JP2004153294A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 電子ビーム源と前記電子ビーム源からの電子ビームを被露光面上に集束させる電子光学系とを有する電子ビーム露光装置において、
   前記電子光学系の瞳面上での前記電子ビームの電子密度分布を周辺部の電子密度が中央部の電子密度より大とせしめる電子密度分布調整手段を有することを特徴とする電子ビーム露光装置。
2. 前記電子光学系は、前記被露光面上にパターンを縮小投影することを特徴とする請求項１の電子ビーム露光装置。
3. 透過孔が形成された基板を前記電子ビームによって照明する手段を有し、前記電子光学系は前記基板を透過した電子ビームを用いてパターンを縮小投影することを特徴とする請求項１の電子ビーム露光装置。
4. 前記電子密度分布調整手段は、前記電子光学系の瞳面位置もしくは前記電子光学系の瞳面位置と共役な位置に設けられている絞りであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの電子ビーム露光装置。
5. 請求項１乃至４のいずれかの電子ビーム露光装置を用いてウエハを露光する段階と、前記ウエハを現像する段階とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
6. 電子ビーム源と、
   前記電子ビーム源から放射された電子ビームを用いて被露光面上にパターンを投影する電子光学系と、
   前記電子光学系の瞳面、または、前記電子光学系の瞳面と共役な面で、前記電子光学系の光軸近傍を通過する電子を遮蔽する手段と、を備えることを特徴とする電子ビーム露光装置。
7. 電子ビーム源と、
   前記電子ビームから放射された電子ビームを用いて被露光面上にパターンを投影する電子光学系と、を備え、
   前記電子光学系の瞳面位置、または、前記電子光学系の瞳面位置と共役な位置に、ホロビーム形成手段を設けたことを特徴とする電子ビーム露光装置。
8. 電子ビーム源と、
   複数の要素電子光学系を用いて、前記電子ビーム源から放射された電子ビームにより複数の中間像を形成する第１電子光学系と、
   前記第１電子光学系で形成された中間像を被露光面上に投影する第２電子光学系と、を備え、
   前記第１電子光学系は、前記要素電子光学系を通過する電子ビームの電子密度分布を周辺部の電子密度が中央部の電子密度より大とせしめる絞りを複数有することを特徴とする電子ビーム露光装置。
9. 請求項６乃至８のいずれかの電子ビーム露光装置を用いてウエハを露光する段階と、前記ウエハを現像する段階とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
10. 電子光学系により電子ビームを被露光面に収束させる段階を有する電子ビーム露光方法において、前記電子光学系の瞳面での前記電子ビームの電子密度分布を中央部の電子密度が周辺部の電子密度より小さい分布とすることを特徴とする電子ビーム露光方法。
11. 絞りを用いて、前記中央部の電子密度が前記周辺部の電子密度より小さい分布を形成することを特徴とする請求項１０の電子ビーム露光方法。
12. 前記中央部の電子密度が前記周辺部の電子密度より小さい分布を形成する電子ビーム源を用いることを特徴とする請求項１０の露光方法。
13. 請求項１０乃至１２のいずれかの電子ビーム露光方法を用いてウエハを露光する段階と、前記ウエハを現像する段階とを有することを特徴とするデバイス製造方法。