JPS63181318A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS63181318A JPS63181318A JP62012361A JP1236187A JPS63181318A JP S63181318 A JPS63181318 A JP S63181318A JP 62012361 A JP62012361 A JP 62012361A JP 1236187 A JP1236187 A JP 1236187A JP S63181318 A JPS63181318 A JP S63181318A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、たとえば半導体素子、磁気バブル素子、超電
導素子等の作製における投影露光法を用いた微細パター
ン形成方法に係9.特に縮小投影露光法に有効なパター
ン形成方法に関する。
導素子等の作製における投影露光法を用いた微細パター
ン形成方法に係9.特に縮小投影露光法に有効なパター
ン形成方法に関する。
周知のように、半導体装置や磁気バブルメモリ装置など
の各種微細パターン形成には、投影露光法が広く用いら
れている。投影露光法、特に縮小投影露光法は微細のパ
ターン形成に有用である。
の各種微細パターン形成には、投影露光法が広く用いら
れている。投影露光法、特に縮小投影露光法は微細のパ
ターン形成に有用である。
投影露光法ではレンズの開口数の増加および露光波長の
短波長化により解像度が向上する。しかし。
短波長化により解像度が向上する。しかし。
従来の投影露光法においては、露光光学系の焦点深度は
投影レンズの開口数と露光波長に強く依存していた。投
影レンズの焦点深度はその開口数の2乗に反比例し、露
光波長に比例するため、解像度を上げるために開口数を
大きくしたり、短波長化を行なったシすると、それKと
もなって焦点深度は浅くなってしまう。このため、投影
レンズの儂面歪や基板表面の凹凸段差によって生ずる障
害への対処が次第に困難となってきている。比較的微細
なパターンによって生ずる段差による障害については、
これまで周知の多層Vシスト法による平滑化によって対
処されてきた。しかし、この方法を用いても大面積パタ
ーンによって生じた段差を完全に平坦化することはでき
ず1段差の上部もしくは下部に結像不良が生ずるのは避
けられなかった。
投影レンズの開口数と露光波長に強く依存していた。投
影レンズの焦点深度はその開口数の2乗に反比例し、露
光波長に比例するため、解像度を上げるために開口数を
大きくしたり、短波長化を行なったシすると、それKと
もなって焦点深度は浅くなってしまう。このため、投影
レンズの儂面歪や基板表面の凹凸段差によって生ずる障
害への対処が次第に困難となってきている。比較的微細
なパターンによって生ずる段差による障害については、
これまで周知の多層Vシスト法による平滑化によって対
処されてきた。しかし、この方法を用いても大面積パタ
ーンによって生じた段差を完全に平坦化することはでき
ず1段差の上部もしくは下部に結像不良が生ずるのは避
けられなかった。
なお、多層レジスト法については特開昭51−1077
75号などに記載されている。
75号などに記載されている。
近年の半導体集積回路の高集積化にともない。
パターンの微細化と基板表面の凹凸段差が著しく増大し
、それらへの対応が要求されている。パターン形成に投
1f/W元法を用いる場脅、凹凸段差の増大に対応する
ためには、露光光学系としてはよシ大きな焦点深度が必
要となる。しかし解像度を向上させるには投影レンズの
開口数を大きくする必要があるため、焦点深度は逆に浅
くなっている。
、それらへの対応が要求されている。パターン形成に投
1f/W元法を用いる場脅、凹凸段差の増大に対応する
ためには、露光光学系としてはよシ大きな焦点深度が必
要となる。しかし解像度を向上させるには投影レンズの
開口数を大きくする必要があるため、焦点深度は逆に浅
くなっている。
また、投影レンズの像面歪により結像面は完全平面では
ないため、露光領域全面にわた9、その表面凹凸段差に
対応して焦点深度全確保するのが困難になってきている
。
ないため、露光領域全面にわた9、その表面凹凸段差に
対応して焦点深度全確保するのが困難になってきている
。
