JP2001143991A - 面位置検出装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
面位置検出装置およびデバイス製造方法Info
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- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 より短時間で精確に面位置検出を行うことが
できるようにする。 【解決手段】 光照射により面位置を検出するための光
学式検出系１５、１６と、静電容量により面位置を検出
するための静電容量センサ２６と、被検出面についての
光学式検出系および静電容量センサによる面位置検出結
果に関する情報を記憶する記憶手段２４とを備える。静
電容量センサによる面位置検出の際には、静電容量セン
サを被検出面の垂直方向に移動させて被検出面の近傍に
位置させる。
できるようにする。 【解決手段】 光照射により面位置を検出するための光
学式検出系１５、１６と、静電容量により面位置を検出
するための静電容量センサ２６と、被検出面についての
光学式検出系および静電容量センサによる面位置検出結
果に関する情報を記憶する記憶手段２４とを備える。静
電容量センサによる面位置検出の際には、静電容量セン
サを被検出面の垂直方向に移動させて被検出面の近傍に
位置させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は自動焦点合せ装置等
の面位置検出装置およびそれを用いることができるデバ
イス製造方法に関し、特に半導体デバイス製造用の露光
装置において、ウエハステージ上に載置された半導体ウ
エハの各被露光領域を、投影光学系の焦平面に合焦せし
める際に好適な面位置検出装置およびそれを用いること
ができるデバイス製造方法に関する。
の面位置検出装置およびそれを用いることができるデバ
イス製造方法に関し、特に半導体デバイス製造用の露光
装置において、ウエハステージ上に載置された半導体ウ
エハの各被露光領域を、投影光学系の焦平面に合焦せし
める際に好適な面位置検出装置およびそれを用いること
ができるデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超ＬＳＩの高集積化に応じて回路
パターンの微細化が進んでおり、これに伴なって投影レ
ンズ系はより高ＮＡ化され、これに伴ない回路パターン
の転写工程におけるレンズ系の許容焦点深度がより狭く
なってきている。また、投影レンズ系により露光すべき
被露光領域の大きさも大型化される傾向にある。このよ
うなことにより、大型化された被露光領域全体に亘って
良好な回路パターンの転写を可能にするためには、投影
レンズ系の許容焦点深度内に確実に、ウエハの被露光領
域（ショット）全体を位置付ける必要がある。これを達
成するためには、投影レンズ系の焦平面、すなわちレチ
クルの回路パターン像がフォーカスする平面に対するウ
エハ表面の位置と傾きを高精度に検出し、ウエハ表面の
位置や傾きを調整してやることが重要となってくる。
パターンの微細化が進んでおり、これに伴なって投影レ
ンズ系はより高ＮＡ化され、これに伴ない回路パターン
の転写工程におけるレンズ系の許容焦点深度がより狭く
なってきている。また、投影レンズ系により露光すべき
被露光領域の大きさも大型化される傾向にある。このよ
うなことにより、大型化された被露光領域全体に亘って
良好な回路パターンの転写を可能にするためには、投影
レンズ系の許容焦点深度内に確実に、ウエハの被露光領
域（ショット）全体を位置付ける必要がある。これを達
成するためには、投影レンズ系の焦平面、すなわちレチ
クルの回路パターン像がフォーカスする平面に対するウ
エハ表面の位置と傾きを高精度に検出し、ウエハ表面の
位置や傾きを調整してやることが重要となってくる。
【０００３】露光装置におけるウエハ表面の面位置の検
出方法としては、エアマイクロセンサを用いてウエハ表
面の複数箇所の面位置を検出し、その結果に基づいてウ
エハ表面の位置を求める方法や、ウエハ表面に光束を斜
め方向から入射させ、ウエハ表面からの反射光の反射点
の位置ずれをセンサ上への反射光の位置ずれとして検出
する光投射式の光学式検出系（斜入射光学系）を用いて
ウエハ表面の面位置を検出する方法等が知られている。
出方法としては、エアマイクロセンサを用いてウエハ表
面の複数箇所の面位置を検出し、その結果に基づいてウ
エハ表面の位置を求める方法や、ウエハ表面に光束を斜
め方向から入射させ、ウエハ表面からの反射光の反射点
の位置ずれをセンサ上への反射光の位置ずれとして検出
する光投射式の光学式検出系（斜入射光学系）を用いて
ウエハ表面の面位置を検出する方法等が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら一般に、
光学式検出系に使用されるＣＣＤセンサは光蓄積時間を
必要とし、データを読み出すのにも時間がかかる。その
ため、露光装置のスループット向上に伴って必要とされ
る検出時間の短縮化が困難になりつつある。
光学式検出系に使用されるＣＣＤセンサは光蓄積時間を
必要とし、データを読み出すのにも時間がかかる。その
ため、露光装置のスループット向上に伴って必要とされ
る検出時間の短縮化が困難になりつつある。
【０００５】また、静電容量センサは、センサ面とアー
スされた金属や半導体面間の静電容量から距離を高速に
測定可能であるが、以下のような問題点がある。静電容
量センサの距離精度（直線性）は、測定範囲と相反する
関係にある。すなわち、精度の良い静電容量センサは測
定範囲が狭いため、測定対象に近接して配置する必要に
迫られる。そのため、ウエハ搬入時のトラブルなどにお
いてセンサと接触し、センサやウエハを破損する可能性
がある。また、距離精度が得られる静電容量センサで
は、装置が必要十分とする測定範囲を満たせないことも
ある。
スされた金属や半導体面間の静電容量から距離を高速に
測定可能であるが、以下のような問題点がある。静電容
量センサの距離精度（直線性）は、測定範囲と相反する
関係にある。すなわち、精度の良い静電容量センサは測
定範囲が狭いため、測定対象に近接して配置する必要に
迫られる。そのため、ウエハ搬入時のトラブルなどにお
いてセンサと接触し、センサやウエハを破損する可能性
がある。また、距離精度が得られる静電容量センサで
は、装置が必要十分とする測定範囲を満たせないことも
ある。
【０００６】さらには以下のような問題点もある。静電
容量センサは、センサと半導体間の距離、センサ面積、
および間の空気の誘電率によって一意的に決定される容
量の変化により距離測定を行うものである。しかしなが
ら、加工を経たウエハは、表面に絶縁層や配線層などの
複数の層が積層されているため、これらの誘電率からな
る静電容量が付加される。このため、静電容量センサで
は表面までの距離を正確に測定するのは困難である。
容量センサは、センサと半導体間の距離、センサ面積、
および間の空気の誘電率によって一意的に決定される容
量の変化により距離測定を行うものである。しかしなが
ら、加工を経たウエハは、表面に絶縁層や配線層などの
複数の層が積層されているため、これらの誘電率からな
る静電容量が付加される。このため、静電容量センサで
は表面までの距離を正確に測定するのは困難である。
【０００７】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑み、面位置検出装置およびデバイス製造方法におい
