JPS61210627A - 有効光源測定用ピンホ−ル板 - Google Patents
有効光源測定用ピンホ−ル板Info
- Publication number
- JPS61210627A JPS61210627A JP60050606A JP5060685A JPS61210627A JP S61210627 A JPS61210627 A JP S61210627A JP 60050606 A JP60050606 A JP 60050606A JP 5060685 A JP5060685 A JP 5060685A JP S61210627 A JPS61210627 A JP S61210627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pupil
- light source
- image
- effective light
- pinhole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 47
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 35
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の属する分野]
本発明は、照明光学系により照明された所望のパターン
を有するマスクの像を結像光学系により形成する投影結
像光学系において、照明光学系により作られる有効光源
の、結像光学系の射出瞳に対する位置、大きざ、形状を
測定するためのピンホール板に関する。
を有するマスクの像を結像光学系により形成する投影結
像光学系において、照明光学系により作られる有効光源
の、結像光学系の射出瞳に対する位置、大きざ、形状を
測定するためのピンホール板に関する。
[従来の技術の説明]
近年、IC,LSIの高密度化に伴って、マスク転写露
光装置により転写されるパターンの微細化が急速に進ん
でおり、マスクからウェハにパターンを転写する方法も
、プロキシミティ法やコンタクト法からプロジェクショ
ン方法へと移り変わっている。特に最近では、ミラープ
ロジェクション法と呼ばれるミラー投影光学系を用いる
方法やステッパーと呼ばれるレンズ投影光学系を用いる
方法が、IC,LSIのパターニング方式の主流となっ
ている。ミラー投影光学系やレンズ投影光学系のいずれ
の場合でも、マスクを照明する照明光学系により作られ
る有効光源と、投影光学系の瞳の位置関係や、形状、大
きさは投影光学系の結像性能を決定する極めて大きな要
因であることは周知の通りである。
光装置により転写されるパターンの微細化が急速に進ん
でおり、マスクからウェハにパターンを転写する方法も
、プロキシミティ法やコンタクト法からプロジェクショ
ン方法へと移り変わっている。特に最近では、ミラープ
ロジェクション法と呼ばれるミラー投影光学系を用いる
方法やステッパーと呼ばれるレンズ投影光学系を用いる
方法が、IC,LSIのパターニング方式の主流となっ
ている。ミラー投影光学系やレンズ投影光学系のいずれ
の場合でも、マスクを照明する照明光学系により作られ
る有効光源と、投影光学系の瞳の位置関係や、形状、大
きさは投影光学系の結像性能を決定する極めて大きな要
因であることは周知の通りである。
従来、この有効光源と投影光学系の瞳の測定は、マスク
面またはウェハ面にピンホール板を配置し、ウェハ面か
らデフォーカスした位置に感光紙を首ぎ、感光紙に形成
された投影光学系の射出瞳と有効光源を同時に焼き付け
る方法により行なってい1こ 。
面またはウェハ面にピンホール板を配置し、ウェハ面か
らデフォーカスした位置に感光紙を首ぎ、感光紙に形成
された投影光学系の射出瞳と有効光源を同時に焼き付け
る方法により行なってい1こ 。
この方法の場合、投影光学系の射出瞳と有効光源の光の
強度差が大きいため、射出瞳の形を焼ぎ付けようとする
と、有効光源が露光オーバとなり、形状が不鮮明になる
。一方、有効光源の形状が鮮明になるようにすると、射
出瞳が露光不足で焼付けられない。すなわら、従来より
行なわれているような射出瞳と有効光源を同時に見るこ
とのできる露光時間で焼付ける方法では、射出瞳と有効
光源の形状が不鮮明となってしまい、測定精度が低いと
いう不都合があった。
強度差が大きいため、射出瞳の形を焼ぎ付けようとする
と、有効光源が露光オーバとなり、形状が不鮮明になる
。一方、有効光源の形状が鮮明になるようにすると、射
出瞳が露光不足で焼付けられない。すなわら、従来より
行なわれているような射出瞳と有効光源を同時に見るこ
とのできる露光時間で焼付ける方法では、射出瞳と有効
光源の形状が不鮮明となってしまい、測定精度が低いと
いう不都合があった。
[発明の目的]
本発明は、照明系により形成された有効光源と投影光学
系の射出瞳の大ぎさ、形状、位置を簡便に、しかも高い
精度で測定することを目的とする。
系の射出瞳の大ぎさ、形状、位置を簡便に、しかも高い
精度で測定することを目的とする。
[実施例の説明]
第1図は、本発明の一実施例に係る投影露光装置の構成
を示す。同図において、1は照明系の]リメータレンズ
、2はマスク面、3はマスク面2上のパターンをウェハ
而に転写するための投影光学系、4はウェハ而に相当す
る像面である。5は本発明の特徴どするピンホール板で
、両面に後述するパターンが配置されている。6は感光
層、7は感光材が塗布された基板である。また、aは光
軸上物点において投影光学系に入射し得る最大光束(以
下、入射最大光束と称す)、a′は照明光学系により照
射される光束(以下、照明光束と称す)、b、c、b’
、c’ は各々軸外物点に対する入射最大光束および