前記従来技術では大面積パターンによって生ずる凹凸段
差を完全に平坦化することはできず、また完全平坦化が
達成されたとしてもレンズの像面歪のため露光領域全面
にわたってマスクパターンの結像面を基板表面と一致さ
せることができず。
差を完全に平坦化することはできず、また完全平坦化が
達成されたとしてもレンズの像面歪のため露光領域全面
にわたってマスクパターンの結像面を基板表面と一致さ
せることができず。
上記問題点に対処するのが困難であった。
本発明の目的は段差が表面に存在しても、十分高い精度
で微細なパターンを形成できるパターン形成方法を提供
することである。本発明の他の目的はレンズの開口数が
大きい場合および露光波長が短かい場合にも光学系の冥
質的な焦点深度の低下を防止し1段差の有無にかかわら
ず露光領域全面にわたって結像不良のない良好な微細パ
ターンを形成することである。
で微細なパターンを形成できるパターン形成方法を提供
することである。本発明の他の目的はレンズの開口数が
大きい場合および露光波長が短かい場合にも光学系の冥
質的な焦点深度の低下を防止し1段差の有無にかかわら
ず露光領域全面にわたって結像不良のない良好な微細パ
ターンを形成することである。
上記目的はフォトレジストに露光光強度の増加にともな
い感度が向上する性質を有する材料を使用し、結像面位
置?変えて多重露光することにより達成される。
い感度が向上する性質を有する材料を使用し、結像面位
置?変えて多重露光することにより達成される。
露光光強度の増加にともない感度が向上するレジストと
しては1例えば短時間照射のほうが感度が向上する相反
則不軌性を有する材料がある。
しては1例えば短時間照射のほうが感度が向上する相反
則不軌性を有する材料がある。
微細パターンの場合、結像位置から離れた位置での、い
わゆるデフォーカスした像の光強度分布は裾の広がった
ゆるやかな山型とな9.そのピーク強度は結像位置上の
像のピーク強度に比べ低下する。
わゆるデフォーカスした像の光強度分布は裾の広がった
ゆるやかな山型とな9.そのピーク強度は結像位置上の
像のピーク強度に比べ低下する。
フォトレジストに照射時間が短いほど感度が向上する相
反則不軌の性質がある場合、照射光強度が強いほど感度
が向上し、照射光残置が弱いと露光量が多くてもフォト
レジストはほとんど感光しない。したがって結像位置を
変えて多重露光し。
反則不軌の性質がある場合、照射光強度が強いほど感度
が向上し、照射光残置が弱いと露光量が多くてもフォト
レジストはほとんど感光しない。したがって結像位置を
変えて多重露光し。
かつ露光強度を適当に選択すると、デフォーカスした像
は光強度が弱いためフォトレジストをほとんど感光させ
ず、結像位置の合った。いわゆるベストフォーカスの像
のみがフォトレジストを感光させる。デフォーカスした
像を複数回露光するとデフォーカスした像のトータル露
光量は増え、ピントのあった像の露光量に比べ相対的に
大きくなるが、それにもかかわらずフォトレジストの相
反則不軌性、すなわち、感光現象は露光強度で決まると
いう性質により、ベストピントの像のみがフォトレジス
トを感光させる。
は光強度が弱いためフォトレジストをほとんど感光させ
ず、結像位置の合った。いわゆるベストフォーカスの像
のみがフォトレジストを感光させる。デフォーカスした
像を複数回露光するとデフォーカスした像のトータル露
光量は増え、ピントのあった像の露光量に比べ相対的に
大きくなるが、それにもかかわらずフォトレジストの相
反則不軌性、すなわち、感光現象は露光強度で決まると
いう性質により、ベストピントの像のみがフォトレジス
トを感光させる。
場所によりベストフォーカスの位置が異なる場合も結像
位置を変えて多重露光しているため、いずれかの露光に
ベストフォーカスの像がアシ、その像のみ選択的にフオ
トレジス)f感光させるので、基板段差にともなう焦点
ボケ、およびレンズの像面歪による焦点ボケの問題を解
決できる。
位置を変えて多重露光しているため、いずれかの露光に
ベストフォーカスの像がアシ、その像のみ選択的にフオ
トレジス)f感光させるので、基板段差にともなう焦点
ボケ、およびレンズの像面歪による焦点ボケの問題を解
決できる。
実施例1
以下1本発明の一実施例を第1図を用いて説明する。
第1図<a>に示すようにフオ)L/ジストヲ段差のあ
る基板1上に塗布し、フォトレジスト層2を形成した。
