JPH01183818A - 測光範囲可変の照明装置 - Google Patents

測光範囲可変の照明装置

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JPH01183818A
JPH01183818A JP63008664A JP866488A JPH01183818A JP H01183818 A JPH01183818 A JP H01183818A JP 63008664 A JP63008664 A JP 63008664A JP 866488 A JP866488 A JP 866488A JP H01183818 A JPH01183818 A JP H01183818A
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JP
Japan
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light
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photometry
reticle
irradiated
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Pending
Application number
JP63008664A
Other languages
English (en)
Inventor
Masakatsu Ota
太田 正克
Akiyoshi Suzuki
章義 鈴木
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH01183818A publication Critical patent/JPH01183818A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は測光範囲可変の照明装置に関し、特に半導体素
子の製造において、電子回路等の微細パターンが形成さ
れているマスクやレチクル等の被照射面上のうちから、
任意の範囲を選択してその範囲の照度を測定するときに
好適な測光範囲可変の照明装置に関するものである。
(従来の技術) 半導体素子の製造過程においては、電子回路パターンを
繰り返してウニ八面上に露光転写している。この為、電
子回路パターンが形成されているマスクやレチクル(以
下「レチクル」という。)等の被照射面の照度及び照度
分布は常に適切なる値に維持しておくことが重要となっ
ている。
特開昭60−178452号公報では被照射面と光学的
に等価な受光面に受光手段を配置し、該受光面上の照度
を測定することにより、被照射面上の照度を求めた照明
装置を提案している。
しかしながら同公報の照明装置は、被照射面上の−領域
内における照度しか測定することができなかった。
一方、最近の半導体素子の高集積化及び微細化の要求よ
りレチクル面上の測光範囲を目的に合わせて任意に変え
て測光することのできる照明装置が要望されている。
例えばフルウェハメモリ等のように1枚のレチクル面が
分割されて各々のショットでレチクル面上の異なる領域
を投影する場合に平均測光方式を用いると、投影範囲外
の不要な領域の照度まで含めて測光してしまい測光精度
の低下の原因となってくる。
被照射面上の測光方式としては大別して中央重点測光方
式、平均測光方式、そして部分測光方式があるが各々一
長一短がある。
例えば半導体素子の製造用の照明装置において、レチク
ル面上の照度を測光する際、中央重点測光方式では測光
する領域が中央付近に限られるので、有効画面周辺の情
報をとり入れる事ができず画面周辺の露光量コントロー
ルの精度が不足する。又、ショットレイアウトが画面中
心を含まない場合(例えばテストチップの焼付)には焼
付画面外の情報で露光制御を行う事になってくるので良
くない。
平均測光方式では焼付画面内金体の光量より露光制御を
行うので、各点の光量の平均化効果は有るがフレアの影
響を受は易く、又、パターンの寸法と配置に応じた測光
ができない。又、ショットレイアウトが変化した場合は
焼付領域外の部分も含めて平均化してしまうので平均化
の意味がなくなってくる。
部分測光方式は焼付範囲の中で、最も照度の必要な部分
を測光する事により露光量をコントロールするので好ま
しい測光方式である。しかしながら、焼付範囲が変わっ
たり、パターン配列が変わるだけで本来の機能が作用し
なくなってくる等の欠点がある。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は被照射面と光学的に共役な受光面上に開口可変
の視野絞りを設けると共に、該視野絞り及び/又は受光
面を所定方向に移動させる移動機構を設けることにより
、被照射面上の測光範囲を任意に変化させて目的にあっ
た測光方式、例えば前述の中央重点測光方式、平均測光
方式、そして部分測光方式等の最適な測光方式を選択し
て測光することのできる、特に半導体素子の製造用の露
光装置に好適な測光範囲可変の照明装置の提供を目的と
する。
(問題点を解決するための手段) 光源からの光束で被照射面を照明する照明光学系と、前
記光源からの光束の一部を用いて前記被照射面と光学的
に等価な面を形成する光学手段と、前記光学的等価面に
配設された光検出手段とを有し、該光検出手段の、前記
光学的等価面上での測光範囲を可変にしたことである。
(実施例) 第1図は本発明を半導体素子製造用の露光装置に適用し
たときの一実施例の概略図である。図中1は例えば超高
圧水銀ランプ等の光源、2は楕円鏡や放物面鏡等の集光
ミラーであり、本実施例では楕円鏡より構成しており、
第1焦点面近傍に光源1が配置されている。3はコール
ドミラー等の光束折り曲げミラー、4はシャッター板、
5はモーターであり、シャッター板4を回転駆動させて
