JPH0554688B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0554688B2 JPH0554688B2 JP59072282A JP7228284A JPH0554688B2 JP H0554688 B2 JPH0554688 B2 JP H0554688B2 JP 59072282 A JP59072282 A JP 59072282A JP 7228284 A JP7228284 A JP 7228284A JP H0554688 B2 JPH0554688 B2 JP H0554688B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- projection optical
- wavelength
- imaging magnification
- illumination light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 85
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 49
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 29
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Variable Magnification In Projection-Type Copying Machines (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明はIC、LSI等の微細パターンを投影光学
系を用いて製造するときの投影露光装置及び投影
露光方法に関し、特に投影光学系の結像倍率を所
定値に設定すると共に、投影光学系の光学性能の
変化を補正する結像倍率調整手段を有している投
影露光装置及び投影露光方法に関するものであ
る。 従来よりIC、LSI等の微細パターンをウエハー
に焼付ける微細加工を目的とした投影露光装置に
は非常に高い組立精度と光学性能が要求されてい
る。このうち投影露光装置に用いられる投影光学
系には設定値に合致した結像倍率と高解像力を有
するものが要求される。 特に投影光学系の結像倍率は設定値と厳密に一
致していることが要求される。 これは周知のようにIC、LSIの製造においては
マスクパターンの焼付工程を重複して行う際にそ
の都度アライメントを行う為であり又製造工程に
応じて使用される別々の投影露光装置でアライメ
ントを行う場合がある為に各装置毎の歪曲や結像
倍率誤差等の総合的な結像倍率を所定値に設定し
ておかねばならない為である。 従来より投影露光装置において投影光学系の結
像倍率の調整の一方法としてマスクパターンと投
影光学系との間隔を調整して行つてきた。 このときの調整を投影光学系の鏡筒寸法の変更
で行う場合はマスクパターンをウエハー面上に一
度焼付け、焼付け後のウエハー上のマスクパター
ン像の倍率を測定し、その測定結果に基づいて投
影光学系を投影露光装置より取り外して光学調整
を行つていた。 その他の投影光学系の結像倍率の調整方法とし
てはマスクパターンを投影光学系の結像面（ウエ
ハー面）に対して前後させて行う方法がある。し
かしながらこの方法はマスクパターンを移動させ
る為の高精度の移動機構例えば高精度のヘリコイ
ド機構が必要となつてくる。 一般にこれらの機械的手段による倍率調整はあ
る程度の調整は可能であるが厳密に例えばマスク
パターンの全面積で0.1μ以内に調整しようとする
場合にはもはや機械的手段では達成できなくなつ
てくる。 本発明は投影光学系の結像倍率を厳密に所定値
に設定することができ、かつ結像倍率を所定値に
設定したときに生ずる光学性能の変化を良好に補
正することのできる投影露光装置及び投影露光方
法の提供を目的とする。 本発明の目的を達成する為の投影露光装置の主
たる特徴は、照明光によりマスクパターンを照明
し、該マスクパターンを介して被露光基板を露光
する投影露光装置において、前記マスクパターン
を前記被露光基板上に結像せしめる、波長に依存
して収差と結像倍率とが変わる投影光学系と、前
記投影光学系の結像倍率を検出する手段と、前記
検出手段による検出に応じて前記照明光の波長を
変化させる手段と、前記照明光の波長変化による
前記投影光学系の収差の変化を補正する手段を備
えることである。 又、投影露光方法の主たる特徴は、照明光によ
りマスクパターンを照明し、該マスクパターンを
投影光学系により被露光基板上に投影する段階を
含む投影露光方法において、前記投影光学系を波
長に依存して結像倍率と収差が変化する光学系で
構成し、前記照明光の波長を変化させることによ
り前記投影光学系の結像倍率を変えて所望の結像
倍率を得、前記照明光の波長変化による前記投影
光学系の収差の変化を補正することである。 又、微細パターン素子の製造方法の主たる特徴
