みがなさ
れている。
シンクロトロン放射光とは、光速に近い速度で執道上を
電子が周回するとき、軌道の接線方向に沿って発生する
、高強度で指向性の強い軟X線である。図/は80R光
によるバタン転写の一例を示す。sOR光は指向性がき
わめて強いため、電子が閉軌道/に沿って周回する場合
、垂直方向にはほとんど広がらず、水平面内で閉軌道/
の接線方向に、いわば扇状に発散していく。そこでバタ
ン転写の生産性を高めるためには、このような扇状に発
散してい<son尤λを、集光ミラー3によって平行光
!に集光する。このようにして集光された帯状の平行光
jを、さらに別の揺動ミラーグによって垂直方向Sに走
査し、マ、スク6上の露光領域7を照射すると、マスク
と近接して配置された試料にに、マスクパタンが転写さ
れる。
以上のようにして平行に集光されたSoR光を用いるこ
とにより、従来のX線リソグラフィで問題となり九半影
ぼけの問題は解決される。しかしながら、このような従
来の8ORリングラフイでは、依然としてマスクパタン
を等倍率で試料上に転写する方式が用いられている。こ
のため、リソグラフィの解像力を支配するフレネル回折
等の要因は残されたままであり、今後の超LSIの発展
にともなって、バタンの最小線幅が7μmを下回るよう
になってぐると、従来の等倍投影では解像力が限界に近
づいてくる。この解像力の限界を克服するためには、マ
スクパタンを適当な手段で縮小したのち試料上に転写す
る、いわゆる縮小投影によるバタン転写を実現する必要
が生じてぐる0しかしながら、SORリングラフィはそ
れ自体の歴史が浅^ため、現在はまだ等倍露光を試行的
に行っている段階であシ、80 RJlil小露光はこ
れからの課題とされている。
発明の目的 本発明は、SOR尤の縮小投影によるバタン転写を実現
するため、X@縮小光学系によってマスクパタンを縮小
し、かつマスクに対して試料を、光学系の縮小比と同じ
比率で縮小移動させるようにしたものでア)、以下図面
によって詳細に説明する。
発明の構成および作用の説明 図2(ωは本発明の動作厚埋を示す。図示しない集光ミ
ラーによって帯状の平行光に成形されたSOR光//が
、マスク/λと試料/3に対して垂直に入射するように
配置されている。マスク/、!と試料/3の間には、マ
スクパタンを適当な比率1例えば//N(ただし、/≦
N)に縮小するためのxa縮縮小光学系ダグ配置されて
いる。
X11!縮小光学系/lIの具体的な実施例は、すでに
いくつか報告されている。代表的な例は、凸面鏡と凹面
鏡を組み合わせた8chvrar−ロchild ty
pe  と呼ばれる反射光学系であり、これをXl1l
i1マイクロスコープに適用した例が、R,P、Hae
lbich  et  ml :λnn、  N、Y、
人cid、8ci、。
New York、 J II2 (/ 91θ)/1
It−/67、に報告されている6 8cltwirz
schild typeの反射光学系で社、凸面鏡と凹
面鏡の2枚の反射鏡を使用しているが、7枚の反射鏡を
使用してもマスクパタンの縮小が可能となることが、M
stsumura  et  al  :  /jth
  8/mp、on  Ion  lmp−1anta
tion and 8ubmlcroa Fabric
ation、 Feb。
/−J、/りにII、 The In5t、 of P
h1sical  andChemical Ra5e
arch、の報告から容易に推定できる。
図−(a)に示す配置構成において、マスク/λと試料
/3を同時に、かつ縮小光学系の縮小比//Nと同じ比
率に移動距離比を保ちながら移動させれば、SoB光/
/は静止したままの状態で、マスクパタン//Hに縮小
されて試料上に転写される。すなわち、80R光を刷毛
に見立てれば、SOR光の刷毛でマスクを図2(a)の
X方向に掃いていくと、掃かれた帯状の部分が//Nに
縮小されて試料上に転写されていくoSOR光の平行性
を良好に保ち、かつ集光効率を高めるためには、SOR
光の幅はλ0簡程度にとどまる。したがって、マスク全
面を露光するためには、X方向へ7回走査するごとに、
X方向と垂直なY方向へ8OR光の幅の分だけ、間欠移
動を行わせることになる。もちろんY方向の間欠移動の
