JP3880165B2 - 走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法に関し、IC、LSI、CCD、磁気ヘッド、液晶パネルなどのデバイスを製造する為のリソグラフィー工程において、第1物体としてのレチクル(マスク)と第2物体としてのウエハとの双方を同期して走査(スキャン)することによってレチクル面上のパターンをウエハ面上に順次走査投影露光して高集積度のデバイスを製造する際に好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体ウエハの微細加工技術の中心をなす投影露光装置としてマスクのパターン像を屈折光学系により感光基板上に形成し、感光基板をステップアンドリピート方式で露光する縮小投影露光装置(ステッパー)や高解像力が容易に得られ、且つ画面サイズを拡大できるステップアンドスキャン方式の走査型露光装置(露光装置)等が種々と提案されている。
【0003】
この走査型露光装置では、レチクル面上のパターンをスリット状光束により照明し、該スリット状光束により照明されたパターンを投影系(投影光学系)を介し、スキャン動作によりウエハ上に露光転写している。
【0004】
従来のスキャン方式の半導体素子製造用の露光装置におけるレチクル像面とウエハ面とのフォーカス方向の位置合わせは、スキャン露光(走査露光)中に、露光領域のスリット位置において、レチクル像面の平均的位置を検出し、この平均的位置とこれに対応するウエハ上面の露光領域の平均的位置を一致させる様に、ウエハを保持しているウエハチャックの高さと傾きを変えて行っていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
近年、半導体素子の製造工程においては、半導体素子のより一層の微細化が進んでおり、これに伴い、レチクル像面とウエハ面とのフォーカス方向の位置合わせもより一層厳しい性能を要求される様になってきている。
【0006】
スキャン方式の露光装置は従来の1ショット領域を露光するのに、より小さなスリット領域のみを使用する為、従来の一括露光方式の半導体露光装置よりも、より正確なフォーカス合わせできる。
【0007】
しかしながら、スキャン方式の半導体露光装置においても、高NA化等により、近年より一層正確な、フォーカス合わせが要求される様になってきており、従来の方法では十分なフォーカス合わせ性能を達成することが困難になってきている。
【0008】
図5は、従来の走査型露光装置におけるフォーカス合わせ方法の説明図である。このうち図5(B)はウエハ表面の高さを表現したものである。図中31、32、33はそれぞれ移動するウエハ上面の露光領域を表わしている。また、41、42、43はそれぞれ、上記露光領域31、32、33に対応するレチクル像面を表している。また、平面GFはウエハのグローバルフォーカス面(後述)である。
【0009】
スキャン方式の露光装置におけるフォーカス合わせは、スキャン動作中に上記、レチクル像面41、 42、 43と、ウエハ上の露光領域31、 32、 33とが一致する様にウエハの高さと傾きを変えて行っている。
【0010】
ところが、図5(B)に示す様に、ウエハ上面の露光領域、31、32、33もしくは、レチクル像面41、42、43が単純平面でない場合には、従来の方法では正確なフォーカス合わせができなかった。
【0011】
本発明は、精度良くフォーカス合わせができ、高集積度の半導体デバイスを容易に製造することができる走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法の提供を目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明の走査型露光装置は、スリット形状の照明領域で第1物体面上のパターンを照明し、該第1物体面上のパターンを投影光学系により、レジストが塗布された第2物体面上に投影し、該第1物体と該第2物体とを該投影光学系の投影倍率に対応した速度比で同期させて該スリットの幅方向に走査させながら前記第2物体を露光する走査型露光装置において、該露光中に、走査される前記第2物体を照明するスリット光領域のうち、該第2物体の走査の方向における後半部内に制限された領域において、前記第1物体の像面と前記第2物体との光軸方向の位置合わせを行うことを特徴としている。
【0013】
