JPS63107139A - 感光基板のアライメント方法 - Google Patents

感光基板のアライメント方法

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JPS63107139A
JPS63107139A JP61253459A JP25345986A JPS63107139A JP S63107139 A JPS63107139 A JP S63107139A JP 61253459 A JP61253459 A JP 61253459A JP 25345986 A JP25345986 A JP 25345986A JP S63107139 A JPS63107139 A JP S63107139A
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、ウェハを2次元移動ステージ上に位置決めす
るアライメント方式、特に、そのステージ上に載置され
たウェハのフラットの位置および方向を定めてステージ
に対して位置合せを行うプリアライメント方式に関する
(従来技術) 近年、LSIやVLS I等のパターンの微細化に伴い
、これを製造するのに適する露光装置として縮小投影型
露光装置が多く用いられている。この縮小投影型露光装
置は、マスク原板(以下「レチクル」と称する。)上の
パターンの像を投影レンズを用いてウェハ上に縮小投影
するもので、その露光装置においては、2次元的に移動
する移動ステージ(以下単に「ステージ」と称する。)
を一定量づつ歩進(ステッピング)させながら、縮小投
影を繰り返して行い、ウェハの全面に多数のパターンを
マトリックス状に転写する、いわゆるステップ・アンド
リピート法が用いられている。
この場合、1個のLSI等を製造するには、数層以上の
パターンがウェハ上に順次重ね合わされて形成されるの
で、異なる眉間のパターンの重ね合わせ誤差(回転を含
む位置ずれ)を一定値以下にしなければ、層間の導電ま
たは絶縁状態が意図するものにならず、LSI等は機能
を果し得なくなる。例えば、1μmの最小線幅の回路に
対しては、せいぜい0.2μm程度までの位置ずれしか
許されない。
そのため、この種の露光装置には、ウェハ上に転写形成
されたアライメントマークを光電的に検出してウェハと
投影像との位置合わせを行う、いわゆるファインアライ
メント光学装置が組み込まれている。
しかし、このファインアライメント光学装置は、゛アラ
イメントマークを照射するスポット光の投射範囲が極め
て狭いため、そのスポット光の投射光軸近傍にアライメ
ントマークが無いときは、ウェハを大きく移動して広い
領域をサーチしなければならず、アライメントマークの
サーチに多くの時間を要する。このサーチ時間を短縮す
るためには、ウェハがステージに載置されたときに、ウ
ェハのアライメントマークがファインアライメント光学
装置の少なくとも視野(検出領域)内に無ければならな
い。そのため、ウェハの搬送途中に設置されたプリアラ
イメント装置を用いて搬送装置に対する位置規正(回転
方向を含む。)を行い、さらにステージ上に載置したと
きに、ステージ側において再びウェハの直線的切欠き(
以下「フラット」と称する。)を基準としてプリアライ
メントを行う位置決め装置が、例えば特開昭60−23
9024号公報によって開示され、既に公知である。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記従来公知の位置決め装置は、ステー
ジ上のウェハホルダーのウェハ載置面から突出して、ウ
ェハのフラットおよび外周面と接触可能な複数個のロー
ラが設けられ、ウェハホルダーに載置されたウェハが、
そのローラによって、ステージに対して位置決め(フラ
ットの方向を含む)されるように構成されている。その
ため、ウェハに接触するローラやそのローラを移動させ
るローラ移動手段のように、位置ずれ補正のための専用
の装置を設けなければならず、ステージの構成が複雑な
ものとなる。そのうえ、ウェハの搬入、顕出の際には、
突出したローラ部分を回避してウェハを移動しなければ
ならず、搬送手段の動きにも特別な配慮がなされなけれ
ばならない。また、ローラによる機械的補正の代りに、
ステージ上に多数の光電検出装置を設け、これによりウ
ェハの位置およびフラットの方向を検出することも考え
られるが、ウェハホルダーの周囲に多数の専用の光電検
出装置を設けなければならず、露光装置がさらに複雑な
構成のものとなる欠点が有る。
本発明は、上記のようにステージ例に特別な位置決めの
装置を設けること無く、極めて正確にウェハのアライメ
ントを行うことができる新規なプリアライメント方式を
提供することを目的とする。
〔発明の構成〕
(問題点を解決する為の手段) 上記の目的を達成するために本発明においては、(1)