場合も、マスクと試料はX方向竪動と同じ縮小比で移動
させる必要がある。
なお図λ(a) においては、X線縮小光学系がマスク
と試料の間に配置されているが、X線縮小光学系の位置
を、図、2 (b)に示すようにX線源とマスクの間に
配置することも可能である。すなわち図2(−において
、帯状の平行光に成形されたSOR光//は、X ia
 gd小小学学系14t通過したのち、幅を漸次狭めて
いきながらマスク/2と試料/3を入射する。このとき
、SOR光//がX線縮小光学系/グを通過した直後か
ら幅を縮小しはじめ、マスク/λを透過するときの幅と
試料/3に到達したときの幅の比が、図2(a)の説明
において例示した//Nとなるように、X線縮小光学系
/Ilを構成しておけば、図2(a)の場合と同様の効
果が得られる。
図3(a)は、図−においてマスクと試料を縮小移動さ
せるための、縮小移動機構の一実施例である。2/はマ
スクを載置するためのマスク載置台であり、SOR光に
よって照射されたマスクパタンが下方に透過しうる構造
になっているものとする。マスク載置台2/はXガイド
、2−に滑ってX方向に、またYガイド23になってY
方向に移動する。一方、24tは試料を載置するだめの
試料載置台であシ、マスク載置台2/と平行な位置関係
を保ちながら、Xガイド23に沿ってX方向に、またX
ガイド26に沼ってY方向に移動する。マスク載置台λ
/と試料載置台−グの間には、xam小光学系−77を
配置し、マスクパタンの縮小像を試料上に投影させる。
このような構造において、マスク載置台2/と試料載置
台24tを、例えば//N(ただし、/≦N)の比率で
移動させる方法を説明する。
まずX方向については、マスク載置台2/と試料、ii
!f台24tにそれぞれラック−に、2りを結合する。
ラック2に1.29にはそれぞれ歯数N1. N、の歯
車3θ、3/がかみ合い、歯車3o、J/は駆動歯車3
.2aおよび従動歯車3λbを介して、制御用モータ3
3により駆動される。このとき歯車3θと37の歯数比
N 1 / N @を所定の//Hに合わせておけば、
マスク載置台、2/と試料載置台21Iを//Nの縮小
比で移動させることができる〇 つぎにY方向については、マスク移動機構のXガイドコ
コおよび試料移動機構のXガイド2jにそれぞれ駆動ロ
ッド3グ、3jを結合する。各駆動ロッドの先端には、
図3(b)に示すような自在継手構造を介して駆動レバ
ー36をはめ込む0すなわち、駆動ロッド34t。
3Sに、回転自在な構造の球面軸受37を取りつけ、か
つ球面軸受37に対して、駆動レバー36がその軸方向
に自由にしゅう動できるようにはめ込まれる。駆動レバ
ー36は回転円板3どの外周に固定されておシ、制御用
モータ3りを駆動することによって駆動レバー36は円
弧運動をし、これによってマスク載置台コ/と試料載置
台λダはY方向に駆動される。このとき、駆動レバー3
6の回転中心から駆動ロッドJ!、Jjまでの距離を、
図3(c)に示す二うにり、、Lmとすれば、マスク載
置台、2/と試料載置台λ弘の移動距離り、ID雪の縮
小比は Dt/D+−Lx−θ/シ、−θ−し言/Lt    
(1)となり、結局し+、l!−Ltの比(等しくなる
。すなわち、[i、とLlの比をX方向駆動における縮
小比//Hに合わせるように設定すれば、X、Y方向移
動ともマスク載置台−/に対して試料載置台コグの移動
を//N VCm小できる。なお、Y方向移動時にはラ
ック、!に、2りが各載置台と一体となってY方向に移
動する。
そこで、各ラックλに、2りは静止状態の歯車3θ、3
/の歯幅方向に支障なく移動できるようにし、かつY方
向移動時に歯車から逸脱しないだけの幅寸法を持たせて
おく。
なお、図3の実施例においては、駆動レバー36の円弧
運動を利用して、Y方向の縮小移動を実現したが、これ
はX方向移動と同じく、歯車とラックの組合せによって
行わせることもできる。すなわち、駆動ロッドJll。
3jの互いに向かい合った面にラックを配置し、それら
の間にX方向移動と同様な歯車構成を持たせればよい。
図3の実施例では、XおよびY方向へそれぞれ7個の制
御用モータによって、マスクと試料が一体となって駆動
されたが、もちろんマスクと試料を独立した制御用モー