て、より短時間で精確に面位置検出を行うことができる
ようにすることを課題とする。さらにはウエハとの接触
事故等を防止することを課題とする。
鑑み、面位置検出装置およびデバイス製造方法におい
て、より短時間で精確に面位置検出を行うことができる
ようにすることを課題とする。さらにはウエハとの接触
事故等を防止することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、本発明の第１の面位置検出装置は、光照射によ
り面位置を検出するための光学式検出系と、静電容量に
より面位置を検出するための静電容量センサと、被検出
面についての前記光学式検出系および静電容量センサに
よる面位置検出結果に関する情報を記憶する記憶手段と
を具備することを特徴とする。
るため、本発明の第１の面位置検出装置は、光照射によ
り面位置を検出するための光学式検出系と、静電容量に
より面位置を検出するための静電容量センサと、被検出
面についての前記光学式検出系および静電容量センサに
よる面位置検出結果に関する情報を記憶する記憶手段と
を具備することを特徴とする。
【０００９】第２の面位置検出装置は、第１の面位置検
出装置において、前記記憶手段は、被検出面についての
前記光学式検出系と静電容量センサによる同一点につい
ての面位置検出結果に関する情報を記憶するものである
ことを特徴とする。
出装置において、前記記憶手段は、被検出面についての
前記光学式検出系と静電容量センサによる同一点につい
ての面位置検出結果に関する情報を記憶するものである
ことを特徴とする。
【００１０】第３の面位置検出装置は、第１または第２
の面位置検出装置において、前記静電容量センサによる
面位置検出の際に前記静電容量センサを前記被検出面の
垂直方向に移動させて前記被検出面の近傍に位置させる
手段を有することを特徴とする。
の面位置検出装置において、前記静電容量センサによる
面位置検出の際に前記静電容量センサを前記被検出面の
垂直方向に移動させて前記被検出面の近傍に位置させる
手段を有することを特徴とする。
【００１１】第４の面位置検出装置は、第１〜第３のい
ずれかの面位置検出装置であって、ウエハを露光する露
光装置に設けられ、パターンが形成された前記ウエハの
表面の面位置検出を行うものであることを特徴とする。
ずれかの面位置検出装置であって、ウエハを露光する露
光装置に設けられ、パターンが形成された前記ウエハの
表面の面位置検出を行うものであることを特徴とする。
【００１２】第５の面位置検出装置は、第４の面位置検
出装置において、前記面位置検出結果に関する情報を得
るための前記光学式検出系と静電容量センサによる面位
置検出を、露光時よりもより多数の点についてより低速
で走査しながら行う手段を有することを特徴とする。
出装置において、前記面位置検出結果に関する情報を得
るための前記光学式検出系と静電容量センサによる面位
置検出を、露光時よりもより多数の点についてより低速
で走査しながら行う手段を有することを特徴とする。
【００１３】そして第６の面位置検出装置は、第４また
は第５の面位置検出装置において、あるロットの先頭か
ら１枚または複数枚のウエハの表面について前記光学式
検出系および静電容量センサによる同一点での面位置検
出を行い、この面位置検出結果に関する情報を前記記憶
手段に記憶させ、前記ウエハに引き続く少なくとも前記
と同一のロット内のウエハに対して、前記記憶した情報
により補正を施しながら前記静電容量センサによる面位
置検出を行う制御手段を有することを特徴としている。
は第５の面位置検出装置において、あるロットの先頭か
ら１枚または複数枚のウエハの表面について前記光学式
検出系および静電容量センサによる同一点での面位置検
出を行い、この面位置検出結果に関する情報を前記記憶
手段に記憶させ、前記ウエハに引き続く少なくとも前記
と同一のロット内のウエハに対して、前記記憶した情報
により補正を施しながら前記静電容量センサによる面位
置検出を行う制御手段を有することを特徴としている。
【００１４】また、本発明のデバイス製造方法は、被露
光基板について光照射により面位置検出を行う工程と、
前記被露光基板について静電容量センサにより面位置検
出を行う工程と、前記光照射による面位置検出結果と静
電容量センサによる面位置検出結果に関する情報を記憶
する工程と、前記静電容量センサにより他の被露光基板
について面位置検出を行う工程と、この面位置検出結果
と前記記憶された情報とに基づいて前記他の被露光基板
の面を位置決めする工程と、この位置決めがなされた前
記他の被露光基板に露光を施す工程とを具備することを
特徴とする。
光基板について光照射により面位置検出を行う工程と、
前記被露光基板について静電容量センサにより面位置検
出を行う工程と、前記光照射による面位置検出結果と静
電容量センサによる面位置検出結果に関する情報を記憶
する工程と、前記静電容量センサにより他の被露光基板
について面位置検出を行う工程と、この面位置検出結果
と前記記憶された情報とに基づいて前記他の被露光基板
の面を位置決めする工程と、この位置決めがなされた前
記他の被露光基板に露光を施す工程とを具備することを
特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】これら本発明の構成において、具
体的に以下の実施形態では面位置検出に際しては、被検
出面についての光学式検出系および静電容量センサによ
る面位置検出結果に関する情報を予め得て記憶してお
き、実際の面位置検出に際しては、静電容量センサによ
り面位置検出を行い、この検出値に対して前記記憶して
ある情報に基づいて補正を施した値を精確な面位置検出
値として取得する。したがって、実際の面位置検出は静
電容量センサにより高速に行われるとともに、最終的に
得られる面位置検出値は、静電容量センサのみによる場
合に比べ、精確なものとなる。また、面位置検出を行う
際（例えば露光中）には、静電容量センサを被検出面の
近傍へ移動させて検出を行い、検出終了後には、静電容
量センサを再び接触の恐れのないところまで待避させる
ことにより、被検出面との接触事故等が防止されること
になる。
体的に以下の実施形態では面位置検出に際しては、被検
出面についての光学式検出系および静電容量センサによ
る面位置検出結果に関する情報を予め得て記憶してお
き、実際の面位置検出に際しては、静電容量センサによ
り面位置検出を行い、この検出値に対して前記記憶して
ある情報に基づいて補正を施した値を精確な面位置検出
値として取得する。したがって、実際の面位置検出は静
電容量センサにより高速に行われるとともに、最終的に
得られる面位置検出値は、静電容量センサのみによる場
合に比べ、精確なものとなる。また、面位置検出を行う
際（例えば露光中）には、静電容量センサを被検出面の
近傍へ移動させて検出を行い、検出終了後には、静電容
量センサを再び接触の恐れのないところまで待避させる
ことにより、被検出面との接触事故等が防止されること
になる。
【００１６】より具体的な態様として、表面に加工物が
積層されたウエハについて面位置検出を行う際には、あ
らかじめウエハ面上のいくつかの点について静電容量セ
ンサおよび光学式検出系により面位置検出を行い、両者
間の各点での検出値の差を誤差量としてテーブルに記録
しておく。そして実際の面位置検出時（例えば露光時）
には、静電容量センサにより面位置検出を行い、その検
出値に対し、前記テーブルを用いて補正を施す。このと
き、ウエハ表面の加工は全面が均一ではないのであらか
じめの面位置検出に際しては必要十分な数の点で検出を