、先ず、公知のプリアライメント装置によってウェハの
位置とフラットの方向とが規正されたウェハを2次元移
動可能なステージヘ搬送して、フラットの方向がステー
ジの一方の移動方向Xにほぼ平行するようにそのウェハ
をステージ上に載置し、(2)、次に、ステージと共に
そのウェハを移動して、露光装置に設けられた露光位置
検出装置から、例えば露光用の投影レンズを介して投射
される光スポットをもって、X方向に互に離れた少なく
ともフラット上の2点をそれぞれy方向に走査する。(
3)、走査されたそれぞれの2点から発する光情軸を前
記の露光位置検出装置で検出して、ステージの移動方向
Xに対するフラットの回転偏位角を求め、(4)、次に
、その回転偏位角だけウェハを偏位方向とは逆方向に回
転させる。
以上のステップによって、ステージ上でのウェハのプリ
アライメントを行うことを、本発明は技術的要点として
いるものである。
(作用) 上記のステップのうちの第1ステツプにおいて、ステー
ジ(8)上には従来装置のようなガイドやローラーのよ
うな突出部材が設けられていないので、ウェハ(7)の
載置は極めて容易である。しかし、ステージ(8)に載
置されたウェハ(7)は、搬送途中のプリアライメント
装置から搬送アームに受は渡される時と、その搬送アー
ムによってステージ(8)上に載置される時との2回の
受渡しの際に、ステージ(8)に対するフラット(F)
の位置およびステージ(8)の一方の移動方向(X)に
対するフラットの平行度が狂い、ウェハ毎にその位置お
よび平行度はステージ(8)に対して不揃いとなる。こ
のように安定しない状態でのフラット(F)を基準とし
て第1層目の露光(ステップ・アンド・リピート露光)
を行うと、極端な不揃いの場合第2N目からは、ファイ
ンアライメント検出系によってウェハ上のアライメント
マークを検出することが困難となる。
そこで、ステージ(8)に載置されたウェハ(7)を再
びプリアライメントするために、第2ステツプにおいて
、例えば投影レンズを介して射出される露光位置検出装
置(21〜31)からの光スポット(LA)をもって、
フラット(F)をX方向に走査し、第3ステツプにおい
て、X方向に所定量線れた2点から発する光情報を検出
して、その2点のX方向の位置の差を求め、その位置の
差とX方向の離間距離とからX方向に対するフラット(
F)の回転偏位角を求める。このフラット(F)の位置
検出においては、ウェハ(7)の上面とステージ(ウェ
ハホルダー9を含む)の上面ととの間にはウェハ(7)
の厚みだけ大きい段差すなわち光スポット(LA)の焦
点深度よりもはるかに大きな段差が有り、光スポット(
LA)がフラット(F)と交差する際には、その境界(
フラットの端縁)において検出信号が明確に変化する。
従って、ウェハ(7)面上のパターンからの検出信号と
は明確に区別できる。しかも、そのフラットの位置を無
接触で、しかもファインアライメント用の露光位置検出
装置にて検出するのであるから、フラット(F)を傷付
けることも無く高い精度で位置検出が可能となる。従っ
て、この検出位置に基づいて行われる回転偏位角の検出
も高い精度で求めることができる。
次に、第4ステツプ(このステップは必ずしも必要では
ないが)において、その回転偏位角だけウェハ(7)を
偏位方向とは逆方向に回転して、フランl−(F)の方
向をステージ(8)の移動方向に合わせる。上記のプリ
アライメント方式の実施によって、第2N以降の露光に
対するファインアライメントの際、ウェハ上のアライメ
ントマークの検出を容易且迅速に行うことが可能となる
(実施例) 次に、本発明の実施例を添付の図面に基づいて詳しく説
明する。
第1図は、本発明の実施に好適な縮小投影型露光装置を
用いてプリアライメントを行っている状態を示す傾斜図
で、第2図は第1図の縮小投影型露光装置の構成を説明
するための概略構成図である。
第2図において、露光用光源1からの照明光は集光レン
ズ2、シャッタ3、コンデンサーレンズ4を介してレチ
クル(拡大回路パターンを有するマスク)5を均一に照
明する。照明されたレチクル5のパターン像は、投影レ
ンズ6によって、115乃至1/10に縮小されてウェ
ハ7上に投影される。ウェハ7は、x、X方向に移動可
能なステージ8に設けられ且つ回転および上下動可能な
ウェハホルダー9上に真空吸着されている。ウェハホル
ダー9は、第1図に示すように、ステージ8上に設けら
れた回転補正用駆動モーター10によって回転駆動され
る。また、ステージ8のX方向の移動は、第1図に示す
X方向駆動モーター11の駆動によって行われ、X方向
の移動は、X方向駆動モーター12の駆動によって行わ
れる。さらに、ステージ8の直交する2辺には、第1図
に示すように、反射面がX方向に伸びたミラー13と、
反射面がX方向に伸びたミラー14とがそれぞれ固設さ
