JPH04150012A - 露光方法及び装置 - Google Patents

露光方法及び装置

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JPH04150012A
JPH04150012A JP2275605A JP27560590A JPH04150012A JP H04150012 A JPH04150012 A JP H04150012A JP 2275605 A JP2275605 A JP 2275605A JP 27560590 A JP27560590 A JP 27560590A JP H04150012 A JPH04150012 A JP H04150012A
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Japan
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mask
sample
stage
exposure
exposed sample
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JP2275605A
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Inventor
Yoshimi Yamashita
良美 山下
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH04150012A publication Critical patent/JPH04150012A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置等の製造に用いられるリソグラフィ技術にお
ける露光方法及び装置に関し、マスクと露光試料間のギ
ャップ及びパターン位置調整の作業性がよく、しかもメ
ンブレン破壊の危険性を無くすことを目的とし、 マスクと露光試料とをギャップを介して重ね合わせ、光
源からの電荷ビームを上記マスクを通して上記露光試料
に照射する露光方法において、高さ検出器により、上記
光源の光軸方向における上記マスクの位置を測定し、パ
ターン位置検出器により、上記光軸に対し垂直な面方向
における上記マスクの位置を測定し、夫々の測定データ
を制御手段に記憶させるマスク測定工程と、上記高さ検
出器により、上記光軸方向における上記露光試料の位置
を測定し、上記パターン位置検出器により、上記面方向
における上記露光試料の位置を測定し、夫々の測定デー
タを上記制御手段に記憶させる露光試料測定工程と、上
記マスク測定工程と上記露光試料測定工程によって得ら
れた上記測定データに基づいた信号により、上記マスク
と上記露光試料とを、所定のギャップを有するような高
さ位置と、上記面方向において位置合わせがなされるよ
うな上記面方向の位置とに位置決めする重ね合わせ工程
とより構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は露光方法及び装置に係り、特に半導体装置等の
製造に用いられるリソグラフィ技術における露光方法及
び装置に関する。
近年、半導体装置の高集積化及び高密度化に伴いリソグ
ラフィ工程で扱うパターンがますます微細化され、X線
露光等によるパターン転写技術が注目されている。そし
て、その開発分野の一つとしてX線露光によって生産さ
れる半導体の量産化があり、生産性の良い露光方法及び
露光装置の開発か急かれている。
〔従来の技術〕
第5図に従来のX線露光装置の一例の構成図を示す。
同図に示すX線露光装置lでは、パターンが形成されて
いるX線マスク(以下マスクという)2かギャップGを
挟んて露光試料3の上方に配置され、マスク2の上方の
X線光源4から放射されたX線5がマスク2のパターン
を露光試料3上に転写するという作用を基本的にする。
図中、6はマスク2を支持するX線マスクステージであ
り、X線の光軸方向(図中Z方向)にマスク2の端部を
上下動させるマスクZ値補正モータ7.8を設けこれに
よりマスク2が支持されている。
露光試料3は試料台9上に真空チャックlOにより吸引
され固定されており、更に試料台9か試料ステージll
上に固定されている。この試料ステージ11は試料ステ
ージ駆動モータ12により露光試料3の面方向において
移動自在であり、試料ステージ位置測定器13によって
試料ステージ11の位置か測定される。
更に、14は高さ測定用光源であり、ここから放射され
た光の一部かマスク2の上面にて反射して高さ検出器1
5に到達し、残りの一部がマスク2を透過して露光試料
3の上面にて反射し、同様に高さ検圧器15に到達する
