JP3080694B2 - 露光装置 - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超ＬＳＩ等を製造する
際に使用して最適な露光装置に備えられてマスクと半導
体ウェハとの位置合わせ及びギャップの検出を行う露光
装置のアライメント装置に関する。
際に使用して最適な露光装置に備えられてマスクと半導
体ウェハとの位置合わせ及びギャップの検出を行う露光
装置のアライメント装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、超ＬＳＩにおける回路パターン
の形成時には、マスクに形成された多数の回路パターン
（マスクパターン）が露光装置により半導体ウェハ上に
転写されるのであるが、この転写は、通常、複数の回路
パターンを半導体ウェハに重ね合わせた状態で行われ
る。このため、パターン転写の露光に先立ち、マスクと
半導体ウェハとを高精度に位置合わせする必要がある。
の形成時には、マスクに形成された多数の回路パターン
（マスクパターン）が露光装置により半導体ウェハ上に
転写されるのであるが、この転写は、通常、複数の回路
パターンを半導体ウェハに重ね合わせた状態で行われ
る。このため、パターン転写の露光に先立ち、マスクと
半導体ウェハとを高精度に位置合わせする必要がある。
【０００３】特に、縮小投影露光装置に代表される光露
光装置よりも微細な回路パターンを形成することが可能
なＸ線露光装置においては、その物理的特性から縮小投
影にすることが困難で、等倍の露光にならざるを得な
い。等倍露光を行うためには、マスクと半導体ウェハと
のギャップを極小（数十ミクロン）とした近接露光とな
る。このため、マスクと半導体ウェハとの位置合わせ精
度の向上が以前にも増して必要となる。
光装置よりも微細な回路パターンを形成することが可能
なＸ線露光装置においては、その物理的特性から縮小投
影にすることが困難で、等倍の露光にならざるを得な
い。等倍露光を行うためには、マスクと半導体ウェハと
のギャップを極小（数十ミクロン）とした近接露光とな
る。このため、マスクと半導体ウェハとの位置合わせ精
度の向上が以前にも増して必要となる。
【０００４】ここに、前記Ｘ線露光装置に備えられ、マ
スクと半導体ウェハとの位置合わせ及びギャップの検出
を行うアライメント光学系の概要を図２及び図３に示
す。なお、通常Ｘ線露光装置には、Ｘ，Ｙ及びθ方向の
位置ずれを検出するため、少なくとも３つのアライメン
ト光学系（Ｘアライメント光学系，Ｙ1 アライメント光
学系及びＹ2 アライメント光学系）が備えられている
が、ここではＹ方向を位置合せ方向としたその１つ（Ｙ
1 アライメント光学系）について説明する。このこと
は、以下同様である。
スクと半導体ウェハとの位置合わせ及びギャップの検出
を行うアライメント光学系の概要を図２及び図３に示
す。なお、通常Ｘ線露光装置には、Ｘ，Ｙ及びθ方向の
位置ずれを検出するため、少なくとも３つのアライメン
ト光学系（Ｘアライメント光学系，Ｙ1 アライメント光
学系及びＹ2 アライメント光学系）が備えられている
が、ここではＹ方向を位置合せ方向としたその１つ（Ｙ
1 アライメント光学系）について説明する。このこと
は、以下同様である。
【０００５】即ち、図２に示すように、アライメント光
学系１には、光学ベース２上に配置された第１レンズ
３、第２レンズ４及びプリズム５といった複数の光学部
品が備えられている。
学系１には、光学ベース２上に配置された第１レンズ
３、第２レンズ４及びプリズム５といった複数の光学部
品が備えられている。
【０００６】一方、回路パターン６ａとその周囲にアラ
イメントマーク６ｂが描かれたメンブレン膜６を備え補