タによって駆動することも可能であシ、この場合の実施
例を図りに示す。グ/はマスクを載置するためのマスク
載置台であり、SOR光によって照射されたマスクバタ
ンが下方に透過しうる構造になっているものとする。マ
スク載置台グ/にはX送シねじtIλのナットダ3が結
合されておシ、制御用モータ1I4tによりて送りねじ
ダλに回転運動が与えられると、マスク載置台Ilt/
はXガイトゲ!に涜って移動する。XガイドIlりは部
材グ6と一体構造をなしており、制御用モータ4tりは
送りねじ4t2の支持軸受t17とともに、上記一体構
造に固定されている。ここで便宜上、マスク載置台り/
をX方向に移動させるための構成部品、すなわち送シね
じグλ、ナツ)4tJ、制御用モータl1lI、Xガイ
ドl15.部材弘6等の集合体をX移動機構と呼称する
。つぎにマスク載置台Il/をY方向に駆動するには、
部材116KY送りねじexのナツトゲタを結合し、制
御用モータ50によって送)ねじグにに回転運動を与え
る。これによりX移動機構はYガイドタフに宿って移動
する。
一方、試料を載置するための試料載置台S2も、マスク
載置台lI/と同様にして移動される。すなわち試料載
置台52にはX送りねじ53のナツトstが結合されて
おシ、制御用モータ5jによって送りねじS3に回転運
動が与えられると、試料載置台52はXガイドj乙に沿
りて移動する。また部材57にY送りねじりにのナツト
タデを結合し、制御用モータ60によって送シねじ5g
に回転運動を与えると、X移動機構はYガイド6/に浴
って移動する0マスク載置台4t/と試料載置台5λの
間にはX線縮小光学系6λを配置し、マスクパタンの縮
小像を試料上に投影させる。
なお図グにおいては、Y送シねじを部材57の側方に配
置したが、試料載置台5ユはSOR光を下方に透過させ
る必要がないので、ナツトsyを試料載置台j、2の下
面に固定し、Y送シねじjにを試料載置台j2の下部に
配置しても、発明の効果にはなんら影響がない。
上記のような構成において、マスク載置台グ/と試料載
置台Saを、例えば//N(ただし、/≦N)の比率で
X方向へ移動させるには、X送シねじl12とj3の回
転数と送りねじピッチをそれぞれ几1.p1およびR1
+plとすると R8・ps /R+−pt −/ / N      
(2)の関係が成立するように、制御用モータの回転数
と送りねじのピッチを選択すればよい。
なおY方向移動についても、Y送シねじ弘にと5ざのそ
れぞれの回転数と送シねじピッチの間に、(2)式と同
様の関係が成立しておれば、X方向移動のときとまった
く同様の縮小移動が実現できる。
上記で説明してきた縮小移動機構を、線幅/μm以下の
バタン転写に適用しようとすると、マスクおよび試料の
X、Y方向移動には高い運動精度が要求さ″れる。この
ためX、 Yガイドには、高精度に加工されたすベシ軸
受中ころが〕軸受のほか、機械的な接触部分をもたない
空気軸受部分をもたない空気軸受等の非接触軸受を用い
るのが有効である0またこれに関連して、図グの実施例
で説明した送〕ねじに、たとえば高精度の送シが期待で
きるボールねじを適用すると、不発明の効果が増進され
る。更に、上記のような高精度な移動機構を用いた場合
にも含まれる機械的誤差は、電子ビーム露光装置等で公
知の位置合わせ補正装置の概念と組み合わせれば解決で
きることは言うまでもない。
効果の説明 以上説明したように、本発明によればマスクバタンを・
一定の比率で縮小したのち試料上に投影するため、フレ
ネル回折等の解像力を低下させる要因の効果を減少させ
ることができ、したがって超ム8Iの製造に必要な解像
力を十分に達成することが可能となる。
また本発明の付随的な効果としては、SOB光を常に静
止させたtt、マスクと試料を相対的に縮小移動させる
ため、従来の揺動ミラーを振って露光領域を拡大させる
方法に比較すると、複雑なミラーの揺動制御が不要とな
る利点がある。
【図面の簡単な説明】
図/は従来のSORリングラフィの一実施例、図2は本
発明の原理を示す図、図3および図りは、本発明装置の
中でマスクと試料を縮小移動させるための機構の実施例
を示す斜視図である。 /・・・電子の閉軌道、u、 i、//、λj・・・8
0B光、3・・・集光ミラー、グ・・・揺動ミラー、!
