JP2647022B2 - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JP2647022B2 JP2647022B2 JP6257807A JP25780794A JP2647022B2 JP 2647022 B2 JP2647022 B2 JP 2647022B2 JP 6257807 A JP6257807 A JP 6257807A JP 25780794 A JP25780794 A JP 25780794A JP 2647022 B2 JP2647022 B2 JP 2647022B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパターン形成方法に関
し、特に段差を有する基板上に紫外線露光を用いた微細
なパターン形成方法に関する。
し、特に段差を有する基板上に紫外線露光を用いた微細
なパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置や超電導装置の製造工程にお
いては、段差が形成された基板上に微細なパターンを形
成する場合が多くある。例えば、ダイナミックランダム
アクセスメモリ（ＤＲＡＭ）等ではチップ内にメモリ素
子部と周辺回路部とが明確に分離されるが、メモリ素子
部にはキャパシタや素子分離層などが存在する為、周辺
回路部に対して１〜２μｍの段差を有することになる。
以下段差を有する半導体基板上にポジ型のフォトレジス
トを用いてラインパターンを形成する場合について図７
を用いて説明する。
いては、段差が形成された基板上に微細なパターンを形
成する場合が多くある。例えば、ダイナミックランダム
アクセスメモリ（ＤＲＡＭ）等ではチップ内にメモリ素
子部と周辺回路部とが明確に分離されるが、メモリ素子
部にはキャパシタや素子分離層などが存在する為、周辺
回路部に対して１〜２μｍの段差を有することになる。
以下段差を有する半導体基板上にポジ型のフォトレジス
トを用いてラインパターンを形成する場合について図７
を用いて説明する。
【０００３】まず図７（ａ）に示すように、１．５μｍ
の段差２を有するシリコン基板１上にポジ型フォトレジ
スト膜３を形成する。次で段差の下段面及び上断面に
０．３μｍの４本の密なラインパターンを形成する為の
マスク４を用いＫｒＦエキシマ光５で露光する。
の段差２を有するシリコン基板１上にポジ型フォトレジ
スト膜３を形成する。次で段差の下段面及び上断面に
０．３μｍの４本の密なラインパターンを形成する為の
マスク４を用いＫｒＦエキシマ光５で露光する。
【０００４】マスク４を通過した光はマスク４の開口部
で回折される為、フォトレジスト膜３に達する時の光学
的正転像（マスクの開口部下で光強度が極大になる像：
以下単に正転像という）の光強度８は、図８に示すよう
に、破線で示したマスク通過後の光強度７に比べ実線で
示したように低下する。光強度比はこの時の光強度の最
大値Ｉmax と最小値Ｉmin とから次式で与えられる。
で回折される為、フォトレジスト膜３に達する時の光学
的正転像（マスクの開口部下で光強度が極大になる像：
以下単に正転像という）の光強度８は、図８に示すよう
に、破線で示したマスク通過後の光強度７に比べ実線で
示したように低下する。光強度比はこの時の光強度の最
大値Ｉmax と最小値Ｉmin とから次式で与えられる。
【０００５】 光強度比＝（Ｉmax −Ｉmin ）／（Ｉmax ＋Ｉmin ） 光軸方向における下段面と上段面の位置１１Ａ，１２Ａ
に対する下段面及び上段面の光強度比１１，１２との関
係を図９に示す。下段面と上段面の光強度分布におい
て、正転像の一定以上の光強度比が得られる範囲の中央
を露光時の焦点設定位置１０Ａとするが、図９に示され
るようにその範囲は極めて狭いものとなる。
に対する下段面及び上段面の光強度比１１，１２との関
係を図９に示す。下段面と上段面の光強度分布におい
て、正転像の一定以上の光強度比が得られる範囲の中央
を露光時の焦点設定位置１０Ａとするが、図９に示され
るようにその範囲は極めて狭いものとなる。
【０００６】すなわち、図７（ａ）で説明した条件で、
投影レンズの開口数ＮＡ＝０．４５のステッパーを用い
ると、光強度比０．４が得られるラインパターンの焦点
深度は図９に示したように２．０μｍ程度あるが、下段
