JP2653356B2 - 投影露光方法 - Google Patents
投影露光方法Info
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- JP2653356B2 JP2653356B2 JP8012513A JP1251396A JP2653356B2 JP 2653356 B2 JP2653356 B2 JP 2653356B2 JP 8012513 A JP8012513 A JP 8012513A JP 1251396 A JP1251396 A JP 1251396A JP 2653356 B2 JP2653356 B2 JP 2653356B2
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造工程
で使用される縮小投影露光方法の改良に係り、特に、こ
の種の装置において寸法精度が厳しく要求される高精度
な半導体素子作成時に生じる縮小倍率誤差を自動的に補
正して縮小露光する方法に関するものである。
で使用される縮小投影露光方法の改良に係り、特に、こ
の種の装置において寸法精度が厳しく要求される高精度
な半導体素子作成時に生じる縮小倍率誤差を自動的に補
正して縮小露光する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の縮小投影露光装置は、図３に原理
構成を示したような光学系を基本として、原画４２のパ
ターンを縮小レンズ４３を用いて、基板４４の上に投影
している。縮小レンズ４３と基板４４との距離をａ、縮
小レンズ４３と原画４２との距離をｂとすると光学系内
の屈折率分布が一定である限り縮小倍率ｍはｍ＝ａ／
ｂ、焦点距離ｆは１／ｆ＝１／ａ＋１／ｂで表わされ
る。
構成を示したような光学系を基本として、原画４２のパ
ターンを縮小レンズ４３を用いて、基板４４の上に投影
している。縮小レンズ４３と基板４４との距離をａ、縮
小レンズ４３と原画４２との距離をｂとすると光学系内
の屈折率分布が一定である限り縮小倍率ｍはｍ＝ａ／
ｂ、焦点距離ｆは１／ｆ＝１／ａ＋１／ｂで表わされ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の縮小投影露光装
置においては上述距離ａとｂとが固定されているため、
原画４２から基板４４に至るまでの光学系の光路内の媒
体物の条件が変わったりなどして屈折率の分布が変化す
ると、光学系上の上述距離ａ，ｂが屈折率の関数とな
り、変化して縮小倍率ｍが変わってしまい、基板４４上
に投影されるパターンの寸法精度が劣化する欠点があっ
た。
置においては上述距離ａとｂとが固定されているため、
原画４２から基板４４に至るまでの光学系の光路内の媒
体物の条件が変わったりなどして屈折率の分布が変化す
ると、光学系上の上述距離ａ，ｂが屈折率の関数とな
り、変化して縮小倍率ｍが変わってしまい、基板４４上
に投影されるパターンの寸法精度が劣化する欠点があっ
た。
【０００４】したがって、本発明の目的は、縮小投影光
学系内の媒体物の屈折率分布等の変化により縮小倍率誤
差を生じて原画から基板上に縮小投影されるパターンの
絶対寸法精度が劣化することを防ぎ、常に、高精度な絶
対寸法の半導体素子を自動的に作ることを可能ならしめ
る縮小投影露光方法を提供することにある。
学系内の媒体物の屈折率分布等の変化により縮小倍率誤
差を生じて原画から基板上に縮小投影されるパターンの
絶対寸法精度が劣化することを防ぎ、常に、高精度な絶
対寸法の半導体素子を自動的に作ることを可能ならしめ
る縮小投影露光方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、所定の倍率
に設定され、テレセントリックな光学系を有する縮小投
影露光装置のそれぞれの位置に半導体素子作成用の基板
と原画を装着して、前記原画をステップアンドリピート
で前記基板上に露光して半導体素子を作成するための投
影露光方法において、上記基板と原画を装着した後、上
記基板のマークを上記縮小投影露光装置の縮小レンズを
通して検出して縮小投影倍率誤差を補正する工程を含む
ことを特徴とする投影露光方法、又は、所定の倍率に設
定され、テレセントリックな光学系を有する縮小投影露
光装置のそれぞれの位置に半導体素子作成用の基板と原
