JPS6227536B2 - - Google Patents

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JPS6227536B2
JPS6227536B2 JP53114642A JP11464278A JPS6227536B2 JP S6227536 B2 JPS6227536 B2 JP S6227536B2 JP 53114642 A JP53114642 A JP 53114642A JP 11464278 A JP11464278 A JP 11464278A JP S6227536 B2 JPS6227536 B2 JP S6227536B2
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JP
Japan
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wafer
mask
projection lens
alignment
alignment pattern
Prior art date
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Application number
JP53114642A
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English (en)
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JPS5541739A (en
Inventor
Mitsuyoshi Koizumi
Nobuyuki Akyama
Yoshimasa Ooshima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP11464278A priority Critical patent/JPS5541739A/ja
Publication of JPS5541739A publication Critical patent/JPS5541739A/ja
Publication of JPS6227536B2 publication Critical patent/JPS6227536B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は投影式マスクアライメント方法及びそ
の装置に関するものである。 例えば、縮小投影式露光装置は、一般に第1図
に示すように、マスク1とウエハ3とを離間させ
て配置すると共に、その間に投影レンズ2を、マ
スク1上にコンデンサレンズ4をそれぞれ配置し
たもので、露光光源(図示せず)からの露光光を
コンデンサレンズ4を介してマスク1に照射し、
該マスク1のマスクパターン5を投影レンズ2を
介してウエハ3のペレツト8上にウエハパターン
27として縮小投影露光転写する。なお、このと
きマスク1をウエハ駆動用ステツプ・アンド・リ
ピートX−Yテーブル(図示せず)の走行方向と
一致させ、しかも絶対座標の原点に配置するた
め、ウエハ駆動用ステツプ・アンド・リピートX
−Yテーブルの走行方向である絶対座標のX−Y
軸上で、且マスクアライメントする鏡筒(図示せ
ず)内に設置されたレチクル状の十字アライメン
トパターン(図示せず)と上記
【式】形状アライ メントパターン6との相対的変位を目視または自
動的に検出し、その変位量に応じてマスクを載置
したX・Y・θテーブルを回転(θ)、X軸方向
微移動、及びY軸方向微移動させて行なう。 そして、前述の投影式露光装置において、マス
ク1とウエハ3とを位置合わせする従来の投影式
マスク・アライメント装置は、マスク1の周辺に
クローム7aを蒸着させて約400μm角の透明部
よりなるマスク・アライメント・パターン7を設
け、一方ウエハ3に約5μm幅の十字状段差で、
表面にホト・レジスタを塗布したウエハアライメ
ント・パターン9を設け、それから露光光と同じ
光を照射する水銀灯13、干渉フイルタ14、コ
ンデンサレンズ15,16、絞り17、ハーフミ
ラー12、及びミラー11からなる光学系と、こ
の光学系と異なる角度からマスク・アライメント
パターン7を照射する光学系10と、対物レンズ
18、ハーフミラー19,20、像回転プリズム
21、ミラー22、スリツト23およびX、Y用
受光素子24,25からなる検出系とを装備した
ものである。 そこでまず昭和52年特許出願第19237号に開示
されている如く、別のステーシヨンでウエハ3を