。高さ検出器15はマスク2上での反射光と露光試料3
上での反射光との間の位相差を測定することにより上記
ギャップGの寸法を測定する。
16はパターン位置検出器であり、位置検出用光源17
、ハーフミラ−18、集光ミラー19a、反射ミラー1
9bによって構成された部分と共に光学系の装置を構成
し、マスク2と露光試料3の面方向における位置(以下
パターン位置という)関係を検出する。具体的には同図
に示すように、マスク位置合わせパターン2aと試料上
位置合わせパターン3aとの位置関係を検出する。
上記構成のX線露光装置lでは、パターン転写される前
の露光試料3を載置して試料ステージ11がマスク2の
下方に移動し、その後、高さ検出器15とマスクZ値補
正モータ7.8とによるマスク2と露光試料3との間の
ギャップG(マスク2の露光試料3に対する傾きを含む
)の測定及び調整作業、また、パターン位置検出器16
と試料ステージ駆動モータ12とによるパターン位置の
測定及び調整作業が夫々行われる。そしてギャップGと
パターン位置が夫々許容範囲内に入ったところでX線に
よる露光が行われる。
このように従来においては、マスク2と露光試料3との
間のギャップGは、1回の露光ごとにパターン位置を粗
合わせした状態で測定されるもので、パターン位置の調
整作業はギャップGの調整作業を行った後、そのギャッ
プGを維持した状態て行われていた。
〔発明か解決しようとする課題〕
しかるに、上記構成のX線露光装置1においては、1回
の露光作業ごとにマスク2を上下動させてギャップGの
調整か必要であり、この作業に時間を要していた。従っ
て、多数の露光を行う場合は特にギャップGの調整にか
かる時間が露光作業全体の作業時間を増大させていた。
また、上記調整作業中に行われるマスク2の上下動によ
りマスク2と露光試料3の間のガス圧か大きく変動し、
マスク2のメンブレン破壊の危険性を招いていた。よっ
てこのメンブレン破壊を避けるために上記マスク2の上
下動は時間をかけて行わなければならず、ギャップ調整
の時間を更に膨張させる原因にもなっていた。
そこで本発明は上記課題に鑑みなされたもので、マスク
と露光試料間のギャップ及びパターン位置調整の作業性
がよく、しかもメンブレン破壊の危険性の無い露光方法
及び装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために本発明は、 マスクと露光試料とをギャップを介して重ね合わせ、光
源からの電荷ビームを上記マスクを通して上記露光試料
に照射する露光方法において、高さ検出器により、上記
光源の光軸方向における上記マスクの位置を測定し、パ
ターン位置検出器により、上記光軸に対し垂直な面方向
における上記マスクの位置を測定し、夫々の測定データ
を制御手段に記憶させるマスク測定工程と、上記高さ検
出器により、上記光軸方向における上記露光試料の位置
を測定し、上記パターン位置検出器により、上記面方向
における上記露光試料の位置を測定し、夫々の測定デー
タを上記制御手段に記憶させる露光試料測定工程と、 上記マスク測定工程と上記露光試料測定工程によって得
られた上記測定データに基づいた信号により、上記マス
クと上記露光試料とを、所定のギャップを有するような
高さ位置と、上記面方向において位置合わせがなされる
ような上記面方向の位置とに位置決めする重ね合わせ工
程とよりなる。
そして、上記露光方法を実施するための装置として、 マスクと露光試料とをギャップを介して重ね合わせて設
け、電荷ビームを上記マスクを通して上記露光試料に照
射する光源を設けた露光装置において、 装置本体に固定され、マスクステージに支持された上記
マスクと、試料ステージに支持された上記露光試料に対
して上記光源の光軸方向及び上記光軸に対し垂直な面方
向における装置本体との位置関係を夫々測定する位置測
定手段と、上記マスクステージと上記試料ステージの少
なくともいずれかに設けられ、上記マスクと上記露光試
料との間の上記光軸方向の位置関係を調整するZ値補正
手段と、 上記マスクステージと上記試料ステージの少なくともい
ずれかに設けられ、上記マスクと上記露光試料との間の
上記光軸を軸とした回転方向の位置関係を調整する回転
補正手段と、 上記マスクステージと上記試料ステージの少なくともい
ずれかに設けられ、上記マスクと上記露光試料との間の
、上記面方向における位置関係を調整するパターン位置
補正手段と、 上記位置測定手段によって測定された測定データを記憶
して処理し、上記マスクと上記露光試料とを所定のギャ
ップを維持しながら上記露光試料を移動し、上記面方向
の位置合わせがなされる位置に位置決めするように、上
記Z値補正手段と、上記回転補正手段と、上記パターン
位置補正手段とに、夫々独立させて駆動させる補正信号