画を装着して、前記原画をステップアンドリピートで前
記基板上に露光して半導体素子を作成するための投影露
光方法において、上記基板と原画を装着した後、上記基
板のマークと上記原画のマークとの合わせ誤差を測定し
て縮小投影倍率誤差を補正する工程を含むことを特徴と
する投影露光方法、又は、所定の倍率に設定され、テレ
セントリックな光学系を有する縮小投影露光装置のそれ
ぞれの位置に半導体素子作成用の基板と原画を装着し
て、前記原画をステップアンドリピートで前記基板上に
露光して半導体素子を作成するための投影露光方法にお
いて、上記基板と原画を装着した後、縮小投影倍率誤差
を検出し、該所定の倍率を維持するように該誤差を補正
する工程を含むことを特徴とする投影露光方法により達
成される。
に設定され、テレセントリックな光学系を有する縮小投
影露光装置のそれぞれの位置に半導体素子作成用の基板
と原画を装着して、前記原画をステップアンドリピート
で前記基板上に露光して半導体素子を作成するための投
影露光方法において、上記基板と原画を装着した後、上
記基板のマークを上記縮小投影露光装置の縮小レンズを
通して検出して縮小投影倍率誤差を補正する工程を含む
ことを特徴とする投影露光方法、又は、所定の倍率に設
定され、テレセントリックな光学系を有する縮小投影露
光装置のそれぞれの位置に半導体素子作成用の基板と原
画を装着して、前記原画をステップアンドリピートで前
記基板上に露光して半導体素子を作成するための投影露
光方法において、上記基板と原画を装着した後、上記基
板のマークと上記原画のマークとの合わせ誤差を測定し
て縮小投影倍率誤差を補正する工程を含むことを特徴と
する投影露光方法、又は、所定の倍率に設定され、テレ
セントリックな光学系を有する縮小投影露光装置のそれ
ぞれの位置に半導体素子作成用の基板と原画を装着し
て、前記原画をステップアンドリピートで前記基板上に
露光して半導体素子を作成するための投影露光方法にお
いて、上記基板と原画を装着した後、縮小投影倍率誤差
を検出し、該所定の倍率を維持するように該誤差を補正
する工程を含むことを特徴とする投影露光方法により達
成される。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図２により説明す
る。
る。
【０００７】原画であるレティクル２２上のパターンを
光源（図示していない）からの照明光をコンデンサレン
ズ２１で集光して照明し、縮小レンズ２３を通して基板
２４上に縮小投影させる。図２内で斜線を付した部分
は、固定されて不動状態の基準部材である。
光源（図示していない）からの照明光をコンデンサレン
ズ２１で集光して照明し、縮小レンズ２３を通して基板
２４上に縮小投影させる。図２内で斜線を付した部分
は、固定されて不動状態の基準部材である。
【０００８】基板２４は光軸方向に可動なＺ移動台３０
と光軸と直角な平面内で可動なＸＹ移動台３１とで構成
される移動台上に配置され、縮小レンズ２３により結像
される焦点位置に基板２４面が常に保持されるように、
特公昭５５−１８０４３号で示したようなステップアン
ドリピート・カメラに、自動焦点機構が具備されてい
る。基板２４の相対位置は、移動台の位置をレーザ測長
計３９で測長し、演算回路３５で求めることができる。
と光軸と直角な平面内で可動なＸＹ移動台３１とで構成
される移動台上に配置され、縮小レンズ２３により結像
される焦点位置に基板２４面が常に保持されるように、
特公昭５５−１８０４３号で示したようなステップアン
ドリピート・カメラに、自動焦点機構が具備されてい
る。基板２４の相対位置は、移動台の位置をレーザ測長
計３９で測長し、演算回路３５で求めることができる。
【０００９】縮小レンズ２３は、光軸方向のみに可動な
ように基準部材に対して案内部材３２で支持され、駆動
モータ３３によって光軸方向に微動でき、その微動量
は、例えば、差動コイル３４によって測長され、レンズ
上下制御回路３８に帰還される。
ように基準部材に対して案内部材３２で支持され、駆動
モータ３３によって光軸方向に微動でき、その微動量
は、例えば、差動コイル３４によって測長され、レンズ
上下制御回路３８に帰還される。
【００１０】ここで、縮小倍率の測定方法について、図
１（ａ），（ｂ），（ｃ）を用いて述べる。
１（ａ），（ｂ），（ｃ）を用いて述べる。
【００１１】この縮小投影露光装置はレテイクル２上の
