JPH09219358A - 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法

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JPH09219358A
JPH09219358A JP8046644A JP4664496A JPH09219358A JP H09219358 A JPH09219358 A JP H09219358A JP 8046644 A JP8046644 A JP 8046644A JP 4664496 A JP4664496 A JP 4664496A JP H09219358 A JPH09219358 A JP H09219358A
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optical system
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optical integrator
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 斜入射照明法を利用することにより原板上の
パターンを基板上に高解像力で、しかも所定の焦点深度
を有しつつ、投影露光することのできる露光装置及びそ
れを用いたデバイスの製造方法を得ること。 【解決手段】 光源手段からの光束を光学系を介してオ
プティカルインテグレータに導光し、該オプティカルイ
ンテグレータの出射面からの光束で原板面上のパターン
を照明し、該パターンを投影光学系により基板上に投影
露光する際、該光学系は、該オプティカルインテグレー
タの入射面に対し瞳関係にある位置に光学素子を有し、
該光学素子により該投影光学系の瞳面上で、その中心領
域で所定の値の光強度分布を持ち、該中心領域の周辺の
周方向で等間隔の位置に複数の所定の値の光強度分布を
もつようにしていること。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置及びそれを
用いたデバイスの製造方法に関し、例えばIC,LS
I,CCD,液晶パネル,磁気ヘッド等の各種のデバイ
スの製造装置である所謂ステッパーにおいて、光源手段
からの露光光で照明したフォトマスクやレチクル等の原
板(以下「レチクル」という。)上の回路パターンを感
光剤を塗布したウエハ面上に投影転写し、デバイスを製
造する際に好適なものである。
【0002】
【従来の技術】最近の半導体デバイスの製造技術におい
ては、露光波長をg線からi線に変えて超高圧水銀灯を
用いた露光法により解像力を向上させる試みが種々と行
われている。又エキシマレーザに代表される更に短い波
長のパルス光を用いることにより解像力の向上を図る方
法が種々と提案されている。
【0003】露光装置(方法)として解像線幅を小さく
していく手段としては高NA化と短波長化がある。高N
A化によりNAに逆比例して解像線幅は小さくなってい
くが、同時に焦点深度の方はNAの2乗に逆比例して更
に小さくなっていく。焦点深度は大きいのが望ましいの
で高NA化には、おのずと限界がある。
【0004】これに対して本出願人はレチクル面上への
照明方法を種々と変えることにより、即ち投影光学系の
瞳面上に形成される0次光の光強度分布(有効光源分
布)を変えることにより、より解像力を高めた露光方法
及びそれを用いた投影露光装置を、例えば、特開平4−
267515号公報や特開平5−47628号公報で提
案している。
【0005】これらで提案されている照明方法は所謂斜
入射照明と呼ばれ、その中でも特に輪帯照明と4重極照
明が良く知られている。輪帯照明法(Annular) は、図1
1に示すようなドーナツ形状111の有効光源形状を投
影光学系の瞳面上に有する。これは細い線幅に対して結
像に寄与しない有効光源の中心付近の光を絞り等を用い
てカットすることにより、解像力を向上させようとする
技術である。又、4重極照明は、図12に示すように光
軸Saを中心として所定の半径を有する円周方向の位置
に4つの所定強度の有効光源121〜124を投影光学
系の瞳面上に有する。有効光源中心付近の光に加えて十
字形領域125の光もカットすることにより、縦横方向
のパターンの解像力と焦点深度を飛躍的に向上させてい