行っておく必要がある。テーブルには前記誤差量ととも
に各点の位置情報を保存しておく。これらの誤差情報を
得る対象となるのは、未知の加工が施された（未だテー
ブルが作成されていない）ロットの最初の１枚もしくは
数枚だけでよく、以降はこれにより作成されたテーブル
を使用して、静電容量センサにより面位置検出が行われ
ることになる。したがって、テーブル作成によるトータ
ルなスループットヘの影響は軽微である。
積層されたウエハについて面位置検出を行う際には、あ
らかじめウエハ面上のいくつかの点について静電容量セ
ンサおよび光学式検出系により面位置検出を行い、両者
間の各点での検出値の差を誤差量としてテーブルに記録
しておく。そして実際の面位置検出時（例えば露光時）
には、静電容量センサにより面位置検出を行い、その検
出値に対し、前記テーブルを用いて補正を施す。このと
き、ウエハ表面の加工は全面が均一ではないのであらか
じめの面位置検出に際しては必要十分な数の点で検出を
行っておく必要がある。テーブルには前記誤差量ととも
に各点の位置情報を保存しておく。これらの誤差情報を
得る対象となるのは、未知の加工が施された（未だテー
ブルが作成されていない）ロットの最初の１枚もしくは
数枚だけでよく、以降はこれにより作成されたテーブル
を使用して、静電容量センサにより面位置検出が行われ
ることになる。したがって、テーブル作成によるトータ
ルなスループットヘの影響は軽微である。
【００１７】なお、特開平９−４５６０８号公報に示さ
れているように、実段差（パターン構造）に露光像面を
追従させずに、段差データを補正量として管理している
場合には、上記誤差量をこの段差データの補正量に加味
しておけば、テーブルのデータを参照して計算する回数
を削減することができる。
れているように、実段差（パターン構造）に露光像面を
追従させずに、段差データを補正量として管理している
場合には、上記誤差量をこの段差データの補正量に加味
しておけば、テーブルのデータを参照して計算する回数
を削減することができる。
【００１８】［実施例１］図４は本発明の第１の実施例
に係る露光装置において、静電容量センサと光学式検出
系によって測定対象面上の同一点を測る際の測定対象の
動きを示す。同図において、４１は測定対象、４２は測
定対象４１の面位置を検出するための静電容量センサ、
４３は測定対象４１上の測定点、４４は光学式検出系の
入射光、４５はその反射光、４６は測定対象１の移動方
向である。静電容量センサ４２による測定時には、同図
（ｂ）に示すように、静電容量センサ４２が測定対象４
１面に近接しており、光学式検出系の入射光４４を遮る
ため、光学式検出系による測定時において測定対象４１
面の測定点４３について測定を行うためには、同図
（ａ）に示すように、測定対象４１の移動が不可欠であ
る。
に係る露光装置において、静電容量センサと光学式検出
系によって測定対象面上の同一点を測る際の測定対象の
動きを示す。同図において、４１は測定対象、４２は測
定対象４１の面位置を検出するための静電容量センサ、
４３は測定対象４１上の測定点、４４は光学式検出系の
入射光、４５はその反射光、４６は測定対象１の移動方
向である。静電容量センサ４２による測定時には、同図
（ｂ）に示すように、静電容量センサ４２が測定対象４
１面に近接しており、光学式検出系の入射光４４を遮る
ため、光学式検出系による測定時において測定対象４１
面の測定点４３について測定を行うためには、同図
（ａ）に示すように、測定対象４１の移動が不可欠であ
る。
【００１９】図３はこの露光装置の構成を示す。同図に
おいて、１は照明系、２はデバイスパターンが形成され
たレチクル、３はレチクルステージ、４はレチクル２の
デバイスパターンを投影する投影レンズ系、５はデバイ
スパターンが投影され、転写されるウエハ、６はウエハ
５を保持し、光軸２５の方向に動くウエハチャック、７
はウエハチャック６を保持して光軸２５と直交する平面
に沿って２次元的に動くＸＹステージ、８は投影レンズ
４やＸＹステージ７が置かれる定盤である。
おいて、１は照明系、２はデバイスパターンが形成され
たレチクル、３はレチクルステージ、４はレチクル２の
デバイスパターンを投影する投影レンズ系、５はデバイ
スパターンが投影され、転写されるウエハ、６はウエハ
５を保持し、光軸２５の方向に動くウエハチャック、７
はウエハチャック６を保持して光軸２５と直交する平面
に沿って２次元的に動くＸＹステージ、８は投影レンズ
４やＸＹステージ７が置かれる定盤である。
【００２０】９は開口の大きさと形状が可変である照明
系１の絞り、１０は絞り９の開口の大きさと形状を変
え、開口数（ＮＡ）を変えるための駆動装置、１１は光
軸２５方向に動く投影レンズ系４のレンズ、１２はレン
ズ１１を光軸２５の方向に動かし、その位置を変えるこ
とにより投影レンズ系４の投影倍率を変えるための駆動
装置、１３は絞り９と光学的に共役な位置にあり、開口
の大きさが可変である投影レンズ系４の絞り（瞳）、１
４は絞り１３の開口の大きさを変え、開口数（ＮＡ）を
変える駆動装置である。
系１の絞り、１０は絞り９の開口の大きさと形状を変
え、開口数（ＮＡ）を変えるための駆動装置、１１は光
軸２５方向に動く投影レンズ系４のレンズ、１２はレン
ズ１１を光軸２５の方向に動かし、その位置を変えるこ
とにより投影レンズ系４の投影倍率を変えるための駆動
装置、１３は絞り９と光学的に共役な位置にあり、開口
の大きさが可変である投影レンズ系４の絞り（瞳）、１
４は絞り１３の開口の大きさを変え、開口数（ＮＡ）を
変える駆動装置である。
【００２１】１５はウエハ５を照明する照明装置、１６
はウエハ５の表面からの反射光を受け、ウエハ５の表面
の位置に応じた信号を出力する受光装置である。照明装
置１５および受光装置１６により、ウエハ５表面の光軸
２５方向に関する位置（高さ）を検出するための装置を
構成している。１７は装置１５および１６を制御する装
置である。
はウエハ５の表面からの反射光を受け、ウエハ５の表面
の位置に応じた信号を出力する受光装置である。照明装
置１５および受光装置１６により、ウエハ５表面の光軸
２５方向に関する位置（高さ）を検出するための装置を
構成している。１７は装置１５および１６を制御する装
置である。
【００２２】１８はＸＹステージ７上に固設された反射
鏡、１９は反射鏡１８の反射面にレーザ光を当ててＸＹ
ステージ７の変位量を検出するレーザ干渉計、２０はレ
ーザ干渉計１９の出力を受け、ＸＹステージ７の移動を
制御する駆動装置である。駆動装置２０はまた、制御装
置１７を介してウエハ５の表面の高さに関する情報を受
け、ウエハチャック６を光軸方向に動かすことにより、
ウエハ５の表面を投影レンズ系４によるレチクル２のデ
バイスパターンの結像面に合致させる。
鏡、１９は反射鏡１８の反射面にレーザ光を当ててＸＹ
ステージ７の変位量を検出するレーザ干渉計、２０はレ
ーザ干渉計１９の出力を受け、ＸＹステージ７の移動を
制御する駆動装置である。駆動装置２０はまた、制御装
置１７を介してウエハ５の表面の高さに関する情報を受
け、ウエハチャック６を光軸方向に動かすことにより、
ウエハ５の表面を投影レンズ系４によるレチクル２のデ
バイスパターンの結像面に合致させる。
【００２３】２１は中央にピンホールを備える遮光板、
２２はＣＣＤ等の光電変換素子アレイ（以下、「ＣＣＤ
２２」と記す。）である。遮光板２１の表面はウエハ５
の表面と同じ高さに設定されており、投影光学系４によ
るレチクル２のデバイスパターンの結像面の近傍にあ
る。また、ＣＣＤ２２は遮光板２１のピンホールを通過
