JPH0550849B2 - - Google Patents
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- JPH0550849B2 JPH0550849B2 JP60021373A JP2137385A JPH0550849B2 JP H0550849 B2 JPH0550849 B2 JP H0550849B2 JP 60021373 A JP60021373 A JP 60021373A JP 2137385 A JP2137385 A JP 2137385A JP H0550849 B2 JPH0550849 B2 JP H0550849B2
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- Japan
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- wavelength
- optical system
- imaging magnification
- illumination light
- mask pattern
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は投影露光装置及び投影露光方法に関
し、特にIC、LSI等の電子回路の微細パターンを
投影系によりウエハ等へ投影露光する為の投影露
光装置及び投影露光方法に関する。 （従来の技術） 投影露光装置によりIC、LSI等の電子回路の微
細パターンを投影系によりウエハ等へ投影露光す
る際には、そのパターン像が所定の結像倍率で所
定形状のウエバに即ち正規の結像倍率及び結像状
態で投影されることが要求される。しかしながら
投影系の存在する気温、気圧、湿度や熱等の環境
状態の変化や投影系の組立誤差等によつて常に正
規の結像状態でパターン像をウエハ面上に形成す
るのは大変難しい。特にウエハはエツチングや温
度処理等のプロセス処理を繰り返し受けるので形
状や寸法が変化したりする。又マスクは製作時の
環境条件とマスク使用時の環境条件とに差異があ
ると形状や寸法に誤差が生じる場合がある。この
為例えば投影系が理想的に製作されていたとして
もマスクとウエハを常に一定の関係で整合させる
ことが難しくなつてくる。このことは電子回路が
より超密度化されてくる程困難になつてくる。 （本発明の目的） 本発明はマスクパターン等の原画をウエハ面上
に該ウエハの既に記録されている 原画像と所定の結像関係を有するように投影露光
することのできる投影露光装置の及び投影露光方
法の提供を目的とする。 （本発明の主たる特徴） 本発明の目的を達成する為の投影露光装置の主
たる特徴は、照明光によりマスクパターンを照明
し、該マスクパターンを介して被露光基板を露光
する投影露光装置において、前記マスクパターン
を前記被露光基板上に結像せしめる、波長に依存
して結像倍率が変わる投影光学系と、前記投影光
学系の結像倍率を検出する手段と、前記検出手段
による検出に応じて前記照明光の波長を変化させ
る手段と、前記被露光基板を前記投影光学系の光
軸方向に動かすことにより、前記被露光基板を前
記照明光の波長変化後の前記マスクパターンの結
像位置に位置付ける手段とを有すことである。 又、投影露光方法の主たる特徴は、照明光によ
りマスクパターンを照明し、該マスクパターンを
投影光学系により被露光基板上に投影する段階を
含む投影露光方法において、前記投影光学系を波
長に依存して結像倍率が変化する光学系で構成
し、前記照明光の波長を変化させることにより前
記投影光学系の結像倍率を変えて所望の結像倍率
を得、前記照明光の波長変化後の前記マスクパタ
ーンの結像位置と前記被露光基板とを合致させる
ことである。 又、微細パターン素子の製造方法の主たる特徴
は、照明光によりマスクの微細パターンを照明
し、該微細パターンを投影光学系により被露光基
板上に結像せしめる段階を有する微細パターン素
子の製造方法において、前記投影光学系を波長に
依存して結像倍率が変化する光学系で構成し、前
記照明光の波長を変化させることにより前記投影
光学系の結像倍率を変えて所望の結像倍率を得、
前記照明光の波長変化後の前記マスクパターンの
結像位置と前記被露光基板とを合致させることで
ある。 これにより例えばマスクの製作時と使用時の環
境変化による形状寸法の誤差や複数のプロセス処
理によるウエハの形状変化等によるマスクパター
ン像とウエハとの整合調整を容易にしている。 その他の本発明の特徴は実施例において記載さ
れている。 （実施例） 第１図は本発明の投影露光装置の一実施例のブ
ロツク図である。本実施例はマスクの製作時と使
用時の気温、気圧、湿度等の環境状態の変化やウ
エハの複数のプロセス処理によりマスクパターン
像が例えば正規の結像倍率がより外れてウエハ面