照明光束を示す。
を示す。同図において、1は照明系の]リメータレンズ
、2はマスク面、3はマスク面2上のパターンをウェハ
而に転写するための投影光学系、4はウェハ而に相当す
る像面である。5は本発明の特徴どするピンホール板で
、両面に後述するパターンが配置されている。6は感光
層、7は感光材が塗布された基板である。また、aは光
軸上物点において投影光学系に入射し得る最大光束(以
下、入射最大光束と称す)、a′は照明光学系により照
射される光束(以下、照明光束と称す)、b、c、b’
、c’ は各々軸外物点に対する入射最大光束および
照明光束を示す。
照明光学系の有効光源と投影光学系の瞳との関係を論す
る場合は、前記の照明光束と入rJJ最大光束との関係
に置き換えて論することができる。すなわち、 有効光源の大きさくσ) 一照明光束径/入射最大光東径 有効光源と瞳の偏心 一照明光束の光強度での重心と入射最大光束の重心との
ズレ である。ゆえに以後、有効光源といえば、a′。
る場合は、前記の照明光束と入rJJ最大光束との関係
に置き換えて論することができる。すなわち、 有効光源の大きさくσ) 一照明光束径/入射最大光東径 有効光源と瞳の偏心 一照明光束の光強度での重心と入射最大光束の重心との
ズレ である。ゆえに以後、有効光源といえば、a′。
b’ 、c’を示し、瞳と言えばa、b、cを示すこと
にする。
にする。
第2図は、照明光学系の有効光度と投影光学系の瞳を示
す。同図において、Aは第1図の感光層6に投影される
瞳の像、Bは同じく感光層に投影される有効光源の像で
ある。
す。同図において、Aは第1図の感光層6に投影される
瞳の像、Bは同じく感光層に投影される有効光源の像で
ある。
第3図は、ビンボール板5(第1図)の上面側のビンボ
ール8.9の配置、第4図はピンホール板5の下面側の
パターン1o、 iiの配置を示す。図において、ピン
ホール板5の上面、下面とも5個のピンホール8.9ま
たはパターン1o、 iiが一絹で、五組が形成されて
いる。ここで、互いに隣り合うピンホールは、対応する
瞳の像が重ならない距離だ【プ離れている。
ール8.9の配置、第4図はピンホール板5の下面側の
パターン1o、 iiの配置を示す。図において、ピン
ホール板5の上面、下面とも5個のピンホール8.9ま
たはパターン1o、 iiが一絹で、五組が形成されて
いる。ここで、互いに隣り合うピンホールは、対応する
瞳の像が重ならない距離だ【プ離れている。
第5図は、第1図におけるビンホール板5、感光層6お
にび基板7の部分を拡大した断面図である。8.9はピ
ンホール、b’、5”はピンホール板5の両面に形成さ
れた遮光層、10はピンホール板5の下面に配置された
ピンホールであり感光4一 層上の瞳Aよりも大きくなっている。11は同じくピン
ホール板5の下面に配置された基準マークである。
にび基板7の部分を拡大した断面図である。8.9はピ
ンホール、b’、5”はピンホール板5の両面に形成さ
れた遮光層、10はピンホール板5の下面に配置された
ピンホールであり感光4一 層上の瞳Aよりも大きくなっている。11は同じくピン
ホール板5の下面に配置された基準マークである。
第6図は、感光層に焼付けられた有効光源の像B′を示
し、11′ は基準マークの像、10′ はピンホール
10の像で、通常10′ は観察できない。
し、11′ は基準マークの像、10′ はピンホール
10の像で、通常10′ は観察できない。
第7図は、同じく感光層に焼イ1けられた瞳の像A′を
示し、10’ 、 11’ は第6図と同じものである
。
示し、10’ 、 11’ は第6図と同じものである
。
以下、第5図〜第7図にしたがい、本発明による有効光
源の測定方法について述べる。まず、ピンホール板5の
上面5′を投影光学系の像面位置に配置し、ビンボール
板5の下面5″に感光材6を塗布した基板7を、ビンボ
ール板の下面5″と感光材が密着するように配置した後
、照明系のシャッターを開くと感光材に有効光源が焼付
けられる。次に、同様にピンホール板および感光材をセ
ットした後、レチクル面に拡散板を挿入し、シャッター
を聞くと、投影光学系の射出瞳が感光材に焼付けられる
。感光材には有効光源と射出瞳の他に基準マークが焼付
りられるので、基準マークと有効光源の相対位置および
基準マークと射出瞳の相対位置を測定Jることにより、
有効光源と射出瞳の相対位置を知ることかできる。
源の測定方法について述べる。まず、ピンホール板5の
上面5′を投影光学系の像面位置に配置し、ビンボール
板5の下面5″に感光材6を塗布した基板7を、ビンボ
ール板の下面5″と感光材が密着するように配置した後
、照明系のシャッターを開くと感光材に有効光源が焼付
けられる。次に、同様にピンホール板および感光材をセ
ットした後、レチクル面に拡散板を挿入し、シャッター
を聞くと、投影光学系の射出瞳が感光材に焼付けられる
。感光材には有効光源と射出瞳の他に基準マークが焼付
りられるので、基準マークと有効光源の相対位置および
基準マークと射出瞳の相対位置を測定Jることにより、
有効光源と射出瞳の相対位置を知ることかできる。
以下、第5図〜第7図にしたがいill!I定原理を述
べる。
べる。
第5図中、ピンホール8.9に入射した入DA最大光束
および照明光束は、ピンホールカメラの原理ににす、遮
光層5″に瞳の像おにび有効光源の像を形成する。遮光
層5″には瞳の像より大ぎなピンホール10ど基準マー
クが存在しているので、感光層に形成されるのは、ピン
ホール8に入射した大剣最大光束による瞳の像Aと、同
じくピンホール8に入射した照明光束による有効光源の
像BおJ:び基準マークの像11′である。測定に際し