した光を受けるように、遮光板２１の下方の所定量離れ
た位置に置いてある。
２２はＣＣＤ等の光電変換素子アレイ（以下、「ＣＣＤ
２２」と記す。）である。遮光板２１の表面はウエハ５
の表面と同じ高さに設定されており、投影光学系４によ
るレチクル２のデバイスパターンの結像面の近傍にあ
る。また、ＣＣＤ２２は遮光板２１のピンホールを通過
した光を受けるように、遮光板２１の下方の所定量離れ
た位置に置いてある。
【００２４】ＣＣＤ２２の位置は、投影光学系４の絞り
１３の開口におけるレチクル２のデバイスパターンから
の回折光の光強度分布に対応した光強度分布が生じる位
置である。また、遮光板２１とＣＣＤ２２は一体的にＸ
Ｙステージ７上に固設されており、ＸＹステージ７を動
かすことにより、遮光板２１のピンホールをデバイスパ
ターンの結像面内の複数の位置に位置付け、各位置にお
いて光強度や光強度分布を検出できるようになってい
る。
１３の開口におけるレチクル２のデバイスパターンから
の回折光の光強度分布に対応した光強度分布が生じる位
置である。また、遮光板２１とＣＣＤ２２は一体的にＸ
Ｙステージ７上に固設されており、ＸＹステージ７を動
かすことにより、遮光板２１のピンホールをデバイスパ
ターンの結像面内の複数の位置に位置付け、各位置にお
いて光強度や光強度分布を検出できるようになってい
る。
【００２５】２３はＣＣＤ２２を駆動し、ＣＣＤ２２か
らの出力を受け、結像面に形成されているデバイスパタ
ーン像の光強度分布（レチクル２のデバイスパターンを
通過した光のレチクル２近傍における強度分布に対応）
や、ＣＣＤ２２の受光面上に形成されている絞り１３の
開口における光強度分布（投影光学系４の瞳の光強度分
布）を検出する制御装置である。
らの出力を受け、結像面に形成されているデバイスパタ
ーン像の光強度分布（レチクル２のデバイスパターンを
通過した光のレチクル２近傍における強度分布に対応）
や、ＣＣＤ２２の受光面上に形成されている絞り１３の
開口における光強度分布（投影光学系４の瞳の光強度分
布）を検出する制御装置である。
【００２６】デバイスパターン像の光強度分布は、ＸＹ
ステージ７を動かすことにより遮光板２１のピンホール
をデバイスパターンの結像面内の複数の位置に位置付
け、各位置におけるＣＣＤ２２の各画素の出力和を検出
することにより得る。絞り１３の開口における光強度分
布は、ＸＹステージ７を動かすことにより遮光板２１の
ピンホールをデバイスパターンの結像面内の複数の位置
に位置付けた時のＣＣＤ２２の出力から得られる光強度
分布の平均値として得る。制御装置２３はまた、ＣＣＤ
２２の出力から、デバイスパターン像の光強度分布とと
もに、レチクル２のデバイスパターンを通過した光の総
光量に対応する情報も得る。
ステージ７を動かすことにより遮光板２１のピンホール
をデバイスパターンの結像面内の複数の位置に位置付
け、各位置におけるＣＣＤ２２の各画素の出力和を検出
することにより得る。絞り１３の開口における光強度分
布は、ＸＹステージ７を動かすことにより遮光板２１の
ピンホールをデバイスパターンの結像面内の複数の位置
に位置付けた時のＣＣＤ２２の出力から得られる光強度
分布の平均値として得る。制御装置２３はまた、ＣＣＤ
２２の出力から、デバイスパターン像の光強度分布とと
もに、レチクル２のデバイスパターンを通過した光の総
光量に対応する情報も得る。
【００２７】２４は、各装置１０、１２、１４、１７、
２０、２３および２７を制御する主制御装置である。主
制御装置２４には、照明系１の不図示の露光制御用シャ
ッタの開閉時間すなわち露光に要した時間ｔと、各露光
間の時間ｔ’と、装置２３からのデバイスパターン像の
光強度分布と、絞り１３の開口における光強度分布およ
びデバイスパターンを通過した光の総光量のそれぞれに
対応する情報とが入力される。
２０、２３および２７を制御する主制御装置である。主
制御装置２４には、照明系１の不図示の露光制御用シャ
ッタの開閉時間すなわち露光に要した時間ｔと、各露光
間の時間ｔ’と、装置２３からのデバイスパターン像の
光強度分布と、絞り１３の開口における光強度分布およ
びデバイスパターンを通過した光の総光量のそれぞれに
対応する情報とが入力される。
【００２８】２６は面検出を行う上下方向に移動可能な
静電容量センサ、２７は静電容量センサ２６を制御する
装置である。
静電容量センサ、２７は静電容量センサ２６を制御する
装置である。
【００２９】図１はウエハ５の面位置検出時の動作を示
すフローチャートである。面位置検出動作を開始する
と、まずステップ１において、静電容量センサ２６を所
定位置まで動かす際にウエハ５との接触の恐れがないか
どうかを光学式検出系１５，１６による距離測定により
確認する。接触の恐れがないと判定した場合は直接ステ
ップ２へ進み、接触の恐れがあればステップ８へ進んで
ウエハ５を所定の位置まで移動させてからステップ２へ
進む。
すフローチャートである。面位置検出動作を開始する
と、まずステップ１において、静電容量センサ２６を所
定位置まで動かす際にウエハ５との接触の恐れがないか
どうかを光学式検出系１５，１６による距離測定により
確認する。接触の恐れがないと判定した場合は直接ステ
ップ２へ進み、接触の恐れがあればステップ８へ進んで
ウエハ５を所定の位置まで移動させてからステップ２へ
進む。
【００３０】ステップ２では、静電容量センサ２６を移
動し、測定対象であるウエハ５がセンサ２６の測定可能
範囲に入るまで近接させる。次に、ステップ３におい
て、ウエハ５が未知の新しい加工が施されたものである
か否かを確認する。この確認は自動認識によることも不
可能ではないが、本実施例ではあらかじめ入力端末から
ユーザによって入力されているデータで確認する。この
結果、加工が施されていなければ補正値は０とし、既知
の加工が施されていれば測定においてそれに対応した既
存の誤差補正テーブルを使用することができるので、ス
テップ４へ進む。未知の加工が施されていれば、新しく
誤差補正テーブルを作成する必要があるので、ステップ
９へ進む。
動し、測定対象であるウエハ５がセンサ２６の測定可能
範囲に入るまで近接させる。次に、ステップ３におい
て、ウエハ５が未知の新しい加工が施されたものである
か否かを確認する。この確認は自動認識によることも不
可能ではないが、本実施例ではあらかじめ入力端末から
ユーザによって入力されているデータで確認する。この
結果、加工が施されていなければ補正値は０とし、既知
の加工が施されていれば測定においてそれに対応した既
存の誤差補正テーブルを使用することができるので、ス
テップ４へ進む。未知の加工が施されていれば、新しく
誤差補正テーブルを作成する必要があるので、ステップ
９へ進む。
【００３１】ステップ９では、静電容量センサ２６によ
る距離測定を行う。この値は加工物の影響による誤差を
含んだ値である。次に、ステップ１０において、ウエハ
５上の測定点を光学式検出系１５および１６下へ移動さ
せる。光学式検出系１５および１６と静電容量センサ２
６によるウエハ５上の同一点の測定は、ウエハ５の移動
なしに行うのが望ましいが、ウエハ５に近接して配置さ
れている静電容量センサ２６が光学式検出系１５および
１６による斜入射光を遮るので、最小限の移動で測定可
能なように静電容量センサ２６等が配置されている。
る距離測定を行う。この値は加工物の影響による誤差を
含んだ値である。次に、ステップ１０において、ウエハ
５上の測定点を光学式検出系１５および１６下へ移動さ
せる。光学式検出系１５および１６と静電容量センサ２
６によるウエハ５上の同一点の測定は、ウエハ５の移動