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記スリット光領域のうち、さらに、前記第2物体の走査の方向に対し直交する方向において制限された領域内において、前記第1物体の像面と前記第2物体との光軸方向の位置合わせを行うことを特徴としている。
【0014】
請求項3の発明のデバイスの製造方法は、請求項1または2記載の走査型露光装置を用いてレチクル面上のパターンをレジストが塗布されたウエハ面上に投影する工程を含むことを特徴としている。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の走査型露光装置(ステッパー)の実施形態1の要部概略図である。本実施形態では、第1物体としてのレチクル2と第2物体としてのウエハ6とを投影光学系5の結像倍率に応じて同期をとりながら所定の速度比でY方向(スリットの幅方向)に走査(スキャン)させながら投影露光を行っている。
【0018】
図1において、露光パターンの形成されたレチクル2はレーザー干渉計(不図示)と駆動制御手段(不図示)によってX方向、Y方向に駆動制御されるレチクルステージ(第1可動ステージ)3に載置されている。レチクルステージ3はZ方向の位置を投影光学系5に対して一定に保った状態でX方向、Y方向に駆動する。4はレチクルステージガイドであり、レチクルステージ3を駆動させるときのガイドをしている。感光基板であるウエハ6はウエハチャック7に吸着保持されている。
【0019】
ウエハチャック7はZ方向の位置及び傾きが投影光学系5に対して駆動制御可能なZ・Tiltステージ8に保持されている。Z・Tiltステージ8はレーザー干渉計と駆動制御手段によってXY方向に駆動制御されるXYステージ(第2可動ステージ)9に載置されている。
【0020】
10はフォーカス検出系でありウエハ6の面位置情報を検出している。11−1〜11−3はフォーカス検出系10により検出されるウエハ6面上の検出対象点、12はウエハ6上の露光領域(スリット状の露光光束に相当)である。13はレチクルステージ3をスキャン方向(Y方向)に駆動制御するReticle Drive Moduleである。14はフォーカス検出系10からの信号を取り込み、Z・Tilt駆動量演算を行う Focus Detect Moduleである。15はウエハチャック7をZ・Tilt方向に駆動制御するZ・Tilt Drive Moduleである。16はZ・Tiltステージ8をXY方向に駆動制御するWafer Drive Moduleであり、スキャン動作にはY軸駆動を使用している。17は走査型の投影露光装置の全体制御を実施するMain CPUである。18は各種制御パラメータを記憶するMemoryもしくはFileである。19は各種制御パラメータを入力する為のInput Moduleである。
【0021】
このレチクル2とウエハ6は投影光学系5を介して光学的に共役な位置に置かれており、不図示の照明形からX方向に長いスリット状の露光光束(照明光束)1がレチクル2上に形成されている。このレチクル2上の露光光束1は投影光学系5の投影倍率に比した大きさのスリット状の露光光束(露光領域)12をウエハ6上に形成するものである。
【0022】
走査型露光装置は、このスリット状の露光光束1及び12に対してレチクルステージ3とXYステージ9の双方を光学倍率に応じた速度比でY方向に動かし、スリット状の露光光束1及び12がレチクル2上のパターンで転写領域1aとウエハ6上のパターン転写領域6aを走査することによって投影露光を行っている。
【0023】
図2は本発明に係る走査露光におけるスキャン方向(Y方向)部分フォーカス、スリット方向(X方向)部分フォーカスの原理の説明図である。
【0024】
点W1、W2、W3、W4で囲まれる斜線で示す領域Wは露光領域12に位置するウエハ上面、点R1、R2、R3、R4で囲まれる領域Rは上記領域Wに対応すべきレチクル像面である。
【0025】
点W12、W2、W3、W34で囲まれる領域Waは本発明で提案しているスキャン方向部分フォーカスを実施するウエハ上面の領域の一例である。点R12、R2、R3、R34で囲まれる領域Raは本発明で提案しているスキャン方向部分フォーカスを実施するレチクル像面の領域の一例である。
【0026】
点W12a、W2a、W3r、W34rで囲まれる領域Wbは本発明で提案しているスキャン方向部分フォーカスと、スリット方向部分フォーカスを実施するウエハ上面の領域の一例である。点R12a、R2a、R3r、R34rで囲まれる領域Rbは本発明で提案している、スキャン方向部分フォーカスと、スリット方向部分フォーカスを実施するレチクル像面の領域の一例である。