ては瞳と有効光源を別々に焼付けるので、瞳の像と有効
光源の像を直接比較することはできない。しかし、瞳を
焼付ける場合でも、有効光源を焼(=Iりる場合でも、
基準パターンは同一のちのを用いるので、基準パターン
の像と瞳の像の相対位置関係および基準パターンの像と
有効光源の像の相対位置関係を測定することにより、間
接的に、有効光源と瞳の相対位置関係および面積比を知
ることができる。
および照明光束は、ピンホールカメラの原理ににす、遮
光層5″に瞳の像おにび有効光源の像を形成する。遮光
層5″には瞳の像より大ぎなピンホール10ど基準マー
クが存在しているので、感光層に形成されるのは、ピン
ホール8に入射した大剣最大光束による瞳の像Aと、同
じくピンホール8に入射した照明光束による有効光源の
像BおJ:び基準マークの像11′である。測定に際し
ては瞳と有効光源を別々に焼付けるので、瞳の像と有効
光源の像を直接比較することはできない。しかし、瞳を
焼付ける場合でも、有効光源を焼(=Iりる場合でも、
基準パターンは同一のちのを用いるので、基準パターン
の像と瞳の像の相対位置関係および基準パターンの像と
有効光源の像の相対位置関係を測定することにより、間
接的に、有効光源と瞳の相対位置関係および面積比を知
ることができる。
[実施例の変形例]
上記実施例では感光材としてホトレジストを用いている
が、代わりに電気的な光センサーを用いてもよい。例え
ば、ラティチュードの大きい2次元CCDを用いれば、
投影光学系の瞳と照明系の有効光源の相対位置、大きさ
等は、拡散板を挿入することなしにリアルタイムで測定
することが可能である。
が、代わりに電気的な光センサーを用いてもよい。例え
ば、ラティチュードの大きい2次元CCDを用いれば、
投影光学系の瞳と照明系の有効光源の相対位置、大きさ
等は、拡散板を挿入することなしにリアルタイムで測定
することが可能である。
[発明の効果]
以上のように本発明のピンホール板によれば、照明系に
より形成された有効光源と、投影光学系の射出瞳の大き
ざ、形状、位置を簡便に、しかも高い精度で測定するこ
とができる。
より形成された有効光源と、投影光学系の射出瞳の大き
ざ、形状、位置を簡便に、しかも高い精度で測定するこ
とができる。
第1図はプロジェクション方式の光学的原理図、第2図
は照明光学系の有効光源ど投影光学系の瞳を示す図、 第3図はビンボール板の上面側のパターン配置図、 第4図はビンボール板の下面側のパターン配置図、 第5図は第1図のピンホール板5.感光層6および基板
7の部分の拡大断面図、 第6図は感光層に焼付番プられた有効光源像の図、第7
図は感光層に焼付けられた瞳の図である。 A:投影光学系の瞳の像、B:照明光学系の有効光源の
像、5:ビンボール板、6;感光層、7:基板、3.9
.10:ビンボール、11:基準マーク。
は照明光学系の有効光源ど投影光学系の瞳を示す図、 第3図はビンボール板の上面側のパターン配置図、 第4図はビンボール板の下面側のパターン配置図、 第5図は第1図のピンホール板5.感光層6および基板
7の部分の拡大断面図、 第6図は感光層に焼付番プられた有効光源像の図、第7
図は感光層に焼付けられた瞳の図である。 A:投影光学系の瞳の像、B:照明光学系の有効光源の
像、5:ビンボール板、6;感光層、7:基板、3.9
.10:ビンボール、11:基準マーク。
Claims (1)
- 投影露光焼付装置の有効光源を測定する際この焼付装置
のウェハ面位置に配置されるピンホール板であって、透
明平板の表裏に、表面には複数のピンホールを有する遮
光層を設け、裏面には上記ピンホールの1つに正対し該
ピンホールによる上記焼付装置の瞳の像より大きな光透
過部と他のピンホールを通過する光束内に位置する位置
確認用パターンとを有する遮光層を設けたことを特徴と
する有効光源測定用ピンホール板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60050606A JPS61210627A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 有効光源測定用ピンホ−ル板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60050606A JPS61210627A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 有効光源測定用ピンホ−ル板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61210627A true JPS61210627A (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=12863624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60050606A Pending JPS61210627A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 有効光源測定用ピンホ−ル板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61210627A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5631773A (en) * | 1991-08-02 | 1997-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Image projection method and semiconductor device manufacturing method using the same |