上に投影された場合の調整の一例である。 図中１はインジエクシヨンロツキングしたエキ
シマレーザー等の光源、２は反射鏡、３はIC、
LSI等の微細パターンのマスク４の照明系、５は
投影系（投影光学系）６は被露光基板としてのウ
エハで投影系５によるマスク４の結像面である。
７はマスク４の結像倍率を検出する結像倍率検出
手段である。８は結像倍率検出手段７からの出力
信号に基づいて光源１の発振波長を可変とする波
長可変手段、９は結像倍率検出手段７からの出力
信号に基づいてウエハ位置を調整するウエハ位置
調整手段である。 本実施例においてはエキシマレーザーをインジ
エクシヨンロツキング手法により又プリズム、エ
タロン等の波長可変手段により微調整を行うこと
によつてビーム拡り角を小さくし非常に狭い波長
幅で発振波長を可変としている。そしてプリズム
等の微調整によつて略連続的に発振波長を変化さ
せている。結像倍率検出手段７は例えばマスク４
のアライメントマークとウエハ６のアライメント
マークとの間隔を測定し、結像倍率を算出する走
査型光電顕微鏡等を使用している。そして結像倍
率検出手段７によつて算出した値に基づいて波長
可変手段８を微少調整することによりエキシマレ
ーザー１からの発振波長をウエハの感光領域内で
変化させている。 尚結像倍率検出手段７は例えばウエハ６がまだ
何も記録されていないときはウエハ面上でのマス
ク４のパターン像が所定の結像倍率で投影されて
いるか否か検出し、所定の結像倍率が得られるよ
うにマスク４及びウエハ６の位置を調整すると共
に波長可変手段８により照明系の照明波長を変化
させている。そして所定の結像倍率が得られた後
に各種の処理プロセスを行うようにしている。 そして処理プロセスが施されマスク４の原画像
の一部が記録されたウエハを再度前回と同じ位置
に配置しウエハ面上に前回とは異つたマスクパタ
ーン像を所定の結像倍率で投影するようにしてい
る。このとき新たなマスクがマスク面上に記録さ
れているパターン像と新たなマスク面上の例えば
アライメントマークの投影像が所定の結像関係を
有するように照明系の発振波長を変化させて調整
している。 このような方法によりマスクやウエハの形状誤
差を調整し所定の結像関係を有するマスクパター
ン像をウエハ面上に形成させている。尚一定の結
像関係のマスクパターン像が得られた際、ピント
位置の調整を行う場合はウエハ位置調整手段９に
よつてウエハ６を投影系５の光軸方向へ移動させ
て行つている。 このように本実施例ではマスクやウエハの環境
変化による形状寸法の誤差やウエハの各種のプロ
セス処理によつて生じる形状誤差等によるマスク
パターンとウエハとの正規の結像状態からの逸脱
を照明系の照明波長を変化させることによつて整
合調整することを可能としている。この他本実施
例によれば投影系の結像倍率の誤差による影響、
例えば投影系の組立上の誤差による場合や、投影
系及び装置全体の配置される環境変化により光学
性能が変化する場合や投影系を構成するレンズ系
のガラス材料の設計値からの誤差等の原因により
変化するマスクパターン像のウエハ面上での結像
関係を整合調整することも可能である。 尚本実施例において波長可変手段８を光源１の
内部に備え一体化して構成しても良い。 又ウエハ位置調整手段９は必ずしも設けておく
必要はない。 本実施例では投影系によるマスクパターン像の
ウエハ面上での結像倍率の検出を実時間で行つて
いる場合を示したがウエハにマスクパターン像を
記録し、現像処理等のプロセス処理を行つた後、
マスクパターン像の結像倍率を測定し、その測定
結果に基づきエキシマレーザーからの発振波長を
変化させるようにしても良い。これによれば各種
のプロセス処理毎によるウエハの歪等を補正する
ことが出来好ましい。 尚実時間で行う場合、単に投影系の結像倍率を
検出しながら発振波長を順次シフト所定の結像倍
率が得られた発振波長で焼付けを行うようにして
も良い。 次に本実施例の投影型露光装置に用いる投影系
の数値実施例を示す。 数値実施例においてRiは物体側より順に第ｉ
番目のレンズ面の曲率半径、Diは物体側より順
に第ｉ番目のレンズ厚及び空気間隔、SiO2は溶
融石英、CAF2はフツ化カルシウムである。 又表１に数値実施例で用いたガラスのｄ線に対
する屈折率ndとｄ線基準の分散νdを示す。 数値実施例は結像倍率が１倍で画面範囲20×20
mm、Fe＝3.0のときである。数値実施例のレンズ
断面図を第２図に、基準波長248.5nｍとしたとき
の諸収差図を第３図に示す。 数値実施例
し、特にIC、LSI等の電子回路の微細パターンを
投影系によりウエハ等へ投影露光する為の投影露
光装置及び投影露光方法に関する。 （従来の技術） 投影露光装置によりIC、LSI等の電子回路の微
細パターンを投影系によりウエハ等へ投影露光す
る際には、そのパターン像が所定の結像倍率で所
定形状のウエバに即ち正規の結像倍率及び結像状