は、照明光によりマスクの微細パターンを照明
し、該微細パターンを投影光学系により被露光基
板上に結像せしめる段階を有する微細パターン素
子の製造方法において、前記投影光学系の球面収
差を変化させ、所望の球面収差を得ることであ
る。 特に、前記投影光学系の球面収差を、平行平面
板を用いて変化させることである。 この他、微細パターン素子の製造方法の主たる
特徴は、照明光によりマスクの微細パターンを照
明し、該微細パターンを投影光学系により被露光
基板上に結像せしめる段階を有する微細パターン
素子の製造方法において、前記投影光学系を波長
に依存して結像倍率と収差が変化する光学系で構
成し、前記照明光の波長を変化させることにより
前記投影光学系の結像倍率を変えて所望の結像倍
率を得、前記照明光の波長変化による前記投影光
学系の収差の変化を補正することである。 投影光学系の結像倍率は使用する波長により多
少異つてくる。従つて投影光学系において使用す
る波長を変化させることのできる光源を用いれ
ば、結像倍率を変化させた使用が可能となる。 微細パターンを焼付けることを主目的とする後
述する本発明の実施例においては使用する波長を
例えば1.5nｍ程度の僅かの量変化させることによ
つて有効面積28mm径の周辺において0.06μｍの倍
率調整を行うことができる。 一般に本発明に係る投影光学系は諸収差が極め
て良好に補正されている。この為実際に使用する
波長が僅かに変化しても当初の光学性能より変化
してくる。微細パターンを焼付けることを目的と
する投影露光装置においては、このときの光学性
能の変化を補正しておく必要がある。 そこで本発明ではこのときの光学性能の変化、
主に球面収差の変化を光学補正手段により補正し
ているのである。 具体的には光学補正手段を厚さの異なる複数の
平行平面ガラスより構成し光源の発振波長の変化
量に応じて平行平面ガラスを投影光学系のマスク
パターン側若しくはウエハー側の少なくとも一方
に出入れすることにより行つている。 一般に投影露光装置においてはマスクパター
ン、投影光学系そしてウエハー等の配置を高精度
で行う必要がある。このとき各要素の配置を機械
的に行うには精度的に限界がある。そこで本発明
においては各要素を機械的な精度の許す範囲内で
まず配置し、次に投影光学系の結像倍率の微少誤
差を、機械的調整のかわりにマスクパターンを照
明する光源の発振波長を変えて精度良く調整する
ものである。 光源の発振波長の可変方法としては、例えば光
源としてエキシマレーザーを用いる場合はインジ
エクシヨンロツキング装置のオツシレータ側のプ
リズム、エタロン等の波長特性決定用素子の調整
やエキシマレーザー内の反射ミラーを調整するこ
とによつて行うことができる。本発明において結
像倍率の調整をまず投影光学系の結像倍率をテス
ト装置で測定しその測定結果に基づいて行つても
良く若しくは結像倍率調整手段に結像倍率検出手
段を設け結像倍率検出手段からの出力信号に基づ
いて波長可変手段により光源の発振波長を変える
ようにして行つても良い。例えば結像倍率検出手
段による場合は例えばウエハー面に相当する位置
に光電変換素子を設けマスクパターンの投影像を
光電的に読み取つて結像倍率を検出し、波長可変
手段により結像倍率の調整を行うようにしても良
い。 又結像倍率の調整を結像倍率検出手段からの出
力信号に基づいて光源の発振波長を可変とすると
共にウエハー位置調整手段を設けウエハー位置を
調整して行うようにしてもよい。 そして光源の発振波長の変化量に応じて予め設
定してある光学補正手段により光学性能、特に球
面収差の補正を行えば所定の結像倍率を有した高
性能な投影光学系を達成することができる。 次に本発明の一実施例の投影露光装置のブロツ
ク図を第１図に示す。図中１はインジエクシヨン
ロツキングしたエキシマレーザー等の光源、２は
反射鏡、３はIC、LSI等の微細パターンのマスク
４の照明系、５は投影光学系、６は被露光基板と
してのウエハーが載置されるウエハー位置で投影
光学系５によるマスク４の結像面である。７はウ
エハー位置６に例えば光電変換手段を配置し光電
変換手段によりマスク４の結像倍率を光電的に検
出する結像倍率検出手段である。８は結像倍率検
出手段７からの出力信号に基づいて光源１の発振
波長を可変とする波長可変手段、９は結像倍率検
出手段７からの出力信号に基づいてウエハー位置
を調整するウエハー位置調整手段である。 １０は光学補正手段であり光源の発振波長の変
化量に応じて予め設定された厚さを有する平行平
面板を出入れして光学性能を補正する為のもので
ある。 尚波長可変手段８は光源１の内部に備え一体と
する場合もある。又ウエハー位置調整手段９は必
ずしも設けておく必要はない。結像倍率検出手段
７を設けないときは投影光学系５の結像倍率を予
め測定しておき、この測定結果に基づいて波長可
変手段８により光源１の発振波長を制御するよう
にしても良い。 第２図に本発明の一実施例で光源として用いた
インジエクシヨンロツキングエキシマレーザーの