US5673102A (en) * | 1991-02-22 | 1997-09-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Image farming and microdevice manufacturing method and exposure apparatus in which a light source includes four quadrants of predetermined intensity |
US6271909B1 (en) | 1991-02-22 | 2001-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method including changing a photo-intensity distribution of a light source and adjusting an illuminance distribution on a substrate in accordance with the change |
US6356345B1 (en) * | 1998-02-11 | 2002-03-12 | Litel Instruments | In-situ source metrology instrument and method of use |
WO2005106592A3 (en) * | 2004-04-20 | 2006-06-01 | Litel Instr Inc | High resolution in-situ illumination source measurement in projection imaging systems |
NL1024195C2 (nl) * | 2002-08-30 | 2007-10-03 | Toshiba Kk | Inspectiewerkwijze voor een belichtingsinrichting en een belichtingsinrichting. |
CN110617764A (zh) * | 2019-09-18 | 2019-12-27 | 宣城吉富泰精密机械有限公司 | 汽车车内板件质检装置及其质检方法 |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP60050606A patent/JPS61210627A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6473160B2 (en) | 1991-02-22 | 2002-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and device manufacturing method including an aperture member having a circular light transmitting portion and a light blocking member |
US5673102A (en) * | 1991-02-22 | 1997-09-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Image farming and microdevice manufacturing method and exposure apparatus in which a light source includes four quadrants of predetermined intensity |
US6084655A (en) * | 1991-02-22 | 2000-07-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging method for manufacture of microdevices |
US6128068A (en) * | 1991-02-22 | 2000-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus including an illumination optical system that forms a secondary light source with a particular intensity distribution |
US6271909B1 (en) | 1991-02-22 | 2001-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method including changing a photo-intensity distribution of a light source and adjusting an illuminance distribution on a substrate in accordance with the change |
US6654101B2 (en) | 1991-02-22 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method including changing a photo-intensity distribution of a light source and adjusting an illuminance distribution on a substrate in accordance with the change |