粗アライメントされた状態で収納されたカセツト
治具(図示せず)をステツプ・アンド・リピート
X−Yテーブル(図示せず)上に設置された位置
決め用ピンに当接して載置する。そしてステツ
プ・アンドリピートX−Yテーブルを例えばX軸
+方向に+N×Pなる距離〔但し、Nは整数、P
はチツプ間距離(単位ステツプ距離)である〕移
動させて縮小投影レンズ2の中心である光軸にウ
エハ3上の左端のチツプ8を位置付ける。そして
水銀灯13からの露光光と同じ光が干渉フイルタ
14、コンデンサレンズ15、及び16、絞り1
7、ハーフミラー12、ミラー11を径てマスク
1のマスク・アライメント・パターン7を照射
し、その光が入射光30として縮小投影レンズ2
の入射瞳中心A点に向い、該縮小投影レンズ2を
通過後射出瞳中心B点よりあたかも射出するよう
な角度をもつてウエハ3上の前記チツプ8のウエ
ハ・アライメント・パターン9上にマスク・アラ
イメント・パターン7を結線7′する。するとそ
の結像7′とウエハ・アライメント・パターン9
がウエハ3面で反射して戻り光32として縮小投
影レンズ2に逆に入射し再びマスク面1で両パタ
ーン7,9′が形成されてマスク・アライメン
ト・パターン7の透明部を通過した光はミラー1
1、ハーフミラー12、対物レンズ18、ハーフ
ミラー19,20、像回転プリズム21、ミラー
22を経てスリツト23面上に第2図aに示すよ
うに干渉縞9の有する像として結像し、第2図b
及びcに示すようにスリツト走査によつて受光素
子24,25から得られる信号によりパターン
7,9のX軸方向、Y軸方向の相対的位置ずれ量
△x1、△y1を検知して記憶する。なお、前記のパ
ターン7,9の相対位置ずれ量△x1、△y1の検知
は、第2図a,b,cに示すようにマスク・アラ
イメント・パターン7の透明部の周辺は光学系1
0からの照明により明レベルとなり、またウエハ
3からの戻り光は弱明るさのレベルを持つので、
この立下りによりマスク・アライメント・パター
ン7の透明部の位置が求まり、その位置とウエ
ハ・アライメント・パターン9の中心の位置より
X軸、Y軸方向の位置ずれ量が求まる。 次にステツプ・アンド・リピートX−Yテーブ
ルを例えばX軸一方向に−2N×Pなる距離移動
させて光軸にウエハ3上に右端のチツプ8を位置
付ける。そして水銀灯13から露光光と同じ光を
マスク・アライメントパターン7と前記チツプ8
のウエハ・アライメントパターン9とに照射し
て、その反射光像を結像させ、前記と同様にスリ
ツト走査によつて受光素子24,25から得られ
る信号によりパターン7,9のX軸方向、Y軸方
向の相対的位置ずれ量△x2、△y2を検知して記憶
する。 次にこれらの位置ずれ量から角度θ=(△y1
△y2)/2N×P、ウエハ3を載置したテーブルを
微回転させ、ウエハ3上に先にチツプ8が配列さ
れている方向とステツプ・アンド・リピートする
X軸方向またはY軸方向とを一致させる。そして
Y軸方向については回転方向修正後、新たに検知
された△y1(または△y2)距離マスク1を載置し
たマスクテーブルをY軸方向に微移動させ、x軸
方向についは△x1(または△x2)なる距離上記マ
スクテーブルをX軸方向に微動させてマスク1と
ウエハ3とは相対的に位置整合された状態とな
る。 このように位置整合された後は、高精度にステ
ツプ・アンド・リピートX−YテーブルをX軸方
向及びY軸方向にPなる間隔で歩進させてその都
度前述の露光光を照射することにより、ウエハ3
上に碁盤の目のように多数のチツプ8が露光焼付
される。ところで明照光の進路及びウエハ上で反
射する状態は第3図及び第4図に示す如くであ
る。即ち対物レンズ18の方から落射照明による
照明光30はミラー11で反射し、マスクパター
ン7の正方形の透明部を通過し、投影レンズ2の
入射瞳Aに向かい、投影レンズ2を通過した照明
光31は、射出瞳Bの方向よりウエハ3を照明す
る。しかしこの照明光31の角度θは、現在投影
レンズ2の光学設計技術では零にすることは困難
である。然るにこの照明光31がウエハアライメ
ントパターン9で反射する様子は第4図に示す如
くである。即ち十字線状ウエハアライメントパタ
ーン9は、例えばSi基板9aの段差(1〜2μm
の深さ)とその上に塗布されたホトレジスト9b
とよりなる。そしてこの段差の左右の段差部(y
軸方向に沿つて形成された段差部)9cを上記角
度θを有する照明光31が照明されると、この段
差部9cでの反射光32a,32bは光軸を中心
に非対称である互いに異なる方向へと進む。そし
てこの反射光32a,32bが投影レンズ2に入
射して投影レンズ2によりウエハアライメント・