を出力する制御手段とを具備してなる構成とした。
また、上記位置測定手段の構成をより簡単にするために
、 上記位置測定手段を露光が行われる露光位置とは異なる
場所に設け、 上記位置測定手段が測定しつる場所と上記露光位置との
間を、上記マスクステージと上記試料ステージとを夫々
移動させる移動手段を更に有する構成である。
〔作用〕
露光装置に装着されたマスクと露光試料の露光装置に対
する位置が、位置測定手段により測定され測定データと
して予め制御手段に記憶されることにより、マスクと露
光試料とを重ね合わせる過程において、実際にギャップ
及びパターン位置を確認することなく制置手段内で上記
測定データを電気的に処理するだけで、マスクと露光試
料との間のギャップとパターン位置を許容範囲内に収め
るための現位置からの補正距離を計算することができる
。従って、−回の重ね合わせ工程だけでマスクと露光試
料とを所定の位置にセットすることかできる。
測定データを処理してマスクと露光試料の重ね合わせ工
程を一回で済ませることにより、マスクを上下動させる
必要か無くなり、マスクのメンブレン膜の破壊の危険性
か減る。
また、前記位置測定手段を露光位置とは異なる場所に設
けることにより、位置測定手段は平面配置上光源と重な
り合わない配置となり、位置測定手段が光軸と同心状と
されていた従来に比べて、ハーフミラ−1反射ミラー等
の光学系機器か不要となる。
〔実施例〕
第1図に本発明になるX線露光装置の一実施例の構成図
を示す。
同図におけるX線露光装置20の基本的作用はは従来と
同一であり、パターンか形成されているX線マスク(以
下マスクと(・う)22かギャップGを挟んで露光試料
23の上方に配置され、マスク22の上方のX線光源2
4から放射されたX線25かマスク22のパターンを露
光試料23上に転写する構成である。
マスク22はマスクZ値補正モータ26,27を介して
X線マスクステージ28に支持されている。X線光源2
4の光軸方向(図中Z方向)に上下動する夫々の可動部
かマスク22の周囲部に設けられ、固定部がX線マスク
ステージ28に設けられている。マスクZ値補正モータ
26,27は実際にはX線マスクステージ28上の3箇
所に三角形をなして設けられており、このためマスク2
2はX線マスクステージ28に対する高さ調整、及び全
ての方向の傾きの調整が可能とされている。
X線マスクステージ28の外部てあり、平面上上記光軸
を中心として夫々か90°をなした2箇所には、マスク
ステージ駆動モータ29か配設されている。この2つの
マスクステージ駆動モータ29によりX線マスクステー
ジ28は光軸に対し垂直な面方向に移動自在とされ、更
に同様に外部に配設されたレーザ測長器であるマスクス
テージ位置測定器30によってX線マスクステージ28
の位置か測定される。
尚、第1図において上記マスクZ値補正モータ26.2
7とマスクステージ駆動モータ29は、説明の便宜上上
述した実際の個数とは異なる個数で図示されている。
更に、X線マスクステージ28とマスク22との間には
X線マスク回転補正モータ31か設けられており、これ
によりマスク22は上記光軸を中心として回転自在とさ
れる。
上記マスクZ値補正モータ26,27、マスクステージ
駆動モータ29、X線マスク回転補正モータ31は夫々
独立して駆動可能とされ、マスク22は夫々のモータに
よって位置調整可能とされる構成である。
露光試料23は従来のX線露光装置lと同様に試料台3
2上に真空チャック33によって吸引されて固定され、
更にこの試料台32は試料ステージ34に支持されてい
る。
試料台32と試料ステージ34の間には、上記マスク2
2とX線マスクステージ28との間と同様に、露光試料
23が載置された試料台32をZ方向に移動させる試料
Z値補正モータ35,36、及び試料台32を回転させ
る試料回転補正モータ37か夫々設けられており、更に
試料ステージ34の外部にも、試料ステージ駆動モータ
38が平面上夫々90°をなして2箇所設けられ、更に
レーザ測長器である試料ステージ位置測定器39か設け
られている。
試料ステージ34はX線マスクステージ28と同様に試
料ステージ駆動モータ38により光軸に対し垂直な面方
向へ移動可能な構成であり、X線マスクステージ28と
試料ステージ34との間隔寸法は、上記両ステージ28
.34のあらゆる移動状態においても一定に保たれてい
る。
図中、40はマスク22及び露光試料23の面方向にお
ける位置(以下パターン位置という)を測定するパター
ン位置検出器、41はマスク22及び露光試料23の光
軸方向の高さ位置を測定する高さ測定器、42は上記高
さ測定器41用の高さ測定光源である。パターン位置検
出器40、高さ測定器41、高さ測定光源42が位置測
定装置43を構成する。