パターンをステップアンドリピートで基板４上に露光す
るものであり、コンデンサレンズ１、縮小投影レンズ
３、および第１のパターン検出器５、第２のパターン検
出器６から構成されている。原画であるレテイクル２上
には所定の間隔Ｌ（図１（ｂ）参照）を隔てた位置に正
方形の光透過性の窓７、８が設けられている。図１
（ｂ）は上述の窓７、８の拡大図を示したものである。
基板４上のマーク９を縮小レンズ３およびレテイクル２
の窓７を通して見るとマーク９’のようになり、また、
基板４を所定距離ｌだけ移動して窓８から見るとマーク
９”のようになる（図１（ｂ）参照）。
パターンをステップアンドリピートで基板４上に露光す
るものであり、コンデンサレンズ１、縮小投影レンズ
３、および第１のパターン検出器５、第２のパターン検
出器６から構成されている。原画であるレテイクル２上
には所定の間隔Ｌ（図１（ｂ）参照）を隔てた位置に正
方形の光透過性の窓７、８が設けられている。図１
（ｂ）は上述の窓７、８の拡大図を示したものである。
基板４上のマーク９を縮小レンズ３およびレテイクル２
の窓７を通して見るとマーク９’のようになり、また、
基板４を所定距離ｌだけ移動して窓８から見るとマーク
９”のようになる（図１（ｂ）参照）。
【００１２】パターン検出器５はレティクル２の窓７内
におけるマーク９′の位置を、またパターン検出器６は
レティクル２の窓８内におけるマーク９″の位置を各々
測長することができ、２つのマーク９′と９″との相対
距離がレティクル２の窓７と８との間隔Ｌに比べてずれ
ている量ΔＬを演算することができる。
におけるマーク９′の位置を、またパターン検出器６は
レティクル２の窓８内におけるマーク９″の位置を各々
測長することができ、２つのマーク９′と９″との相対
距離がレティクル２の窓７と８との間隔Ｌに比べてずれ
ている量ΔＬを演算することができる。
【００１３】今、縮小投影光学系の縮小倍率をｍ（ｍ＜
１）とすると、ｌ＝ｍＬとなるように、基板４のマーク
９を移動したにもかかわらずΔＬだけ大きくずれたとす
ると、ｌ＝（ｍ＋Δｍ）（Ｌ＋ΔＬ）なる関係を満す。
Δｍだけ縮小倍率誤差となり、光学系によって縮小しす
ぎていることになる。
１）とすると、ｌ＝ｍＬとなるように、基板４のマーク
９を移動したにもかかわらずΔＬだけ大きくずれたとす
ると、ｌ＝（ｍ＋Δｍ）（Ｌ＋ΔＬ）なる関係を満す。
Δｍだけ縮小倍率誤差となり、光学系によって縮小しす
ぎていることになる。
【００１４】一方、図１（ｃ）に示したように、縮小投
影光学系において、レティクル２と縮小レンズ３との間
隔ｂがΔｂだけ大きくなっている時には、上述のように
マーク９をｌだけ移動させた時に、ΔＬ／Δｂ＝Ｌ／ｂ
なる関係を満すΔＬだけ、マーク９′と９″とがずれる
ことになる。
影光学系において、レティクル２と縮小レンズ３との間
隔ｂがΔｂだけ大きくなっている時には、上述のように
マーク９をｌだけ移動させた時に、ΔＬ／Δｂ＝Ｌ／ｂ
なる関係を満すΔＬだけ、マーク９′と９″とがずれる
ことになる。
【００１５】従って、第１，第２のパターン検出器５，
６で検出されたマーク９の位置ずれ量ΔＬからΔｂ＝Δ
Ｌ・ｂ／Ｌなる関係を満す量だけ縮小レンズ３とレティ
クル２との相対距離を狭くすれば縮小倍率誤差Δｍが零
になる。ΔＬが負の値の時はΔｂだけ縮小レンズ３とレ
ティクル２との間隔を大きくすれば良い。
６で検出されたマーク９の位置ずれ量ΔＬからΔｂ＝Δ
Ｌ・ｂ／Ｌなる関係を満す量だけ縮小レンズ３とレティ
クル２との相対距離を狭くすれば縮小倍率誤差Δｍが零
になる。ΔＬが負の値の時はΔｂだけ縮小レンズ３とレ
ティクル２との間隔を大きくすれば良い。
【００１６】実施例としては、１／１０縮小投影露光装
置の場合として、ｍ＝０.１，ｆ＝４９．２mm，ａ＝５
４.１２７mm，ｂ＝５４１.２７mm，ｌ＝１０mmなる値と
なる。この時，Δｍ＝０.０００００１（１０-4％）だ
け大きい縮小倍率誤差があると、Ｌ0＝１００mmのパタ
ーンは、Ｌ0（ｍ＋Δｍ）から（１０mm−０.１μｍ）の
寸法となり０.１μｍだけ小さな寸法誤差を生じてしま
う。このような状態を第１，第２のパターン検出器５，
６で測定すると、長さｌ＝１０mmはＬ＋ΔＬ＝ｌ／（ｍ
＋Δｍ），Ｌ＝１００mmに対してΔＬ＝１μｍ大きく検
出される。
置の場合として、ｍ＝０.１，ｆ＝４９．２mm，ａ＝５