なしに行うのが望ましいが、ウエハ５に近接して配置さ
れている静電容量センサ２６が光学式検出系１５および
１６による斜入射光を遮るので、最小限の移動で測定可
能なように静電容量センサ２６等が配置されている。
【００３２】次に、ステップ１１において、光学式検出
系１５および１６による距離測定を行う。光学式検出系
１５および１６は、加工物表面までの距離を正確に測定
できるので、これを正しい値とする。次に、ステップ１
２において、光学式検出系１５および１６による距離測
定と静電容量センサ２６による距離測定との差を誤差情
報として、ウエハ５上の測定位置とともに誤差補正テー
ブルに保存する。
系１５および１６による距離測定を行う。光学式検出系
１５および１６は、加工物表面までの距離を正確に測定
できるので、これを正しい値とする。次に、ステップ１
２において、光学式検出系１５および１６による距離測
定と静電容量センサ２６による距離測定との差を誤差情
報として、ウエハ５上の測定位置とともに誤差補正テー
ブルに保存する。
【００３３】次に、ステップ１３において、ウエハ５表
面の加工が全面均一ではないので、必要十分な個所の測
定が終了したか否かを確認する。必要十分な個所の測定
が終了したのであればステップ４へ進み、そうでなけれ
ばステップ１４においてウエハ５を次の誤差情報記録点
へ移動させてからステップ９へ戻る。
面の加工が全面均一ではないので、必要十分な個所の測
定が終了したか否かを確認する。必要十分な個所の測定
が終了したのであればステップ４へ進み、そうでなけれ
ばステップ１４においてウエハ５を次の誤差情報記録点
へ移動させてからステップ９へ戻る。
【００３４】ステップ４では、静電容量センサ２６によ
る測定を行う。次に、ステップ５において、誤差補正テ
ーブルを用いて、誤差補正を行う。次に、ステップ６に
おいて、さらに測定の必要があるか確認する。さらなる
測定の必要があればステップ４へ戻り、そうでなければ
ステップ７ヘ進む。
る測定を行う。次に、ステップ５において、誤差補正テ
ーブルを用いて、誤差補正を行う。次に、ステップ６に
おいて、さらに測定の必要があるか確認する。さらなる
測定の必要があればステップ４へ戻り、そうでなければ
ステップ７ヘ進む。
【００３５】ステップ７では、非測定時の静電容量セン
サ２６とウエハ５との接触の可能性をなくすため、静電
容量センサ２６を待避させる。これにより、ウエハ５に
ついての面位置検出動作が終了する。
サ２６とウエハ５との接触の可能性をなくすため、静電
容量センサ２６を待避させる。これにより、ウエハ５に
ついての面位置検出動作が終了する。
【００３６】［実施例２］実施例１においては、静電容
量センサ２６が光学式検出系１５および１６の斜入射光
を遮るため、ウエハ５上の同一点を測定する際にウエハ
５を移動させる必要があった。これに対し、本実施例で
は光学式検出系１５および１６の測定時に静電容量セン
サ２６を待避させ、ウエハ５を移動することなくウエハ
５上の同一の点を測定することにより、ステージ移動精
度に起因する誤差を皆無にして、光学式検出系１５およ
び１６と静電容量センサ２６による測定値の差から求ま
る誤差量の精度を向上させるようにしている。
量センサ２６が光学式検出系１５および１６の斜入射光
を遮るため、ウエハ５上の同一点を測定する際にウエハ
５を移動させる必要があった。これに対し、本実施例で
は光学式検出系１５および１６の測定時に静電容量セン
サ２６を待避させ、ウエハ５を移動することなくウエハ
５上の同一の点を測定することにより、ステージ移動精
度に起因する誤差を皆無にして、光学式検出系１５およ
び１６と静電容量センサ２６による測定値の差から求ま
る誤差量の精度を向上させるようにしている。
【００３７】図２は、本実施例の露光装置における面位
置検出動作を示すフローチャートである。面位置検出動
作を開始すると、まず、ステップ２１において、静電容
量センサ２６を所定位置まで動かす際にウエハ５との接
触の恐れがないかどうかを確認する。接触の恐れがない
と判定した場合は直接ステップ２２へ進み、接触の恐れ
があればステップ２８でウエハ５を所定の位置まで移動
させてからステップ２２へ進む。
置検出動作を示すフローチャートである。面位置検出動
作を開始すると、まず、ステップ２１において、静電容
量センサ２６を所定位置まで動かす際にウエハ５との接
触の恐れがないかどうかを確認する。接触の恐れがない
と判定した場合は直接ステップ２２へ進み、接触の恐れ
があればステップ２８でウエハ５を所定の位置まで移動
させてからステップ２２へ進む。
【００３８】ステップ２２では、静電容量センサ２６を
移動し、測定対象であるウエハ５がセンサ２６の測定可
能範囲に入るまで近接させる。次にステップ２３におい
て、ウエハ５が未知の新しい加工が施されたものである
か否かを確認する。この確認は自動認識によることも不
可能ではないが、本実施例ではあらかじめ入力端末から
ユーザによって入力されているデータで確認する。この
結果、何の加工も施されていなければ補正値は０とし、
既知の加工が施されていれば測定においてそれに対応し
た既存の誤差補正テーブルを使用することができるの
で、ステップ２４へ進む。未知の加工が施されていれ
ば、新しく誤差補正テーブルを作成する必要があるの
で、ステップ２９へ進む。
移動し、測定対象であるウエハ５がセンサ２６の測定可
能範囲に入るまで近接させる。次にステップ２３におい
て、ウエハ５が未知の新しい加工が施されたものである
か否かを確認する。この確認は自動認識によることも不
可能ではないが、本実施例ではあらかじめ入力端末から
ユーザによって入力されているデータで確認する。この
結果、何の加工も施されていなければ補正値は０とし、
既知の加工が施されていれば測定においてそれに対応し
た既存の誤差補正テーブルを使用することができるの
で、ステップ２４へ進む。未知の加工が施されていれ
ば、新しく誤差補正テーブルを作成する必要があるの
で、ステップ２９へ進む。
【００３９】ステップ２９では、静電容量センサ２６が
測定位置にあるか否かを確認する。測定位置にあればス
テップ３５へ進み、そうでなければステップ３０へ進
む。
測定位置にあるか否かを確認する。測定位置にあればス
テップ３５へ進み、そうでなければステップ３０へ進
む。
【００４０】ステップ３０では、光学式検出系１５およ
び１６による距離測定を行う。光学式検出系１５および
１６は加工物表面までの距離を正確に測定できるので、
この測定結果を正しい値とする。次に、ステップ３１に
おいて、静電容量センサ２６を測定位置へ移動する。次
に、ステップ３２において、静電容量センサ２６による
距離測定を行う。この測定値は加工物の影響による誤差
を含んだ値である。次に、ステップ３３において、光学
式検出系１５および１６による距離測定値と静電容量セ
ンサ２６による距離測定値との差を誤差情報として、ウ
エハ５上の測定位置の座標とともに誤差補正テーブルに
保存する。次に、ステップ１４において、ウエハ５表面
の加工が全面均一ではないので、必要十分な個所の測定
が終了したか否かを確認する。終了したのであればステ
ップ２４へ進み、そうでなければステップ３９でウエハ
５を次の誤差情報記録点へ移動させてからステップ２９
へ戻る。
び１６による距離測定を行う。光学式検出系１５および
１６は加工物表面までの距離を正確に測定できるので、
この測定結果を正しい値とする。次に、ステップ３１に
おいて、静電容量センサ２６を測定位置へ移動する。次
に、ステップ３２において、静電容量センサ２６による
距離測定を行う。この測定値は加工物の影響による誤差