パターン9の逆投影像9′が形成される。しかし
反射光32a,32bは全て投影レンズ2に入射
せず、このうち一部の光のみが投影レンズ2の絞
2aの中に入射して通過して逆投影像9′に形成
に関与するに過ぎない故、反射光32aと32b
では投影レンズ4を通過する光量は大巾に異な
り、スリツト23の走査による受光素子24から
検出される信号第2図bに示す如く、非対称形状
になり、ウエハアライメントパターンのx軸方向
の中心位置を高精度に検出することは困難にな
り、x軸方向に高精度にウエハをアライメントす
ることができなかつた。 本発明の目的は、上記従来の欠点をなくし、射
出瞳の位置が有限な位置に存在する投影レンズを
用いてマスクとウエハとを精密に、且高精度にア
ライメントできるようにした投影式マスクアライ
メント方法及びその装置を提供するにある。 即ち、本発明の第1の発明は、マスク上の回路
パターンをウエハ上に投影露光する投影レンズを
通してウエハ上のアライメントパターンを検出し
てウエハとマスクとをアライメントする方法にお
いて、アライメントして露光するウエハ上の露光
領域の周辺部の少なくとも2個所に配置された直
線状のアライメントパターンの各々の長手方向が
上記投影レンズの光軸に対してほぼ90度になるよ
うに位置付けし、照明光を上記投影レンズを通し
て射出瞳よりウエハ上に形成されたアライメント
パターン部に照明し、これら各アライメントパタ
ーンからの反射光が上記投影レンズの接線方向に
ついて均一になるようにして該各々の反射光像を
上記投影レンズの光軸よりはずれた別々の位置に
上記投影レンズを通して結像し、これら結像され
た各アライメントパターンの光像を各撮像手段で
撮像して映像信号に変換し、これら変換された各
映像信号に基いてマスクに対するウエハの相対位
置を上記投影レンズの接線方向のX、Yの2軸方
向について検出し、これら検出された相対位置ず
れに応じてマスクとウエハとを相対的に移動させ
て2軸方向についてアライメントすることを特徴
とする投影式マスクアライメント方法であり、本
発明の第2の発明は、マスク上の回路パターンを
ウエハ上に投影露光する投影レンズを通してマス
クとウエハとをアライメントする装置において、
アライメントして露光するウエハの露光領域の周
辺部の少なくとも2個所に直線状のアライメント
パターンの各々の長手方向が上記投影レンズの光
軸に対してほぼ90度になるように配置されたアラ
イメントパターン部に、光を上記投影レンズを通
して射出瞳よる照明する照明光学系を、上記アラ
イメントパターン部に対応させて少なくとも2個
設置し、該照明光学系の各々で照明された各アラ
イメントパターンからの反射光が上記投影レンズ
の接続方向について均一になるようにして得られ
る各反射光像を上記投影レンズ通して投影レンズ
の光軸を中心にしてほぼ90度のなす角度で放射状
に結像される各アライメント光像を結像すべく上
記投影レンズの別々の位置に設置された結像光学
系と該結像光学系の各々で結像されたアライメン
ト光像の各々を撮像して映像信号に変換すべく上
記結像光学系に対応させて別々の位置に配置した
光電変換素子とを有する撮像手段を2個上記照明
光学系の各々に対応させて設置し、該撮像手段の
各々から上記投影レンズの接線方向のX、Yの2
軸方向について得られる映像信号に基いてマスク
に対するウエハの位置ずれを検出する検出手段を
設け、該検出手段により検出された位置ずれに応
じてマスクとウエハとを相対的に移動させて2軸
方向についてアライメントする制御手段を設けた
ことを特徴とする投影式マスクアライメント装置
である。 以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体
的に説明する。第5図は本発明の縮小投影式マス
クアライメント装置の一実施例を示す概略構成図
である。ウエハ3は別のステーシヨンで端面が高
精度に仕上げられたウエハ収容カセツト治具(図
示せず)に粗アライメントされて収容されて、ス
テツプ・アンド・リピートするXテーブル28a
及びYテーブル28b、並びに回転θテーブル2
8cから構成されたX・Y・θテーブル28の上
面に植設された位置決め用ピン29にウエハ収容
カセツツト治具を当接固定することによつて粗ア
ライメントされた状態で載置される。そしてウエ
ハ3上に碁盤の目のように配列された各チツプ8
の光軸34(中心)を通るx軸方向を向いた線上
の左端及びy軸方向を向いた線上の下端とに第5
図及び第6図に示すように線状のウエハアライメ
ントパターン35b及び35aが形成されてい
る。マスク1には、半導体集積回路パターン5