位置測定装置43は第1図に示すように、X線マスクス
テージ28及び試料ステージ゛34か露光を行う所定の
位置にある状慇て、X線マスクステージ28の外側てあ
り、マスク22の上方とされる位置に配設されている。
50はX線露光装置20の制御装置であり、各測定器か
らの位置情報を記憶し、これを処理して上記各補正モー
タに駆動信号を出力する。即ち、図中、51はマスク回
転補正信号、52.53はマスクZ値補正信号、54は
マスクステージ駆動信号、55はマスクステージ位置情
報、56は試料ステージ位置情報、57は試料ステージ
駆動信号、58.59は試料Z値補正信号、60は試料
回転補正信号、61は高さ情報、62はパターン位置情
報である。
上記構成のX線露光装置20においては、各測定器から
の位置情報に基づいた上記補正信号により上記各補正モ
ータかマスク22と露光試料23を変位させ、上述した
マスク22と露光試料23の間のギャップGとパターン
位置を調整してX線露光を行う構成である。
次に本実施例のX線露光装置20の使用方法について説
明する。
先ず第1にマスク22をX線マスクステージ28に装着
しマスク22の位置調整を行う。第2図にマスク22の
位置調整が行われている状態を示す。
マスク22の位置調整を行う場合には、マスクステージ
駆動モータ29を駆動して、X線マスクステージ28を
第1図に示す状態から第2図に示すように位置測定装置
43の下方となる位置に移動する。
マスク22のメンブレン膜22aにはマスク吸収体パタ
ーン70とマスク位置合わせパターン71とか所定位置
に複数形成されている。そしてマスクステージ駆動モー
タ29を再度駆動させてX線マスクステージ28をマス
ク22の面方向に移動させることにより、位置測定装置
43の走査点Pかメンブレン膜22a上を全面に渡り走
査するようにし、メンブレン膜22aのパターン位置と
高さ位置を測定する。即ち、上記マスク位置合わせパタ
ーン71が上記走査点P下にある時の、マスクステージ
位置測定器30か測定したX線マスクステージ28の位
置をパターン位置情報として制御装置50に出力しく情
報55.62)、また、メンブレン膜22aの複数箇所
における高さ位置をマスク高さ測定器41により測定し
、この高さ位置情報61を制御装置50に出力する。
そして制御コンピュータ50は入力された情報のうちの
高さ位置情報を基に、マスク22のX線マスクステージ
28に対する高さ、傾き、捩じれを検出し、これらを許
容範囲内へ収めるへくマスクZ軸補正モータ26,27
にマスクZ軸補正信号52.53を出力する。また、入
力されたパターン位置情報を基にマスク22の平面上の
回転(θ値)を検出し、これらを許容範囲内へ収めるべ
くX線マスク回転補正モータ31にマスク回転補正信号
51を出力する。
そして上記補正か完了したマスク22の最終的なパター
ン位置情報及び高さ位置情報か、次の工程て行われる露
光試料23の位置調整及びX線露光時に使用されるため
、制御装置50内に記憶される。
次に露光試料23の位置調整を行う。第3図に露光試料
23の位置調整が行われている状態を示す。
同図に示すように露光試料23の位置調整を行う場合に
は、先に位置調整を行った側のX線マスクステージ28
かX線光源24の下方に戻され、反対に露光試料23を
設けた試料ステージ34か位置測定装置43の下方とな
るように移動される。
尚この時、露光試料23か高さ調整されたマスク22と
接触しないように露光試料23は試料ステージ34に対
して最も下方とされた位置で移動される。
第3図中72は露光試料23上に設けられた試料上デバ
イスパターンであり、73は試料上位置合わせパターン
である。露光試料23の位置調整も上述したマスク22
の位置調整と同様に行われ、露光試料23の複数位置に
おける高さ位置と、上記試料上位置合わせパターン73
を基準としたパターン位置が測定される。そして露光試
料23の試料ステージ34に対する傾き、捩じれ、回転
(θ値)か、制御装置50より出力された試料Z値補正
信号58.59、試料回転補正信号60により試料Z値
補正モータ35,36、試料回転補正モータ37が駆動
されて適正状態へ補正される。
そして上記補正か完了した露光試料23のパターン位置
情報及び高さ位置情報が露光時に使用されるために制御
装置50に記憶される。
ここで露光試料23の高さ位置は、最終的な高さ位置の
情報か得られているマスク22との間に、X線露光を行
う時の所定寸法のギャップGを形成する高さ位置に調整
される。
次に第4図に示すように、上記補正か行われ、また位置
情報か得られた露光試料23をマスク22との間に上記
ギャップGを保持したままX線光源24の光軸上に移動
する。マスク22と露光試料23のパターン位置の整合
は、制御装置50に記憶されているマスク22及び露光
試料23の夫々のパターン位置情報に基づいて出力され
る補正信号54.57によりマスクステージ駆動モータ
29と試料ステージ駆動モータ38とが夫々の上記位置
合わせパターン71と73を合わせるように作動し、容
易に行われる。
マスク22及び露光試料23の回転ずれによるパターン
位置の不一致、また傾きや捩じれによるギャップGの精
度低下は、上述したマスク22及び露光試料23に対し
て別々に行った位置調整により、重ね合わせの前段階で
排除されているため、マスク22と露光試料23の位置
関係はパターン位置、高さ位置ともに正確に許容範囲内
に入り、X線露光をすぐに実施しうる状態とすることか
できる。
上記のようにXpA露光装置20によりX線露光を行う
場合、マスク22と露光試料23に対して別々にパター
ン位置と高さ位置とを測定し、これらの位置情報をデー
タとして制御装置50に記憶させ、マスク22と露光試
料23とをX線の光軸下に重ねる時に再びこれらのデー
タを使用する構成としたため、マスク22と露光試料2
3とを一回ずつ測定し位置調整を行うだけでマスク22
と露光試料23を一回て正規な重ね合わせ状態とするこ
とかてきる。従って、2枚目以降の露光試料に対するX
線露光では、最初にマスクに対して行った位置測定及び
調整工程か省略でき、露光試料のみに対して行えばよい
ため、露光ごとに何回もマスクを上下動させてギャップ
及びパターン位置の調整を行っていた従来の方法に比べ
て位置調整の作業性か改善される。従って、本発明によ
る位置調整の作業時間の短縮は、複数の露光試料に対し
てX線露光を連続的に行う場合に特にその効果か発揮さ
れる。
また従来においてメンブレン膜の破壊を防止するため時
間をかけて行っていたマスクの上下動か無くなるため、
上記位置調整にかかる時間を更に短縮することができる
更に、上記の如くマスク22の上下動が無くなるためマ
スク22と露光試料23間のガス圧の変化によるメンブ
レン膜22a破壊の危険性は無くなる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、X
pJ以外の光により露光試料に露光を行う構成の露光方
法及び装置にも適用される。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、マスク測定工程と露光試
料測定工程で予め得た測定データを電気的に処理し、マ
スクと露光試料とを一回の重ね合わせ工程で所定位置に
位置決めすることかできるため、マスクと露光試料の位
置調整の作業性か良くなり、露光作業にかかる時間か従
来に比へて格段に短縮される。
これにより露光試料の2枚目以降の露光では、マスクに
ついては最初の測定データか制御手段に記憶されている
ためマスク測定工程か省略でき、新たに装着された露光
試料の測定工程だけを行えばよい。従って本発明は、多
数の露光試料に対して露光を連続して行う場合に更に大
きな時間短縮か期待でき、半導体の量産化に寄与すると
ころか大きい。
また、マスクの上下動か不要となるため、マスク上のメ
ンブレン膜か破壊される可能性か無くなり、露光装置の
可動率の安定、向上か期待てきる。
更に本発明の露光装置では、マスク及び露光試料の面方
向の位置と高さ位置を測定する位置測定手段か光源の光
軸から離れた位置に配置されるため、これらの手段か露
光を行う装置内に複雑に組み込まれた従来の露光装置に
比べて、露光装置の構造が簡略化され、露光装置の製造
コストまたは装置のメンテナンス上有利である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明になるX線露光装置の一実施例の構成図
、 第2図は第1図に示すXtlA露光装置においてマスク
の位置調整が行われている状態を示す図、第3図は第1
図に示すX線露光装置において露光試料の位置調整か行
われている状態を示す図、第4図は第1図に示すX線露
光装置において試料ステージか光軸上に移動する状態を
示す図、第5図は従来のX線露光装置の一例の構成図で
ある。 図 こおいて、 よX線露光装置、 まX線マスク、 よ露光試料、 よX線光源、 よX線、 26.27はマスクZ値補正モータ、 28はX線マスクステージ、 29はマスクステージ駆動モータ、 30はマスクステージ位置測定器、 31はX線マスク回転補正モータ、 34は試料ステージ、 35.36は試料Z値補正モータ、 37は試料回転補正モータ、 38は試料ステージ駆動モータ、 39は試料ステージ位置測定器、 40はパターン位置検出器、 41は高さ検出器、 42は高さ測定用光源、 43は位置測定装置、 50は開園装置、 を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)マスク(22)と露光試料(23)とをギャップ