US5631773A (en) * | 1991-08-02 | 1997-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Image projection method and semiconductor device manufacturing method using the same |
US6356345B1 (en) * | 1998-02-11 | 2002-03-12 | Litel Instruments | In-situ source metrology instrument and method of use |
NL1024195C2 (nl) * | 2002-08-30 | 2007-10-03 | Toshiba Kk | Inspectiewerkwijze voor een belichtingsinrichting en een belichtingsinrichting. |
US7286216B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure apparatus inspection method and exposure apparatus |
US7327449B2 (en) | 2002-08-30 | 2008-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure apparatus inspection method and exposure apparatus |
US7088427B2 (en) | 2004-04-20 | 2006-08-08 | Litel Instruments | Apparatus and method for high resolution in-situ illumination source measurement in projection imaging systems |
WO2005106592A3 (en) * | 2004-04-20 | 2006-06-01 | Litel Instr Inc | High resolution in-situ illumination source measurement in projection imaging systems |
CN110617764A (zh) * | 2019-09-18 | 2019-12-27 | 宣城吉富泰精密机械有限公司 | 汽车车内板件质检装置及其质检方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2893778B2 (ja) | 露光装置 | |
TWI316649B (ja) | ||
KR100357659B1 (ko) | 조명 시스템의 조정을 확인하는 포토마스크 및 방법 | |
US20020195539A1 (en) | Focus monitoring method, focus monitoring apparatus, and method of manufacturing semiconductor device | |
CN110320742A (zh) | 光刻装置、图案形成方法以及物品的制造方法 | |
JPS61210627A (ja) | 有効光源測定用ピンホ−ル板 | |
US5747221A (en) | Photolithography method and photolithography system for performing the method | |
JP3796294B2 (ja) | 照明光学系及び露光装置 | |
JPH08511913A (ja) | デバイスの一部をマスクを介して直接露光し残りの部分は前記マスク及び反射面を介して間接的に露光してパターンを形成するデバイスの製造方法 | |
TW200307858A (en) | Projection exposure device | |
JPH0729816A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
JP2629709B2 (ja) | 位置合わせ方法及び装置 | |
JPH10106942A (ja) | 走査型露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
JPS5839463Y2 (ja) | 転写装置 | |
JP2000019012A5 (ja) | 照明系輝度分布計測装置、投影露光装置、及び回路の製造方法 | |
JPH1092729A (ja) | 照明装置及びそれを用いた走査型投影露光装置 | |
JPH10312945A (ja) | 球状デバイス露光装置及び製造方法 | |
JPH06120108A (ja) | 投影露光方法および装置 | |
JPH07130610A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
JPH05216209A (ja) | フォトマスク | |
JP2004153294A5 (ja) | ||
JPS62115164A (ja) | パタン形成方法およびその装置 | |
JP2005322856A (ja) | 開口数の計測方法、計測装置、調整方法、露光装置、および露光方法 | |
JPH01183818A (ja) | 測光範囲可変の照明装置 | |
JP2002055458A (ja) | アライメント装置及び露光装置 |