JPH0513308A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0513308A JPH0513308A JP3167323A JP16732391A JPH0513308A JP H0513308 A JPH0513308 A JP H0513308A JP 3167323 A JP3167323 A JP 3167323A JP 16732391 A JP16732391 A JP 16732391A JP H0513308 A JPH0513308 A JP H0513308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photo resist
- photoresist
- light energy
- wafer stage
- light
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板上にフォトレジストを塗布した後、ウェ
ハーステージ４に搭載し、位置決めを行った後、ウェハ
ーステージ４の移動する上限及び下限を設定する。その
後、ウェハーステージ４を上から下又は下から上へ連続
的に移動させながら露光を行う。 【効果】 フォトレジストに於ける光エネルギー分布は
均一となり、フォトレジストの形状を矩形にすることが
でき、微細な加工ができ、高集積化が図れる。
ハーステージ４に搭載し、位置決めを行った後、ウェハ
ーステージ４の移動する上限及び下限を設定する。その
後、ウェハーステージ４を上から下又は下から上へ連続
的に移動させながら露光を行う。 【効果】 フォトレジストに於ける光エネルギー分布は
均一となり、フォトレジストの形状を矩形にすることが
でき、微細な加工ができ、高集積化が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィの
技術に関するものである。
技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２はフォトリソグラフィ工程実施断面
図を示し、図３（ａ）は、照射光の焦点が１ケ所の場合
のＡ−Ａ′方向のフォトレジストに於ける光エネルギー
分布を示し、図３（ｂ）は照射光の焦点が２ケ所の場合
のＡ−Ａ′方向のフォトレジストに於ける光エネルギー
分布を示す。図２において、５はマスク（回路転写パタ
ーン）、６はフォトレジスト、７は基板を示す。
図を示し、図３（ａ）は、照射光の焦点が１ケ所の場合
のＡ−Ａ′方向のフォトレジストに於ける光エネルギー
分布を示し、図３（ｂ）は照射光の焦点が２ケ所の場合
のＡ−Ａ′方向のフォトレジストに於ける光エネルギー
分布を示す。図２において、５はマスク（回路転写パタ
ーン）、６はフォトレジスト、７は基板を示す。
【０００３】図３（ｃ）に示す様に、１点（図中点Ｆ）
で焦点を合わせると、点Ｆから離れるにつれて光エネル
ギーは低下する。また、図３（ｂ）に示す様に、２点
（図中点Ｆ1，Ｆ2）で焦点を合わせると、点Ｆ1，点Ｆ2
の上，下で光エネルギーの等しい場所ができるが、全体
として不均一である。
で焦点を合わせると、点Ｆから離れるにつれて光エネル
ギーは低下する。また、図３（ｂ）に示す様に、２点
（図中点Ｆ1，Ｆ2）で焦点を合わせると、点Ｆ1，点Ｆ2
の上，下で光エネルギーの等しい場所ができるが、全体
として不均一である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の様に従来は、半
導体基板上に回路パターンを転写する際には、同一箇所
に異なる焦点位置で複数回の露光を行っており、そのた
め各露光毎にアライメント工程が必要となる。また、フ
ォトレジスト形状はテーパー状となり、フォトレジスト
形状の制御が困難である。
導体基板上に回路パターンを転写する際には、同一箇所
に異なる焦点位置で複数回の露光を行っており、そのた
め各露光毎にアライメント工程が必要となる。また、フ
ォトレジスト形状はテーパー状となり、フォトレジスト
形状の制御が困難である。
【０００５】本発明は、フォトレジストの形状を矩形状
にする手段を提供することを目的とする。
にする手段を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、フォトレジストに対して、光による回路転写
を行う工程において、露光中に照射光の焦点をフォトレ
ジスト面に対して垂直方向に連続的に変化させる工程を
有することを特徴とする。
造方法は、フォトレジストに対して、光による回路転写
を行う工程において、露光中に照射光の焦点をフォトレ
ジスト面に対して垂直方向に連続的に変化させる工程を
有することを特徴とする。
【０００７】
【作用】図４は本発明を用いた場合の、図２のＡ−Ａ′
方向のフォトレジストに於ける光エネルギー分布を示
す。
方向のフォトレジストに於ける光エネルギー分布を示
す。
【０００８】上記本発明を用いることにより、図４に示
す様に、全体的に光エネルギーが均一な状態になる。
す様に、全体的に光エネルギーが均一な状態になる。
【０００９】
【実施例】以下、一実施例に基づいて本発明を詳細に説
明する。
明する。
【００１０】図１は、本発明に用いる露光装置の構成図
であり、１は光源、２はレチクル、３は縮小レンズ、４
はウェハーステージを示す。装置本体は、従来技術にお
いて用いるもので実施可能であり、従来のオートフォー
カス用駆動系を用いてウェハーステージを上下に移動さ
せることにより照射光の相対的焦点位置を移動させる。
であり、１は光源、２はレチクル、３は縮小レンズ、４
はウェハーステージを示す。装置本体は、従来技術にお
いて用いるもので実施可能であり、従来のオートフォー
カス用駆動系を用いてウェハーステージを上下に移動さ
せることにより照射光の相対的焦点位置を移動させる。
【００１１】次に製造工程について説明する。まず、シ
リコン基板上にフォトレジストを塗布し、ウェハーステ
ージ４に搭載し、位置合わせを行う。その後、照射光の
焦点位置の上限及び下限を設定し、上から下へ又は下か
ら上へと連続的にウェハーステージ４を移動させながら
露光を行う。下限の設定においては、フォトレジストと
基板との界面に合わせると良いが、上限，下限の設定と
も下地基板の加工プロセス等により変更される。