れている。レーザー光波干渉測長器(以下単に「レーザ
ー干渉計」と略称する。)15は、ミラー14にレーザ
ー光を投射し、その反射光を受光してステージ8のX方
向の位置(または移動量)を検出し、レーザー干渉計1
6は、ミラー13にレーザー光を投射し、その反射光を
受光してステージ8のX方向の位置(または移動量)を
検出するように構成されている。
フランI−Fがステージ8の移動方向Xとほぼ平行する
ようにウェハホルダー9上に載置されたウェハ7の上面
には、レチクル5のパターンとアライメントマークとが
投影レンズ6を介して焼付けされて、第3図に示すよう
に、例えば第1層目の回路パターン(パターン露光領域
を方形C1、C2・・・・・・CI、にて示す。)がマ
トリックス状に整列して形成され、各パターン露光領域
外の周辺に回折格子パターン(第4図参照)の複数のア
ライメントマーク5YI1、SXl、およびGY、、G
a4が形成されている。各パターン露光領域C7の中心
P7からXおよびX方向に伸びたアライメントマーり5
YfiとSX、とは、後述の露光位置検出装置(21〜
31.41)にて検出され、アライメントマークS X
 +を挟んで設けられたアライメントマークGY、、、
Gθイは後述のグローバルアライメント検出系(51〜
64A、64B)にて検出される。
なお、レーザー干渉計15.16から出力されるステー
ジ8の位置信号は、主制御回路17に送られ、また、駆
動モーター11.12は、その主制御装置20からの制
御信号によって制御される。
なお、ウェハホルダー9を含むステージ8にR置される
ウェハ7は、搬送アーム18 (第1図参照)によって
、図示されないプリアライメント装置から搬送される。
次に、この縮小投影型露光装置に設けられた、ウェハ7
の位置合わせ(アライメント)のために投影レンズを通
してウェハ7上のアライメントマークsyn、sx、を
検出するTTL方式の露光位置検出装置(以下「ステッ
プ、アライメント検出系」と称する。)と、投影レンズ
6と並列に設けられた一対の対物レンズ61A、61B
を通してアライメントマークGY、 、Ga4を検出す
るオフ・アクシス方式のグローバル・アライメント検出
系との両ファインアライメント検出系の構成について詳
しく説明する。
TTL方式のステップ・アライメント検出系には、ウェ
ハ7上の感光層を感光させない波長の光が用いられ、そ
のレーザー光源21からのレーザー光束は、第1図およ
び第2図に示すように、ビームイクスパンダー22、シ
リンドリカルレンズ23を通過した後、ビームスプリッ
タ−24によって互いに直交する2光束に分割される。
分割された一方の光束は、反射鏡25A、半透過鏡26
A、集光レンズ27A、反射鏡28Aを介して、視野絞
り29Aの位置にX方向に長く伸びた楕円形光スポット
を結ぶ。さらに、視野絞り29Aを通過したレーザー光
束は、反射鏡30Aにて反射されて、投影レンズ6の瞳
6P(第2図参照)を通り、ウェハ7上にX方向に長く
伸びた楕円形の光スポットLAとして第4図に示すよう
に再結像される。ウェハ7からの光スポットLAの反射
光(正反射光、乱反射光、回折光を含む。)は、投影レ
ンズ6に逆入射して、反射鏡30A、視野絞り29A、
反射鏡28A、集光レンズ27Aを通り、半透過鏡26
Aにて反射されて、後で詳しく述べられる光電検出部3
1に入射する。なお、反射鏡25A乃至30Aおよび光
電検出部31をもってTTL方式によるX方向のステッ
プ・アライメント検出系を構成する。
また、ビームスプリッタ−24によって分割された他方
のレーザー光束は、第1図に示すように、反射tj12
5B、半透過鏡26B、集光レンズ27B、反射鏡28
Bを介して、視野絞り29Bの位置にX方向に長く伸び
た楕円形の光スポットを結び、この視野絞り29Bを通
過したレーザー光束は、反射鏡30Bにて反射された後
、投影レンズ6の瞳6P(第2図参照)を通り、X方向
に長く伸びた楕円形の光スポットLBとしてウェハ7と
同一の面上に投射される。この光スポラ)LBによるウ
ェハ7からの反射光(正反射光、散乱光、回折光等を含
む)は、投影レンズ6に逆入射し、反射鏡30B、視野
絞り29B、反射鏡28B、集光レンズ27Bを通り、
半透過鏡26Bにて反射された後、光電検出部用と同様
に構成された光電検出部41に入射する。なお、反射鏡
25B乃至30Bおよび光電検出部41をもって、TT
L方式によるX方向のステップ・アライメント検出系が
構成される。
双方の光電検出部31.41から出力される検出信号は
主制御装置17に送られ、レーザー干渉計15.16か
らの位置信号と協同して、アライメントマークSYn、
SX、によるウェハ7上の露光位置のアライメントのた
めに使われる。
次に、TTL方式のステップ・アライメント検出系に並