と、ウエハ3とアライメントするための正方形の
透明な窓からなり、且光軸34(マスクの中心)
を通るx軸方向を向いた線上の右端とy軸方向を
向いた線上の上端とに各々形成されたマスクアラ
イメントパターン7a及び7bと、筐体、即ちX
−Yテーブルがステツプ・アンド・リピートされ
る絶対座標(基準座標)に位置決めするために角
に形成された一対のアライメントマーク6とが備
え付けられ、中央をくりぬいたマスクX・Y・θ
テーブル(図示せず)上に載置される。そして図
示されていない顕微鏡によつて顕微鏡内に設置さ
れた十字線状のレチクル基準マーク(絶対座標で
ある)と上記アライメントマーク6との変位を光
学検出器または目視によつて検出し、この変位が
なくなるように自動的にまたは手動で上記マスク
X・Y・θテーブルを移動して絶対座標に高精度
位置決めする。然るにマスクはステツプアンドリ
ピートするXテーブル28a及びYテーブル28
bの移動方向(x軸、及びy軸方向)及び移動基
準位置(座標原点)に対して高精度に位置決めさ
れたことになる。 次にマスク1とウエハ3との位置整合、即ちウ
エハ3の絶対座標(基準座標)に対する位置整合
について説明する。ところで2個所に形成された
アライメントパターン7a,35a、及び7b,
35bに対応させて検出器45a及び45が設け
られている。検出器45a及び45bは各々、マ
スクアライメントパターン7a及び7bを照射す
る光を導くオプテカルフアイバ48a及び48
b、コンデンサレンズ47a及び47b、ミラー
10a及び10b、露光光と同じ波長の光を照射
する水銀灯からの光を導びくオプテイカルフアイ
バ36a及び36b、ハーフミラー12a及び1
2b、対物レンズ18a及び18b、ミラー11
a及び11b、リレーレンズ37a及び37b、
ミラー38a及び38b、集光レンズ40a及び
440b、ホトマル等で形成された受光素子24
及び25、スリツト23a及び23bを備え付け
て往復直線走査する走査板39a及び39b、該
走査板39a及び39bを支える板ばね44a及
び44b、往復回転運動するガルバー41a及び
41bその出力軸に取付けられたレバー42a及
び42b並びにこのレバー42a及び42bの先
端に取付けられ、且走査板39a及び39bに
各々接触するピン43a及び43bより構成され
ている。 一方露光部は水銀灯からなる光源54、フイル
タ53、コンデンサレンズ52及び51、ミラー
50、並びにコンデンサレンズ4から構成されて
いる。そしてオプテイカルフアイバ48a及び4
8b、コンデンサレンズ47a及び47b、ミラ
ー46a及び46b、ミラー10a及び10bよ
り構成されるマスクアライメントパターン照明に
よりマスクアライメントパターン7a及び7bの
窓のエツヂが検出器45aの受光素子24及び検
出器45bの受光素子25により信号の立上りと
して検出され、第8図bに示す検出信号が得られ
基準位置からのM1、M2の位置が精度よく求ま
る。またウエハアライメントパターン35a及び
35bの各々の照明にはオプテイカルフアイバ3
6a及び36b、ハーフミラー12a及び12
b、対物レンズ18a及び18b、並びにミラー
11a及び11bを用い、縮小投影レンズ2の入
射瞳Aに向けて照明する。ウエハアライメントパ
ターン35a及び35で反射した光は逆の光路を
通り、リレーレンズ37a及び37b、ミラー3
8a及び38b、を経てスリツト23a及び23
bに達する。対物レンズ18a及び18bの各々
の焦点はマスクアライメントパターン7a及び7
bに合致しており、両パターン7a,35a及び
7b,35bの重ね合わせ像は、スリツト23a
及び3b面上の位置に結像する。なおオプテイカ
ルフアイバ36a及び36b,48a及び48b
から導びかれる照明光は、露光用光と同じ波長域
の光であり、縮小投影レンズ2及び対物レンズ1
8a,18bの色収差による焦点ぼけを避けてい
る。そこでまず制御製置(図示せず)からの指令
でXテーブル28aを座標原点(光軸34の位
置)から右方向へN×P(Nはチツプ個数、Pは
チツプ間距離)なる距離(最初にウエハに集積回
路をステツプアンドリピートして焼付ける条件と
同じ)レーザ測長器を用いて、高精度に移動させ
て停止させる。すると縮小投影レンズ2の最下位
置、即ち光軸34上には、チツプ8x1が位置する
ことになり、このチツプ8x1の線状ウエハアライ
メントパターン35aとマスクアライメントパタ
ーン7a及び線状ウエハアライメントパターン3
5bとマスクアライメントパターン7bとの像が
第7図に示すように重畳された形となる。しかし