４.１２７mm，ｂ＝５４１.２７mm，ｌ＝１０mmなる値と
なる。この時，Δｍ＝０.０００００１（１０-4％）だ
け大きい縮小倍率誤差があると、Ｌ0＝１００mmのパタ
ーンは、Ｌ0（ｍ＋Δｍ）から（１０mm−０.１μｍ）の
寸法となり０.１μｍだけ小さな寸法誤差を生じてしま
う。このような状態を第１，第２のパターン検出器５，
６で測定すると、長さｌ＝１０mmはＬ＋ΔＬ＝ｌ／（ｍ
＋Δｍ），Ｌ＝１００mmに対してΔＬ＝１μｍ大きく検
出される。
【００１７】この際、Δｂ＝５.４μｍだけ縮小レンズ
３とレティクル２との間隔を狭くすれば、縮小倍率誤差
は消えることになる。
３とレティクル２との間隔を狭くすれば、縮小倍率誤差
は消えることになる。
【００１８】以上述べたことから判るように、所定間隔
Ｌ離れたレティクル２上から縮小レンズ３を通して所定
量ｌだけ移動した基板４上のマーク９の位置ずれ量ΔＬ
を測定するだけで、縮小倍率誤差が求まり、Δｂ＝ΔＬ
・ｂ／Ｌなる関係を満すように縮小レンズ３とレティク
ル２との間隔を微調することにより、縮小倍率誤差が補
正できる。
Ｌ離れたレティクル２上から縮小レンズ３を通して所定
量ｌだけ移動した基板４上のマーク９の位置ずれ量ΔＬ
を測定するだけで、縮小倍率誤差が求まり、Δｂ＝ΔＬ
・ｂ／Ｌなる関係を満すように縮小レンズ３とレティク
ル２との間隔を微調することにより、縮小倍率誤差が補
正できる。
【００１９】ところで、従来の縮小投影露光装置では、
一度正確にレティクル２と縮小レンズ３との距離ｂを固
定すれば、縮小倍率は変化することはなかった。
一度正確にレティクル２と縮小レンズ３との距離ｂを固
定すれば、縮小倍率は変化することはなかった。
【００２０】しかし、近年、半導体素子の高精度化に伴
って原画、つまりレティクル２面に塵埃が付着すること
を防ぐため、レティクル２をカバーガラスでおおった
り、縮小レンズ３と基板４との間に空気以外の媒体物を
介在させて作動させる縮小投影露光装置が開発されてい
る。このように、縮小投影光学系に空気以外の媒体物を
介在させる場合、その媒体物の屈折率やその媒体物の厚
さが一定値を保つ限りにおいては、一度、屈折率の異な
ることによって生じる縮小倍率誤差を修正すれば良いの
であるが、通常は、媒体物の屈折率や厚さを一定に保持
することは極めて困難であり、そのために縮小倍率誤差
を生じてしまうことになる。
って原画、つまりレティクル２面に塵埃が付着すること
を防ぐため、レティクル２をカバーガラスでおおった
り、縮小レンズ３と基板４との間に空気以外の媒体物を
介在させて作動させる縮小投影露光装置が開発されてい
る。このように、縮小投影光学系に空気以外の媒体物を
介在させる場合、その媒体物の屈折率やその媒体物の厚
さが一定値を保つ限りにおいては、一度、屈折率の異な
ることによって生じる縮小倍率誤差を修正すれば良いの
であるが、通常は、媒体物の屈折率や厚さを一定に保持
することは極めて困難であり、そのために縮小倍率誤差
を生じてしまうことになる。
【００２１】そこで、本発明では、上述したような、縮
小露光光学系の間に任意の屈折率や厚さの媒体物が存在
しても、常に上述したようなパターン検出器５，６を用
いて縮小倍率誤差を検出し、補正することを可能とする
点に特徴がある。
小露光光学系の間に任意の屈折率や厚さの媒体物が存在
しても、常に上述したようなパターン検出器５，６を用
いて縮小倍率誤差を検出し、補正することを可能とする
点に特徴がある。
【００２２】ここで、図２の実施例にもどって本発明を
さらに詳細に説明する。パターン検出器２５はレティク
ル２２、縮小レンズ２３を通して、基板２４上のマーク
２９の位置を検出し、検出信号は検出回路３７、演算回
路３６に送られ、レンズ上下制御回路３８によって、モ
ータ３３等の駆動系により、縮小レンズ２３が光軸方向
に微動されることになる。
さらに詳細に説明する。パターン検出器２５はレティク
ル２２、縮小レンズ２３を通して、基板２４上のマーク
２９の位置を検出し、検出信号は検出回路３７、演算回
路３６に送られ、レンズ上下制御回路３８によって、モ
ータ３３等の駆動系により、縮小レンズ２３が光軸方向
に微動されることになる。
【００２３】任意の屈折率や厚さの媒体物は、図示して
いないが、レティクル２２と縮小レンズ２３および基板
２４との間のどこに存在していても、本発明の機能が生