面及び上段面に共通な焦点深度は約０．５μｍとなる。
焦点設定位置１０Ａは、この共通の焦点深度が得られる
範囲の中央に設定する。
投影レンズの開口数ＮＡ＝０．４５のステッパーを用い
ると、光強度比０．４が得られるラインパターンの焦点
深度は図９に示したように２．０μｍ程度あるが、下段
面及び上段面に共通な焦点深度は約０．５μｍとなる。
焦点設定位置１０Ａは、この共通の焦点深度が得られる
範囲の中央に設定する。
【０００７】このようにして焦点位置１０Ａを決定して
露光し、現像することにより、図７（ｂ）に示すよう
に、フォトレジストからなる４本の密な０．３μｍのラ
インパターン６が段差の下段面及び上段面に形成され
る。
露光し、現像することにより、図７（ｂ）に示すよう
に、フォトレジストからなる４本の密な０．３μｍのラ
インパターン６が段差の下段面及び上段面に形成され
る。
【０００８】上述したように、０．３μｍの４本の密な
ラインパターンの形成で、レンズ開口数ＮＡ＝０．４
５、照明のコヒーレンス因子σ＝０．７のＫｒＦエキシ
マステッパーを用いると、焦点深度は２．０μｍあるに
もかかわらず、段差の上下面両方にラインパターンの形
成を行う場合の焦点深度は０．５μｍと狭くなる。０．
５μｍの焦点深度において、ウェハのそり、ステッパー
レンズの収差、焦点設定誤差等の焦点ずれ要因を考慮す
れば、実際に安定してパターンを形成することは極めて
困難である。
ラインパターンの形成で、レンズ開口数ＮＡ＝０．４
５、照明のコヒーレンス因子σ＝０．７のＫｒＦエキシ
マステッパーを用いると、焦点深度は２．０μｍあるに
もかかわらず、段差の上下面両方にラインパターンの形
成を行う場合の焦点深度は０．５μｍと狭くなる。０．
５μｍの焦点深度において、ウェハのそり、ステッパー
レンズの収差、焦点設定誤差等の焦点ずれ要因を考慮す
れば、実際に安定してパターンを形成することは極めて
困難である。
【０００９】この対策として、多層レジスト法や多重焦
点露光法等が提案されている。
点露光法等が提案されている。
【００１０】多層レジスト法は、例えば特公平４−６６
０９７号報に記載されているように、段差を有する半導
体基板上に平坦化用の厚い下層レジスト膜とＳｉＯ2 か
らなる中間層と薄い上層レジスト膜を順次形成し、平坦
な上層レジスト膜に微細パターンを形成したのちこのパ
ターンを中間層に転写し、次でこの中間層をマスクとし
て下層レジストをエッチングするものである。
０９７号報に記載されているように、段差を有する半導
体基板上に平坦化用の厚い下層レジスト膜とＳｉＯ2 か
らなる中間層と薄い上層レジスト膜を順次形成し、平坦
な上層レジスト膜に微細パターンを形成したのちこのパ
ターンを中間層に転写し、次でこの中間層をマスクとし
て下層レジストをエッチングするものである。
【００１１】又、多重焦点露光法は、例えば特開昭６３
−４２１２２号公報に記載されているように、段差を有
する基板上にフォトレジスト膜を形成したのち、光軸上
の複数の位置で露光を行ない、焦点深度を拡大するもの
である。
−４２１２２号公報に記載されているように、段差を有
する基板上にフォトレジスト膜を形成したのち、光軸上
の複数の位置で露光を行ない、焦点深度を拡大するもの
である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のパターン形成方法のうち多層レジスト法では、
レジストパターンの形成の為に３層の膜を形成し、各膜
をエッチングしなければならない為、工程が複雑になる
という問題点がある。
た従来のパターン形成方法のうち多層レジスト法では、
レジストパターンの形成の為に３層の膜を形成し、各膜
をエッチングしなければならない為、工程が複雑になる
という問題点がある。
【００１３】又、多重焦点露光方法では、１つのパター
ンを形成する際に、複数回光軸方向に基板を移動して露
光を行なわなければならない為に、製造装置における動
作が複雑になり、処理能力が低下する等の問題点があ
る。
ンを形成する際に、複数回光軸方向に基板を移動して露
光を行なわなければならない為に、製造装置における動
作が複雑になり、処理能力が低下する等の問題点があ
る。
【００１４】本発明の目的は、複雑な工程を必要とする
ことなく、高段差を有する下段面及び上段面のフォトレ
ジスト膜を十分な焦点深度で露光し、精度の良い微細パ