を含んだ値である。次に、ステップ３３において、光学
式検出系１５および１６による距離測定値と静電容量セ
ンサ２６による距離測定値との差を誤差情報として、ウ
エハ５上の測定位置の座標とともに誤差補正テーブルに
保存する。次に、ステップ１４において、ウエハ５表面
の加工が全面均一ではないので、必要十分な個所の測定
が終了したか否かを確認する。終了したのであればステ
ップ２４へ進み、そうでなければステップ３９でウエハ
５を次の誤差情報記録点へ移動させてからステップ２９
へ戻る。
【００４１】ステップ３５では、静電容量センサ２６に
よる距離測定を行う。この値は加工物の影響による誤差
を含んだ値である。次に、ステップ３６において、静電
容量センサ２６を待避させる。次に、ステップ３７にお
いて、光学式検出系１５および１６による距離測定を行
う。光学式検出系１５および１６は加工物表面までの距
離を正確に測定できるので、この測定結果を正しい値と
する。次に、ステップ３８において、この測定結果と、
ステップ３５における静電容量センサ２６による測定結
果との差を誤差情報として、ウエハ５上の測定位置とと
もに誤差補正テーブルに保存し、ステップ３４へ進む。
よる距離測定を行う。この値は加工物の影響による誤差
を含んだ値である。次に、ステップ３６において、静電
容量センサ２６を待避させる。次に、ステップ３７にお
いて、光学式検出系１５および１６による距離測定を行
う。光学式検出系１５および１６は加工物表面までの距
離を正確に測定できるので、この測定結果を正しい値と
する。次に、ステップ３８において、この測定結果と、
ステップ３５における静電容量センサ２６による測定結
果との差を誤差情報として、ウエハ５上の測定位置とと
もに誤差補正テーブルに保存し、ステップ３４へ進む。
【００４２】ステップ２４では、静電容量センサ２６に
よる測定を行う。次に、ステップ２５において、誤差補
正テーブルを用いて誤差補正を行う。次に、ステップ２
６において、さらに測定の必要があるか否かを確認す
る。必要があればステップ２４へ戻る。必要がなければ
ステップ２７ヘ進み、非測定時の静電容量センサ２６と
ウエハ５との接触の可能性をなくすために静電容量セン
サ２６を待避させ、面位置検出動作を終了する。
よる測定を行う。次に、ステップ２５において、誤差補
正テーブルを用いて誤差補正を行う。次に、ステップ２
６において、さらに測定の必要があるか否かを確認す
る。必要があればステップ２４へ戻る。必要がなければ
ステップ２７ヘ進み、非測定時の静電容量センサ２６と
ウエハ５との接触の可能性をなくすために静電容量セン
サ２６を待避させ、面位置検出動作を終了する。
【００４３】＜デバイス製造方法の実施例＞次に上記説
明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を
説明する。図５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導
体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ５１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行う。ステ
ップ５２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ５３（ウエハ製
造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製
造する。ステップ５４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
５４において作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工
程を含む。ステップ５６（検査）ではステップ５５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て、半導体デバイ
スが完成し、これが出荷（ステップ５７）される。
明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を
説明する。図５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導
体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ５１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行う。ステ
ップ５２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ５３（ウエハ製
造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製
造する。ステップ５４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
５４において作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工
程を含む。ステップ５６（検査）ではステップ５５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て、半導体デバイ
スが完成し、これが出荷（ステップ５７）される。
【００４４】図６は上記ウエハプロセス（ステップ５
４）の詳細なフローを示す。ステップ６１（酸化）では
ウエハの表面を酸化させる。ステップ６２（ＣＶＤ）で
はウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ６３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ６４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ６５（レジスト処理）ではウエハにレジ
ストを塗布する。ステップ６６（露光）では上記説明し
た露光装置または露光方法によってマスクの回路パター
ンをウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光す
る。ステップ６７（現像）では露光したウエハを現像す
る。ステップ６８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ６９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行うことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
４）の詳細なフローを示す。ステップ６１（酸化）では
ウエハの表面を酸化させる。ステップ６２（ＣＶＤ）で
はウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ６３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ６４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ６５（レジスト処理）ではウエハにレジ
ストを塗布する。ステップ６６（露光）では上記説明し
た露光装置または露光方法によってマスクの回路パター
ンをウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光す
る。ステップ６７（現像）では露光したウエハを現像す