リコン基板上にフォトレジストを塗布し、ウェハーステ
ージ４に搭載し、位置合わせを行う。その後、照射光の
焦点位置の上限及び下限を設定し、上から下へ又は下か
ら上へと連続的にウェハーステージ４を移動させながら
露光を行う。下限の設定においては、フォトレジストと
基板との界面に合わせると良いが、上限，下限の設定と
も下地基板の加工プロセス等により変更される。
【００１２】
【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明を用
い、露光中に焦点位置をフォトレジストに対して上，下
に移動させることにより、１度のアライメント工程によ
りフォトレジスト中の光エネルギー分布をフォトレジス
トの垂直方向に対して均一な状態に調整することが可能
になり、フォトレジストの形状を矩形とすることがで
き、微細な加工ができ、半導体装置の高集積化が図れる。
い、露光中に焦点位置をフォトレジストに対して上，下
に移動させることにより、１度のアライメント工程によ
りフォトレジスト中の光エネルギー分布をフォトレジス
トの垂直方向に対して均一な状態に調整することが可能
になり、フォトレジストの形状を矩形とすることがで
き、微細な加工ができ、半導体装置の高集積化が図れる。
【図１】本発明の実施に用いる露光装置の構成図であ
る。
る。
【図２】フォトリソグラフィ工程実施断面図である。
【図３】従来技術におけるフォトレジストの光エネルギ
ー分布を示す図である。
ー分布を示す図である。
【図４】本発明におけるフォトレジストの光エネルギー
分布を示す図である。
分布を示す図である。
１ 光源 ２ レチクル ３ 縮小レンズ ４ ウェハーステージ ５ マスク（回路転写パターン） ６ フォトレジスト ７ 基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 フォトレジストに対して光による回路転
写を行う工程において、露光中に照射光の焦点をフォト
レジスト面に対して垂直方向に連続的に変化させる工程
を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3167323A JPH0513308A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3167323A JPH0513308A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513308A true JPH0513308A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15847621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3167323A Pending JPH0513308A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513308A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5700752A (en) * | 1994-05-31 | 1997-12-23 | Nippon Shokubai Co. Ltd. | Catalyst for production of unsaturated aldehyde and unsaturated carboxylic acid and method for production of unsaturated aldehyde and unsaturated carboxylic acid by the use of the catalyst |
| CN104062853A (zh) * | 2013-03-21 | 2014-09-24 | 上海微电子装备有限公司 | 一种光刻设备垂向动态曝光方法及装置 |
| CN113325672A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-08-31 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 基于一次曝光的光刻方法 |
-
1991
- 1991-07-09 JP JP3167323A patent/JPH0513308A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5700752A (en) * | 1994-05-31 | 1997-12-23 | Nippon Shokubai Co. Ltd. | Catalyst for production of unsaturated aldehyde and unsaturated carboxylic acid and method for production of unsaturated aldehyde and unsaturated carboxylic acid by the use of the catalyst |
| US5981804A (en) * | 1994-05-31 | 1999-11-09 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Catalyst for production of unsaturated aldehyde and unsaturated carboxylic acid and method for production of unsaturated aldehyde and unsaturated carboxylic acid by use of the catalyst |
| CN104062853A (zh) * | 2013-03-21 | 2014-09-24 | 上海微电子装备有限公司 | 一种光刻设备垂向动态曝光方法及装置 |
| CN113325672A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-08-31 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 基于一次曝光的光刻方法 |
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