いる。6はオプティカルインチグレーターであり、配光
特性の均一な2次光源面を形成する為に複数の微少レン
ズより成り、入射面6aは楕円鏡2の第1焦点面近傍に
配置されている。
7はコンデンサーレンズでありオプティカルインチグレ
ーター6の射出面6bからの光を被照射面上の照明範囲
を制限する為の照射範囲制限部としてのマスキングブレ
ード8上に指向している。
マスキングブレード8は複数の遮光板から成り、各々の
遮光板が独自に移動することにより、その開口形状を変
え、後述する被照射面上の照明範囲を任意に設定してい
る。尚、マスキングブレード8に関しては、例えばUS
P4,474゜463に示されているものが使用できる
100は照明用レンズであり結像レンズ9とコリメータ
ーレンズ10を有して3す、マスキングブレード8の像
を被照射面であるレチクル面11上に結像している。
12は光分割器としての光束折り曲げミラーであり1〜
2%の透過率を有している。13は補助レンズであり結
像レンズ9と共にマスキングブレード8の像を受光器1
5に入射する光束を制限する為の開口可変の視野絞り1
4面上に結像している。受光器15は視野絞り14と共
に移動機構16により照明光軸101に垂直な面内で移
動可能となるように設定されている。17は投影レンズ
であり、レチクル11面上のパターンをウェハ18面上
に縮少投影している。
又、200はコントローラであり、シャッター板4のモ
ータ5、マスキングブレード8、及び移動機構16と視
野絞り14と受光器15から成る検出系と、信号線で連
結されている。そしてこの信号線を介して電気信号の相
互の入出力が行なわれる。220はコントローラに接続
された入出力装置で、キーボード、CRT、及びプリン
タ等々の入出力機器から構成される。そして、システム
を駆動する際の指令をコントローラ200に入力したり
、或は、システムに関する種々の情報や計測結果を出力
する。
マスキングブレード8による照明光束の規制はコントロ
ーラ200からの指令で行なわれる。
又、マスキングブレードの開口部の位置制御に連動して
、移動機構16の制御を行う場合もある。
移動機構16とコントローラ200を連結している信号
線は、コントローラ200からの信号を移動機構に入力
したり、視野絞り14の開口形状をコントローラ200
により制御したり、或は受光器15からの出力信号をコ
ントローラ200へ送信したりする為に配設されている
。又、コントローラ200からの信号にもとづいてモー
タ5が駆動され、シャッター板4の開閉制御が行なわれ
る。
従って、木照、明装置によりレチクル面11を照明し、
ウェハ1Bを露光することにより、レチクル面11の回
路パターンをウェハ18上に縮小転写する場合、受光器
15により露光量をモニターし、最適露光量に達したこ
とをコントローラ200で検出して、コントローラ20
0からモータ5へ制御信号を人力することにより、シャ
ッター板4を閉じて露光を停止することになる。
一方、この様な露光モニターとしての使用以外にも、レ
チクル面11の照度計測、又は照度分布計測を本照明装
置で行なえる。この時、これらの計測結果は入出力装置
220を介して出力することができる。
本実施例においては光源1からの光束を集光ミラー2に
より光束折り曲げミラー3を介してオプティカルインチ
グレーター6の入射面6aに集光している。オプティカ
ルインチグレーター6の射出面6bはレチクル面11を
均一照明する為の第2次光源面を形成し、コンデンサー
レンズ7によりマスキングブレート8面上を均一に照明
している。
そして照明用レンズ100によりマスキングブレード8
の像を被照射面であるレチクル面11に結像している。
これによりレチクル面11をマスキングブレード8の開
口形状と相似な被照明域を形成した状態で照明している
。そして投影レンズ17によりレチクル面11上のパタ
ーンをウェハ18面上に縮小投影している。
一方、光束折り曲げミラー12を介し結像レンズ9と補
助レンズ13によりマスキングブレード8を受光器15
の前方の視野絞り14面(又は受光器15面)に結像し
ている。これにより視野絞り14面をマスキングブレー
ド8の開口形状と相似形の照明光で照明している。視野
絞り14はその開口形状を任意に設定することが可能で
ある。
又、移動機構16は視野絞り14と受光器15を同時に
若しくは独立に照明光軸101に対して垂直な面内で移
動させている。
これによりレチクル1!面上の測光範囲を任意に設定し
て測光することができるようにしている。
次に本実施例においてレチクル11面上を平均測光、中
央重点測光、そして部分測光する場合について説明する
平均測光は露光量をレチクル面上の有効画面全面の平均
値で決定する場合に用いる方式であり、視野絞り14の
開口の大きさをマスキングブレード8の像より大きくし
て測光する。この方式は焼付画面全体に同一精度の露光
量を与えたい場合に好適である。即ち、焼付画面全体に
同一寸法のパターンが配置している時、焼付寸法精度が
画面全体でほぼ等しくなる様なデバイスの製造時に好適
な測光方式である。
中央重点測光は画面中心の照度の値を用いて露光量を決
める場合に用いる方式であり、視野絞り14の大きさを
レチクル面11の有効画面の115程度以下にして測光
を行う。この方式はフレアー等の影響が少なく精度が良
い利点がある。
部分測光は本発明が最も有効に働く方式であり、有効焼
付画面内の任意の位置及び任意の大きさに測光範囲を設
定して測光する方式である。所望の位置に受光面を設定
するには移動機構16で視野絞り14及び受光器15を
同時に移動する。
又、測光範囲を所望の大きさとする為には視野絞り14
を所定の大きさにすれば良い。
本方式の利点は焼付範囲内の特に露光精度の必要な領域
に移動機構16と視野絞り14を合せて測光できる事で
あり、これによりパターン寸法が部分的に異なるデバイ
スの製造を高精度に行う事ができる等の特長を有してい
る。