る基板1上に塗布し、フォトレジスト層2を形成した。
仁こで、フォトレジストとしては0MR83(東京応化
(株)社商品名)を用い、高解像化を目的としてその平
坦面上での膜厚を約0.4μmとした。しかしVシスト
膜厚はこの値に限らず解像度とのかね合いて自由に選べ
る。0MR83の露光感度の露光強度依存性を第2図に
示す。露光強度が15mW10de越えると急激にOM
B、83の感度は高くなる。
(株)社商品名)を用い、高解像化を目的としてその平
坦面上での膜厚を約0.4μmとした。しかしVシスト
膜厚はこの値に限らず解像度とのかね合いて自由に選べ
る。0MR83の露光感度の露光強度依存性を第2図に
示す。露光強度が15mW10de越えると急激にOM
B、83の感度は高くなる。
その後、第1図<a>に示すようにマスク3上に形成さ
れたマスクパターン4.4’t−投影レンズ5を介して
露光した。この露光は次のようにして行なった。まず基
板lの凸面7上に、マスクパターンの結像面6がくるよ
うに、基板?固定し九ステージを移動し、その場所で1
回目のM元を行なった。次に第1図(b)に示すように
基板1の凹面上8にマスクパターンの結像面6′がくる
ようにステージを元軸方向に沿って動かし、上記パター
ンの二回目の露光金貸なった。なお、上記露光装置とし
ては日立几Al0IVI!l縮小投影露光装置を使用し
、IK光強度は約smw、’iとした。露光波長は36
5 nm、レンズの開口数は0.42である。
れたマスクパターン4.4’t−投影レンズ5を介して
露光した。この露光は次のようにして行なった。まず基
板lの凸面7上に、マスクパターンの結像面6がくるよ
うに、基板?固定し九ステージを移動し、その場所で1
回目のM元を行なった。次に第1図(b)に示すように
基板1の凹面上8にマスクパターンの結像面6′がくる
ようにステージを元軸方向に沿って動かし、上記パター
ンの二回目の露光金貸なった。なお、上記露光装置とし
ては日立几Al0IVI!l縮小投影露光装置を使用し
、IK光強度は約smw、’iとした。露光波長は36
5 nm、レンズの開口数は0.42である。
その後現像を行なってレジストパターンを形成した。
本方法により3μm以上の段差がある場合でも段差の上
下ともに0.6μmのラインアンドスペースパターンを
形成することができた。一方、従来法では段差が約2μ
ml越えると不良を生じた。
下ともに0.6μmのラインアンドスペースパターンを
形成することができた。一方、従来法では段差が約2μ
ml越えると不良を生じた。
また0FPR800(東京応化(株)社商品名)などの
相反則性が成シ立つフォトレジストを用いた場合は、段
差の上下ともパターンは形成できるものの断面形状はゆ
るやかな山をとなシ、Vシスト残膜率も低い劣化したレ
ジストパターンしか形成できなかった。このためレジス
トと基板とのエツチング選択性の悪いエツチングに対し
ては、このレジストパターンはマスクとしての機能をは
たさなかった。また、0MR83を用いた場合でも。
相反則性が成シ立つフォトレジストを用いた場合は、段
差の上下ともパターンは形成できるものの断面形状はゆ
るやかな山をとなシ、Vシスト残膜率も低い劣化したレ
ジストパターンしか形成できなかった。このためレジス
トと基板とのエツチング選択性の悪いエツチングに対し
ては、このレジストパターンはマスクとしての機能をは
たさなかった。また、0MR83を用いた場合でも。
露光強度を2mW/cfA以下とした場合は、OFF几
soo’i用いた場合と同様に良好なパターンは形成で
きなかった。これはこの光強度領域では第2図から明ら
かなように光強度による感度変化がほとんどないためで
おる。
soo’i用いた場合と同様に良好なパターンは形成で
きなかった。これはこの光強度領域では第2図から明ら
かなように光強度による感度変化がほとんどないためで
おる。
また、露光雰囲気を窒素リッチにすると強い光強度領域
で感光感度の向上がおこり、酸素リッチにすると比較的
弱い強度領域から感度がちが9はじめる。雰囲気の酸素
量を制御することにより本露光に必要な光強度を選択す
ることができた。これは0MR83の相反則不軌感光機
構が大気からの酸素の拡散に支配されているためである
。同様にフォトレジスト0MR83上に酸素を透過しに
くいポリビニルアルコールなどの膜を適当な膜厚で形成