る。ステップ６８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ６９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行うことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００４５】本実施例の製造方法を用いれば、より高精
度かつ高いスループットで、ウエハと静電容量センサと
が接触することなく、デバイスを製造することができ
る。
度かつ高いスループットで、ウエハと静電容量センサと
が接触することなく、デバイスを製造することができ
る。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
静電容量センサおよび光学式検出系を用い、これらの面
位置検出結果に関する情報を記憶する記憶手段を備える
ようにしたため、表面の加工物による測定誤差の影響を
受けることなく、高速に面位置検出を行うことができ
る。これにより、装置のスループットを向上させること
ができる。また、更に静電容量センサを移動させる手段
を設ける様にすれば、ウエハなどとの接触の可能性を皆
無にすることができる。
静電容量センサおよび光学式検出系を用い、これらの面
位置検出結果に関する情報を記憶する記憶手段を備える
ようにしたため、表面の加工物による測定誤差の影響を
受けることなく、高速に面位置検出を行うことができ
る。これにより、装置のスループットを向上させること
ができる。また、更に静電容量センサを移動させる手段
を設ける様にすれば、ウエハなどとの接触の可能性を皆
無にすることができる。
【図１】 本発明の第１の実施例に係る露光装置におけ
るウエハの面位置検出時の動作を示すフローチャートで
ある。
るウエハの面位置検出時の動作を示すフローチャートで
ある。
【図２】 本発明の第２の実施例に係る露光装置におけ
る面位置検出動作を示すフローチャートである。
る面位置検出動作を示すフローチャートである。
【図３】 図１および図２の動作を行う露光装置の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図４】 図３の露光装置において、静電容量センサと
光学式検出系によって測定対象面上の同一点を測る際の
測定対象の動きを示す図である。
光学式検出系によって測定対象面上の同一点を測る際の
測定対象の動きを示す図である。
【図５】 本発明の露光装置を利用できるデバイス製造
方法を示すフローチャートである。
方法を示すフローチャートである。
【図６】 図５中のウエハプロセスの詳細なフローチャ
ートである。
ートである。
１：照明系、２：レチクル、３：レチクルステージ、
４：投影レンズ系、５：ウエハ、６：ウエハチャック、
７：ＸＹステージ、８：定盤、９：絞り、１０：駆動装
置、１１：レンズ、１２：駆動装置、１３：絞り
（瞳）、１４：駆動装置、１５：照明装置、１６：受光
装置、２５：光軸、１７：制御装置、１８：反射鏡、１
９：レーザ干渉計、２０：駆動装置、２１：遮光板、２
２：光電変換素子アレイ、２３：制御装置、２４：主制
御装置、２６：静電容量センサ、２７：制御装置、４
１：測定対象、４２：静電容量センサ、４３：測定点、
４４：光学式検出系の入射光、４５：光学式検出系の反
射光、４６：移動方向。
４：投影レンズ系、５：ウエハ、６：ウエハチャック、
７：ＸＹステージ、８：定盤、９：絞り、１０：駆動装
置、１１：レンズ、１２：駆動装置、１３：絞り
（瞳）、１４：駆動装置、１５：照明装置、１６：受光
装置、２５：光軸、１７：制御装置、１８：反射鏡、１
９：レーザ干渉計、２０：駆動装置、２１：遮光板、２
２：光電変換素子アレイ、２３：制御装置、２４：主制
御装置、２６：静電容量センサ、２７：制御装置、４
１：測定対象、４２：静電容量センサ、４３：測定点、
４４：光学式検出系の入射光、４５：光学式検出系の反
射光、４６：移動方向。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F063 AA02 BB06 BC06 DA01 DA05 DD08 HA04 KA01 2F065 AA02 BB03 CC19 FF44 FF67 HH12 JJ02 JJ25 MM03 PP12 5F046 BA03 CC01 CC03 DA01 DA14 DB01 DB04 DB05 DB11 DC10 DC12 DD03 DD06
Claims (7)
- 【請求項１】 光照射により面位置を検出するための光
学式検出系と、静電容量により面位置を検出するための
静電容量センサと、被検出面についての前記光学式検出
系および静電容量センサによる面位置検出結果に関する
情報を記憶する記憶手段とを具備することを特徴とする
面位置検出装置。 - 【請求項２】 前記記憶手段は、被検出面についての前
記光学式検出系と静電容量センサによる同一点について
の面位置検出結果に関する情報を記憶するものであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の面位置検出装置。 - 【請求項３】 前記静電容量センサによる面位置検出の
際に前記静電容量センサを前記被検出面の垂直方向に移
動させて前記被検出面の近傍に位置させる手段を有する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の面位置検出
装置。 - 【請求項４】 ウエハを露光する露光装置に設けられ、
パターンが形成された前記ウエハの表面の面位置検出を
行うものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の面位置検出装置。 - 【請求項５】 前記面位置検出結果に関する情報を得る
ための前記光学式検出系と静電容量センサによる面位置
検出を、露光時よりもより多数の点についてより低速で
走査しながら行う手段を有することを特徴とする請求項
４に記載の面位置検出装置。 - 【請求項６】 あるロットの先頭から１枚または複数枚
のウエハの表面について前記光学式検出系および静電容
量センサによる同一点での面位置検出を行い、この面位
置検出結果に関する情報を前記記憶手段に記憶させ、前
記ウエハに引き続く少なくとも前記と同一のロット内の
ウエハに対して、前記記憶した情報により補正を施しな
がら前記静電容量センサによる面位置検出を行う制御手
段を有することを特徴とする請求項４または５に記載の
面位置検出装置。 - 【請求項７】 被露光基板について光照射により面位置
検出を行う工程と、前記被露光基板について静電容量セ
ンサにより面位置検出を行う工程と、前記光照射による
面位置検出結果と静電容量センサによる面位置検出結果
に関する情報を記憶する工程と、前記静電容量センサに
より他の被露光基板について面位置検出を行う工程と、
この面位置検出結果と前記記憶された情報とに基づいて
前記他の被露光基板の面を位置決めする工程と、この位
置決めがなされた前記他の被露光基板に露光を施す工程
とを具備することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32091899A JP4392914B2 (ja) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | 面位置検出装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004047156A1 (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-03 | Nikon Corporation | 位置計測方法、位置計測装置及び露光方法並びに露光装置 |