かされる。
いないが、レティクル２２と縮小レンズ２３および基板
２４との間のどこに存在していても、本発明の機能が生
かされる。
【００２４】なお、本発明の実施例では、基板４（２
４）上の１つのマーク９（２９）を所定距離ｌだけ移動
させ、レティクル２（２２）のＬだけ離れた窓７，８に
対する位置を計測しているが、基板４（２４）上のマー
ク９は、所定距離ｌだけ離れた２つのマークを、同時に
パターン検出することも可能である。また、同時にパタ
ーン検出し、そのレティクル２（２２）の窓７，８に対
するずれ量ΔＬを測長せず、所定の２つの窓７，８の決
められた位置に基板４（２４）上のマーク９が合うよう
に、縮小レンズ３（２３）を上下動させて制御すること
も応用例として考えられる。さらに、レティクル２（２
２）上の２ヶ所の窓７，８の位置は、所定の距離Ｌさえ
判れば、任意の場所で良く、２つのパターン検出器５，
６の原点の精度が良ければ、基板４（２４）上のマーク
９をレティクル２（２２）上の窓７，８に対して検出せ
ず、パターン検出器５，６の原点に対して検出しても良
い。
４）上の１つのマーク９（２９）を所定距離ｌだけ移動
させ、レティクル２（２２）のＬだけ離れた窓７，８に
対する位置を計測しているが、基板４（２４）上のマー
ク９は、所定距離ｌだけ離れた２つのマークを、同時に
パターン検出することも可能である。また、同時にパタ
ーン検出し、そのレティクル２（２２）の窓７，８に対
するずれ量ΔＬを測長せず、所定の２つの窓７，８の決
められた位置に基板４（２４）上のマーク９が合うよう
に、縮小レンズ３（２３）を上下動させて制御すること
も応用例として考えられる。さらに、レティクル２（２
２）上の２ヶ所の窓７，８の位置は、所定の距離Ｌさえ
判れば、任意の場所で良く、２つのパターン検出器５，
６の原点の精度が良ければ、基板４（２４）上のマーク
９をレティクル２（２２）上の窓７，８に対して検出せ
ず、パターン検出器５，６の原点に対して検出しても良
い。
【００２５】また、パターン検出器５，６は独立に２台
設けなくても、１台のパターン検出器を所定距離Ｌだけ
移動させ、あるいは、そのような機能や検出範囲を１台
のパターン検出器にもたせることも可能である。
設けなくても、１台のパターン検出器を所定距離Ｌだけ
移動させ、あるいは、そのような機能や検出範囲を１台
のパターン検出器にもたせることも可能である。
【００２６】本発明の実施例では、縮小レンズ３（２
３）とレティクル２（２２）との相対間隔調整を縮小レ
ンズ３（２３）を上下させることで達しているが、両者
の相対距離を調整すれば良いのであるから、縮小レンズ
３（２３）と同様に、光軸方向のみに可動な公知の案内
駆動手段でレティクル２（２２）を上下することで目的
を達することも可能である。
３）とレティクル２（２２）との相対間隔調整を縮小レ
ンズ３（２３）を上下させることで達しているが、両者
の相対距離を調整すれば良いのであるから、縮小レンズ
３（２３）と同様に、光軸方向のみに可動な公知の案内
駆動手段でレティクル２（２２）を上下することで目的
を達することも可能である。
【００２７】なお、縮小倍率の調整によって、結像面の
最適焦点位置までの距離ａが変わり、それに伴って縮小
倍率も若干変わるが、通常、縮小レンズ３（２３）は、
テレセントリックな結像光学レンズを用いるため距離ａ
の変化による縮小倍率誤差や焦点ボケはわずかである。
従って、先ず、媒体物が変化した際には、基板４（２
４）上のマーク９（２９）への焦点合わせを行なった後
に、上述の方法で、縮小倍率誤差の補正を行ない、さら
に、高精度な補正を必要とする場合には、再度、焦点合
わせを行った後、縮小倍率の補正を繰返せば良いこと
は、容易に考えられる。
最適焦点位置までの距離ａが変わり、それに伴って縮小
倍率も若干変わるが、通常、縮小レンズ３（２３）は、
テレセントリックな結像光学レンズを用いるため距離ａ
の変化による縮小倍率誤差や焦点ボケはわずかである。
従って、先ず、媒体物が変化した際には、基板４（２
４）上のマーク９（２９）への焦点合わせを行なった後
に、上述の方法で、縮小倍率誤差の補正を行ない、さら
に、高精度な補正を必要とする場合には、再度、焦点合
わせを行った後、縮小倍率の補正を繰返せば良いこと
は、容易に考えられる。
【００２８】また、本発明の応用例としては、基板の位