することにより露光に必要な光強度を選択することがで
きる。
で感光感度の向上がおこり、酸素リッチにすると比較的
弱い強度領域から感度がちが9はじめる。雰囲気の酸素
量を制御することにより本露光に必要な光強度を選択す
ることができた。これは0MR83の相反則不軌感光機
構が大気からの酸素の拡散に支配されているためである
。同様にフォトレジスト0MR83上に酸素を透過しに
くいポリビニルアルコールなどの膜を適当な膜厚で形成
することにより露光に必要な光強度を選択することがで
きる。
なお、上記実施例においてはフォトレジストとしてOM
EL83を用いたが、これに限らずONN几20(東京
応化(株)社商品名)、KTF几(コダック社商品名)
、KPR(コダック社商品名)。
EL83を用いたが、これに限らずONN几20(東京
応化(株)社商品名)、KTF几(コダック社商品名)
、KPR(コダック社商品名)。
CBR(日本合成ゴム(株)社商品名)、および環化ゴ
ムビスアジドなどの相反則不軌性をもつフォトレジスト
を用いることができた。また相反則不軌性を持つポジタ
イプフォトレジストでも同様に効果がるる。
ムビスアジドなどの相反則不軌性をもつフォトレジスト
を用いることができた。また相反則不軌性を持つポジタ
イプフォトレジストでも同様に効果がるる。
また、本笑施例では露光波長を365nm、レンズの開
口数を0.42としたが、これに限らない。
口数を0.42としたが、これに限らない。
例えば短波長光であるエキシマレーザ−光も用いること
ができる。また1本実施例では単層レジストの例を示し
たが、多層Vシスト法と組み合わせることもできる。ま
た、CEL (コントラストエンハンスメント リソグ
ラフィー: ContrastEnhancement
Lithography)法と組み合わせることがで
きる。
ができる。また1本実施例では単層レジストの例を示し
たが、多層Vシスト法と組み合わせることもできる。ま
た、CEL (コントラストエンハンスメント リソグ
ラフィー: ContrastEnhancement
Lithography)法と組み合わせることがで
きる。
実施例2
実施例1と同様に段差のある基板上にフォトレジスト塗
布、露光、現像を行なってパターンを形成した。レジス
ト材料およびその処理は実施例1と同様とした。但し下
記に示すように、露光方法は実施例1と変え友。
布、露光、現像を行なってパターンを形成した。レジス
ト材料およびその処理は実施例1と同様とした。但し下
記に示すように、露光方法は実施例1と変え友。
まず、基板表面の主平面が投影光学系の結像面より約4
μm下方(投影光学系から離れる方向)に位置するよう
に設定して露光を行なった後、基板を固定したステージ
を光軸に沿って約25μmずつ上方に移動させ、そのつ
と露光を行なった。
μm下方(投影光学系から離れる方向)に位置するよう
に設定して露光を行なった後、基板を固定したステージ
を光軸に沿って約25μmずつ上方に移動させ、そのつ
と露光を行なった。
この操作を基板表面の主平面が結像面より約5μm上方
にくるまで続けた。
にくるまで続けた。
本実施例では基板段差が約a、5μm、投影光学レンズ
の像面歪が最大約2μm、基板の厚さの違いによる露光
面内の基板の傾きが、高さの差にして約1μmあシ、投
影光学系に一番近い部分と一番遠い部分の基板表面の位
置の差は約6.5μmあった。この高さの差にもかかわ
らず、露光面内全域にわたって例えば0.6μmライン
アンドスペースパターンのような微細なパターンを形成
することができた。一方、従来法では基板段差が約3μ
mをこえると段差の上か下で解像不良が生じ、パターン
を形成できないばかりでなく、基板段差のない平坦面同
士でも像面歪および基板の傾きにより。
の像面歪が最大約2μm、基板の厚さの違いによる露光
面内の基板の傾きが、高さの差にして約1μmあシ、投
影光学系に一番近い部分と一番遠い部分の基板表面の位
置の差は約6.5μmあった。この高さの差にもかかわ
らず、露光面内全域にわたって例えば0.6μmライン
アンドスペースパターンのような微細なパターンを形成
することができた。一方、従来法では基板段差が約3μ
mをこえると段差の上か下で解像不良が生じ、パターン
を形成できないばかりでなく、基板段差のない平坦面同
士でも像面歪および基板の傾きにより。