強枠７で周囲を補強されたＸ線マスク８は、マスクチャ
ック９に着脱自在に保持され、上記アライメントマーク
６ｂと対向する位置にアライメントマーク１０ａが描か
れた半導体ウェハ１０は、ウェハチャック１１に着脱自
在に保持されて、両者８，１０は互いに近接した位置に
配置されている。
イメントマーク６ｂが描かれたメンブレン膜６を備え補
強枠７で周囲を補強されたＸ線マスク８は、マスクチャ
ック９に着脱自在に保持され、上記アライメントマーク
６ｂと対向する位置にアライメントマーク１０ａが描か
れた半導体ウェハ１０は、ウェハチャック１１に着脱自
在に保持されて、両者８，１０は互いに近接した位置に
配置されている。
【０００７】これにより、露光光としてのＸ線（ＳＯＲ
光）１２を介して、半導体ウェハ１０上にＸ線マスク８
の回路パターン６ａを近接露光するとともに、光源（図
示せず）から出射されアライメント光学系１を通過した
レーザ光（アライメント光）１３をＸ線マスク８のアラ
イメントマーク６ａに照射し、半導体ウェハ１０のアラ
イメントマーク１０ａから再びこのアライメントマーク
６ａを通過した検出光を介して両者８，１０の位置合せ
を行うようなされている。
光）１２を介して、半導体ウェハ１０上にＸ線マスク８
の回路パターン６ａを近接露光するとともに、光源（図
示せず）から出射されアライメント光学系１を通過した
レーザ光（アライメント光）１３をＸ線マスク８のアラ
イメントマーク６ａに照射し、半導体ウェハ１０のアラ
イメントマーク１０ａから再びこのアライメントマーク
６ａを通過した検出光を介して両者８，１０の位置合せ
を行うようなされている。
【０００８】前記アライメント光学系１には、図３に示
すように、音響光学変調素子（ＡＯＭ）１４が備えら
れ、この音響光学変調素子１４を通過してミラー１５で
ほぼ直角に反射したレーザ光１３が前記第１レンズ３の
中心Ｏに入射するようなされているとともに、このの音
響光学変調素子１４の前段には、回転することによりレ
ーザ光１３をＸ方向に平行シフトする光学素子としてプ
レーンパラレル１６ａ，同じく回転することによりレー
ザ光１３をＺ方向に平行シフトする光学素子としてのプ
レーンパラレル１６ｂ及びレーザ光１３の傾きを変える
光学素子としてコンペンセータ１７ａが配置されてい
る。
すように、音響光学変調素子（ＡＯＭ）１４が備えら
れ、この音響光学変調素子１４を通過してミラー１５で
ほぼ直角に反射したレーザ光１３が前記第１レンズ３の
中心Ｏに入射するようなされているとともに、このの音
響光学変調素子１４の前段には、回転することによりレ
ーザ光１３をＸ方向に平行シフトする光学素子としてプ
レーンパラレル１６ａ，同じく回転することによりレー
ザ光１３をＺ方向に平行シフトする光学素子としてのプ
レーンパラレル１６ｂ及びレーザ光１３の傾きを変える
光学素子としてコンペンセータ１７ａが配置されてい
る。
【０００９】そして、レーザ光１３は、光学ベース２の
面上で、例えばこの１側面（基準面）Ａに平行にかつ距
離ｌx の位置を通り、ミラー１５で反射した後、前記側
面Ａに直角な他側面（基準面）Ｂに平行にかつ距離ｌy
の位置を通って第１レンズ３の中心Ｏを通るように調整
される。
面上で、例えばこの１側面（基準面）Ａに平行にかつ距
離ｌx の位置を通り、ミラー１５で反射した後、前記側
面Ａに直角な他側面（基準面）Ｂに平行にかつ距離ｌy
の位置を通って第１レンズ３の中心Ｏを通るように調整
される。
【００１０】ここに、前記各距離ｌx ，ｌy 、光軸高さ
ｈ（図２参照）及び第１レンズ３の配置精度は、±１０
０〜２００μｍ程度で良いが、最終的なレーザ光１３の
中心と第１レンズ３の中心との合致度は、±３０μｍ程