ウエハアライメントパターン35a及び35b共
にチツプの中心(光軸34)を中心として放射状
に線状パターンが向くように形成されているの
で、第3図に示す如く縮小投影レンズを通過した
光が射出瞳Bより角度θをもつて照射されたとし
ても、この線状パターンの各々の相対する両段差
の部分で反射する反射光は対称的で、相対的に光
量に差が生じることなく、第8図bに示す如く対
称的な信号波形を得ることができる。そしてアラ
イメントパターン7aと35aの結像を検出器4
5aによつてスリツト23aを走査して受光素子
24によつて検出すると、x軸方向のマスク1と
チツプ8x1との相対変位量△x1が高精度に求ま
り、上記アライメントパターン7aと35aに対
して光軸34を中心にして90度位置をずらして設
定されたアライメントパターン7bと35bの結
像を検出器45bによつてスリツト23bを走査
して受光素子25によつて検出するとy軸方向の
マスク1とチツプ8x1との相対的変位量△y1が高
精度に求まる。 次にアライメントパターンへの照明を中止して
制御装置(図示せず)からの指令でXテーブル2
8aを左方向へ2N×Pなる距離レーザ測長器を
用いて高精度に移動させて停止させる。すると光
軸34上には、チツプ8xoが位置することにな
り、このチツプ8xoの線状ウエハアライメント
パターン35aとマスクアライメントパターン7
a及び線状ウエハアライメントマスク35bとマ
スクアライメントパターン7bとの像が第7図に
示すように重畳された形となる。そして前記と同
様にアライメントパターンに光を照射すると共に
検出器45a及び45bによつてx軸方向のパタ
ーンの相対的変位量△x2とy軸方向のパターンの
相対的変化量△y2とが高精度に求まる。 そして(△y2−△y1)/2NP=θがウエハ3の
回転方向の位置ずれであり、これがなくなるよう
にウエハ3を載置した回転θテーブル28cを回
転させればマスクとウエハとは回転方向の位置ず
れはなくなる。次に△y1(または△y2)制御回路
内に記憶されているX軸テーブル28a、Y軸テ
ーブル28bをステツプアンドリピートさせる基
準コントロール信号に上記で求められたx軸方向
の誤差△x1、△x2及び回転方向修正後新たに検知
されるY軸方向の誤差△y1(または△y2)を補正
すればウエハ3はマスク1に位置整合された形で
ステツプアンドリピート(歩進)することにな
る。ウエハ3には焼成等の物理処理が施され、僅
かな延び縮みが生じるのでy軸方向に配列された
チツプ81yとチツプ8oyについて相対的変位量△
x3、△y3と△x4、△y4を求め、x軸方向の延び縮
み(△x2−△x1)、y軸方向の延び縮み(△y4
△y3)からステツプアンドリピートするピツチp
に補正を加えれば、マスクチツプとに相対的によ
り高精度に位置整合されることになる。ところ
で、ウエハ3上の各チツプ8に形成される線状ウ
エハアライメントパターン35c及び35dをそ
れらの延長線が90度の角度で交叉するように角の
2ケ所に形成し、マスク1も角の2ケ所に方形の
透明な窓からなるマスクアライメントパターン7
c及び7dを形成しても前記実施例と同じ作用効
果を得ることができる。また前記実施例では検出
器を2個設置した場合について説明したが、イメ
ージローテータ等をいれれば走基板、板ばね、往
復直線駆動等を共通にして1組にすることは可能
である。 以上説明したように本発明によれば、投影レン
ズが所有している射出瞳からの射出角度の影響に
よつて反射光が非対称になるのを防止してマスク
とウエハ上の露光領域との相対的x軸及びy軸方
向の変位量を高精度に検出して、従来の0.5〜1
μm程度の位置ずれ検出精度に比して0.1μm以
下に著しく向上することができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図aは従来の縮小投影マスクアライメント
装置の概略構成を示す斜視図、第1図bは第1図
aに示すマスクアライメントパターンを拡大して
示した斜視図、第1図cは第1図aに示すウエハ
上のチツプ毎に形成されたウエハアライメントパ
ターンとそれに重畳されたマスクアライメントパ
ターンとを示した斜視図、第2図aは第1図aに
示すスリツトに結像されるマスクアライメントパ
ターンとウエハアライメントパターンとの光像及
び走査スリツトを示す図、第2図bは第2図aに
示す光像をx軸方向受光素子によつて検出される
映像信号波形を示した図、第2図cは第2図aに
示す光像をy軸方向受光素子によつて検出される
映像信号波形を示した図、第3図は第1図に示す
装置において照射光が進む径路状態を示す図、第