ターンの形成が可能なパターン形成方法を提供すること
にある。
ことなく、高段差を有する下段面及び上段面のフォトレ
ジスト膜を十分な焦点深度で露光し、精度の良い微細パ
ターンの形成が可能なパターン形成方法を提供すること
にある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のパターン形成方
法は、段差を有する基板の主面にフォトレジスト膜を形
成する工程と、前記段差の下段面に光学的正転像を形成
する為の第１の透光領域と前記段差の上段面に光学的反
転像を形成する為の第２の透光領域とを有するマスク、
又は、前記段差の下段面に光学的反転像を形成する為の
第１の透光領域と前記段差の上段面に光学的正転像を形
成する為の第２の透光領域とを有するマスクを用いて前
記フォトレジスト膜を露光したのち現像し、前記下段面
及び前記上段面に前記フォトレジスト膜からなるパター
ンを同時に形成するものである。
法は、段差を有する基板の主面にフォトレジスト膜を形
成する工程と、前記段差の下段面に光学的正転像を形成
する為の第１の透光領域と前記段差の上段面に光学的反
転像を形成する為の第２の透光領域とを有するマスク、
又は、前記段差の下段面に光学的反転像を形成する為の
第１の透光領域と前記段差の上段面に光学的正転像を形
成する為の第２の透光領域とを有するマスクを用いて前
記フォトレジスト膜を露光したのち現像し、前記下段面
及び前記上段面に前記フォトレジスト膜からなるパター
ンを同時に形成するものである。
【００１６】
【作用】くり返しパターンを有するマスクを用いて露光
する場合は、通常図１０（ａ）に示すようなパターンの
正転像が用いられる。この時の正転像の光強度は極大点
にある。
する場合は、通常図１０（ａ）に示すようなパターンの
正転像が用いられる。この時の正転像の光強度は極大点
にある。
【００１７】次にパターンの焦点位置をずらしていくと
光強度分布は変化し、極大点は図１０（ｂ）に示すよう
に減少し、光学的反転像（マスクの遮光部下で光強度が
極大になる像：以下単に反転像という）が現われ、遂に
は図１０（ｃ）に示すように、光強度が極大の反転像と
なる。本発明はこの現象を利用して段差を有する基板の
下段面及び上段面に同一露光操作によりレジストパター
ンを形成するものである。
光強度分布は変化し、極大点は図１０（ｂ）に示すよう
に減少し、光学的反転像（マスクの遮光部下で光強度が
極大になる像：以下単に反転像という）が現われ、遂に
は図１０（ｃ）に示すように、光強度が極大の反転像と
なる。本発明はこの現象を利用して段差を有する基板の
下段面及び上段面に同一露光操作によりレジストパター
ンを形成するものである。
【００１８】正転像と反転像における最も光強度比が高
い焦点位置は数μｍ離れており、その距離（焦点間距
離）はステッパーの光学照明条件により変化する。従っ
て、この焦点間距離が基板の段差と一致するような光学
照明条件を選ぶことにより、基板の下段面に正転像（又
は反転像）を、そして上段面に反転像（又は正転像）を
同時に形成することができる。
い焦点位置は数μｍ離れており、その距離（焦点間距
離）はステッパーの光学照明条件により変化する。従っ
て、この焦点間距離が基板の段差と一致するような光学
照明条件を選ぶことにより、基板の下段面に正転像（又
は反転像）を、そして上段面に反転像（又は正転像）を
同時に形成することができる。
【００１９】光学的正転像と反転像を形成する為の最適
な光学照明条件はシュミレータを用いて定める。
な光学照明条件はシュミレータを用いて定める。
【００２０】例えば、パターンの寸法（ラインアントス
ペース）を０．３μｍ、照明のコヒーレンスファクタσ
を０．３，露光光（ＫｒＦエキシマステッパー）の波長
λを２４８ｎｍとし、レンズの開口数ＮＡをある値（例
えば０．５）に選んでパターンの正転像と反転像を作
り、シュミレータにより焦点の位置（距離）をずらして
各像の最適な光強度比とこの時の焦点間距離を求める。
開口数ＮＡを変化させて求めた焦点間距離の一例を図３
に示す。図３より基板に１．３〜２．０μｍの段差があ
る場合は、開口数ＮＡを０．４〜０．６に調整すること
により、正転像と反転像を容易に同一基板上に形成でき
ることが分る。
ペース）を０．３μｍ、照明のコヒーレンスファクタσ
を０．３，露光光（ＫｒＦエキシマステッパー）の波長
λを２４８ｎｍとし、レンズの開口数ＮＡをある値（例
えば０．５）に選んでパターンの正転像と反転像を作
り、シュミレータにより焦点の位置（距離）をずらして
各像の最適な光強度比とこの時の焦点間距離を求める。
開口数ＮＡを変化させて求めた焦点間距離の一例を図３
に示す。図３より基板に１．３〜２．０μｍの段差があ
る場合は、開口数ＮＡを０．４〜０．６に調整すること
により、正転像と反転像を容易に同一基板上に形成でき
ることが分る。
【００２１】尚、露光に用いる正転像と反転像の光強度
比が大幅に異なる場合は、形成されるレジストパターン
の精度が低下する恐れがあるが、マスクの寸法や露光量
の局所的調整を行うことにより、同一幅の微細なレジス
トパターンを精度良く形成できる。
比が大幅に異なる場合は、形成されるレジストパターン
の精度が低下する恐れがあるが、マスクの寸法や露光量
の局所的調整を行うことにより、同一幅の微細なレジス
トパターンを精度良く形成できる。
【００２２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２３】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例を説明する為の半導体チップの断面図である。
例を説明する為の半導体チップの断面図である。
【００２４】まず図１（ａ）に示すように、素子等の形
成により１．７μｍの段差２の形成されたシリコン基板
１上にポジ型のフォトレジスト膜３を形成する。次で下
段面２Ａ及び上段面２Ｂに同時に幅０．３μｍの４本の
密なラインパターンを形成する為にマスクを用いＫｒＦ
エキシマ光５により露光するが、この時のマスクとして
は、下段面２Ａに正転像を形成する為の格子状開口を有
する第１の透光領域４Ａと、上段面に反転像を形成する
為の格子状開口を有する第２の透光領域４Ｂとを有する
ものを用いる。
成により１．７μｍの段差２の形成されたシリコン基板
１上にポジ型のフォトレジスト膜３を形成する。次で下
段面２Ａ及び上段面２Ｂに同時に幅０．３μｍの４本の
密なラインパターンを形成する為にマスクを用いＫｒＦ
エキシマ光５により露光するが、この時のマスクとして
は、下段面２Ａに正転像を形成する為の格子状開口を有
する第１の透光領域４Ａと、上段面に反転像を形成する
為の格子状開口を有する第２の透光領域４Ｂとを有する
ものを用いる。
【００２５】このマスクを用いて露光する場合、下段面
２Ａには図２（ａ）に示す正転像８Ａが、そして上段面
２Ｂには図２（ｂ）に示す反転像９Ａが得られ、かつ各
像の焦点間距離が１．７μｍになるような光学照明条件
を用いる。本第１の実施例の場合は、レンズ開口数ＮＡ
＝０．４５，照明のコヒーレンスファクタσ＝０．３の
ＫｒＦエキシマステッパーを用いることにより、焦点間
距離と段差（１．７μｍ）を一致させることができる。
この時の焦点位置と光強度比との関係を図４に示す。光
強度比が０．４以上の時に解像するフォトレジスト膜を
用いた場合、正転像及び反転像のそれぞれの焦点深度１
８，１９は１．３μｍと１．０μｍであり、下段面及び
上段面の両方に一度にパターンが形成可能な焦点深度も
１．０μｍとなる。この時の正転像の焦点位置１０は下
段面に合わせてある。
２Ａには図２（ａ）に示す正転像８Ａが、そして上段面
２Ｂには図２（ｂ）に示す反転像９Ａが得られ、かつ各
像の焦点間距離が１．７μｍになるような光学照明条件
を用いる。本第１の実施例の場合は、レンズ開口数ＮＡ
＝０．４５，照明のコヒーレンスファクタσ＝０．３の
ＫｒＦエキシマステッパーを用いることにより、焦点間
距離と段差（１．７μｍ）を一致させることができる。
この時の焦点位置と光強度比との関係を図４に示す。光
強度比が０．４以上の時に解像するフォトレジスト膜を
用いた場合、正転像及び反転像のそれぞれの焦点深度１
８，１９は１．３μｍと１．０μｍであり、下段面及び
上段面の両方に一度にパターンが形成可能な焦点深度も
１．０μｍとなる。この時の正転像の焦点位置１０は下
段面に合わせてある。
【００２６】このようにして露光したフォトレジスト膜
３を現像することにより、図１（ｂ）に示すように、下
段面２Ａ及び上段面２Ｂ上にレジスト膜からなる４本の
密なラインパターン６Ａ，６Ｂを形成する。
３を現像することにより、図１（ｂ）に示すように、下
段面２Ａ及び上段面２Ｂ上にレジスト膜からなる４本の
密なラインパターン６Ａ，６Ｂを形成する。
【００２７】図５（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施
例を説明する為の半導体チップの断面図であり、本発明
を４本の密なスペースパターン形成に用いた場合を示
す。
例を説明する為の半導体チップの断面図であり、本発明
を４本の密なスペースパターン形成に用いた場合を示
す。
【００２８】まず図５（ａ）に示すように、１．５μｍ
の段差を有するシリコン基板１Ａ上にポジ型フォトレジ
スト膜３を形成したのち、下段面に正転像を形成する為
の４本の格子状開口を有する第１の透光領域１４Ａと、
上段面２Ｂに反転像を形成する為の５本の格子状開口を
有する第２の透光領域４Ｂとを有するマスクを用い、Ｋ
ｒＦエキシマ光５を用いて露光する。
の段差を有するシリコン基板１Ａ上にポジ型フォトレジ
スト膜３を形成したのち、下段面に正転像を形成する為
の４本の格子状開口を有する第１の透光領域１４Ａと、
上段面２Ｂに反転像を形成する為の５本の格子状開口を
有する第２の透光領域４Ｂとを有するマスクを用い、Ｋ
ｒＦエキシマ光５を用いて露光する。
【００２９】このマスクを用いて露光する場合、下段面
２Ａには図６（ａ）に示す正転像８Ｂが、そして上段面
２Ｂには図６（ｂ）に示す反転像９Ｂが得られ、かつ各
像の焦点間距離が１．５μｍになるような光学照明条件
を用いる。本第２の実施例の場合は、レンズ開口数ＮＡ
＝０．５，照明のコヒーレンスファクターσ＝０．３の
ＫｒＦエキシマステッパーを用いることにより、各像の
焦点間距離と段差（１．５μｍ）を一致させることがで
きる。光強度比が０．４以上の時に解像するフォトレジ
スト膜を用いた場合、正転像及び反転像のそれぞれの焦
点深度は図４に示した第１の実施例の場合と同程度とな
り、下段面及び上段面の両方に一度にパターンが形成可
能な焦点深度も１．０μｍであった。
２Ａには図６（ａ）に示す正転像８Ｂが、そして上段面
２Ｂには図６（ｂ）に示す反転像９Ｂが得られ、かつ各
像の焦点間距離が１．５μｍになるような光学照明条件
を用いる。本第２の実施例の場合は、レンズ開口数ＮＡ
＝０．５，照明のコヒーレンスファクターσ＝０．３の
ＫｒＦエキシマステッパーを用いることにより、各像の
焦点間距離と段差（１．５μｍ）を一致させることがで
きる。光強度比が０．４以上の時に解像するフォトレジ
スト膜を用いた場合、正転像及び反転像のそれぞれの焦
点深度は図４に示した第１の実施例の場合と同程度とな
り、下段面及び上段面の両方に一度にパターンが形成可
能な焦点深度も１．０μｍであった。
【００３０】このようにして露光したフォトレジスト膜
３を現像することにより、図５（ｂ）に示すように、下
段面２Ａ及び上段面２Ｂ上にレジスト膜からなる４本の
密なスペースパターン１６Ａ，１６Ｂを形成する。
３を現像することにより、図５（ｂ）に示すように、下
段面２Ａ及び上段面２Ｂ上にレジスト膜からなる４本の
密なスペースパターン１６Ａ，１６Ｂを形成する。
【００３１】上記実施例では、ポジ型フォトレジスト膜
を用い、４本の密なパターンを形成する場合について説
明したが、フォトレジスト膜はネガ型のものでもよく、
レジストパターンは１本以上のものを形成できる。更
に、本発明は、半導体基板上のみでなく、超電導素子等
を形成する場合の高段差を有する基板にも適用可能であ
る。
を用い、４本の密なパターンを形成する場合について説
明したが、フォトレジスト膜はネガ型のものでもよく、
レジストパターンは１本以上のものを形成できる。更
に、本発明は、半導体基板上のみでなく、超電導素子等
を形成する場合の高段差を有する基板にも適用可能であ
る。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、段差を有
する基板上のフォトレジスト膜を、段差の下段面に光学
的正転像（又は反転像）を形成する為の第１の透光領域
と段差の上段面に光学的反転像（又は正転像）を形成す
る為の第２の透光領域とを有するマスクを用い、正転像
と反転像の焦点間距離と段差を一致させる条件で露光す
ることにより、複雑な工程を必要とすることなく、十分
な焦点深度で露光できる為、微細なパターンを精度良く
形成できる。
する基板上のフォトレジスト膜を、段差の下段面に光学
的正転像（又は反転像）を形成する為の第１の透光領域
と段差の上段面に光学的反転像（又は正転像）を形成す
る為の第２の透光領域とを有するマスクを用い、正転像
と反転像の焦点間距離と段差を一致させる条件で露光す
ることにより、複雑な工程を必要とすることなく、十分
な焦点深度で露光できる為、微細なパターンを精度良く
形成できる。
【図１】本発明の第１の実施例を説明する為の半導体チ
ップの断面図。
ップの断面図。
【図２】第１の実施例における露光時の正転像及び反転
像を示す図。
像を示す図。
【図３】レンズの開口数と焦点間距離との関係を示す
図。
図。
【図４】第１の実施例における正転像及び反転像の焦点
位置と光強度比との関係を示す図。
位置と光強度比との関係を示す図。
【図５】本発明の第２の実施例を説明する為の半導体チ
ップの断面図。
ップの断面図。
【図６】第２の実施例における露光時の正転像及び反転
像を示す図。
像を示す図。
【図７】従来のパターン形成方法を説明する為の半導体
チップの断面図。
チップの断面図。
【図８】光強度比を説明する為の光強度分布を示す図。
【図９】従来技術における像の焦点位置と光強度比との
関係を示す図。
関係を示す図。
【図１０】焦点をずらした場合の像の変化を説明する為
の光強度分布を示す図。
の光強度分布を示す図。
１，１Ａ シリコン基板 ２ 段差 ２Ａ 下段面 ２Ｂ 上段面 ３ ポジ型フォトレジスト膜 ４ マスク ４Ａ，１４Ａ 第１の透光領域 ４Ｂ，１４Ｂ 第２の透光領域 ５ ＫｒＦエキシマ光 ６Ａ，６Ｂ ラインパターン ７ マスク通過後の光強度 ８，８Ａ，８Ｂ 正転像 ９Ａ，９Ｂ 反転像 １０，１０Ａ 焦点位置 １１ 下段面の光強度比 １２ 上段面の光強度比 １６Ａ，１６Ｂ スペースパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 段差を有する基板の主面にフォトレジス
ト膜を形成する工程と、前記段差の下段面に光学的正転
像を形成する為の第１の透光領域と前記段差の上段面に
光学的反転像を形成する為の第２の透光領域とを有する
マスク、又は、前記段差の下段面に光学的反転像を形成
する為の第１の透光領域と前記段差の上段面に光学的正
転像を形成する為の第２の透光領域とを有するマスクを
用いて前記フォトレジスト膜を露光したのち現像し、前
記下段面及び前記上段面に前記フォトレジスト膜からな
るパターンを同時に形成することを特徴とするパターン
形成方法。 - 【請求項２】 光学的正転像と光学的反転像との焦点間
距離が基板の段差と等しくなる条件で露光する請求項１
記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6257807A JP2647022B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6257807A JP2647022B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | パターン形成方法 |
Publications (2)
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| JPH08124827A JPH08124827A (ja) | 1996-05-17 |
| JP2647022B2 true JP2647022B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=17311393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6257807A Expired - Lifetime JP2647022B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP2647022B2 (ja) |
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1994
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08124827A (ja) | 1996-05-17 |
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