露光周辺領域の一部で解像不良が起こった。
本実施例では基板表面の主平面が投影光学系の結像面よ
シ約4μm下方から順次上方に基板を移動させながら露
光を行なったが、これに限らず。
シ約4μm下方から順次上方に基板を移動させながら露
光を行なったが、これに限らず。
基板表面の最も高い位!(投影光学系に最も近い位置)
が結像面よシ約2μm上方にくるようにステージ位置を
調整し、そこから順次上方に移動させながら露光を行な
っても効果があった。また。
が結像面よシ約2μm上方にくるようにステージ位置を
調整し、そこから順次上方に移動させながら露光を行な
っても効果があった。また。
逆に基板表面の敢も低い位置が結像面より約2μm下方
にくるようにステージ位te調整し、そこから順次下方
に移動させながら露光を行なっても効果があった。2μ
mという値は一例でちゃ、焦点深度内の値であれば効果
がある。しかし焦点深度を越えた値を用いた場合には、
一部に解像不良が生じた。
にくるようにステージ位te調整し、そこから順次下方
に移動させながら露光を行なっても効果があった。2μ
mという値は一例でちゃ、焦点深度内の値であれば効果
がある。しかし焦点深度を越えた値を用いた場合には、
一部に解像不良が生じた。
本実施例では露光および基板の位置移動をステZプ的に
行なったが、露光中基板位置を連続的に光軸方向に沿っ
て移動させてもよい。
行なったが、露光中基板位置を連続的に光軸方向に沿っ
て移動させてもよい。
本実施例では、結像面と基板表面の相対的位置は、基板
をのせるステージの位置移動によって変えていた。この
方法に限らず、マスクパターンの存在するVチクルを光
軸方向に移動させる。露光光学系中に空気と異なる屈折
率を有する物質を挿入する。露光光学系の全体または一
部を含む部分の気圧を変動させる。多焦点Vンズを用い
る。設定結像面の異なる複数の光学系からの光を重ね合
わせる。同一光学系を用いて複数の異なるまたは連続し
た波長の光により露光するなど1種々な方法を用いて結
像面と基板表面の相対的位ttt1に変えてもよい。
をのせるステージの位置移動によって変えていた。この
方法に限らず、マスクパターンの存在するVチクルを光
軸方向に移動させる。露光光学系中に空気と異なる屈折
率を有する物質を挿入する。露光光学系の全体または一
部を含む部分の気圧を変動させる。多焦点Vンズを用い
る。設定結像面の異なる複数の光学系からの光を重ね合
わせる。同一光学系を用いて複数の異なるまたは連続し
た波長の光により露光するなど1種々な方法を用いて結
像面と基板表面の相対的位ttt1に変えてもよい。
上記説明から明らかなように1本発明によれば投影露光
法における実効的焦点深度を増大させることができるの
で、投影レンズの高開口数化、像面歪、基板表面の凹凸
段差の増大に対応することが可能である。
法における実効的焦点深度を増大させることができるの
で、投影レンズの高開口数化、像面歪、基板表面の凹凸
段差の増大に対応することが可能である。
第1図(a)、 (b)は本発明の一実施例を示す模式
図。 第2図は本発明の効果を表わす曲線図でおる。 1・・・基板、2・・・フォトレジスト層、3・・・マ
スク。 4.4′・・・マスクパターン、5・・・投影レンズ、
6゜6′・・・マスクパターンの結像面上の像。 第 l 凹 (α) (k)) b−b ”Z&75i、ri 第 Z 凹
図。 第2図は本発明の効果を表わす曲線図でおる。 1・・・基板、2・・・フォトレジスト層、3・・・マ
スク。 4.4′・・・マスクパターン、5・・・投影レンズ、
6゜6′・・・マスクパターンの結像面上の像。 第 l 凹 (α) (k)) b−b ”Z&75i、ri 第 Z 凹
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、所望の形状を有するマスクパターンを介してレジス
ト膜へ投影露光し、その後現像を行なつてレジストパタ
ーンを形成するパターン形成方法において、露光強度の
増加にともない感光感度が向上するレジストを用い、か
つ上記投影露光を上記マスクパターンの結像面と上記レ
ジスト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置において
行なうことを特徴とするパターン形成方法。 2、上記結像面の複数の位置が基板段差の凸面および凹