【0027】
平面GFはウエハ6のグローバルフォーカス面(後述)である。
【0028】
図3はウエハ6面に塗布したレジストへの感光現象の説明図である。同図において、20は空間的な光エネルギー強度、21はレジスト、波形22−1、22−2、22−3、22−4は各々レジスト21内での感光現象が進行する様子を示している。
【0029】
図4(A)、(B)は本発明に係るスリット方向部分フォーカスの説明図である。23は1スキャン動作で露光されるウエハ上面の領域24は上記領域内のスリット方向部分フォーカス実施領域、25は上記領域内23のスリット方向部分フォーカス実施領域であるが、スキャン動作途中にスリット方向部分フォーカスの実施領域を変更した一例である。
【0030】
次に本実施形態の各要素について説明する。
【0031】
(ア)まずレチクル像面の変化について説明する。
【0032】
スキャン方式の投影露光装置は、図1に示す様に、レチクル2はレチクルステージ3上に保持され、投影レンズ5により、露光領域1に位置するレチクルパターンの一部分をウエハ6上に投影しており、レチクル2とウエハ6を同期して、スキャン動作させることにより、レチクルパターン全体をウエハ上面の1チップ領域に縮小して転写する様になっている。ここで、レチクル2は一般に、非常に高精度に研磨された表面を持っているが、完全な平面ではない。
【0033】
また、レチクル2はレチクステージ3に保持されているが、レチクル保持機構はレチクル2の周辺部を保持する為、レチクル2は一般に自重により、中央部がたわむ様な変形をする。また、レチクル2をスキャンさせるレチクルステージガイド4は、ウエハ6をスキャンさせるXYステージ9と完全に平行ではなく、微小な傾きを持っている。
【0034】
また、レチクルステージ3はそれ自体で完全な直線運動をできる訳ではなくレチクルステージガイド4のたわみ、2本のガイド間のねじれ等により複雑な動きをする。
【0035】
以上の各種要因から、図5で既に説明した様に、レチクル2の像面は、スキャン位置によりその高さ、傾きを変化させるレチクル像面となっている。このレチクル像面の変化を正確に計測し、実際の露光動作時に補正を行い、スキャン方式の投影露光装置を構成している。
【0036】
(イ)次に本実施形態において適用可能な上記レチクル像面の計測方法について説明する。
【0037】
本実施形態では次の2つの方法が適用できる。
【0038】
(イ−1)テストレチクル法
レチクルステージ3上にフォーカス計測マークを有するテストレチクルを位置させ、投影レンズ5の下に、超平面ウエハを位置させる。そしてテストレチクルの位置を、レチクルステージ3により、スキャン方向に5〜10mm間隔づつ移動させながら静止露光を行う。なお、各位置ごとに、微小にフォーカス位置を変えながら、スキャン方向に10μm程度づつ移動させて、複数回の露光を行う。
このとき得られたウエハの現像結果より、レチクルステージ3の各位置に対するレチクル像面の位置を求めている。なお、静止露光を実施するスリット位置に、超平面ウエハを送り込む前に、スリット位置近傍に配置してあるフォーカス検出機能により、ウエハ上面の高さ、傾きを予め計測しておき、上記計測結果から、フォーカス検出系10の原点に対するレチクル像面位置が明確に解る様にしている。
【0039】
(イ−2)ユーザレチクル法
内容的にはテストレチクル法と同等であるが、実際のレチクルを用いた測定である。テストレチクル法の精度を上げる為に使用する。計測結果は、計測に用いたレチクル固有のものとなるため、レチクル毎の固有なデータとして使用する。
(ウ)次に露光対象面であるウエハ上面の変化について説明する。
【0040】
ウエハ6は搬送機構(不図示)により、ウエハチャック7上に置かれると、その中心付近と周囲数点の高さをフォーカス検出系10により計測し、その平均的平面を求める。
【0041】
この求めた平均的平面をグローバルフォーカス面(略称GF)という。
【0042】
このグローバルフォーカス面GFを求めた後、このグローバルフォーカス面GFを、平均的レチクルフォーカス面に一致する様にZ・Tiltステージ8により送り込む。その後、レチクルとウエハとの光軸と直交する平面内でのアライメント計測を経て、露光対象面であるウエハ上面の最初の1チップ領域がスキャン露光が実施されるスリット位置に移動し、スキャン露光に入る。但し、スキャン露光に入る直前に、スリット位置近傍に配置してある、フォーカス検出系10により、その高さと傾きが計測させる様になっている。ここで計測された各ウエハ上面のフォーカス位置は、グローバルフォーカス面GFを基準とした、より小さな領域のフォーカス面であり、ローカルフォーカス面という。