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| JP2008196976A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Toray Eng Co Ltd | 自動外観検査装置 |
| JP2009054738A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Nikon Corp | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2009071103A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Panasonic Corp | 露光システムおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2009119886A (ja) * | 2009-03-12 | 2009-06-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 光学素子成形装置 |
| JP2009119885A (ja) * | 2009-03-12 | 2009-06-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 光学素子成形装置 |
| JP2009167096A (ja) * | 2009-03-12 | 2009-07-30 | Konica Minolta Holdings Inc | 光学素子成形装置 |
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| CN104359400A (zh) * | 2014-11-11 | 2015-02-18 | 宝利根（东莞）电子科技有限公司 | 一种高精度嵌入式成型多端子插接头的检测装置及检测方法 |
| KR20220020903A (ko) * | 2019-07-11 | 2022-02-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 높이를 측정하기 위한 장치 및 방법 |
-
1999
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Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004047156A1 (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-03 | Nikon Corporation | 位置計測方法、位置計測装置及び露光方法並びに露光装置 |
| JP4654313B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2011-03-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置及び測定方法 |
| JP2010109377A (ja) * | 2003-12-22 | 2010-05-13 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び測定方法 |
| JP4654314B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2011-03-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置及び測定方法 |
| JP2007515806A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-06-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置及び測定方法 |
| WO2005062131A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of measurement |
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| KR100801273B1 (ko) * | 2003-12-22 | 2008-02-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 측정 방법 |
| US7835017B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of exposing a substrate, method of measurement, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| JP2008196976A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Toray Eng Co Ltd | 自動外観検査装置 |
| JP2009054738A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Nikon Corp | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2009071103A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Panasonic Corp | 露光システムおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2009119886A (ja) * | 2009-03-12 | 2009-06-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 光学素子成形装置 |
| JP2009167096A (ja) * | 2009-03-12 | 2009-07-30 | Konica Minolta Holdings Inc | 光学素子成形装置 |
| JP2009119885A (ja) * | 2009-03-12 | 2009-06-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 光学素子成形装置 |
| CN104359400A (zh) * | 2014-11-11 | 2015-02-18 | 宝利根（东莞）电子科技有限公司 | 一种高精度嵌入式成型多端子插接头的检测装置及检测方法 |
| KR20220020903A (ko) * | 2019-07-11 | 2022-02-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 높이를 측정하기 위한 장치 및 방법 |
| JP2022539475A (ja) * | 2019-07-11 | 2022-09-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 基板高さを測定する装置及び方法 |
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