次に第2図、第3図を用いてフルウェハーメモリ等を焼
き付ける場合の本発明の照明装置において部分測光方式
を用いた場合の動作手順について説明する。
第2図はレチクル11のパターン配置図、第3図はレチ
クル11のパターンを焼付ける為のウェハー上のショッ
トレイアウトの説明図である。
まずレチクル11面上の領域A以外の部分をマスキング
ブレード8で遮光し、ウェハ面102上に第1〜第3シ
ヨツトを焼付ける。この時、視野絞り14及び移動機構
16で測光部を領域Aに合せておく。次にマスキングブ
レード8で領域B以外の部分を遮光し、測光部も視野絞
り14及び移動機構16で領域Bに合せ、ウェハ102
上に第4〜第5シヨツトを焼き付ける。以下同様に6〜
16シヨツトについて同類の動作を行う。これにより領
域A−Dの各パターン部に対応した最適な露光量を制御
する事が可能となる。
第4図、第5図は各々本発明の他の一実施例の概略図で
ある。
第4図に示す実施例は第1図に示す実施例においてマス
キングブレード8の結像系を省略したものである。オプ
ティカルインチグレーター6の第2次光源面としての射
出面6bを照射範囲制限部とし、ここから射出した光束
を照明用−υズ100で直接レチクル面11面上に導光
している。マスキングブレート40は被照射面であるレ
チクル面11の照射範囲を間接的に制限する為にレチク
ル面11近傍に配置している。補助レンズ13はオプテ
ィカルインチグレーター6の射出面6aの像を視野絞り
14、又は受光器15面上に結像している。そして、受
光器15とレチクル面11とが光学的に等価な位置関係
になっている。
コントローラ200は入出力装置220からの信号によ
り、マスキングブレード40によりレチクル面上の照明
光束を規制したり、移動機構16の視野絞り14の開口
形状を規制したり、モーター5によりシャッター板4の
開閉等を制御している。
第5図に示す実施例は視野絞り14のみを移動機構16
により照明光軸102と直交する面内な移動させている
。これにより第1図の実施例に比べて受光器15を固定
することにより機構上の簡素化を図っている。
この他の構成は第1図の実施例と同様である。
尚、以上の各実施例において開口可変の視野絞りの代わ
りに固定絞りを配置し、補助レンズの代わりにズームレ
ンズ系を用いることにより、被照射面上の測光範囲を変
えてその領域における照度を測定するようにしても良い
又、以上の各、実施例においてコンタクト方式やプロキ
シミティ方式の場合は投影レンズは不要で被照射面であ
るレチクルとウェハは直接密着若しくは所定量の間隔を
へだてて配置される。
(発明の効果) 本発明によれば被照射面と光学的に共役な受光面を設け
、該受光面に開口可変の視野絞りと受光部及び/又は視
野絞りの移動用の移動機構を設けることにより、極めて
簡単な構成で例えば半導体素子の製造の際に焼付けるデ
バイスの必要積度に合せた測光方式を容易に採用するこ
とが出来、常に最適な高精度の露光量が得られる測光範
囲可変の照明装置を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を半導体素子製造用の露光装置に適用し
たときの一実施例の概略図である。第2図、第3図は第
1図の実施例におけるレチクル面とウニへ面の照明範囲
及び焼付は領域を示す説明図、第4図、第5図は各々本
発明の他の一実施例の概略図である。 図中、1は光源、2は楕円鏡、6はオプティカルインチ
グレーター、7はコンデンサーレンズ、8はマスキング
ブレード、100は照明用レンズ、11は被照射面、1
2は光束折り曲げミラー、13は補助レンズ、14は視
野絞り、15は受光器、16は移動機構、200はコン
トローラ、220は入出力装置である。 特許出願人  キャノン株式会社 気  2  回 第  4  口

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光源からの光束で被照射面を照明する照明光学系
    と、前記光源からの光束の一部を用いて前記被照射面と
    光学的に等価な面を形成する光学手段と、前記光学的等
    価面に配設された光検出手段とを有し、該光検出手段の
    、前記光学的等価面上での測光範囲を可変にしたことを
    特徴とする測光範囲可変の照明装置。
  2. (2)前記照明光学系は、前記被照射面における照明範
    囲を規制するマスキングブレードを有し、該マスキング
    ブレードの配設位置と前記被照射面とが共役関係にあり
    、且つ該マスキングブレードの配設位置と前記光学的等
    価面とが共役関係を成すことを特徴とする請求項1記載
    の測光範囲可変の照明装置。
JP63008664A 1988-01-19 1988-01-19 測光範囲可変の照明装置 Pending JPH01183818A (ja)

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JP63008664A JPH01183818A (ja) 1988-01-19 1988-01-19 測光範囲可変の照明装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277413A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Canon Inc 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277413A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Canon Inc 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法

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