態で投影されることが要求される。しかしながら
投影系の存在する気温、気圧、湿度や熱等の環境
状態の変化や投影系の組立誤差等によつて常に正
規の結像状態でパターン像をウエハ面上に形成す
るのは大変難しい。特にウエハはエツチングや温
度処理等のプロセス処理を繰り返し受けるので形
状や寸法が変化したりする。又マスクは製作時の
環境条件とマスク使用時の環境条件とに差異があ
ると形状や寸法に誤差が生じる場合がある。この
為例えば投影系が理想的に製作されていたとして
もマスクとウエハを常に一定の関係で整合させる
ことが難しくなつてくる。このことは電子回路が
より超密度化されてくる程困難になつてくる。 （本発明の目的） 本発明はマスクパターン等の原画をウエハ面上
に該ウエハの既に記録されている 原画像と所定の結像関係を有するように投影露光
することのできる投影露光装置の及び投影露光方
法の提供を目的とする。 （本発明の主たる特徴） 本発明の目的を達成する為の投影露光装置の主
たる特徴は、照明光によりマスクパターンを照明
し、該マスクパターンを介して被露光基板を露光
する投影露光装置において、前記マスクパターン
を前記被露光基板上に結像せしめる、波長に依存
して結像倍率が変わる投影光学系と、前記投影光
学系の結像倍率を検出する手段と、前記検出手段
による検出に応じて前記照明光の波長を変化させ
る手段と、前記被露光基板を前記投影光学系の光
軸方向に動かすことにより、前記被露光基板を前
記照明光の波長変化後の前記マスクパターンの結
像位置に位置付ける手段とを有すことである。 又、投影露光方法の主たる特徴は、照明光によ
りマスクパターンを照明し、該マスクパターンを
投影光学系により被露光基板上に投影する段階を
含む投影露光方法において、前記投影光学系を波
長に依存して結像倍率が変化する光学系で構成
し、前記照明光の波長を変化させることにより前
記投影光学系の結像倍率を変えて所望の結像倍率
を得、前記照明光の波長変化後の前記マスクパタ
ーンの結像位置と前記被露光基板とを合致させる
ことである。 又、微細パターン素子の製造方法の主たる特徴
は、照明光によりマスクの微細パターンを照明
し、該微細パターンを投影光学系により被露光基
板上に結像せしめる段階を有する微細パターン素
子の製造方法において、前記投影光学系を波長に
依存して結像倍率が変化する光学系で構成し、前
記照明光の波長を変化させることにより前記投影
光学系の結像倍率を変えて所望の結像倍率を得、
前記照明光の波長変化後の前記マスクパターンの
結像位置と前記被露光基板とを合致させることで
ある。 これにより例えばマスクの製作時と使用時の環
境変化による形状寸法の誤差や複数のプロセス処
理によるウエハの形状変化等によるマスクパター
ン像とウエハとの整合調整を容易にしている。 その他の本発明の特徴は実施例において記載さ
れている。 （実施例） 第１図は本発明の投影露光装置の一実施例のブ
ロツク図である。本実施例はマスクの製作時と使
用時の気温、気圧、湿度等の環境状態の変化やウ
エハの複数のプロセス処理によりマスクパターン
像が例えば正規の結像倍率がより外れてウエハ面
上に投影された場合の調整の一例である。 図中１はインジエクシヨンロツキングしたエキ
シマレーザー等の光源、２は反射鏡、３はIC、
LSI等の微細パターンのマスク４の照明系、５は
投影系（投影光学系）６は被露光基板としてのウ
エハで投影系５によるマスク４の結像面である。
７はマスク４の結像倍率を検出する結像倍率検出
手段である。８は結像倍率検出手段７からの出力
信号に基づいて光源１の発振波長を可変とする波
長可変手段、９は結像倍率検出手段７からの出力
信号に基づいてウエハ位置を調整するウエハ位置
調整手段である。 本実施例においてはエキシマレーザーをインジ
エクシヨンロツキング手法により又プリズム、エ
タロン等の波長可変手段により微調整を行うこと
によつてビーム拡り角を小さくし非常に狭い波長
幅で発振波長を可変としている。そしてプリズム
等の微調整によつて略連続的に発振波長を変化さ
せている。結像倍率検出手段７は例えばマスク４
のアライメントマークとウエハ６のアライメント
マークとの間隔を測定し、結像倍率を算出する走
査型光電顕微鏡等を使用している。そして結像倍
率検出手段７によつて算出した値に基づいて波長
可変手段８を微少調整することによりエキシマレ
ーザー１からの発振波長をウエハの感光領域内で
変化させている。 尚結像倍率検出手段７は例えばウエハ６がまだ
何も記録されていないときはウエハ面上でのマス
ク４のパターン像が所定の結像倍率で投影されて
いるか否か検出し、所定の結像倍率が得られるよ
うにマスク４及びウエハ６の位置を調整すると共
に波長可変手段８により照明系の照明波長を変化
させている。そして所定の結像倍率が得られた後
に各種の処理プロセスを行うようにしている。 そして処理プロセスが施されマスク４の原画像