度（εy ＜±３０μｍ）の精度が要求される。即ち、例
えば光学倍率を１／３倍程度として、マスク面上で±１
０μｍ程度（ε′y ＜±１０μｍ）の精度が要求される
と仮定すると、前記合致度が得られる。
ｈ（図２参照）及び第１レンズ３の配置精度は、±１０
０〜２００μｍ程度で良いが、最終的なレーザ光１３の
中心と第１レンズ３の中心との合致度は、±３０μｍ程
度（εy ＜±３０μｍ）の精度が要求される。即ち、例
えば光学倍率を１／３倍程度として、マスク面上で±１
０μｍ程度（ε′y ＜±１０μｍ）の精度が要求される
と仮定すると、前記合致度が得られる。
【００１１】上記の精度を満たすため、従来、次のよう
な調整が一般に行われていた。
な調整が一般に行われていた。
【００１２】即ち、先ず光学ベース２の基準面Ａから水
平距離ｌx 離れ、かつ光学ベース２から鉛直高さｈの位
置に先ず２つのピンホール１８ａ，１８ｂを置き、この
２つのピンホール１８ａ，１８ｂをレーザ光１３が通る
ようにレーザ光源の姿勢を調整した後、このレーザ光１
３が基準面Ｂに設置したミラー１９に当たり、その反射
光が前記２つのピンホール１８ｂ，１８ａへと順次戻る
かを確認する。
平距離ｌx 離れ、かつ光学ベース２から鉛直高さｈの位
置に先ず２つのピンホール１８ａ，１８ｂを置き、この
２つのピンホール１８ａ，１８ｂをレーザ光１３が通る
ようにレーザ光源の姿勢を調整した後、このレーザ光１
３が基準面Ｂに設置したミラー１９に当たり、その反射
光が前記２つのピンホール１８ｂ，１８ａへと順次戻る
かを確認する。
【００１３】次に、基準面Ｂから水平距離ｌy 離れ、か
つ光学ベース２から鉛直高さｈの位置にピンホール１８
ｃを置くとともにミラー１５を設置し、このミラー１５
の反射光が前記ピンホール１８ｃを通るように該ミラー
１５の角度θ及びｙ（またはｘ）方向の調整を行う。
つ光学ベース２から鉛直高さｈの位置にピンホール１８
ｃを置くとともにミラー１５を設置し、このミラー１５
の反射光が前記ピンホール１８ｃを通るように該ミラー
１５の角度θ及びｙ（またはｘ）方向の調整を行う。
【００１４】この状態で、所定の位置に音響光学変調素
子１４を設置する。この音響光学素子１４からは±１次
光が出射され、これらのうちのいずれかをアライメント
光として使用するのであるが、図示では＋１次光Ｉ+1を
利用する場合を示している。そして、この＋１次光Ｉ+1
の強度が最大となるように、音響光学変調素子１４の前
段に設置された各光学素子、即ちプレーンパラレル１６
ａ，１６ｂ及びコンペンセータ１７ａを調整する。即
ち、このプレーンパラレル１６ａ及び１６ｂを回転させ
ることによりレーザ光１３をｘ方向及びｚ方向に個々に
平行シフト（例えば、±０．１mm）するとともに、コン
ペンセータ１７ａでレーザ光１３の傾きを変えることに
より、＋１次光Ｉ+1の強度を最大にする。
子１４を設置する。この音響光学素子１４からは±１次
光が出射され、これらのうちのいずれかをアライメント
光として使用するのであるが、図示では＋１次光Ｉ+1を
利用する場合を示している。そして、この＋１次光Ｉ+1
の強度が最大となるように、音響光学変調素子１４の前
段に設置された各光学素子、即ちプレーンパラレル１６
ａ，１６ｂ及びコンペンセータ１７ａを調整する。即
ち、このプレーンパラレル１６ａ及び１６ｂを回転させ
ることによりレーザ光１３をｘ方向及びｚ方向に個々に
平行シフト（例えば、±０．１mm）するとともに、コン
ペンセータ１７ａでレーザ光１３の傾きを変えることに
より、＋１次光Ｉ+1の強度を最大にする。
【００１５】ところで、同図からわかるように、一般に
一次光Ｉ＋１は、０次光に対して、約８ｍｒａｄ程度の