置にパターン検出器を設置して、原画であるレティクル
の所定間隔のマークを計測して、縮小倍率を調整するこ
とも、既述の縮小倍率誤差を補正する方法を縮小投影レ
ンズを介して逆さに考えれば、容易に類推できる。
置にパターン検出器を設置して、原画であるレティクル
の所定間隔のマークを計測して、縮小倍率を調整するこ
とも、既述の縮小倍率誤差を補正する方法を縮小投影レ
ンズを介して逆さに考えれば、容易に類推できる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、投影露光光学系の距離
の変動や、任意の屈折率や厚さの媒体物が介在すること
等により生じる、基板上に縮小投影される原画パターン
の縮小倍率誤差を検出して、自動的に焦点位置を補正し
縮小倍率を補正することができるので、従来よりさらに
解像度を劣化されることなく、またパターンの高精度な
重ね合わせ精度を達成することにより高精度な半導体素
子を本発明の縮小投影露光方法により製造できることに
なる。
の変動や、任意の屈折率や厚さの媒体物が介在すること
等により生じる、基板上に縮小投影される原画パターン
の縮小倍率誤差を検出して、自動的に焦点位置を補正し
縮小倍率を補正することができるので、従来よりさらに
解像度を劣化されることなく、またパターンの高精度な
重ね合わせ精度を達成することにより高精度な半導体素
子を本発明の縮小投影露光方法により製造できることに
なる。
【図１】本発明の原理を説明するための説明図。
【図２】本発明による縮小投影露光装置の実施例の概略
構成図である。
構成図である。
【図３】縮小投影光学系の原理説明図である。
１，２１…コンデンサレンズ、２，２２，４２…レティ
クル、３，２３，４３…縮小レンズ、４，２４，４４…
基板、５，６，２５…パターン検出器、７，８…窓、
９，９′，９″，２９…パターン、３０…Ｚ移動台、３
１…ＸＹ移動台、３２…案内部材、３３…駆動モータ、
３４…差動コイル、３５，３６…演算回路、３７…検出
回路、３８…レンズ上下制御回路。
クル、３，２３，４３…縮小レンズ、４，２４，４４…
基板、５，６，２５…パターン検出器、７，８…窓、
９，９′，９″，２９…パターン、３０…Ｚ移動台、３
１…ＸＹ移動台、３２…案内部材、３３…駆動モータ、
３４…差動コイル、３５，３６…演算回路、３７…検出
回路、３８…レンズ上下制御回路。
フロントページの続き (72)発明者 黒崎 利栄 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 寺澤 恒男 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 保坂 純男 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭56−130707（ＪＰ，Ａ) 特公 昭49−22587（ＪＰ，Ｂ１) ”ＴＨＥ ＢＥＬＬ ＳＹＳＴＥＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ" 49［９］（1970−11）ｐ．2117〜2128
Claims (3)
- 【請求項１】所定の倍率に設定され、テレセントリック
な光学系を有する縮小投影露光装置のそれぞれの位置に
半導体素子作成用の基板と原画を装着して、前記原画を
ステップアンドリピートで前記基板上に露光して半導体
素子を作成するための投影露光方法において、上記基板と原画を装着した後、 上記基板のマークを上記
縮小投影露光装置の縮小レンズを通して検出して縮小投
影倍率誤差を補正する工程を含むことを特徴とする投影
露光方法。 - 【請求項２】所定の倍率に設定され、テレセントリック
な光学系を有する縮小投影露光装置のそれぞれの位置に
半導体素子作成用の基板と原画を装着して、前記原画を
ステップアンドリピートで前記基板上に露光して半導体
素子を作成するための投影露光方法において、上記基板と原画を装着した後、 上記基板のマークと上記
原画のマークとの合わせ誤差を測定して縮小投影倍率誤
差を補正する工程を含むことを特徴とする投影露光方
法。 - 【請求項３】所定の倍率に設定され、テレセントリック
な光学系を有する縮小投影露光装置のそれぞれの位置に
半導体素子作成用の基板と原画を装着して、前記原画を
ステップアンドリピートで前記基板上に露光して半導体