・・・80R光の走査方向、6./λ・・・マスク、7
・・・露光領域、I、/3・・・試料、/グ、λ7,6
λ・・・X線縮小光学系、2/、グ/−・・マスク載置
台、22.コj。 4tj、jlz・−・Xガイド、23.2&、j/、A
/・・・Yガイド1,2Q、jλ・・・試料載置台、λ
g、λダ°°ラック、3θ 3/・・・歯車、j、2a
・・・駆動歯車、J 2 b−・・従動歯車、J 3.
 3 ?、 jO,’1llt、!;j、 6θ・・・
制御用モータ、311,3!・・・駆動ロッド、36・
・駆動レバー、37・・・球面軸受、31・・・回転円
板。 ’12.に3−X送りねじ、413.179.3’1.
、jff・・ナツト、II4.57・・・部材、qに、
jff・・・Y送りねじ、j/、lh/・・・Yガイド

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)X線源から発生するX線をマスク上に照射し、マ
    スク上の図形をX線縮小光学系によって試料上に投影露
    光する露光装置において、マスクと試料の移動距離の比
    が、上記X線縮小光学系の縮小比と等しくなるように、
    マスクと試料を並進移動させる機構を具備したことを特
    徴とする露光装置。
  2. (2)マスクと試料を並進移動させる機構が移動距離の
    比に合致した歯数比を有する歯車列と、該歯車列にかみ
    合ったラックとからなることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の露光装置。
  3. (3)マスクと試料を並進移動させる機構が移動距離の
    比に合致したてこ比を有するてこからなることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の露光装置。
  4. (4)マスクと試料を並進移動させる機構が送りねじを
    具備し、かつマスクを駆動する送りねじのピッチをp_
    1、回転数をR_1、試料を駆動する送りねじのピッチ
    をp_2、回転数をR_2とするとき、(R_2・p_
    2/R_1・p_1)が縮小光学系の縮小比に合致して
    いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の露光
    装置。
JP59238274A 1984-11-14 1984-11-14 露光装置 Granted JPS61117830A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59238274A JPS61117830A (ja) 1984-11-14 1984-11-14 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59238274A JPS61117830A (ja) 1984-11-14 1984-11-14 露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61117830A true JPS61117830A (ja) 1986-06-05
JPH055162B2 JPH055162B2 (ja) 1993-01-21

Family

ID=17027745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59238274A Granted JPS61117830A (ja) 1984-11-14 1984-11-14 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61117830A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS629632A (ja) * 1985-07-06 1987-01-17 Agency Of Ind Science & Technol 投影露光装置
JPS6362231A (ja) * 1986-09-02 1988-03-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線縮小投影露光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS629632A (ja) * 1985-07-06 1987-01-17 Agency Of Ind Science & Technol 投影露光装置
JPS6362231A (ja) * 1986-09-02 1988-03-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線縮小投影露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH055162B2 (ja) 1993-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4516253A (en) Lithography system
US6018383A (en) Very large area patterning system for flexible substrates
US5512759A (en) Condenser for illuminating a ringfield camera with synchrotron emission light
US7183565B2 (en) Source multiplexing in lithography
US8817232B2 (en) Optical apparatus, and method of orienting a reflective element
US9989863B2 (en) Lithographic system
US6798494B2 (en) Apparatus for generating partially coherent radiation
TWI257533B (en) Lithographic projection apparatus with collector including concave and convex mirrors
TW200807167A (en) Contamination barrier and lithographic apparatus
US6395455B2 (en) Low thermal distortion Extreme-UV lithography reticle and method
JPH07105323B2 (ja) 露光方法
JPS61117830A (ja) 露光装置
US6859263B2 (en) Apparatus for generating partially coherent radiation
JPH0812843B2 (ja) 光学結像装置及び方法
JP2586662B2 (ja) 投影露光装置
US5548625A (en) Method for parallel multiple field processing in X-ray lithography
JP4324989B2 (ja) 露光装置
US20030230729A1 (en) Positioning stage with stationary and movable magnet tracks
CN1448786A (zh) 可装设数块光罩的光罩支架及微影曝光系统
EA042061B1 (ru) Плазменный источник экстремального ультрафиолетового излучения и литографическая система с его использованием
JPS6347926A (ja) 半導体露光方法
Hayasaka et al. A Step-and-Repeat X-Ray-Exposure System for 0.5 μm Pattern Replication
JPH034200A (ja) 放射光露光装置
JPH01307221A (ja) X線露光装置
JPS62131519A (ja) X線露光装置