の一部が記録されたウエハを再度前回と同じ位置
に配置しウエハ面上に前回とは異つたマスクパタ
ーン像を所定の結像倍率で投影するようにしてい
る。このとき新たなマスクがマスク面上に記録さ
れているパターン像と新たなマスク面上の例えば
アライメントマークの投影像が所定の結像関係を
有するように照明系の発振波長を変化させて調整
している。 このような方法によりマスクやウエハの形状誤
差を調整し所定の結像関係を有するマスクパター
ン像をウエハ面上に形成させている。尚一定の結
像関係のマスクパターン像が得られた際、ピント
位置の調整を行う場合はウエハ位置調整手段９に
よつてウエハ６を投影系５の光軸方向へ移動させ
て行つている。 このように本実施例ではマスクやウエハの環境
変化による形状寸法の誤差やウエハの各種のプロ
セス処理によつて生じる形状誤差等によるマスク
パターンとウエハとの正規の結像状態からの逸脱
を照明系の照明波長を変化させることによつて整
合調整することを可能としている。この他本実施
例によれば投影系の結像倍率の誤差による影響、
例えば投影系の組立上の誤差による場合や、投影
系及び装置全体の配置される環境変化により光学
性能が変化する場合や投影系を構成するレンズ系
のガラス材料の設計値からの誤差等の原因により
変化するマスクパターン像のウエハ面上での結像
関係を整合調整することも可能である。 尚本実施例において波長可変手段８を光源１の
内部に備え一体化して構成しても良い。 又ウエハ位置調整手段９は必ずしも設けておく
必要はない。 本実施例では投影系によるマスクパターン像の
ウエハ面上での結像倍率の検出を実時間で行つて
いる場合を示したがウエハにマスクパターン像を
記録し、現像処理等のプロセス処理を行つた後、
マスクパターン像の結像倍率を測定し、その測定
結果に基づきエキシマレーザーからの発振波長を
変化させるようにしても良い。これによれば各種
のプロセス処理毎によるウエハの歪等を補正する
ことが出来好ましい。 尚実時間で行う場合、単に投影系の結像倍率を
検出しながら発振波長を順次シフト所定の結像倍
率が得られた発振波長で焼付けを行うようにして
も良い。 次に本実施例の投影型露光装置に用いる投影系
の数値実施例を示す。 数値実施例においてRiは物体側より順に第ｉ
番目のレンズ面の曲率半径、Diは物体側より順
に第ｉ番目のレンズ厚及び空気間隔、SiO2は溶
融石英、CAF2はフツ化カルシウムである。 又表１に数値実施例で用いたガラスのｄ線に対
する屈折率ndとｄ線基準の分散νdを示す。 数値実施例は結像倍率が１倍で画面範囲20×20
mm、Fe＝3.0のときである。数値実施例のレンズ
断面図を第２図に、基準波長248.5nｍとしたとき
の諸収差図を第３図に示す。 数値実施例
【表】
【表】
例えば本数値実施例において波長を248.5nｍよ
り波長251.5nｍへと変化させたときの結像倍率の
変化を像高14mmで算出すると0.14nｍとなる。即
ち波長を±3nｍ変化させることにより本実施例
の投影型露光装置においては±0.28μｍの倍率調
整が可能となる。 （本発明の効果） 本発明によれば照明系の照明波長を変化させる
ことによりマスタやウエハの形状寸法誤差による
マスクパターン像のウエハ面上での結像状態の変
化を調整し、常に一定の関係を維持してマスクパ
ターン像をウエハ面上へ投影することができる。
更に投影系の結像倍率の設計値からの誤差による
マスクパターン像のウエハ面上での調整も良好に
行うことができる。
り波長251.5nｍへと変化させたときの結像倍率の
変化を像高14mmで算出すると0.14nｍとなる。即
ち波長を±3nｍ変化させることにより本実施例
の投影型露光装置においては±0.28μｍの倍率調
整が可能となる。 （本発明の効果） 本発明によれば照明系の照明波長を変化させる
ことによりマスタやウエハの形状寸法誤差による
マスクパターン像のウエハ面上での結像状態の変
化を調整し、常に一定の関係を維持してマスクパ
ターン像をウエハ面上へ投影することができる。
更に投影系の結像倍率の設計値からの誤差による
マスクパターン像のウエハ面上での調整も良好に
行うことができる。
第１図は本発明の一実施例のブロツク図、第２
図、第３図は各々第１図に示した投影系の数値実
施例のレンズ断面図と諸収差図である。図中１は
光源、２は反射鏡、３は照明系、４はマスク、５
は投影系、６はウエハ、７は結像倍率検出手段、
８は波長可変手段、９はウエハ位置調整手段、収
差図においてＳはサジタル像面、Ｍはメリデイオ
ナル像面である。
図、第３図は各々第１図に示した投影系の数値実
施例のレンズ断面図と諸収差図である。図中１は
光源、２は反射鏡、３は照明系、４はマスク、５
は投影系、６はウエハ、７は結像倍率検出手段、
８は波長可変手段、９はウエハ位置調整手段、収
差図においてＳはサジタル像面、Ｍはメリデイオ