構成図を示す。同図においてＡはオツシレータ、
Ｂは不安定共振型オツシレータ、１１は安定型共
振器、１２はアパーチヤー、１３はプリズム、１
４は不安定型共振器である。 次に本発明の投影露光装置に用いる投影光学系
の数値実施例を示す。 数値実施例においてRiは物体側より順に第ｉ番
目のレンズ面の曲率半径、Diは物体側より順に第
ｉ番目のレンズ厚及び空気間隔、SiO2は溶融石
英、CAF2はフツ化カルシウムである。 表１に数値実施例で用いたガラスのｄ線に対す
る屈折率ndとｄ線基準の分散νdを示す。 数値実施例は結像倍率が１倍で画面範囲20×20
mm、Fe＝3.0のときである。数値実施例のレンズ
断面図を第３図に示す。
系を用いて製造するときの投影露光装置及び投影
露光方法に関し、特に投影光学系の結像倍率を所
定値に設定すると共に、投影光学系の光学性能の
変化を補正する結像倍率調整手段を有している投
影露光装置及び投影露光方法に関するものであ
る。 従来よりIC、LSI等の微細パターンをウエハー
に焼付ける微細加工を目的とした投影露光装置に
は非常に高い組立精度と光学性能が要求されてい
る。このうち投影露光装置に用いられる投影光学
系には設定値に合致した結像倍率と高解像力を有
するものが要求される。 特に投影光学系の結像倍率は設定値と厳密に一
致していることが要求される。 これは周知のようにIC、LSIの製造においては
マスクパターンの焼付工程を重複して行う際にそ
の都度アライメントを行う為であり又製造工程に
応じて使用される別々の投影露光装置でアライメ
ントを行う場合がある為に各装置毎の歪曲や結像
倍率誤差等の総合的な結像倍率を所定値に設定し
ておかねばならない為である。 従来より投影露光装置において投影光学系の結
像倍率の調整の一方法としてマスクパターンと投
影光学系との間隔を調整して行つてきた。 このときの調整を投影光学系の鏡筒寸法の変更
で行う場合はマスクパターンをウエハー面上に一
度焼付け、焼付け後のウエハー上のマスクパター
ン像の倍率を測定し、その測定結果に基づいて投
影光学系を投影露光装置より取り外して光学調整
を行つていた。 その他の投影光学系の結像倍率の調整方法とし
てはマスクパターンを投影光学系の結像面（ウエ
ハー面）に対して前後させて行う方法がある。し
かしながらこの方法はマスクパターンを移動させ
る為の高精度の移動機構例えば高精度のヘリコイ
ド機構が必要となつてくる。 一般にこれらの機械的手段による倍率調整はあ
る程度の調整は可能であるが厳密に例えばマスク
パターンの全面積で0.1μ以内に調整しようとする
場合にはもはや機械的手段では達成できなくなつ
てくる。 本発明は投影光学系の結像倍率を厳密に所定値
に設定することができ、かつ結像倍率を所定値に
設定したときに生ずる光学性能の変化を良好に補
正することのできる投影露光装置及び投影露光方
法の提供を目的とする。 本発明の目的を達成する為の投影露光装置の主
たる特徴は、照明光によりマスクパターンを照明
し、該マスクパターンを介して被露光基板を露光
する投影露光装置において、前記マスクパターン
を前記被露光基板上に結像せしめる、波長に依存
して収差と結像倍率とが変わる投影光学系と、前
記投影光学系の結像倍率を検出する手段と、前記
検出手段による検出に応じて前記照明光の波長を
変化させる手段と、前記照明光の波長変化による
前記投影光学系の収差の変化を補正する手段を備
えることである。 又、投影露光方法の主たる特徴は、照明光によ
りマスクパターンを照明し、該マスクパターンを
投影光学系により被露光基板上に投影する段階を
含む投影露光方法において、前記投影光学系を波
長に依存して結像倍率と収差が変化する光学系で
構成し、前記照明光の波長を変化させることによ
り前記投影光学系の結像倍率を変えて所望の結像
倍率を得、前記照明光の波長変化による前記投影
光学系の収差の変化を補正することである。 又、微細パターン素子の製造方法の主たる特徴
は、照明光によりマスクの微細パターンを照明
し、該微細パターンを投影光学系により被露光基
板上に結像せしめる段階を有する微細パターン素
子の製造方法において、前記投影光学系の球面収
差を変化させ、所望の球面収差を得ることであ
る。 特に、前記投影光学系の球面収差を、平行平面
板を用いて変化させることである。 この他、微細パターン素子の製造方法の主たる
特徴は、照明光によりマスクの微細パターンを照
明し、該微細パターンを投影光学系により被露光
基板上に結像せしめる段階を有する微細パターン
素子の製造方法において、前記投影光学系を波長
に依存して結像倍率と収差が変化する光学系で構
成し、前記照明光の波長を変化させることにより
前記投影光学系の結像倍率を変えて所望の結像倍
率を得、前記照明光の波長変化による前記投影光
学系の収差の変化を補正することである。 投影光学系の結像倍率は使用する波長により多
少異つてくる。従つて投影光学系において使用す
る波長を変化させることのできる光源を用いれ
ば、結像倍率を変化させた使用が可能となる。 微細パターンを焼付けることを主目的とする後
述する本発明の実施例においては使用する波長を
例えば1.5nｍ程度の僅かの量変化させることによ
つて有効面積28mm径の周辺において0.06μｍの倍
率調整を行うことができる。 一般に本発明に係る投影光学系は諸収差が極め
て良好に補正されている。この為実際に使用する
波長が僅かに変化しても当初の光学性能より変化
してくる。微細パターンを焼付けることを目的と
する投影露光装置においては、このときの光学性
能の変化を補正しておく必要がある。 そこで本発明ではこのときの光学性能の変化、
主に球面収差の変化を光学補正手段により補正し
ているのである。 具体的には光学補正手段を厚さの異なる複数の
平行平面ガラスより構成し光源の発振波長の変化
量に応じて平行平面ガラスを投影光学系のマスク
パターン側若しくはウエハー側の少なくとも一方
に出入れすることにより行つている。 一般に投影露光装置においてはマスクパター
ン、投影光学系そしてウエハー等の配置を高精度
で行う必要がある。このとき各要素の配置を機械
的に行うには精度的に限界がある。そこで本発明
においては各要素を機械的な精度の許す範囲内で
まず配置し、次に投影光学系の結像倍率の微少誤
差を、機械的調整のかわりにマスクパターンを照
明する光源の発振波長を変えて精度良く調整する
ものである。 光源の発振波長の可変方法としては、例えば光
源としてエキシマレーザーを用いる場合はインジ
エクシヨンロツキング装置のオツシレータ側のプ
リズム、エタロン等の波長特性決定用素子の調整
やエキシマレーザー内の反射ミラーを調整するこ
とによつて行うことができる。本発明において結
像倍率の調整をまず投影光学系の結像倍率をテス
ト装置で測定しその測定結果に基づいて行つても
良く若しくは結像倍率調整手段に結像倍率検出手
段を設け結像倍率検出手段からの出力信号に基づ
いて波長可変手段により光源の発振波長を変える
ようにして行つても良い。例えば結像倍率検出手
段による場合は例えばウエハー面に相当する位置
に光電変換素子を設けマスクパターンの投影像を
光電的に読み取つて結像倍率を検出し、波長可変
手段により結像倍率の調整を行うようにしても良
い。 又結像倍率の調整を結像倍率検出手段からの出
力信号に基づいて光源の発振波長を可変とすると
共にウエハー位置調整手段を設けウエハー位置を
調整して行うようにしてもよい。 そして光源の発振波長の変化量に応じて予め設
定してある光学補正手段により光学性能、特に球
面収差の補正を行えば所定の結像倍率を有した高
性能な投影光学系を達成することができる。 次に本発明の一実施例の投影露光装置のブロツ
ク図を第１図に示す。図中１はインジエクシヨン
ロツキングしたエキシマレーザー等の光源、２は
反射鏡、３はIC、LSI等の微細パターンのマスク
４の照明系、５は投影光学系、６は被露光基板と
してのウエハーが載置されるウエハー位置で投影
光学系５によるマスク４の結像面である。７はウ
エハー位置６に例えば光電変換手段を配置し光電
変換手段によりマスク４の結像倍率を光電的に検
出する結像倍率検出手段である。８は結像倍率検
出手段７からの出力信号に基づいて光源１の発振
波長を可変とする波長可変手段、９は結像倍率検
出手段７からの出力信号に基づいてウエハー位置
を調整するウエハー位置調整手段である。 １０は光学補正手段であり光源の発振波長の変
化量に応じて予め設定された厚さを有する平行平
面板を出入れして光学性能を補正する為のもので
ある。 尚波長可変手段８は光源１の内部に備え一体と
する場合もある。又ウエハー位置調整手段９は必
ずしも設けておく必要はない。結像倍率検出手段
７を設けないときは投影光学系５の結像倍率を予
め測定しておき、この測定結果に基づいて波長可
変手段８により光源１の発振波長を制御するよう
にしても良い。 第２図に本発明の一実施例で光源として用いた
インジエクシヨンロツキングエキシマレーザーの
構成図を示す。同図においてＡはオツシレータ、
Ｂは不安定共振型オツシレータ、１１は安定型共
振器、１２はアパーチヤー、１３はプリズム、１
４は不安定型共振器である。 次に本発明の投影露光装置に用いる投影光学系
の数値実施例を示す。 数値実施例においてRiは物体側より順に第ｉ番
目のレンズ面の曲率半径、Diは物体側より順に第
ｉ番目のレンズ厚及び空気間隔、SiO2は溶融石
英、CAF2はフツ化カルシウムである。 表１に数値実施例で用いたガラスのｄ線に対す
る屈折率ndとｄ線基準の分散νdを示す。 数値実施例は結像倍率が１倍で画面範囲20×20
mm、Fe＝3.0のときである。数値実施例のレンズ
断面図を第３図に示す。
【表】
【表】
【表】
第３図において３１，３２，３３は各々厚さの
異なる平行平面板より成る光学補正手段でありマ
スクパターンを照明する光源の発振波長の変化に
より生じた光学性能の補正を投影光学系のマスク
パターン側若しくはウエハー側の少なくとも一方
に出入れすることにより行うものである。 本発明に係る投影光学系においては波長変化に