【0043】
このローカルフォーカス面は、一般にスキャン方向とスリット方向に独立な変化を示す為、単純平面とはならない。
【0044】
(エ)次にレチクル像面とウエハ上面のフォーカス合わせについて説明する。
【0045】
スキャン方式の投影露光装置におけるフォーカス合わせは、上記、スキャン動作によりその位置をかえるレチクルフォーカス面と、上記、グローバルフォーカス面GF基準で計測した、ローカルフォーカス面をスキャン露光動作中、一致する様にウエハ6を保持しているウエハチャック7をZ・Tiltステージ8により駆動することにより行っている。
【0046】
(オ)次に本発明に係るフォーカス合わせについて説明する。
【0047】
項目(ウ)で述べた様に、上記ローカルフォーカス面は一般に単純平面とはならない。図2は、図5の一部を拡大したものであり、従来の方法では、レチクルフォーカス面(領域R)とローカルフォーカス面(領域W)の全面でのフォーカス合わせを実行していた。
【0048】
この場合には、図2からも明らかな様に、スキャン方向(Y方向)、スリット方向(X方向)に大きなフォーカス合わせ誤差が発生していることが解る。
【0049】
そこで、本発明では、下記の2通りのフォーカス合わせ方法を実行している。
【0050】
(オ−1)スキャン方向部分フォーカス方法
ウエハ6上面のレジスト21は、スリット露光領域を通過する間に、パターン露光を、連続的、もしくは断続的に受けて、パターン転写が進行していく。ここで、パターン転写は、図3の波形22−1、22−2、22−3、22−4で示す様に、レジスト21の表面からレジスト21の下面に向かって進行していく。
【0051】
レジスト21内部の感光剤の分解と、それによる透過率の増加の繰り返しによるコントラスト強化現象と考えられる。ここで、レジスト21の厚みは、ほぼ1μm程度であり、また、投影レンズ5の焦点深度も、ほぼ1μm程度である。
【0052】
この様なパターン転写においては、レジスト21の表面部においてフォーカスが合っていることも重要であるが、レジスト21下面近傍において、より正確に、フォーカスが合っていることがより重要となる。
【0053】
そこで、本発明においては、スリットのスキャン方向(幅方向、Y方向)の後半部の所定のスリット幅で制限される走査領域においてフォーカス合わせを実行している。この様子を図2において説明する。
【0054】
本発明に係るスキャン方向部分フォーカスでは、ウエハ上面の領域 Waと、レチクル像面の領域 Raとのフォーカス方向の位置合わせをスキャン動作中に実行している。この場合、図2からも明らか様に、フォーカス方向の位置合わせ誤差を従来方法に比較して十分小さくすることが可能となる。
【0055】
なお、本発明の投影露光装置は上記、フォーカス合わせを実行する後半部の位置と幅は任意に設定可能となっており、露光工程の各種パラメータの指定を行う、ジョブファイルからも指定可能な様になっている。
【0056】
(オ−2)スリット方向部分フォーカス方法
ウエハ6上面の1チップ領域は、常にスリット方向(X方向)に対して一様なフォーカス合わせ精度を要求している訳ではない。1チップ領域周辺には、ボンディングパッド等、中心部に比較して、フォーカス合わせ精度要求があまり高くない場合がある。また、半導体素子によっては、1チップ領域内においても、フォーカス合わせ精度要求に差がある場合がある。
【0057】
そこで、本発明においては、スリット方向(X方向)の任意の位置と幅で制限される走査領域(スリットの長さで規制される走査方向と直交する走査領域)において、フォーカス合わせを実行している。又、図4(B)に示すようにスリット方向のフォーカス検出領域を走査露光中に変更可能としている。この様子を図2において説明する。なお、ここでは、上記、スキャン方向部分フォーカスと併用した場合の説明を行う。
【0058】
本発明のスキャン方向部分フォーカスでは、ウエハ6上面の領域 Wbと、レチクル像面の領域Rbとのフォーカス方向の位置合わせをスキャン動作中に実行している。この場合、図2からも明らかな様に、フォーカス方向の位置合わせ誤差を従来方法に比較して十分小さくすることが可能となる。
【0059】