素子を作成するための投影露光方法において、上記基板と原画を装着した後、 縮小投影倍率誤差を検出
し、該所定の倍率を維持するように該誤差を補正する工
程を含むことを特徴とする投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8012513A JP2653356B2 (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8012513A JP2653356B2 (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 投影露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4054756A Division JPH0712019B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 投影露光方法及び投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08241859A JPH08241859A (ja) | 1996-09-17 |
| JP2653356B2 true JP2653356B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=11807438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8012513A Expired - Lifetime JP2653356B2 (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2653356B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109240044B (zh) * | 2018-10-10 | 2020-09-18 | 德淮半导体有限公司 | 曝光系统及减小曝光过程中掩膜板三维效应的方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS536716B2 (ja) * | 1972-06-26 | 1978-03-10 | ||
| JPS5839463Y2 (ja) * | 1976-12-14 | 1983-09-06 | 富士通株式会社 | 転写装置 |
| FR2388300A1 (fr) * | 1977-04-20 | 1978-11-17 | Thomson Csf | Dispositif optique de projection de motifs comportant un asservissement de focalisation a grandissement constant |
| JPS5541739A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Hitachi Ltd | Micro-projection type mask alignment device |
| JPS56130707A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Canon Inc | Photo-printing device |
| JPS58108745A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-28 | Canon Inc | 転写装置 |
-
1996
- 1996-01-29 JP JP8012513A patent/JP2653356B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| "ＴＨＥ ＢＥＬＬ ＳＹＳＴＥＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ"４９［９］（１９７０−１１）ｐ．２１１７〜２１２８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08241859A (ja) | 1996-09-17 |
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