4図は第1図に示す装置においてチツプ毎に形成
されたウエハアライメントパターンからの反射光
の進行状態を示す図、第5図は本発明による縮小
投影マスクアライメント装置の一実施例を示す斜
視図、第6図は第5図に示すマスク、縮小投影レ
ンズ及びウエハの左端チツプを重ねて各アライメ
ントパターンを示した図、第7図は第5図に示す
各走査板のスリツトのところへ結像される光像を
示した図、第8図aは第7図に示す光像をスリツ
トが走査する状態を示した図、第8図bは第5図
に示す各受光素子から得られる映像信号波形を示
した図、第9図は第6図に示す各アライメントパ
ターンと異なる位置に形成した各アライメントパ
ターンを示した図である。 1……マスク、2……縮小投影レンズ、3……
ウエハ、6……アライメントマーク、7a,7b
……マスクアライメントパターン、8……チツ
プ、28a……Xテーブル、28b……Yテーブ
ル、28c……回転テーブル、28……X・Y・
θテーブル、18a,18b……対物レンズ、2
3a,23b……スリツト、24,25……受光
素子、36a,36b……オプテイカルフアイ
バ、39a,39b……走査板、45a,45b
……位置検出器、48a,48b……オプテイカ
ルフアイバ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 マスク上の回路パターンをウエハ上に投影露
    光する投影レンズを通してウエハ上のアライメン
    トパターンを検出してウエハとマスクとをアライ
    メントする方法において、アライメントして露光
    するウエハ上の露光領域の周辺部の少なくとも2
    個所に配置された直線状のアライメントパターン
    の各々の長手方向が上記投影レンズの光軸に対し
    てほぼ90度になるように位置付けし、照明光を上
    記投影レンズを通して射出瞳よりウエハ上に形成
    されたアライメントパターン部に照明し、これら
    各アライメントパターンからの反射光が上記投影
    レンズの接線方向について均一になるようにして
    該各々の反射光像を上記投影レンズの光軸よりは
    ずれた別々の位置に上記投影レンズを通して結像
    し、これら結像された各アライメントパターンの
    光像を各撮像手段で撮像して映像信号に変換し、
    これら変換された各映像信号に基いてマスクに対
    するウエハの相対位置を上記投影レンズの接線方
    向のX、Yの2軸方向について検出し、これら検
    出された相対位置ずれに応じてマスクとウエハと
    を相対的に移動させて2軸方向についてアライメ
    ントすることを特徴とする投影式マスクアライメ
    ント方法。 2 マスク上の回路パターンをウエハ上に投影露
    光する投影レンズを通してマスクとウエハとをア
    ライメントする装置において、アライメントして
    露光するウエハの露光領域の周辺部の少なくとも
    2個所に直線状のアライメントパターンの各々の
    長手方向が上記投影レンズの光軸に対してほぼ90
    度になるように配置されたアライメントパターン
    部に、光を上記投影レンズを通して射出瞳より照
    明する照明光学系を、上記アライメントパターン
    部に対応させて少なくとも2個設置し、該照明光
    学系の各々で照明された各アライメントパターン
    からの反射光が上記投影レンズの接線方向につい
    て均一になるようにして得られる各反射光像を上
    記投影レンズ通して投影レンズの光軸を中心にし
    てほぼ90度のなす角度で放射状に結像される各ア
    ライメント光像を結像すべく上記投影レンズの
    別々の位置に設置された結像光学系と該結像光学
    系の各々で結像されたアライメント光像の各々を
    撮影して映像信号に変換すべく上記結像光学系に
    対応させて別々の位置に配置した光電変換素子と
    を有する撮像手段を2個上記照明光学系の各々に
    対応させて設置し、該撮像手段の各々から上記投
    影レンズの接線方向のX、Yの2軸方向について
    得られる映像信号に基いてマスクに対するウエハ
    の位置ずれを検出する検出手段を設け、該検出手
    段により検出された位置ずれに応じてマスクとウ
    エハとを相対的に移動させて2軸方向についてア
    ライメントする制御手段を設けたことを特徴とす
    る投影式マスクアライメント装置。
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