ナル像面である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 照明光によりマスクパターンを照明し、該マ
スクパターンを介して被露光基板を露光する投影
露光装置において、前記マスクパターンを前記被
露光基板上に結像せしめる、波長に依存して結像
倍率が変わる投影光学系と、前記投影光学系の結
像倍率を検出する手段と、前記検出手段による検
出に応じて前記照明光の波長を変化させる手段
と、前記被露光基板を前記投影光学系の光軸方向
に動かすことにより、前記被露光基板を前記照明
光の波長変化後の前記マスクパターンの結像位置
に位置付ける手段とを有すことを特徴とする投影
露光装置。 ２ 照明光によりマスクパターンを照明し、該マ
スクパターンを投影光学系により被露光基板上に
投影する段階を含む投影露光方法において、前記
投影光学系を波長に依存して結像倍率が変化する
光学系で構成し、前記照明光の波長を変化させる
ことにより前記投影光学系の結像倍率を変えて所
望の結像倍率を得、前記照明光の波長変化後の前
記マスクパターンの結像位置と前記被露光基板と
を合致させることを特徴とする投影露光方法。 ３ 照明光によりマスクの微細パターンを照明
し、該微細パターンを投影光学系により被露光基
板上に結像せしめる段階を有する微細パターン素
子の製造方法において、前記投影光学系を波長に
依存して結像倍率が変化する光学系で構成し、前
記照明光の波長を変化させることにより前記投影
光学系の結像倍率を変えて所望の結像倍率を得、
前記照明光の波長変化後の前記マスクパターンの
結像位置と前記被露光基板とを合致させることを
特徴とする微細パターンの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021373A JPS61181128A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| US07/212,145 US4811055A (en) | 1984-02-27 | 1988-06-24 | Projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021373A JPS61181128A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61181128A JPS61181128A (ja) | 1986-08-13 |
| JPH0550849B2 true JPH0550849B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=12053287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60021373A Granted JPS61181128A (ja) | 1984-02-27 | 1985-02-06 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61181128A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095190A (en) * | 1987-03-03 | 1992-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JPS63213928A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-06 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP2590891B2 (ja) * | 1987-07-02 | 1997-03-12 | 株式会社ニコン | 投影光学装置 |
| DE3733823A1 (de) * | 1987-10-07 | 1989-04-20 | Zeiss Carl Fa | Verfahren zur kompensation des einflusses von umweltparametern auf die abbildungseigenschaften eines optischen systems |
| US7525638B2 (en) | 2005-03-23 | 2009-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
1985
- 1985-02-06 JP JP60021373A patent/JPS61181128A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61181128A (ja) | 1986-08-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |