JPS5839463Y2 - 転写装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はＩＣ（半導体集積回路）の製造に使用するマス
クを作製するための転写装置（ホトリピータ）に関する
。

ＩＣ（半導体集積回路）を構成するＩＣチップを製造す
る場合、先ずシリコン等の半導体基板すなわちウェーバ
上に同−構成のＩＣチップを多数個形威し、その後多数
個のＩＣチップを機械的にスクライブして個々のＩＣチ
ップを得る。

前記ウェーバ上に多数個のＩＣチップを形成する方法と
しては写真蝕刻法が通常用いられる。

写真蝕刻法は、感光乳剤を全面に塗布したウェーバ上に
、マスクと呼ばれるネガフィルムを配置し、このネガフ
ィルムに印刷されたＩＣチップのパターンを、該ウェー
バ上の感光乳剤に紫外線等の光を照射して焼き付けるこ
とによって行なわれる。

従ってＩＣを製造するには、先ずＩＣチップのパターン
を具えたマスクを作成しなければならない。

このマスクを作成するための装置は転写装置であり、一
般にホ） ＩＪピータと呼ばれる。

このホトリピータは光源ならびに光学系を具えており、
マスクに焼付けるべきパターンの例えば１０倍のパター
ンを具えたレチクルと呼ばれる原画を、マスクとなる乾
板上に焼付ける。

このようなホトリピータにおいては、従来、縮小倍率の
変更が行なえないようになっているためウェーバからさ
らに沢山のＩＣチップを得ようとするためには同一パタ
ーンの原画（レチクル）を縮小して作り直さなければな
らなかった。

この結果、一枚のウェーバから取り出すべきＩＣチップ
の数を変更するこ゛とにレチクルを作り直すための時間
および゛労力は多大なものか゛あった。

従って本考案の目的は簡単な器具を挿入するのみでホト
リピータにおける光学系の縮小倍率が例えば１０：１か
ら１０ ： ０．９に変更し得るホトリピータを提供す
ることにあり、これにより同一のレチクルを用いたとし
てのさらに沢山のＩＣパターン数を含んだマスクが容易
に得られ、ウェーハから取り出すべきＩＣチップの数を
任意に増大し得るようにするものである。

上記目的に従い本考案は、ホトリピータ内における光学
系、特に一端に対物レンズを具え且つ他端にレチクル載
置部を具えた鏡筒に対し、該鏡筒の鏡筒長が予め定めた
距離だけ長くなるように、前記レチクル載置部に一端が
接する第２の鏡筒を同軸状に付加し、該第２の鏡筒の他
端に本来のレチクル載置部を形成するようにしたことを
特徴とするものである。

以下図面に従って本考案を説明する。

第１図はホトリピータの全体を概略的に表わした断面図
である。

本図において１１はレチクルであり、ＩＣチップのパタ
ーンを具えた原画である。

このレチクル１１に対して光源（例えば水銀ランプ）１
２からの光がオプチカルファイバー１３を通して光源で
発生する熱がレチクルに伝わらないよう照射され、レチ
クル１１からの光学パターンは鏡筒１４の他端に設けら
れた対物レンズ１５を通して、乾板１７上に結像し焼付
けられる。

また鏡筒１４の一端にはレチクル載置部１６があり、レ
チクル１１を着脱自在に保持する。

なお、乾板１７は移動台１８に乗って左右および前後方
向に一回の焼付は毎に移動し、同一パターンの像が格子
状に多数個形成される。

このホトレピータ１０において、レチクル１１のパター
ンは鏡筒１４および対物レンズ１５により例えばｈに縮
小される。

この縮小倍率は、鏡筒長りおよび対物レンズにより定ま
る一定値である。

ところが、その縮小倍率が一定値であることは実用的に
汎用性を狭くするものであり、例えば乾板１７に焼付け
るべきパターン数を増大せしめるためには従来、レチク
ル１１のパターンを縮小したものを再度作り直さなけれ
ばならなかった。

然し、もしその縮小倍率が簡単に変更し得るならばレチ
クル１１を作り直すための多大な時間と労力は不要とな
る。

鏡筒１４における縮小倍率を変更する通常の方法は対物
レンズ１５を変更することであるが、この方法は余り得
策でない。

そこで本考案は、鏡筒１４の一端に第２の鏡筒を付加し
てレチクル１１を載置し、鏡筒長を長くすることによっ
て縮小倍率を変更する。

第２図は本考案に基づく鏡筒の一実施例を示す断面図で
あり、本来の鏡筒１４のレチクル載置部１６に第２の鏡
筒２１を着脱自在且つ鏡筒１４と同軸状に付加し、本来
の鏡筒長りをＬ′まで拡張し得るようにした。

従って、この場合レチクル１１は第２のレチクル載置部
２２に置かれることになる。

ただし、鏡筒長をＬからＬ′に拡張したことにより乾板
１７（第１図）での焦点ボケを生ずるので、これを第１
図に示したヘリコイド１９により調節する。

ヘリコイド１９は鏡筒１４，２１を一体に上下方向に移
動し焦点合わせの微調を行なう。

かくして、光学系の縮小倍率が本来のホｌ−ＩＪピータ
に何ら変更を加えることなく容易に増大せしめられる。

以上説明したように本考案によれば、一枚のマスクに配
列すべきＩＣパターンの数が、該ＩＣパターンの構成は
同一としたままで且つレチクルにも何ら手を加えること
なく任意に増大出来、ＩＣ製造の能率向上に寄与すると
ころは大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は転写装置（ホトリピータ）の全体を概略的に表
わした断面図、第２図は本考案に基づく第２の鏡筒を付
加した状態の鏡筒を示す断面図である。 図において １０は転写装置（ホトリピータ）、１１は
レチクル、１２は光源、１４は鏡筒、１６はレチクル載
置部、１７は後にマスクとなる乾板、２１は第２の鏡筒
、２２は第２のレチクル載置部である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 転写すべきパターンを有するレチクルを一端に載置し、
   他端に対物レンズ゛を具えた鏡筒と、該鏡筒および前記
   対物レンズを通して前記パターンの縮小光学像を乾板上
   に照射する光を光源より前記レチクル上へ導くためのオ
   プチカルファイバーとを含んでなる転写装置において、
   前記鏡筒の前記一端に、該鏡筒に着脱自在に付加可能で
   且つ前記レチクルを載置することができ、さらに前記縮
   小光学像の縮小率と異なる所定の縮小率を与えるための
   長さを有する第２の鏡筒を有することを特徴とする転写
   装置。