なお、本発明の投影露光装置は上記、フォーカス合わせを実行するスリット方向の位置と幅は任意に設定可能となっており、露光工程の各種パラメータの指定を行う、ジョブファイルからも指定可能な様になっている。
【0060】
次に上記説明した走査型露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。
【0061】
図6は半導体デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、或は液晶パネルやCCD等)の製造のフローを示す。
【0062】
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【0063】
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前行程と呼ばれ、前記用意したマスクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
【0064】
次のステップ5(組立)は後行程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。
【0065】
ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0066】
図7は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。
【0067】
ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【0068】
ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【0069】
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
【0070】
【発明の効果】
本発明によれば、精度良くフォーカス合わせができ、高集積度の半導体デバイスを容易に製造することができる走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を達成することができる。
【0072】
特に、レチクル像面、及びウエハ上面の1チップ露光領域が単純平面でない場合でも、レジスト下面近傍において、従来の方法に比較して、より正確なフォーカス合わせができる(スキャン方向部分フォーカス)。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態1の要部概略図
【図2】 図1の一部分の拡大説明図
【図3】 図1の一部分の拡大説明図
【図4】 実施形態1の別形態例を示す説明図
【図5】 図1のレチクル像面とウエハ面との関係を示す説明図
【図6】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャート
【図7】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャート
【符号の説明】
1 スリット光束
2 第1物体(レチクル)
3 レチクルステージ
5 投影レンズ
6 ウエハ
7 ウエハチャック
10 フォーカス検出系
12 露光領域
Claims (3)
- スリット形状の照明領域で第1物体面上のパターンを照明し、該第1物体面上のパターンを投影光学系により、レジストが塗布された第2物体面上に投影し、該第1物体と該第2物体とを該投影光学系の投影倍率に対応した速度比で同期させて該スリットの幅方向に走査させながら前記第2物体を露光する走査型露光装置において、該露光中に、走査される前記第2物体を照明するスリット光領域のうち、該第2物体の走査の方向における後半部内に制限された領域において、前記第1物体の像面と前記第2物体との光軸方向の位置合わせを行うことを特徴とする走査型露光装置。
- 前記スリット光領域のうち、さらに、前記第2物体の走査の方向に対し直交する方向において制限された領域内において、前記第1物体の像面と前記第2物体との光軸方向の位置合わせを行うことを特徴とする請求項1の走査型露光装置。
- 請求項1または2記載の走査型露光装置を用いてレチクル面上のパターンをレジストが塗布されたウエハ面上に投影する工程を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
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