より球面収差が最も多く変化する。そこで光束の
収斂若しくは発散する位置に平行平面板を出入れ
することにより球面収差の変化を補正しているの
である。 本発明の実施例で光学補正手段として平行平面
板を用いたのは平行平面板はその厚さを変えるこ
とにより球面収差量を制御することができる為で
ある。従つて本発明における光学補正手段は必ず
しも平行平面板である必要はなく例えば屈折力の
小さな負レンズであつても良い。 尚本発明の実施例では平行平面板を投影光学系
の一方に挿入した例を示したが投影光学系のマス
クパターン側とウエハー側の各々に光学補正手段
を挿入するようにしても良い。 又本発明においては厚さの異なる２つの平行平
面板を投影光学系のマスクパターン側とウエハー
側に各々挿入しても良い。これは特に投影光学系
の結像倍率が縮少のとき補正が容易に行えるので
好ましい。 第４図に数値実施例の基準波長を248.5nｍとし
たときの諸収差図を示す。 本発明の数値実施例において像高14mmでの結像
倍率を0.06μｍ調整するには波長を248.5nｍから
250nｍに変化させればよい。 厚さ10mmの平行平面板が挿入されている投影光
学系において光源の波長を単に248.5nｍから250n
ｍに変化させたときの球面収差を第５図に、又こ
のとき平行平面板の厚さを10mmから６mmに変更し
て補正したときの球面収差を第６図に示す。第５
図、第６図より明らかのように平行平面板の厚さ
を変えることにより球面収差は良好に補正されて
いる。 以上のように本発明によれば投影光学系の結像
倍率の調整を光源の発振波長を変えて行うことに
より、従来より機械的調整では困難であつた微少
調整が容易に出来、所定の結像倍率を高精度に調
整することが出来、更に光源の波長変化により生
じる光学性能を良好に補正することのできる投影
露光装置及び投影露光方法を達成することができ
る。
異なる平行平面板より成る光学補正手段でありマ
スクパターンを照明する光源の発振波長の変化に
より生じた光学性能の補正を投影光学系のマスク
パターン側若しくはウエハー側の少なくとも一方
に出入れすることにより行うものである。 本発明に係る投影光学系においては波長変化に
より球面収差が最も多く変化する。そこで光束の
収斂若しくは発散する位置に平行平面板を出入れ
することにより球面収差の変化を補正しているの
である。 本発明の実施例で光学補正手段として平行平面
板を用いたのは平行平面板はその厚さを変えるこ
とにより球面収差量を制御することができる為で
ある。従つて本発明における光学補正手段は必ず
しも平行平面板である必要はなく例えば屈折力の
小さな負レンズであつても良い。 尚本発明の実施例では平行平面板を投影光学系
の一方に挿入した例を示したが投影光学系のマス
クパターン側とウエハー側の各々に光学補正手段
を挿入するようにしても良い。 又本発明においては厚さの異なる２つの平行平
面板を投影光学系のマスクパターン側とウエハー
側に各々挿入しても良い。これは特に投影光学系
の結像倍率が縮少のとき補正が容易に行えるので
好ましい。 第４図に数値実施例の基準波長を248.5nｍとし
たときの諸収差図を示す。 本発明の数値実施例において像高14mmでの結像
倍率を0.06μｍ調整するには波長を248.5nｍから
250nｍに変化させればよい。 厚さ10mmの平行平面板が挿入されている投影光
学系において光源の波長を単に248.5nｍから250n
ｍに変化させたときの球面収差を第５図に、又こ
のとき平行平面板の厚さを10mmから６mmに変更し
て補正したときの球面収差を第６図に示す。第５
図、第６図より明らかのように平行平面板の厚さ
を変えることにより球面収差は良好に補正されて
いる。 以上のように本発明によれば投影光学系の結像
倍率の調整を光源の発振波長を変えて行うことに
より、従来より機械的調整では困難であつた微少
調整が容易に出来、所定の結像倍率を高精度に調
整することが出来、更に光源の波長変化により生
じる光学性能を良好に補正することのできる投影
露光装置及び投影露光方法を達成することができ
る。
第１図は本発明の一実施例の投影露光装置のブ
ロツク図、第２図は従来のインジエクシヨンロツ
キングエキシマレーザーの構成図、第３図、第４
図は本発明の投影光学系の数値実施例のレンズ断
面図と諸収差図、第５図、第６図は各々本発明の
投影光学系の数値実施例において光学補正手段に
より補正した場合と補正しない場合の球面収差図
である。 図中１は光源、２は反射鏡、３は照明系、４は
マスク、５は投影光学系、６はウエハー、７は結
像倍率検出手段、８は波長可変手段、９はウエハ
ー位置調整手段、１０は光学補正手段、△Ｓはサ
ジタル像面、△Ｍはメリデイオナル像面、Y′は
像高である。
ロツク図、第２図は従来のインジエクシヨンロツ
キングエキシマレーザーの構成図、第３図、第４
図は本発明の投影光学系の数値実施例のレンズ断
面図と諸収差図、第５図、第６図は各々本発明の