設されたオフ・アクシス方式のグローバル・アライメン
ト検出系について説明する。
オフ・アクシス方式のグローバル・アライメント検出系
に用いられるレーザー光源51にも、ウェハ7上の感光
剤が感光しない波長の光を発振するものが使用される。
レーザー光源51からのレーザー光束は、ビーム・イク
スパンダー52、シリンドリカルレンズ53、ガルバノ
ミラ−54、集光レンズ55を介して、視野絞り56の
位置に第2図に示すように上下に伸びた楕円形の光スポ
ットを結像する。この光スポットは、ガルバノミラ−5
4の回転振動に従って、紙面に垂直な方向(y方向)に
単振動する。
視野絞り56の位置に集束されたレーザー光は、レンズ
57により平行光束となり、ビームスプリッタ58によ
って2光束に分割され、分割された一方の光束は反射鏡
59、半透過鏡60Aを介して第1対物レンズ61Aに
入射し、第1対物レンズ61AはX方向に伸びた楕円形
の光スポットLYをウェハ7上に形成する。また、ビー
ムスプリッタ58にて分割された他方の光束は、半透過
鏡60Bを介して第2対物レンズ61Bに入射し、第2
対物レンズ61BもX方向に伸びた楕円形の光スポラl
−Lθをウェハ7上に形成する。この両光スポットLY
、Lθは共に、ガルバノミラ−54の回転振動に応じて
第2図中で紙面に垂直なy方向に単振動する。光スポラ
)LYSLθによるウェハ7からの反射光(正反射光、
散乱光、回折光等)は、それぞれ半透過鏡60A、60
Bを透過した後、空間フィルター62A、62Bに達し
、必要な散乱光や回折光が選択され、それぞれ集光レン
ズ63A、63Bを介して光電検出器64A564Bの
受光面に集光される。この光電検出器64A、64Bは
、後で述べられるウェハ7上のマーク(例えばGY7 
、Ga4゜)からの回折光の光量に応じた光電信号を出
力する。なお、半透過鏡60A、第1対物レンズ61A
、空間フィルター62A、集光レンズ63Aおよび光電
検出器64Aをもってグローバル・Yアライメント検出
系が構成され、半透過鏡60B、第2対物レンズ61B
1空間フィルター62B1集光レンズ63Bおよび光電
検出器64Bをもってクローバル・θアライメント検出
系が構成される。その光電検出器64A、64Bの検出
信号は、共に主制御■装置17(第1図参照)に送られ
る。
第5図は上記のTTL方式のステップ・アライメント検
出系による光スポットLAおよびLBと、オフ・アクシ
ス方式のグローバル・アライメント検出系によって形成
される光スポラI−LYおよびLBの位置関係を示す平
面図である。第5図において、光軸AXを原点とする座
標xyを定めると、X軸とy軸とはそれぞれステージ8
の移動方向を表わす。光軸AXを中心とする円形破線の
領域は、投影レンズ6のイメージ、フィールドifを示
し、その内側の方形破線の領域は、レチクル5の有効パ
ターン領域の投影像Prを示す。光スポラ)LASLB
は、イメージ・フィールドif内で投影像Prの外側に
位置し、LAはX軸に一致し、LBはy軸に一致するよ
うに形成されている。
一方、光スポラ)LY、LBの振動中心は、X軸からy
方向に距離Y0だけ離れた、X軸に平行な線11と一致
し、且つそのX方向の間隔DXがウェハ7の直径より小
さい値になるように定められている。また、両光スポッ
トLY、Lθは、y軸に対して左右対称になるように配
置され、主制御装置17 (第1図参照)は、光軸AX
の投影点に対する光スポットLY、Lθの位置に関する
情報を記憶している。さらに、主制御装置20は、光軸
AXの投影点に対する光スポラ)LAのX方向の中心位
置(距離X、)と、光スポラ)LBのX方向の中心位置
(距離y+)に関する情報も記憶している。従って、こ
れ等の光スポットLY。
LθおよびLA、LBにて、ウェハ7上のアライメント
マークを走査してその位置を検出すれば、投影光軸Ax
のウェハ(7)上の位置を求めることができる。
第6図は、TTL方式のステップ・アライメント検出系
の光電検出部31.41の一例を示す具体的構成図であ
る。両光霜検出部31.41は共に同一構成のものであ
るから、ここでは一方の光電検出部31のみを示す。半
透過鏡26Aで反射されたウェハ7からの光は、ビーム
スプリッタ−70にて2つに分割され、分割された一方
の光は、投影レンズ6の瞳と共役な位置に配置された空
間フィルター71に入射し、その空間フィルター71に
より散乱光D0のみが開ロアLa(71b)にて抽出さ
れ、集光レンズ72を介して光電素子73の受光面に集
光される。ビームスプリッタ−70で分割された他方の
光は、投影レンズ6の瞳6Pと共役な位置に設けられた
空間フィルター74に達し、ここで、回折光±Dのみが
開ロア4a、74bを介して抽出され、その回折光±D
は2つの反射面75a、75bでそれぞれ反射され、一
方の回折光+Dは集光レンズ76aを介して光電素子?