る。一般にICやLSIの回路パターンはほとんどの場
合、縦横方向に辺をもつ図形で構成されており、斜め方
向に辺をもつパターンは少ないので、このような照明法
は特に有効である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】変形照明法(斜入射照
明方法)は解像力を高め、又は焦点深度も比較的長くす
ることができるという特徴があるが、反面、次のような
問題点がある。 ・近接するパターンがくっつきやすい。 ・孤立するパターンが細くなりやすい。 ・通常照明よりも照度が低下する。 ・パターンの粗密性や方向性に制限がある。特に4重極
照明は斜めパターンの解像力が低い。
【0007】これらの問題点を解決する為に、本出願人
は特開平5−47639号公報で4重極照明の有効光源
分布に有効光源中心付近及び十字形領域の光をある程度
加えてやることにより、なだらかな4重極に類似の有効
光源を形成する照明法を提案している。
【0008】図13はこのときの有効光源の形状の摸式
図である。この照明法(以下「照明法A」と呼ぶ)は変
形照明の持つ欠点をほとんど発生することなく、しかも
図14に示すように通常照明よりも焦点深度が向上し、
輪帯照明と略同等の焦点深度を得ている。尚、この照明
法Aにおいては、有効光源中心付近の照度はピークの光
強度に対して10〜40%程度、ピークとピークの間の
照度(ピーク間照度)はピークに対して35〜65%程
度、又ピークの位置(有効光源中心からピークまでの距
離)はσ0.5〜0.6程度で良い結果が得られてい
る。
【0009】本出願人による先の照明法Aは光源として
エキシマレーザを用い、光線を複数本の光線に一旦分割
し、再び重ね合わせるというインコヒーレント化光学系
を利用している。
【0010】本発明は本出願人による先の照明法Aを更
に改良し、特に超高圧水銀ランプ等のインコヒーレント
な光を放射する光源手段を用いた場合に照明光学系全体
の簡素化及び照明光束の有効利用を図りつつ、レチクル
面上(1原板上)のパターンを適切に照明し、高い解像
力が容易に得られるようにした露光装置及びそれを用い
たデバイスの製造方法の提供を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置は、 (1−1)光源手段からの光束を光学系を介してオプテ
ィカルインテグレータに導光し、該オプティカルインテ
グレータの出射面からの光束で原板面上のパターンを照
明し、該パターンを投影光学系により基板上に投影露光
する際、該光学系は該オプティカルインテグレータの入
射面に対し瞳関係にある位置に光学素子を有し、該光学
素子により該投影光学系の瞳面上で、その中心領域で所
定の値の光強度分布を持ち、該中心領域の周辺の周方向
で等間隔の位置に複数の所定の値の光強度分布をもつよ
うにしていることを特徴としている。
【0012】特に、(1−1−1)前記光学素子は4角
錐状プリズム又は8角錐状プリズム又は4角錐状プリズ
ムの各稜辺と頂角を削ぎ落した形状のプリズムより成っ
ていること、(1−1−2)前記光学系は焦点距離が変
換可能の光学手段を有していること、(1−1−3)前
記光学素子は光路中より着脱自在であることを特徴とし
ている。
【0013】(1−2)光源手段からの光束を光学系を
介してオプティカルインテグレータに導光し、該オプテ
ィカルインテグレータの出射面からの光束で原板面上の
パターンを照明し、該パターンを投影光学系により基板
上に投影露光する際、該オプティカルインテグレータの
出射面近傍には部分的に透過率が異なっている透過率制
御手段を有し、該透過率制御手段により該投影光学系の
瞳面上で、その中心領域で所定の値の光強度分布を持
ち、該中心領域の周辺の周方向で等間隔の位置に複数の
所定の値の光強度分布をもつようにしていることを特徴
としている。
【0014】特に、(1−2−1)前記透過率制御手段
は中心領域の周辺の周方向で等間隔の位置に複数の領域
の透過率が該中心領域の透過率に比べて大きいNDフィ
ルターより成っていること、(1−2−2)前記透過率
制御手段は光路中より着脱自在であることを特徴として
いる。
【0015】(1−3)光源手段からの光束を光学系を
介してオプティカルインテグレータに導光し、該オプテ
ィカルインテグレータの出射面からの光束で原板面上の
パターンを照明し、該パターンを投影光学系により基板