    (G)を介して重ね合わせ、光源(24)からの荷電ビ
    ーム(25)を該マスク(22)を通して該露光試料(
    23)に照射する露光方法において、 高さ検出器(41)により、前記光源(24)の光軸方
    向における前記マスク(22)の位置を測定し、パター
    ン位置検出器(40)により、前記光軸に対し垂直な面
    方向における前記マスク(22)の位置を測定し、夫々
    の測定データを制御手段(50)に記憶させるマスク測
    定工程と、前記高さ検出器(41)により、前記光軸方
    向における前記露光試料(23)の位置を測定し、前記
    パターン位置検出器(40)により、前記面方向におけ
    る前記露光試料(23)の位置を測定し、夫々の測定デ
    ータを前記制御手段(50)に記憶させる露光試料測定
    工程と、 前記マスク測定工程と前記露光試料測定工程によって得
    られた前記測定データに基づいた信号により、前記マス
    ク(22)と前記露光試料 (23)とを、所定のギャップ(G)を有するような高
    さ位置と、前記面方向において位置合わせがなされるよ
    うな前記面方向の位置とに位置決めする重ね合わせ工程
    とよりなることを特徴とする露光方法。 (2)マスク(22)と露光試料(23)とをギャップ
    (G)を介して重ね合わせて設け、荷電ビーム(25)
    を該マスク(22)を通して該露光試料(23)に照射
    する光源(24)を設けた露光装置において、 装置本体に固定され、マスクステージ(28)に支持さ
    れた前記マスク(22)と、試料ステージ(34)に支
    持された前記露光試料(23)に対して前記光源(24
    )の光軸方向及び該光軸に対し垂直な面方向における装
    置本体との位置関係を夫々測定する位置測定手段(43
    )と、 前記マスクステージ(28)と前記試料ステージ(34
    )の少なくともいずれかに設けられ、前記マスク(22
    )と前記露光試料(23)との間の前記光軸方向の位置
    関係を調整するZ値補正手段(26、27、35、36
    )と、 前記マスクステージ(28)と前記試料ステージ(34
    )の少なくともいずれかに設けられ、前記マスク(22
    )と前記露光試料(23)との間の前記光軸を軸とした
    回転方向の位置関係を調整する回転補正手段(31、3
    7)と、 前記マスクステージ(28)と前記試料ステージ(34
    )の少なくともいずれかに設けられ、前記マスク(22
    )と前記露光試料(23)との間の、前記面方向におけ
    る位置関係を調整するパターン位置補正手段(29、3
    8)と、 前記位置測定手段(43)によって測定された測定デー
    タを記憶して処理し、前記マスク(22)と前記露光試
    料(23)とを、所定のギャップ(G)を有し且つ前記
    面方向の位置合わせがなされる位置に位置決めするよう
    に、前記Z値補正手段(26、27、35、36)と、
    前記回転補正手段(31、37)と、前記パターン位置
    補正手段(29、38)とに、夫々独立させて駆動させ
    る補正信号を出力する制御手段(50)とを具備してな
    る構成としたことを特徴とする露光装置。 (3)前記位置測定手段(43)を露光が行われる露光
    位置とは異なる場所に設け、 前記位置測定手段(43)が測定しうる場所と前記露光
    位置との間を、前記マスクステージ(28)と前記試料
    ステージ(34)とを夫々移動させる移動手段(29、
    38)を更に有する構成であることを特徴とする請求項
    2記載の露光装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100552456B1 (ko) * 1998-07-09 2006-02-20 우시오덴키 가부시키가이샤 프록시미티 노광에 있어서의 마스크와 워크의 갭 제어방법 및 프록시미티 노광장치
JP2007512694A (ja) * 2003-11-28 2007-05-17 ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング マスク位置調節装置における直接的アライメント
JP2011119594A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Nsk Ltd 近接露光装置及び近接露光方法

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