投影光学系の数値実施例において光学補正手段に
より補正した場合と補正しない場合の球面収差図
である。 図中１は光源、２は反射鏡、３は照明系、４は
マスク、５は投影光学系、６はウエハー、７は結
像倍率検出手段、８は波長可変手段、９はウエハ
ー位置調整手段、１０は光学補正手段、△Ｓはサ
ジタル像面、△Ｍはメリデイオナル像面、Y′は
像高である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 照明光によりマスクの微細パターンを照明
し、該微細パターンを投影光学系により被露光基
板上に結像せしめる段階を有する微細パターン素
子の製造方法において、前記投影光学系の球面収
差を変化させ、所望の球面収差を得ることを特徴
とする微細パターン素子の製造方法。 ２ 前記投影光学系の球面収差を、平行平面板を
用いて変化させることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の微細パターン素子の製造方法。 ３ 照明光によりマスクパターンを照明し、該マ
スクパターンを介して被露光基板を露光する投影
露光装置において、前記マスクパターンを前記被
露光基板上に結像せしめる、波長に依存して収差
と結像倍率とが変わる投影光学系と、前記投影光
学系の結像倍率を検出する手段と、前記検出手段
による検出に応じて前記照明光の波長に変化させ
る手段と、前記照明光の波長変化による前記投影
光学系の収差の変化を補正する手段を備えること
を特徴とする投影露光装置。 ４ 照明光によりマスクパターンを照明し、該マ
スクパターンを投影光学系により被露光基板上に
投影する段階を含む投影露光方法において、前記
投影光学系を波長に依存して結像倍率と収差が変
化する光学系で構成し、前記照明光の波長を変化
させることにより前記投影光学系の結像倍率を変
えて所望の結像倍率を得、前記照明光の波長変化
による前記投影光学系の収差の変化を補正するこ
とを特徴とする投影露光方法。 ５ 照明光によりマスクの微細パターンを照明
し、該微細パターンを投影光学系により被露光基
板上に結像せしめる段階を有する微細パターン素
子の製造方法において、前記投影光学系を波長に
依存して結像倍率と収差が変化する光学系で構成
し、前記照明光の波長を変化させることにより前
記投影光学系の結像倍率を変えて所望の結像倍率
を得、前記照明光の波長変化による前記投影光学
系の収差の変化を補正することを特徴とする微細
パターン素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072282A JPS60214335A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072282A JPS60214335A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214335A JPS60214335A (ja) | 1985-10-26 |
| JPH0554688B2 true JPH0554688B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=13484767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59072282A Granted JPS60214335A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60214335A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4888614A (en) * | 1986-05-30 | 1989-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Observation system for a projection exposure apparatus |
| US5095190A (en) * | 1987-03-03 | 1992-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JPS63213928A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-06 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP2590891B2 (ja) * | 1987-07-02 | 1997-03-12 | 株式会社ニコン | 投影光学装置 |
| JP3303436B2 (ja) * | 1993-05-14 | 2002-07-22 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及び半導体素子の製造方法 |