上に投影露光する際、該オプティカルインテグレータの
入射面又は/及び出射面近傍には該オプティカルインテ
グレータを構成する各微小レンズ毎に開口又は/及び透
過率の制御が可能で、かつ光路中より挿脱可能な調整手
段を有し、該調整手段により該投影光学系の瞳面上で、
その中心領域で所定の値の光強度分布を持ち、該中心領
域の周辺の周方向で等間隔の位置に複数の所定の値の光
強度分布をもつようにしていることを特徴としている。
【0016】特に(1−3−1)前記調整手段は光路中
より着脱自在であることを特徴としている。
【0017】(1−4)光源手段からの光束を光学系を
介してオプティカルインテグレータに導光し、該オプテ
ィカルインテグレータの出射面からの光束で原板面上の
パターンを照明し、該パターンを投影光学系により基板
上に投影露光する際、該オプティカルインテグレータの
入射面の前方には特定の開口形状の絞り手段を有し、該
絞り手段により該投影光学系の瞳面上で、その中心領域
で所定の値の光強度分布を持ち、該中心領域の周辺の周
方向で等間隔の位置に複数の所定の値の光強度分布をも
つようにしていることを特徴としている。
【0018】特に、(1−4−1)前記絞り手段は光軸
方向に移動可能であること、(1−4−2)前記絞り手
段は光路中より着脱自在であることを特徴としている。
【0019】又、構成要件(1−1)〜(1−4)にお
いて、(1−4−1)前記光学系は焦点距離が変換可能
な光学手段を有していること(1−4−2)前記光学系
は前記光源手段の発光面と前記オプティカルインテグレ
ータの入射面とが略共役関係となるようにしていること
(1−4−3)前記光学手段は焦点距離が可変のズーム
レンズ又は焦点距離が異なる他のレンズ系と交換可能と
なっていること(1−4−4)前記光源手段は超高圧水
銀ランプを用いていること等を特徴としている。
【0020】本発明のデバイスの製造方法は、 (2−1)構成要件(1−1)〜(1−4)のいずれか
1項の露光装置を用いて製造していることを特徴として
いる。
【0021】
【発明の実施の形態】図1は本発明の露光装置の実施形
態1を示す概略構成図であり、所謂ステッパーと呼称さ
れる縮小型の投影型露光装置に適用した例である。
【0022】図中1は紫外線や遠紫外線等を放射する高
輝度の超高圧水銀灯等の光源(光源手段)でその発光部
1aは楕円ミラー2の第1焦点近傍に配置している。光
源1より発した光が楕円ミラー2によって集光され、楕
円ミラー2の第2焦点近傍2aに発光部1aの像(発光
部像)1bを形成している。
【0023】3は光学系であり、レンズ系(第1コンデ
ンサーレンズ)3aとレンズ系(第2コンデンサーレン
ズ)3Cの2つのレンズ系を有しており、第2焦点近傍
2aに形成した発光部像1bを後述する光学素子3bを
介してオプティカルインテグレータ4の入射面4aに結
像している。光学素子3bは光路中より挿脱可能な4角
錐プリズムより成り、入射光束を所定方向に偏向させて
いる。
【0024】レンズ系3cは光路中より挿脱可能で他の
焦点距離の異なるレンズ系と交換可能又は焦点距離が可
変のズームレンズ(光学手段)より成っている。光学系
3は射出側でテレセントリックとなっている。光学素子
3bは光学系3の瞳面近傍に位置している。
【0025】オプティカルインテグレータ4は複数の微
小レンズを2次元的に配列して構成しており、その射出
面4b近傍に2次光源を形成している。5は光路折り曲
げ用のミラーである。
【0026】6はレンズ系であり、オプティカルインテ
グレータ4の射出面4bからの光束をミラー5を介して
集光し、レチクルステージに載置した被照射面であるレ
チクル(原板)7を照明している。
【0027】8は投影光学系であり、レチクル7に描か
れたパターンをウエハチャックに載置したウエハ(基
板)9面上に縮小投影している。本実施形態ではオプテ
ィカルインテグレータ4の射出面4b近傍の2次光源は
レンズ系6により投影光学系8の瞳8a近傍に形成され
ている。
【0028】又、オプティカルインテグレータ4の射出
面4bとレチクル面7とは互いに像と瞳との関係となっ
ている。オプティカルインテグレータ4上の光強度分布
はレチクル7面上では光束の角度による強度分布特性に
対応している。
【0029】そこで本実施形態ではレチクル7のパター
ンの方向性及び解像線巾等に応じて光学素子3bのプリ
ズムを選択的に光路中に切り変えると共に必要に応じて
レンズ系3cの焦点距離を変化させている。これにより
投影光学系8の瞳面8aに形成される2次光源像の光強
度分布を変化させて種々な斜入射照明を作成して高解像
度が可能が投影露光を行なっている。
【0030】次に本実施形態において光学素子3bとレ
ンズ系3cとを利用することによりオプティカルインテ
グレータ4の入射面4aの光強度分布を変更すると共に
投影光学系8の瞳面8aに形成される2次光源像の光強
度分布の変更方法について説明する。
【0031】本実施形態においては、投影光学系8の瞳
面8a上で光軸中心付近に所定の強度の有効光源を有
し、かつ光軸を中心として所定の半径の円周方向で等間
隔の複数位置に複数(4つ)の所定強度の有効光源(4
重極照明)を有するようにしてレチクル7面上を照明
し、これにより照明法Aを達成している。
【0032】本実施形態において照明法Aを得るには、
光源1とオプティカルインテグレータ4との間のオプテ
ィカルインテグレータ4に対して瞳の関係になる位置に
4角錐プリズムより成る光学素子3bを挿入し、それに
よって光線の角度を制御すると共にレンズ系3cの焦点
距離を変えてオプティカルインテグレータ4の入射面4
a(射出面3b)上の照度分布を調整する方法をとって
いる。
【0033】図2は本実施形態において、レンズ系3a
とオプティカルインテグレータ4との間に設ける光学素
子3bと、レンズ系3cをズームレンズ又は交換可能な
レンズ系より構成して、その焦点距離を種々と変えたと
きの光路とオプティカルインテグレータ4の入射面4a
(射出面4b)に形成される光強度分布(照度分布)の
説明図である。
【0034】本実施形態ではオプティカルインテグレー
タ4の射出面4bの光強度分布を変えて、それと共役関
係にある投影光学系8の瞳面8a上での光強度分布を変
えている。レンズ系3cはズーミングによりオプティカ
ルインテグレータ4の射出面4bに形成される2次光源
像を拡大及び縮小させている。
【0035】図2(A)は光学素子(プリズム)3bを
挿入していない通常照明の状態を示している。光源1と
オプティカルインテグレータ4の入射面4aは略共役関
係にあるので、光源1の輝度分布がオプティカルインテ
グレータ4上に像として結像され、そのまま照度分布と
なっている。光源1の輝度分布は通常ガウス分布で表わ
されるので、オプティカルインテグレータ4上には中心
にピークを持つガウス分布形状の光強度分布が得られ
る。
【0036】図2(B)はレンズ系3cの焦点距離を調
節することによって、オプティカルインテグレータ4上
に結像した光源の像を拡大又は縮小することができるこ
とを示している。
【0037】図2(C)は図2(A)の状態にオプティ
カルインテグレータ4に対して瞳になる位置に4角錐形
状のプリズム3b1を挿入した状態を示している。この
状態では光線が4角錐のそれぞれの面で折り曲げられ
て、オプティカルインテグレータ4上には光強度のピー
クが4つ現れる。この場合も図2(A)と同様に、各々
のピークはガウス分布形状をしている。
【0038】即ち、各々のガウス分布の裾野同士が重な
っているので、有効光源中心付近及びピーク間領域にお
いても光強度は0ではない。このような有効光源形状に
おいて、ピークの位置(ピークの中心からの距離)及び
中心の照度、ピーク間の照度を適切な値に調整すること
によって照明系Aを構成している。
【0039】本実施形態において、中心照度及びピーク
間の照度を調節する為にプリズムの角度を変化させてい
る。図2(D)はより角度の小さい(より底面から頂点
までの高さが低い)プリズム3b2を設置した状態を示
している。角度の異なるプリズムを設置すると光線の折
れ曲がる角度が変化し、各光強度ピーク同士の距離が変
化する(しかし、各ピークの形状は略一定である)。そ
うすると、各ピークの裾野の重なり具合が変化すること
になり、即ち有効光源中心及びピーク間の照度も変化す
る。例えば図2(C)と図2(D)とを比較すると、図
2(D)の場合の方が強度分布のピーク同士の距離が近
いので、中心照度及びピーク間照度が高くなっている。
【0040】本実施形態ではこのような性質を利用し
て、光学素子として適切な角度のプリズムを配設するこ
とにより、適切な中心及びピーク間の照度の値を得てい
る。
【0041】次に、ピークの位置を調節する為にはレン
ズ系3cのズーム機構を利用している。レンズ系3cを
調節することによって図2(E)に示すように中心の照
度とピーク間の照度をほとんど変化させることなく、ガ
ウス分布のピークの中心からの距離を変化させている。
【0042】図2(F)は光学素子として8角錐形状、
或いは4角錐形状の各稜辺と頂角を削ぎ落した形状、又
はそれに類似した形状のプリズム3b3を使用した状態
を示している。
【0043】プリズムの形状としては、例えば図3に示
したようなものが挙げられる。このような形状のプリズ
ムを使用しても照明系Aを構成することができる。
【0044】この場合は、前述の4角錐形状のプリズム
のように、光強度の山の裾野の重なり具合で中心照度及
びピーク間照度を調節するのではなく、有効光源中心及
びピーク間の位置に前述の4つのピークとは別の独立し
たピークを作り、その強度で各々の照度を調節する方式
になる。各ピークは略8角錐形状のそれぞれの面で折り
曲げられた光線が作っている。即ち、略8角錐の各々の
面は、オプティカルインテグレータ4上において、それ
ぞれの光強度のピークに対応している。そして各々のピ
ークの強度は、その面を通過した光の量によって決ま
る。この場合、プリズムの各面の面積比やプリズムを挿
入する箇所の光軸と垂直方向の照度分布が有効光源形状
を決定する。
【0045】本実施形態では適切な形状のプリズムを選
び、その面を通過する光量を適切な値にすることによっ
て、中心照度及びピーク間照度を適切な値の範囲内に収
めている。
【0046】以上のように本実施形態では、光学素子と
して4角錐形状のプリズムや8角錐型プリズム等の多角
錐プリズムを用い、又レンズ系3cの焦点距離を変える
ことによって投影光学系の瞳面上で所望の照度分布を有
する照明系Aを構成している。尚、本実施形態における
光学素子としてのプリズムは光路より挿脱可能となって
いるので、他の照明法、例えば通常照明や輪帯照明等に
も簡単に切り換えることができる。
【0047】又、プリズムを使用しても所望の中心照度
とピーク間照度が得られなかったときの為に微調整の方
法として、光源位置を光軸方向に移動する手段を備える
ようにしても良い。光源を光軸方向に動かすことにより
輝度分布を変化させ、ガウス分布の形状(例えば半値幅
など)を変化させることができるので、それによって中
心照度及びピーク間照度を調節しても良い。
【0048】次に本発明の実施形態2について説明す
る。本実施形態では実施形態1に比べて、光学素子とし
てプリズムの代わりに部分的に透過率が異なる透過率制
御手段を用いて照明系Aを構成している点が異なってお
り、その他の構成は同じである。
【0049】本実施形態では、図1のオプティカルイン
テグレータ4の射出面4bの直後に光路より挿脱可能な
部分的に透過率の異なる透過率分布を持ったNDフィル
タを配設し、これにより照明系Aを構成している。通
常、オプティカルインテグレータ4上の照度分布はガウ
ス分布形状又は均一な形状であるが、そのガウス分布形
状に透過率制御を行って照明系Aの照度分布を作ってい
る。このときのNDフィルタ41の透過率分布形状は、
例えば図4(B)のようなものを用いている。
【0050】図4(B)の数値は透過率(%)を表わし
ている。図4(A)はオプティカルインテグレータ4上
のガウス分布状の照度分布を示している。このような照
度分布に図4(B)のような透過率分布を持ったNDフ
ィルタ41を併用することにより、投影光学系8の瞳8
a上に図4(C)のような照度分布の有効光源を形成し
ている。
【0051】本実施形態におけるNDフィルタ41の透
過領域は主に9つの領域に分かれ、それぞれの領域毎に
固有の透過率を持っているような形状をしているが、透
過率は連続的に変化しても構わない。又、有効光源の元
の形状がガウス分布でないような場合でも、NDフィル
タ41の透過率分布を別の形状にすることによって対応
できる。このフィルタも光路より挿脱可能であるので、
他の照明法、例えば通常照明や輪帯照明等との切り換え
が簡単に行える。又、このフィルタを挿入する箇所はオ
プティカルインテグレータ4の入射面直前であっても良
い。
【0052】次に本発明の実施形態3について説明す
る。本実施形態では図1の実施形態1に比べて、光学素
子としてのプリズムの代わりにオプティカルインテグレ
ータを構成する各微小レンズの少なくとも1個1個に対
して開口径や透過強度を調節する調整手段を利用して照
明系Aを構成している点が異なっており、その他の構成
は同じである。
【0053】オプティカルインテグレータ4は、通常、
図5に示すように、複数の微小レンズ51を2次元的に
配列し組み合わせた構成になっている。本実施形態では
オプティカルインテグレータ4を構成する各微小レンズ
51から射出される光の量を調整手段により個々に調整
し、結果としてオプティカルインテグレータ4全体の照
度分布を照明系Aの形状にしている。
【0054】本実施形態では、図1のオプティカルイン
テグレータ4の射出面4bの直後に、例えば図6のよう
な光路より挿脱可能なフィルタ61を配設している。図
6のフィルタ61は照明系Aにおける4つのピークがあ
るべき位置にある開口面積は大きく、有効光源中心付近
やピーク間の位置にある開口面積は小さくなっている。
当然、大きい開口面積からの光量は大きく、小さい開口
面積からの光量は小さい。オプティカルインテグレータ
61上にこのフィルタ61を装着することにより照明系
Aの照度分布を得ている。
【0055】この場合も、元の有効光源形状がどんな形
状であっても、各開口面積の大きさを調整することによ
り照明系Aの有効光源を得ることができる。開口の形状
も長方形に限らず、どんな形状でも良い。この場合も、
このフィルタは光路より挿脱可能であるので、他の照明
法、例えば通常照明や輪帯照明等との切り換えが簡単に
行える。又、このフィルタを挿入する箇所はオプティカ
ルインテグレータの入射面直前でも構わない。
【0056】図7は本発明の実施形態4の光学系の一部
分の要部概略図である。本実施形態は図1の実施形態1
に比べて、光学素子としてのプリズムの代わりにオプテ
ィカルインテグレータ4の前方に図8に示すような4隅
に開口を有する開口絞り71を配設して、照明系Aを構
成している点が異なっており、その他の構成は同じであ
る。
【0057】本実施形態では、オプティカルインテグレ
ータ4の前方、ある程度距離をおいた所に特定の開口形
状を持った開口絞り71を配設する。開口絞り71の形
状としては、図8に示すような十字形の遮光領域を有す
るものを用いている。
【0058】本実施形態では、開口絞り71をオプティ
カルインテグレータ4の入射面4aの直前ではなく、少
し距離をおいて配設する。直前に置いてしまうと、十字
形の部分72は完全に遮光されてしまうが、少し距離を
おいて設置すると回り込む光によって中心部分も照度0
ではなくなる。そして、この開口絞り71を光軸方向に
動かす手段を備えるようにして、開口絞りを光軸方向に
動かして中心照度やピーク間照度を調節するようにして
いる。
【0059】この開口絞り71を配設するのに適切な箇
所としては、この他に、楕円ミラー2の第2焦点面2a
の近傍がある。楕円ミラーの第2焦点面2aとオプティ
カルインテグレータ4の入射面4aは略共役関係にある
ので、楕円ミラー2の第2焦点面2aに置かれた開口絞
り71の像はオプティカルインテグレータ4上に結像さ
れる。このときも同じように開口絞り71を光軸方向に
動かすことにより、オプティカルインテグレータ4上の
像がぼけるので、それにより中心照度とピーク間照度を
調節している。
【0060】本発明においては、以上の各実施形態の方
法を独立に用いる他に互いに組み合わせて重複して用い
ても良い。又、本実施形態1〜4ではi線を用いた露光
装置の他にg線やKrF線を用いた露光装置にも同様に
適用することができる。
【0061】次に上記説明した投影露光装置を利用した
半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【0062】図9は半導体デバイス(ICやLSI等の
半導体チップ、或いは液晶パネルやCCD等)の製造の
フローを示す。
【0063】ステップ1(回路設計)では半導体デバイ
スの回路設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【0064】一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4
(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【0065】次のステップ5(組立)は後工程と呼ば
れ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシ
ング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)等の工程を含む。
【0066】ステップ6(検査)ではステップ5で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0067】図10は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
【0068】ステップ13(電極形成)ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打
込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【0069】ステップ17(現像)では露光したウエハ
を現像する。ステップ18(エッチング)では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ19(レジス
ト剥離)ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【0070】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製
造することができる。
【0071】
【発明の効果】本発明によれば以上のように各要素を設
定することにより、超高圧水銀ランプ等のインコヒーレ
ントな光を放射する光源手段を用いた場合に照明光学系
全体の簡素化及び照明光束の有効利用を図りつつ、レチ
クル面上(1原板上)のパターンを適切に照明し、高い
解像力が容易に得られるようにした露光装置及びそれを
用いたデバイスの製造方法を達成することができる。
【0072】特に、斜入射照明による問題点を殆ど発生
させずに高解像力及び焦点深度を向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態1の要部概略図
【図2】 図1の一部分の光路とオプティカルインテグ
レータ上の光強度分布の説明図
【図3】 本発明に係る光学素子の説明図
【図4】 本発明に係る透過率制御手段の説明図
【図5】 オプティカルインテグレータの説明図
【図6】 本発明に係る調整手段の説明図
【図7】 本発明の実施形態4の要部概略図
【図8】 本発明の実施形態4に係る絞り手段の説明図
【図9】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
【図10】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャ
ート
【図11】 輪帯照明における有効光源像の説明図
【図12】 4重極照明における有効光源像の説明図
【図13】 斜入射照明における有効光源像の説明図
【図14】 斜入射照明における解像線幅と焦点深度と
の説明図
【符号の説明】
1 光源手段 2 楕円ミラー 3 光学系 3a レンズ系 3b,3b1,3b2,3b3 光学素子 3c 光学手段 4 オプティカルインテグレータ 5 ミラー 6 レンズ系 7 レチクル(原板) 8 投影光学系 9 基板(ウエハ) 41 透過率制御手段 61 調整手段 71 絞り手段

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源手段からの光束を光学系を介してオ
    プティカルインテグレータに導光し、該オプティカルイ
    ンテグレータの出射面からの光束で原板面上のパターン
    を照明し、該パターンを投影光学系により基板上に投影
    露光する際、該光学系は該オプティカルインテグレータ
    の入射面に対し瞳関係にある位置に光学素子を有し、該
    光学素子により該投影光学系の瞳面上で、その中心領域
    で所定の値の光強度分布を持ち、該中心領域の周辺の周
    方向で等間隔の位置に複数の所定の値の光強度分布をも
    つようにしていることを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 前記光学素子は4角錐状プリズム又は8
    角錐状プリズム又は4角錐状プリズムの各稜辺と頂角を
    削ぎ落した形状のプリズムより成っていることを特徴と
    する請求項1の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記光学系は焦点距離が変換可能の光学
    手段を有していることを特徴とする請求項1の露光装
    置。
  4. 【請求項4】 前記光学素子は光路中より着脱自在であ
    ることを特徴とする請求項1の露光装置。
  5. 【請求項5】 光源手段からの光束を光学系を介してオ
    プティカルインテグレータに導光し、該オプティカルイ
    ンテグレータの出射面からの光束で原板面上のパターン
    を照明し、該パターンを投影光学系により基板上に投影
    露光する際、該オプティカルインテグレータの出射面近
    傍には部分的に透過率が異なっている透過率制御手段を
    有し、該透過率制御手段により該投影光学系の瞳面上
    で、その中心領域で所定の値の光強度分布を持ち、該中
    心領域の周辺の周方向で等間隔の位置に複数の所定の値
    の光強度分布をもつようにしていることを特徴とする露
    光装置。
  6. 【請求項6】 前記透過率制御手段は中心領域の周辺の
    周方向で等間隔の位置に複数の領域の透過率が該中心領
    域の透過率に比べて大きいNDフィルターより成ってい
    ることを特徴とする請求項5の露光装置。
  7. 【請求項7】 前記透過率制御手段は光路中より着脱自
    在であることを特徴とする請求項1の露光装置。
  8. 【請求項8】 光源手段からの光束を光学系を介してオ
    プティカルインテグレータに導光し、該オプティカルイ
    ンテグレータの出射面からの光束で原板面上のパターン
    を照明し、該パターンを投影光学系により基板上に投影
    露光する際、該オプティカルインテグレータの入射面又
    は/及び出射面近傍には該オプティカルインテグレータ
    を構成する各微小レンズ毎に開口又は/及び透過率の制
    御が可能な調整手段を有し、該調整手段により該投影光
    学系の瞳面上で、その中心領域で所定の値の光強度分布
    を持ち、該中心領域の周辺の周方向で等間隔の位置に複
    数の所定の値の光強度分布をもつようにしていることを
    特徴とする露光装置。
  9. 【請求項9】 前記調整手段は光路中より着脱自在であ
    ることを特徴とする請求項8の露光装置。
  10. 【請求項10】 光源手段からの光束を光学系を介して
    オプティカルインテグレータに導光し、該オプティカル
    インテグレータの出射面からの光束で原板面上のパター
    ンを照明し、該パターンを投影光学系により基板上に投
    影露光する際、該オプティカルインテグレータの入射面
    の前方には特定の開口形状の絞り手段を有し、該絞り手
    段により該投影光学系の瞳面上で、その中心領域で所定
    の値の光強度分布を持ち、該中心領域の周辺の周方向で
    等間隔の位置に複数の所定の値の光強度分布をもつよう
    にしていることを特徴とする露光装置。
  11. 【請求項11】 前記絞り手段は光軸方向に移動可能で
    あることを特徴とする請求項10の露光装置。
  12. 【請求項12】 前記絞り手段は光路中より着脱自在で
    あることを特徴とする請求項10又は11の露光装置。
  13. 【請求項13】 前記光学系は焦点距離が変換可能な光
    学手段を有していることを特徴とする請求項5,6,8
    又は10の露光装置。
  14. 【請求項14】 前記光学系は前記光源手段の発光面と
    前記オプティカルインテグレータの入射面とが略共役関
    係となるようにしていることを特徴とする請求項1から
    13のいずれか1項記載の露光装置。
  15. 【請求項15】 前記光学手段は焦点距離が可変のズー
    ムレンズ又は焦点距離が異なる他のレンズ系と交換可能
    となっていることを特徴とする請求項1,2又は13の
    露光装置。
  16. 【請求項16】 前記光源手段は超高圧水銀ランプを用
    いていることを特徴とする請求項1から15のいずれか
    1項記載の露光装置。
  17. 【請求項17】 請求項1から16のいずれか1項記載
    の露光装置を用いてデバイスを製造していることを特徴
    とするデバイスの製造方法。
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