?aの受光面上に集光される。また、他方の回折光−D
!集光レしズ76bを介して光電素子77bの受光面上
に集光される。
第7図および第8図は、それぞれ空間フィルター71と
74の形状を示す平面図である。第7図において、空間
フィルター71の中心部にはウェハ7上の光スポラ1−
LAと直交する方向に長く伸びた正反射光LR(破線に
て示す。)を遮断し、その正反射光LRの長(伸びた方
向の外側に、散乱光D0を透過させる開ロア1a、71
bが設けらている。この開ロア1a、71bは正反射光
LRを挟んで対称的に配置されている。本実施例ではこ
の空間フィルター71によって、ウェハ7上の光スポッ
トLAがフラットFの端縁に投射されたときに発生する
乱反射光の抽出、および光スポラ)LBがウェハ7の左
右外周端縁に投射されたときに発生する乱反射光の抽出
が行なわれる。
従って、光電素子73から、ウェハ7のフラットFの端
縁の検出信号とウェハ7の左右外周端縁の検出信号との
雨検出信号SCが主制御装置17に送られる。
一方、第8図に示す空間フィルター64も中心部は正反
射光LRを遮断し、その正反射光LRを挟んでその正反
射光LRの長手方向に直交する方向に対称的な2個の開
ロア4a、74bが設けられ、この開ロア4a、74b
を回折光±Dが通過するように構成されている。この開
ロア4a、74bは、光スポットLA、LBがそれぞれ
アライメントマークSY、l、5Xfiに投射されたと
きに発生する例えば第3次までの回折光を受は入れるよ
うに、その形状、大きさが定められている。従って、光
電素子77a、77bから、ウェハ7上のアライメント
マークSYl、、SX、、をそれぞれ検出したとき出力
される検出信号SA、SBが主制御装置17に送られる
次に、光電素子73.77a、77bからの各光電信号
SA、SB、SCを入力する処理回路の一例を第9図に
より説明する。この処理回路は主制御装置17に設けら
れたマイクロコンピュータやミニコンピユータ等の演算
処理部と協同して、ウェハ7上のアライメントマークS
Y、 、SX。
(第3図参照)の位置の検出およびウェハ7の位置、特
にフラットFの位置およびステージ8の移動方向に対す
る回転偏位角を検出する。
第6図中で、光電素子77aから出力される光電信号S
Aは、第9図において、所定の増幅率を有するプリアン
プ80によって増幅された後、利得制御アンプ(以下r
AGcJと称する。)81に入力する。AGC81は、
予めセットされた利得で入力信号のレベルを調整して信
号S A +を出力する。一方、光電素子77bから出
力される光電信号SBは、同様にプリアンプ82、AG
C83によって信号SB、に変換される。加算回路84
は、2つの信号SA、 、SB、をアナログ的に加算し
た信号SDを出力し、この信号SDをアナログ−デジタ
ル変換器(以下rADCJと称する。
)85はサンプリングして、その大きさくレベル)に対
応したデジタル値に変換する。ランダム、アクセス、メ
モリ回路(以下単にrRAMJと称する。)86はAD
C85でサンプリングされたデジタル値を指定された番
地(アドレス)に記憶する。ADC85のサンプリング
とRAM86のアドレス指定は、共にレーザー干渉計1
5 (または16)のパルス信号SPによって行われる
。このパルス信号SPは、ステージ8がX(またはy)
方向に単位量(例えば0.02μm)移動するたびに1
パルスとなるようなパルス列であり、その1パルスに応
答してADC85の1回のサンプリングが行われ、RA
M86のアドレスが1つだけ更新される。
また一方、第6図中で光電素子73から出力される光電
信号SCは、第9図においてプリアンプ87、によって
増幅された後、AGC87によって予めセントされた利
得でレベルが調整される。
そのレベルが調整された信号S C+ は、ADC89
によってサンプリングされた後、RAM90にアドレス
順に記憶される。ADC89のサンプリングとRAM9
0のアドレスの更新も、レーザー干渉計15(または1
6)からのパルス信号SPのパルスに応答して行われる
マイクロコンピュータやミニコンピユータ等の演算処理
部(以下rCPUJと称する。)100は、RAM86
、または90からのデジタル情報(波形情報)およびレ
ーザー干渉計15(または16)で読み取ったステージ
8のy(またはX)方向の信号情報を入力して、アライ
メントマークSY7、SX、、の位置およびウェハ7の
ステージ8に対するフラットFの位置と回転偏位角の演
算処理をソフトウェアにより実行する。
次に、ウェハ7のアライメント動作について第10図の
フローチャートに基づいて詳しく説明する。
ウェハ7の搬送途中に設けられた不図示のプリアライメ
ント装置によって、フラットFの向きと位置とが規正さ
れたウェハ7は、搬送アーム18によってプリアライメ
ント装置から搬出され、露光装置のステージ8のウェハ
ホルダー9上に載置(ローディング)される(ステップ
1o1)。この場合ステージ8は、ウェハ7を載置し易
いように投影レンズ6の直下からy方向の所定位置まで
引き出される。しかし、載置されたウェハ7は、必ずし
もフラットFの方向がステージ8の一方の移動方向又と
平行で且つ所定の位置に正確に置かれるとは限らない。
そこで、フラットFの方向をステージ8の移動方向Xに
合わせるために、ステップ・アライメント検出系を用い
、投影レンズ6を介して投射される光スポットLAによ
るフラットFの方向合わせ(Δθアライメント)が、ウ
ェハ7のy方向のアライメントとともに行われる(ステ
ップ102)。
このステップ102において、ウェハ7はステージ8に
載せられて投影レンズ6の直下に送り込まれ、さらに、
フランl−Fが第1図に示すように光スポットLAによ
って照射される位置までy方向に移動され、このウェハ
7のy方向の移動により例えばフラットFの右端部が光
スポットLAによって走査される。その際、ウェハ7の
上面とステージ8 (ウェハホルダー9を含む)の上面
との間には、ウェハ7の厚さだけの段差があるため、光
スポットLAはフラットFの端8! (境界)からウェ
ハ外に出すとデフォーカス状態となり、そのフラットF
の端縁において発する光情報(正反射光、散乱光等)に
明確な変化が生じる。フラットFから発する散乱光およ
び正反射光は、投射レンズ6に入射して、照射光の往路
を逆光し、半透過鏡26Aにて反射された後、光電検出
部31に達するそのうちの散乱光は、第6図に示すよう
に、ビームスプリッタ70にて反射された後、散乱光用
の空間フィルター71によって抽出される。抽出された
散乱光は、光電素子73の受光面に達し、光電変換され
て、散乱光の光量に応じた信号が光電素子73から出力
される。この場合、その出力信号は光スポットLAがフ
ラットFと一致したときに最大となる。その最大出力信
号に対応するステージ8のX方向の位置は、レーザー干
渉計15のパルス信号でサンプリングされて、RAM9
0(第9図参照)に記憶された波形をCPUI OOが
演算処理することによって検出される。CPU100は
そのX方向の位置をステージ8のX方向の位置とともに
記憶する。
次に、ウェハ7をステージ8と共に第11図に示す如く
X方向に所定距離lXだけ移動した後再びX方向に移動
して、光スポットLAによってフラットFの左端部をX
方向に走査する。この走査によって、フラン)Fから発
生した散乱光は再び光電素子73によって検出され、そ
のときのステージ8のX方向の位置とX方向の位置とが
CPU100に記憶される。このCPUI OOに記憶
されたフラットFの左端と右端とのX方向の位置の差Δ
y(!:x方向の所定距離!!、とから、CPUl00
はフラットFのX方向に対する回転偏位角Δθを算出し
、Δθの値が所定の誤差範囲以上のときはモーター10
を制御して角Δθでけ、逆方向にウェハホルダー9を回
転させる。この回転によりフラットFはステージ8の移
動方向Xと平行となる。なお、フラットFのX方向の位
置の差Δyの正負の符号によって、ウェハ7の回転方向
が決められる。また、この際、ウェハ7の回転駆動中心
が予めわかっている場合、回転後の光スポットLAに対
するフラットFの中心点のX方向位置はCPU100の
演算により容易に予測でき、ウェハ7のX方向のアライ
メントも完了することになる。一般的にはこれで十分で
あるが、フラットFの回転方向の修正が完了した後、確
認のためにステージBを再度X方向に動かして、光スポ
ットLAの中心位置とフラットFとが一致するようなス
テージ8のX方向位置を求めてもよい。(ステップ10
3)。このステップ103は必要に応じて実行され、省
略してもかまわない。次に、ステージ8を第12図に示
すようにX方向に所定量2゜たけ移動した後、さらにX
方向に移動して、光スポ−/ ) L Bによりウェハ
7の円周端縁を第12図に示す如くX方向に走査し、そ
の円周の両端縁7aと7bのX方向位置をレーザー干渉
計16とRAM90に記憶された波形とに基づいて検出
し、その両端縁7a、7bの間隔dxの中点7Cを求め
る。この中心点7CからX方向に所定距離1yだけ戻せ
ば、フラットFの中点F6のX方向の位置(すなわちウ
ェハ7のX方向の位置)がフラットFのX方向の位置と
共に求められる(ステップ104)。
上記の如くしてフラットFの位置(ウェハ7のステージ
座標系における位置)が決定されると、次にウェハ7に
第1層目が露光されるのか否かが判断される。この場合
、例えばレチクル5に設けられたバーコードを読み取っ
た信号により、レチクル5が第1層目用のものであると
きは、ステップ106に進み、レチクル5が第2N目あ
るいはそれ以上の層に用いられるものある場合には、ス
テップ201に進む。
ウェハ7が第1層目の場合には、ウェハ7はフランI−
Fを基準として、直ちにxyX方向所定量移動され、第
3図中の露光域C1の中心P、が投影光軸AX上にもた
らされた後、直ちに露光され、公知のステップ・アンド
・リピート露光によって第3図に示すようなマトリック
ス状にパターンが焼き付けられる(ステップ106)。
この場合、先のステップ102〜104で求めたウェハ
位置を基準にして、ステップ・アンド・リピートのステ
ッピング位置を補正するようにしてもよい。尚、この焼
付けの際、アライメントマークSX、、SY7、GY、
1、Gθ。も同時に焼き付けられる。
ステップ・アンド・リピート露光が完了すると、ウェハ
7はステージ11のウェハホルダー9から露光装置外へ
搬送(アンローディング)される(ステップ107)。
ウェハホルダー9からウェハ7が取り除かれると、所定
のウェハ数Nが全部搬出されたかどうかが判断され、ま
た第1層目を露光すべきウェハが残っている場合には、
再びステップ101のウェハローディングが行われ、ス
テップ107までの作業が繰り返えされる。ステップ1
08において第1N目の露光を終了して搬出されたウェ
ハ7が所定数Nに達すると、ステップ101からステッ
プ108までのルーチン、ワークは停止する。
一方、ステップ105において、ウェハ7は少なくとも
第1層目が焼付けられている場合には、ステップ101
からステップ104までの、ステージ8上でのプリアラ
イメントによる位置合せを、更に精密に行うために、グ
ローバル・アライメント検出系によるグローバル・アラ
イメントが行われる。そのため、先ずステージ8はX方
向に所定量移動される(ステップ201)。
ここで、オフ・アクシス方式のグローバル・アライメン
ト検出系によるアライメント(位置合わせ)ついて説明
する。このオフアクシス・アライメント検出系によるア
ライメント方式については既に公開された特開昭60−
137’ 42号公報によって公知であるから、ここで
は、検出方法の概略を説明するだけにとどめることにす
る。
このオフアクシス・アライメント検出系によってアライ
メントされるウェハ7には、第3図に示すように、アラ
イメントマーク、SY、、、SXn、GY、 、GI!
?、と、例えば第1N目の回路パターンとが既に形成さ
れている。このオフアクシス方式のアライメントにおい
ては、アライメントマークのX方向の距離がグローバル
・アライメント検出系の対物レンズ61Aと61Bとの
間隔Dx(第5図参照)にほぼ等しいもの、例えば、第
3図中でGY?とGθ、。とが選ばれる。この場合、そ
のアライメントマークGY、 、Ga4゜のすぐ近くに
はICパターンが位置しているので、プリアライメント
によって数10μm以内の精度にアライメントしないと
、ICパターンからの散乱光による雑音が検出信号に混
入し、あるいはICパターンの一部をアライメントマー
クと誤認することになり、誤検出する恐れが有る。しか
し、上記のステップ・アライメント検出系によって既に
フラットFの回転ずれがほぼ修正され、またフラットF
のX方向の位置及びウェハ全体の位置が求められている
ので、アライメントマークのX系座標上の位置は必要な
精度内で予測できる。従って、ステップ201において
目的のアライメントマーク(例えばGY7、Ga4゜)
を対物レンズ61A。
61Bから投射される光スポットLY1Lθに近接する
位置までステージ8をX方向に直ちに移動させることが
できる。
ここで、僅かではあるが、グローバル・アライメント検
出系の対物レンズ61A、61Bからウニハフ上にそれ
ぞれ投射される光スポットLYとLθとを結ぶ線βI 
(ステージ8の移動方向Xに平行)に対して、アライメ
ントマークGY7、Gθ、。とを結ぶ線12が第13図
に示すようにX方向のずれと回転ずれ(角θ)を起して
いるものとする。ただしその回転ずれは先のステップ1
02により極めて小さく押さえられている。もちろんX
方向のずれもあるがここまでの段階においては光スポッ
トLY、LθとアライメントマークGY7、Go、0と
が共にX方向に細長いので、そのずれは成程度許される
この場合、ステージ8をX方向に微動させて、マークG
 Y ’rが光スポットLYの振動中心と一致するよう
にステージのX方向の駆動モーター12にサーボをかけ
つつ、マークGθ1゜が光スポットLθの振動中心と一
致するまでウェハホルダー9を微動回転させれば、マト
リックス状に配置された各露光領域C+ 、Cz・・・
・・・の並びの方向をステージ8の移動方向Xと一致さ
せることができる。
従って、各露光領域CI、C2、C1・・・・・・のす
べてに対して、それぞれアライメントマークGY。
、Gθ、が付されているが、そのうちの上記のような所
定の間隔位置に設けられた2個のアライメントマークG
Y7、Ga4゜のみを使用してX方向に対するθアライ
メントが行われ、同時にX方向のアライメント(X方向
のステージ位置の検出)も行われる。(ステップ202
゜) このY・θアライメントが完了したならば、次にステー
ジ8を移動させて、再びステップ・アライメント光学系
の光スポットLBを用いて、例えばウェハ7の中心付近
の特定のアライメントマークSX7の位置をステージ8
のX方向の走査によるレーザー干渉計16の位置情報と
RAM86に記憶された波形とに基づいて検出する(ス
テップ203)。これによってウェハ7のX方向、X方
向のグローバル・アライメントが完了したことになる。
グローバル・アライメントの後は、いくつかのアライメ
ントシーケンスが考えられるがここでは各ショット毎に
アライメントする方式を説明する。そして次にグローバ
ル・アライメントの結果に基づいてウェハ7は第1露光
位置CIへステージ8により移動される(ステップ20
4)。この場合、グローバル・アライメントが完了して
いることから、TTL方式のアライメント検出系のアラ
イメントサーチ領域内で、第1露光域CIに付随したア
ライメントマークSY1、sx、(743図参照)は十
分な精度で捕獲される。
ここで、X方向のステップ・アライメント検出系の光ス
ポットLBによってアライメントマークSXIが走査さ
れ(ステップ205)、X方向の位置が定められる。さ
らに、Y方向のステップ・アライメント検出系の光スポ
ットLAによってアライメントマークSY1が走査され
(ステップ206)、X方向の位置が定められ、結局第
1露光域C,の中心P1に露光光軸AX(第1図参照)
を一致させることができる。この位置合わせが完了する
と、直ちに第1露光域CIの露光(プリント)が行われ
る。次に、そのプリント数が所定数(第3図ではn=1
4)に達したか否かが判断される。もし、所定数nに達
しないときは、次の露光域にステッピング(ステップ2
09)された後、次の露光域のアライメントマークSX
2を走査するステップ205に戻され、(同様の)アラ
イメントが行われて、直ちにプリント(ステップ207
)され、ブンリト数が所定数nに達するまで、ステップ
205からステップ209までのステップ・アンド・リ
ピート露光動作が繰り返される。
ステップ208において、プンリト数が所定数nに達す
ると、ステップ107に以降し、ウェハ7は搬出され、
そのウェハ数が所定数Nに達したか否かが判断される(
ステップ108)。もし、所定数Nに達しない場合には
、新にウェハ7がステージに載置(ステップ101)さ
れ、前述のプリアライメントステップ(102〜104
)とファインアライメントステップ(201〜206)
とが繰り返される。ウェハ数が所定数Nに対すると、上
記の動作は停止される。
さて、上記のシーケンスにおいて、ステップ203でグ
ローバルアライメントの完了後、ウェハ7上のショット
配列の特定をさらに高精度に行ない、かつショット毎の
アライメントを不用にしてスループットを向上させるた
めに、特開昭61−44429号公報に開示された拡張
(エンハンスメント)グローバル・アライメントによる
露光を行なうこともできる。その場合、ウェハ7上の数
ショットに付随したマーク5Xfi、SY、lの位置を
光スポラ)LA、LBで検出し、統計的な手段に基づい
て、ウェハ7上の各ショットがともに最小の誤差で重ね
合わせ露光できるように、ステップ・アンド−・リピー
ト時の設計上のショット位置を修正し、この修正された
ショット位置に基づいてステージ8をステッピングさせ
ればよい。従って第10図のステップ203の後でエン
ハンスメント・グローバル・アライメントのためのマー
ク位置計測とショット配列の修正(演算)とが実行され
、その後、修正されたショット配列データに基づいて、
ステップ106が実行されるように変更すればよい。
また、本発明の露光位置検出装置としては、オフアクシ
ス方式のグローバル・アライメント系を用いることもで
きる。第2図に示したように、本実施例では2本のグロ
ーバル・アライメント系しかないが、ざらにX方向のア
ライメントマークを検出するオフアクシス方式のアライ
メント系を設けておけば、これらX方向とX方向のオフ
アクシス方式のグローバル・アライメント系で、第10
図に示したアライメントシーケンスと同様のシーケンス
がただちに実行できる。
また、実施例では、ファインアライメント系が備えてい
る光電素子により、ウェハ嬶部からの光情報を検出した
が、これに限らず別に専用の光電素子を設けてもよい。
さらにウェハ端部からの光情報として正反射光の光量変
化を検出してもよい。
〔発明の効果〕
以上の如く本発明によれば、露光位置検出装置から投射
される光スポットをもってフラットの位置を検出してプ
リアライメントを行なうようにしたので、ファインアラ
イメントとプリアライメントとが同一のアライメント検
出系によって行なうことができ、ステージにプリアライ
メント装置を設ける必要が無いことはもちろん、ウェハ
の搬送を容易、迅速に行うようにすることが可能となる
さらに、本来サブミクロン以下の精度でのアライメント
を行う能力を有するファインアライメント系を用いて、
プリアライメントを行うので、そのプリアライメントの
精度も充分信頼の置けるものとなり、後に続くファイン
アライメントを迅速に行わせることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す斜視図で第2図は、第1
図の実施例を組み込んだ縮小投影型露光装置の構成図、
第3図は第2図の縮小投影型露光装置によってウェハの
第1層目にマトリックス状に露光焼付けされたパターン
とアライメントマークとを示すウェハの平面図、第4図
は、第3図のアライメントマークとこれを走査する光ス
ポットとの形状を示す平面図、第5図は、第1図に示す
ステップ・アライメント検出系とグローバル・アライメ
ント検出系ととの各検出中心の位置関係を示す平面図、
第6図は、第1図に示すステップ・アライメント検出系
の光電検出部の具体的構成を示す配置図、第7図は、第
6図の示す散乱光用空間フィルターの平面図、第8図は
、第6図に示す回折光用空間フィルターの平面図、第9
図は、ステップ・アライメント検出系の信号処理回路の
具体的構成を示す回路ブロック図、第10図は、プリア
ライメントとファインアライメントとの手順を示す流れ
線図、第11図は、プリアライメントにおいて、フラッ
トの回転偏位角Δθを求めるための説明図、第12図は
、プリアライメントにおいてフラットの中心位置(X方
向位置)を求めるための説明図、第13図は、グローバ
ル・アライメント検出系による回転角θを求めるための
説明図である。 (主要部分の符号の説明)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 外部のプリアライメント装置によってウェハの位置とフ
    ラットの方向とが規正されたウェハを2次元移動可能な
    ステージヘ搬送して、前記フラットの方向が前記ステー
    ジの一方の移動方向xにほぼ平行するように前記ステー
    ジ上に載置し;前記ステージと共に前記ウェハを移動し
    て、前記ウェハヘの露光に先立って、ウェハ上に予め形
    成されたパターンを検出するためのパターン検出装置か
    ら投射される光スポットをもって前記フラット上のx方
    向に互いに離れた少なくとも2点をそれぞれy方向に走
    査し;走査されたそれぞれの前記2点で生ずる光情報の
    変化を前記パターン検出装置によって、検出して前記ス
    テージの移動方向xに対する前記フラットの回転偏位量
    を求め;該回転偏位量が許容範囲以上のときは前記ウェ
    ハを偏位方向とは逆方向に回転させて、前記ウェハを前
    記ステージ上に位置合わせすることを特徴とするウェハ
    のプリアライメント方式。
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