面近傍上に設定されていることを特徴とする特許請求範
囲第1項記載のパターン形成方法。 3、上記結像面が2箇所以上であり、その一方が基板表
面上の投影露光光学系に最も近い位置近傍に設定され、
他方が基板表面上の投影露光光学系から最も遠い位置近
傍に設定され、3箇所以上の場合は残りの結像面がその
両者の中間に設定されることを特徴とする特許請求範囲
第1項記載のパターン形成方法。 4、上記結像面の位置が少なくとも基板上面上の投影露
光光学系に最も近い位置から光学系から最も遠い位置に
至るまで上記基板位置あるいは結像面位置あるいはその
両方の位置を連続的に変化させながら上記露光を行なう
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパターン
形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62012361A JP2555046B2 (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | パタ−ン形成方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62012361A JP2555046B2 (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | パタ−ン形成方法 |
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---|---|
JPS63181318A true JPS63181318A (ja) | 1988-07-26 |
JP2555046B2 JP2555046B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=11803132
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP62012361A Expired - Fee Related JP2555046B2 (ja) | 1986-08-08 | 1987-01-23 | パタ−ン形成方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2555046B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100281116B1 (ko) * | 1998-05-27 | 2001-04-02 | 김영환 | 반도체소자의 제조방법 |
JP2005122122A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-05-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | レジスト画像形成方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN101443997A (zh) | 2006-11-30 | 2009-05-27 | 松下电器产业株式会社 | 运算放大器 |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP62012361A patent/JP2555046B2/ja not_active Expired - Fee Related
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KR100281116B1 (ko) * | 1998-05-27 | 2001-04-02 | 김영환 | 반도체소자의 제조방법 |
JP2005122122A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-05-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | レジスト画像形成方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2555046B2 (ja) | 1996-11-20 |
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