| JPH07220988A (ja) * | 1994-01-27 | 1995-08-18 | Canon Inc | 投影露光方法及び装置及びこれを用いたデバイス製造方法 |
| JP3221226B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2001-10-22 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
| NL2003401A (en) * | 2008-09-30 | 2010-03-31 | Asml Holding Nv | Inspection apparatus, lithographic apparatus and method for sphero-chromatic aberration correction. |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59072282A patent/JPS60214335A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60214335A (ja) | 1985-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4811055A (en) | Projection exposure apparatus | |
| US4492459A (en) | Projection printing apparatus for printing a photomask | |
| US7073924B2 (en) | Projection exposure apparatus with line width calculator controlled diaphragm unit | |
| US7119880B2 (en) | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JP6463935B2 (ja) | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
| JP4692862B2 (ja) | 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法 | |
| US6795167B2 (en) | Projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
| KR100566254B1 (ko) | 노광 장치 | |
| JPH0554688B2 (ja) | ||
| WO2002025711A1 (fr) | Procede de mesure des caracteristiques d'une image, et procede d'exposition | |
| US20060055915A1 (en) | Measuring apparatus, test reticle, exposure apparatus and device manufacturing method | |
| US6774982B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
| JP2897345B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH0554687B2 (ja) | ||
| JP4599632B2 (ja) | 照度分布の評価方法、光学部材の製造方法、照度測定装置、露光装置および露光方法 | |
| JP2840314B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2002169083A (ja) | 対物光学系、収差測定装置、投影露光装置、対物光学系の製造方法、収差測定装置の製造方法、投影露光装置の製造方法及びマイクロデバイスの製造方法 | |
| JPH0550849B2 (ja) | ||
| JPH10294269A (ja) | 投影露光方法および装置 | |
| JP3214027B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法 | |
| JP2002202583A (ja) | マスクの製造方法、このマスクを用いた光学素子の製造方法、光学素子の製造方法、この製造方法により製造された光学素子を用いた露光装置の製造方法及び収差測定装置の製造方法 | |
| JPH07192990A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0550127B2 (ja) | ||
| JP2591582B2 (ja) | 投影型露光装置 | |
| JP4307039B2 (ja) | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |