CN113325672A - 基于一次曝光的光刻方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种基于一次曝光的光刻方法，包括：提供置于承载台上的衬底；在所述衬底上涂覆光刻胶形成光刻胶层；将所述光刻胶层划分为多个区域；使用激光束对多个所述区域的所述光刻胶分别进行曝光，其中：在对每个所述区域的所述光刻胶进行曝光时，沿着所述激光束的传输方向，实时移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度，以使得激光束能连续曝光同一区域内不同深度的光刻胶，直到完成同一所述区域的所有光刻胶的曝光；对曝光后的光刻胶进行显影。在本发明中，可以减少曝光工艺的时间，提高光刻机的使用效率，减少光刻成本，并且提高光刻图形稳定性。

Description

基于一次曝光的光刻方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种基于一次曝光的光刻方法。
背景技术
光刻技术在半导体制造技术领域中被广泛应用，其主要作用是对晶圆表面的薄膜的图案构图成型，主要包含了光刻胶的涂敷、曝光和显影等工艺，在对涂敷了光刻胶的晶圆进行曝光，被曝光过的光刻胶进行光化学反应产生性质变化，在显影液中的溶解度发生改变，从而可以在显影过程中形成所需要的目标图案。但在曝光过程中用于受光刻胶厚度的影响，对CD的要求不断提升，很多工艺都会遇到景深(Depth of Focus)不够，或者解析度不够的问题，需要对光刻胶进行两次(或多次)不同聚焦点曝光，从而得到形貌良好的曝光图形。
现有技术的对应较厚的光刻胶的曝光方法为，将光刻胶分为多个区域，分别对多个区域进行多次曝光，例如，进行第一次曝光时，将激光束的聚焦点定位在表面光刻胶上，依次对多个区域的表面的光刻胶进行曝光，直到将所有区域都曝光完成。接着，调整承载台，使承载台向上移动一定距离，从而使光的聚焦点向上移动一定距离，以对更深的光刻胶进行曝光，第二次曝光中仍然要在水平面上移动晶圆使得所有区域的光刻胶完成曝光。也就是说，每进行一次曝光，则会对晶圆进行多次移动，而行业中一般将晶圆划分为上百个区域，这样每次曝光就要对晶圆移动上百次，占用了太多工艺时间。甚至，对于有些光刻胶特别厚的情况，则可能进行三次或者三次以上的曝光。因此，现有技术由于增加为了多次曝光，使得曝光工艺的时间延长，大大降低了光刻机的使用效率，而且多次曝光，对准精度也会有偏差，增加了光刻工艺的成本的同时会影响图形稳定性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于一次曝光的光刻方法，可以减少曝光工艺的时间，提高光刻机的使用效率，减少光刻成本，并且提高光刻图形稳定性。
为了达到上述目的，本发明提供了一种基于一次曝光的光刻方法，包括：
提供置于承载台上的衬底；
在所述衬底上涂覆光刻胶形成光刻胶层；
将所述光刻胶层划分为多个区域；
使用激光束对多个所述区域的所述光刻胶分别进行曝光，其中：在对每个所述区域的所述光刻胶进行曝光时，沿着所述激光束的传输方向，实时移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度，以使得激光束能连续曝光同一区域内不同深度的光刻胶，直到完成同一所述区域的所有光刻胶的曝光；
对曝光后的光刻胶进行显影。
可选的，在所述的基于一次曝光的光刻方法中，所述衬底包括晶圆。
可选的，在所述的基于一次曝光的光刻方法中，多个所述区域呈多行多列的阵列形式分布。
可选的，在所述的基于一次曝光的光刻方法中，对多个所述区域的所述光刻胶分别进行曝光的方法包括：以边缘一个所述区域为起始点，移动所述衬底，依次对多个所述区域的所述光刻胶一行一行地曝光或者依次对多个所述区域的所述光刻胶一列一列地曝光，直到完成所有所述区域的所述光刻胶的曝光。
可选的，在所述的基于一次曝光的光刻方法中，完成对当前所述区域的所述光刻胶的曝光后，再移动所述衬底使得下一个所述区域的所述光刻胶对准所述激光束，以进行下一个所述区域的所述光刻胶的曝光。
可选的，在所述的基于一次曝光的光刻方法中，当前所述区域和下一个所述区域为相邻区域。
可选的，在所述的基于一次曝光的光刻方法中，在当前所述区域内移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向和下一个所述区域内移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向相反。
可选的，在所述的基于一次曝光的光刻方法中，在当前所述区域内移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向为从上到下，则在下一个所述区域内移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向为从下到上。
可选的，在所述的基于一次曝光的光刻方法中，在当前所述区域内移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向为从下到上，则在下一个所述区域内移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向为从上到下。
本发明提供了一种基于一次曝光的光刻方法，在衬底上涂覆了光刻胶形成光刻胶层后，将光刻胶层划分为多个区域；使用激光束对多个区域的光刻胶分别进行曝光，其中：在对每个区域的光刻胶进行曝光时，沿着激光束的传输方向，实时移动承载台改变激光束到达光刻胶内的深度，以使得激光束能连续曝光同一区域内不同深度的光刻胶，直到完成同一区域的光刻胶的曝光。相对于现有技术的多次曝光多次对准，本发明可以减少曝光工艺的时间，提高光刻机的使用效率，减少光刻成本，并且还提高光刻图形稳定性。
附图说明
图1是本发明实施例的基于一次曝光的光刻方法的流程图；
图2是本发明实施例的光刻胶层的区域划分的示意图；
图3是本发明实施例的曝光的示意图；
图中：100-光刻胶层、110-第一区域、120-第二区域、130-第三区域、140-第四区域；200-承载台、300-晶圆、400-激光源、500-激光束、600-聚焦平面。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
在下文中，术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。
请参照图1，本发明提供了一种基于一次曝光的光刻方法，包括：
S11：提供置于承载台上的衬底；
S12：在所述衬底上涂覆光刻胶形成光刻胶层；
S13：将所述光刻胶层划分为多个区域；
S14：使用激光束对多个所述区域的所述光刻胶分别进行曝光，其中：在对每个所述区域的所述光刻胶进行曝光时，沿着所述激光束的传输方向，实时移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度，以使得激光束能连续曝光同一区域内不同深度的光刻胶，直到完成同一所述区域的所有光刻胶的曝光；
S15：对曝光后的光刻胶进行显影。
本发明实施例中，所述衬底包括晶圆。在本发明的其他实施例中，也可以是其他硅产品。对于较薄的并且光刻胶中进光量较大的光刻胶可以一次曝光完成光刻，但是对于较高深宽比，即光刻胶厚度与线宽大小的比值大于3时的光刻胶就可以采用本发明实施例的光刻方法进行一次曝光完成光刻。
进一步，请参照图2，将所述光刻胶层100划分为多个区域，多个所述区域呈多行多列的阵列形式分布。对多个所述区域的所述光刻胶分别进行曝光的方法包括：以边缘一个所述区域为起始点，移动所述衬底，依次对多个所述区域的所述光刻胶一行一行地曝光或者依次对多个所述区域的所述光刻胶一列一列地曝光，直到完成所有所述区域的所述光刻胶的曝光。即，以网格的形式来划分晶圆上的光刻胶的区域。
请参照图3，承载台200上放置晶圆300，晶圆300形成光刻胶层100，激光源400发出的激光束500对光刻胶进行曝光，同时，激光束500在光刻胶层100内形成聚焦点600。
进一步，完成对当前所述区域的所述光刻胶的曝光后，再移动所述衬底使得下一个所述区域的所述光刻胶对准所述激光束，以进行下一个所述区域的所述光刻胶的曝光。当前所述区域和下一个所述区域为相邻区域。每个区域依次进行可以减少晶圆移动的距离和次数，减少光刻的时间，提高光刻效率。
进一步，在当前所述区域内移动所述承载台200改变所述激光束500到达所述光刻胶内的深度的方向和下一个所述区域内移动所述承载台200改变所述激光束500到达所述光刻胶内的深度的方向相反。在当前所述区域内移动所述承载台改变所述激光束500到达所述光刻胶内的深度的方向为从上到下，则在下一个所述区域内移动所述承载台200改变所述激光束500到达所述光刻胶内的深度的方向为从下到上。在当前所述区域内移动所述承载台200改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向为从下到上，则在下一个所述区域内移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向为从上到下。例如，边缘的第一区域110作为起始点，如果按照一列一列区域的形式进行曝光，则第一区域110所在的列的所有区域依次进行曝光，再对第一区域所在的列的相邻列的所有区域依次进行曝光，直到完成所有列的区域的曝光。其中，第一区域所在的列为第一列，从第一区域110开始，分别为第二区域120、第三区域130、第四区域140…直到第N区域。第一区域110的表面的光刻胶进行曝光后，向上移动承载台200(stage)使得激光束500进入更深的光刻胶，同时，聚焦点600也在向下移动，直到完成第一区域110的所有光刻胶的曝光。在承载台的移动过程中，是连续地移动，所以聚焦点600也在连续向下移动。第一区域110完成曝光后，移动晶圆使得第二区域120在激光束500的聚焦点600下，此时，由于上一个区域承载台的移动，激光束500是直接到达了更深的光刻胶内，因此，在曝光第二区域120的光刻胶时，需要将承载台200向下移动，使得聚焦点600从更深的光刻胶移到表面的光刻胶，从而完成第二区域120的光刻胶的曝光。同理，在进行第三区域130的光刻胶的曝光时，又需要将承载台200向上移动，使得激光束500的聚焦点600从表面的光刻胶进入到更深的光刻胶，以完成第三区域130的所有光刻胶的曝光，在曝光第四区域140的光刻胶时，需要将承载台向下移动，使得聚焦点600从更深的光刻胶移到表面的光刻胶，从而完成第四区域140的光刻胶的曝光。依次类推，在承载台200的上下下上的不断移动过程中，完成第N区域的光刻胶的曝光，即完成所有区域的光刻胶的曝光，也就是完成了整个晶圆的光刻胶的曝光。在承载台200的上下下上的不断移动过程中，聚焦点600也在连续地上下移动，从而提高光刻胶的曝光景深和解析度。相比于现有技术，需要至少两次曝光，来改变聚焦点在光刻胶内的深度，从而提高光刻胶的曝光景深和解析度，本发明实施例只需通过承载台动态地曝光光刻胶，就可以实现在一次曝光中完成光刻，并且同样能提高光刻胶的曝光景深和解析度。
综上，在本发明实施例提供的基于一次曝光的光刻方法，在衬底上涂覆了光刻胶形成光刻胶层后，将光刻胶层划分为多个区域；使用激光束对多个区域的光刻胶分别进行曝光，其中：在对每个区域的光刻胶进行曝光时，沿着激光束的传输方向，实时移动承载台改变激光束到达光刻胶内的深度，以使得激光束能连续曝光同一区域内不同深度的光刻胶，直到完成同一区域的光刻胶的曝光。相对于现有技术的多次曝光多次对准，本发明可以减少曝光工艺的时间，提高光刻机的使用效率，减少光刻成本，并且还提高光刻图形稳定性。
上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，包括：
提供置于承载台上的衬底；
在所述衬底上涂覆光刻胶形成光刻胶层；
将所述光刻胶层划分为多个区域；
使用激光束对多个所述区域的所述光刻胶分别进行曝光，其中：在对每个所述区域的所述光刻胶进行曝光时，沿着所述激光束的传输方向，实时移动所述承载台以改变所述激光束到达所述光刻胶的深度，以使得所述激光束能连续曝光同一所述区域内不同深度的所述光刻胶，直到完成同一所述区域的所有光刻胶的曝光；
对曝光后的所述光刻胶进行显影。
2.如权利要求1所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，所述衬底包括晶圆。
3.如权利要求1所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，多个所述区域呈多行多列的阵列形式分布。
4.如权利要求1所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，对多个所述区域的所述光刻胶分别进行曝光的方法包括：以边缘一个所述区域为起始点，移动所述衬底，依次对多个所述区域的所述光刻胶一行一行地曝光或者依次对多个所述区域的所述光刻胶一列一列地曝光，直到完成所有所述区域的所述光刻胶的曝光。
5.如权利要求4所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，完成对当前所述区域的所述光刻胶的曝光后，再移动所述衬底使得下一个所述区域的所述光刻胶对准所述激光束，以进行下一个所述区域的所述光刻胶的曝光。
6.如权利要求5所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，当前所述区域和下一个所述区域为相邻区域。
7.如权利要求6所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，在当前所述区域内移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向和下一个所述区域内移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向相反。
8.如权利要求7所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，在当前所述区域内移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向为从上到下，则在下一个所述区域内移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向为从下到上。
9.如权利要求7所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，在当前所述区域内移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向为从下到上，则在下一个所述区域内移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度的方向为从上到下。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114545742A (zh) * 2022-02-21 2022-05-27 长江存储科技有限责任公司 光刻方法及装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0513308A (ja) * 1991-07-09 1993-01-22 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
US5343270A (en) * 1990-10-30 1994-08-30 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5742376A (en) * 1993-04-28 1998-04-21 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and projection exposure method
US20110267593A1 (en) * 2010-05-03 2011-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for maintaining depth of focus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5343270A (en) * 1990-10-30 1994-08-30 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JPH0513308A (ja) * 1991-07-09 1993-01-22 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
US5742376A (en) * 1993-04-28 1998-04-21 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and projection exposure method
US20110267593A1 (en) * 2010-05-03 2011-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for maintaining depth of focus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114545742A (zh) * 2022-02-21 2022-05-27 长江存储科技有限责任公司 光刻方法及装置
CN114545742B (zh) * 2022-02-21 2023-11-17 长江存储科技有限责任公司 光刻方法及装置

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