傾きα（α＝８ｍｒａｄ）をもって斜めに出るため、ミ
ラー１５での反射光がピンホール１８ｃを通るように、
再度このミラー１５の角度θ及びｙ（またはｘ）方向の
調整を行い、その後に第１のレンズ３の設置が行われて
いる。
一次光Ｉ＋１は、０次光に対して、約８ｍｒａｄ程度の
傾きα（α＝８ｍｒａｄ）をもって斜めに出るため、ミ
ラー１５での反射光がピンホール１８ｃを通るように、
再度このミラー１５の角度θ及びｙ（またはｘ）方向の
調整を行い、その後に第１のレンズ３の設置が行われて
いる。
【００１６】なお、変調周波数の異なるもう１台の音響
光学素子が前記音響光学素子１４と並列的に設置され、
２本のレーザ光１３が夫々第１レンズ３の中心Ｏを通過
して平行に第２レンズ４に入射するようなされているの
であるが、図示では一方のレーザ光１３の経路のみを示
し、他方を省略している。
光学素子が前記音響光学素子１４と並列的に設置され、
２本のレーザ光１３が夫々第１レンズ３の中心Ｏを通過
して平行に第２レンズ４に入射するようなされているの
であるが、図示では一方のレーザ光１３の経路のみを示
し、他方を省略している。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、光学ベース２の基準面Ａ，Ｂからの距
離ｌx ，ｌy の精度及び第１レンズ３の設置精度が、±
１００〜２００μｍ程度であるので、第１レンズ３の中
心とレーザ光１３の中心との合致度、即ち両者のずれ量
εy を±３０μｍ程度まで追い込むことが極めて困難で
あるのが現状であった。
来例においては、光学ベース２の基準面Ａ，Ｂからの距
離ｌx ，ｌy の精度及び第１レンズ３の設置精度が、±
１００〜２００μｍ程度であるので、第１レンズ３の中
心とレーザ光１３の中心との合致度、即ち両者のずれ量
εy を±３０μｍ程度まで追い込むことが極めて困難で
あるのが現状であった。
【００１８】即ち、第１レンズ３そのものを動かすこと
により、レーザ光１３に対して第１レンズ３の中心Ｏを
合わせ込むことは、ピンホールを使用し、目視でレーザ
光が第１レンズ３の中心Ｏを通っているかを判断するこ
とにより可能であるが、効率が悪くこの調整にかなりの
時間がかかってしまうばかりでなく、光軸に対するレン
ズ３の傾きを合わせることが困難である。
により、レーザ光１３に対して第１レンズ３の中心Ｏを
合わせ込むことは、ピンホールを使用し、目視でレーザ
光が第１レンズ３の中心Ｏを通っているかを判断するこ
とにより可能であるが、効率が悪くこの調整にかなりの
時間がかかってしまうばかりでなく、光軸に対するレン
ズ３の傾きを合わせることが困難である。
【００１９】なお、音響光学変調素子１４の前段に配置
されているプレーンパラレル１６ａ，１６ｂ及びコンペ
ンセータ１７ａを利用してこの調整を行うと、例えば＋
１次光Ｉ+1の強度が最大になるように調整された光軸が
ずれてしまう。
されているプレーンパラレル１６ａ，１６ｂ及びコンペ
ンセータ１７ａを利用してこの調整を行うと、例えば＋
１次光Ｉ+1の強度が最大になるように調整された光軸が
ずれてしまう。
【００２０】本発明は上記に鑑み、音響光学調整素子か
ら出射される最大強度のレーザ光の光軸がずれてしまう
ことを防止しつつ、レーザ光の中心とレンズの中心等と
を該レンズ等を動かすことなく、容易にしかも高精度に
位置合わせできるようにしたものを提供することを目的
とする。
ら出射される最大強度のレーザ光の光軸がずれてしまう
ことを防止しつつ、レーザ光の中心とレンズの中心等と
を該レンズ等を動かすことなく、容易にしかも高精度に
位置合わせできるようにしたものを提供することを目的
とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明はマスク及び半導体ウエハに夫々設けられた
アライメントマークに対してレーザ光を照射して、前記
マスクと前記半導体ウエハとの位置合わせ及びギャップ
の検出を行うアライメント光学系を備え、Ｘ線や光を利
用してマスクに描かれたマスクパターンを半導体ウエハ
上に転写する露光装置において、前記アライメント光学
系に備えられている音響光学変調素子の前段に、前記音
響光学変調素子に入射すべきレーザ光を上下および左右
に平行にシフトする第１の光学素子と、前記音響光学変
調素子に入射すべきレーザ光の傾きを変更する第２の光
学素子とを配置するとともに、前記音響光学変調素子の
後段に、前記音響光学変調素子から出射した一次光を上
下および左右に平行にシフトする第３の光学素子と、前
記音響光学変調素子から出射した一次光の傾きを変更す
る第４の光学素子とを配置したことを特徴としている。
め、本発明はマスク及び半導体ウエハに夫々設けられた
アライメントマークに対してレーザ光を照射して、前記
マスクと前記半導体ウエハとの位置合わせ及びギャップ
の検出を行うアライメント光学系を備え、Ｘ線や光を利
用してマスクに描かれたマスクパターンを半導体ウエハ
上に転写する露光装置において、前記アライメント光学
系に備えられている音響光学変調素子の前段に、前記音
響光学変調素子に入射すべきレーザ光を上下および左右
に平行にシフトする第１の光学素子と、前記音響光学変
調素子に入射すべきレーザ光の傾きを変更する第２の光
学素子とを配置するとともに、前記音響光学変調素子の
後段に、前記音響光学変調素子から出射した一次光を上
下および左右に平行にシフトする第３の光学素子と、前
記音響光学変調素子から出射した一次光の傾きを変更す
る第４の光学素子とを配置したことを特徴としている。
【００２２】
【作用】上記のように構成した本発明によれば、音響光
学変調素子の後段に設置された光学素子によってレーザ
光を左右、上下に平行にシフトするとともに、レーザ光
の傾きを調整することにより、最大強度のレーザ光の光
軸がずれてしまうことを防止しつつ、レーザ光の中心と
レンズの中心等とを容易かつ高精度に位置合わせするこ
とができる。
学変調素子の後段に設置された光学素子によってレーザ
光を左右、上下に平行にシフトするとともに、レーザ光
の傾きを調整することにより、最大強度のレーザ光の光
軸がずれてしまうことを防止しつつ、レーザ光の中心と
レンズの中心等とを容易かつ高精度に位置合わせするこ
とができる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１を参照して説
明する。なお、上記従来例と同一部材は同一符番を付し
てその説明を省略する。
明する。なお、上記従来例と同一部材は同一符番を付し
てその説明を省略する。
【００２４】即ち、本実施例においては、図１に示すよ
うに、音響光学変調素子１４の後段でミラー１５と第１
レンズ３との間には、レーザ光１３の光路中に位置して
回転することによりレーザ光１３をｙ方向に平行シフト
する光学素子としてプレーンパラレル１６ｃと、同じく
回転することによりレーザ光１３をｚ方向に平行シフト
する光学素子としてのプレーンパラレル１６ｄと、レー
ザ光１３の傾きを変える光学素子としてのコンペンセー
タ１７ｂとがレーザ光１３の進行方向に沿って順次配置
されている。
うに、音響光学変調素子１４の後段でミラー１５と第１
レンズ３との間には、レーザ光１３の光路中に位置して
回転することによりレーザ光１３をｙ方向に平行シフト
する光学素子としてプレーンパラレル１６ｃと、同じく
回転することによりレーザ光１３をｚ方向に平行シフト
する光学素子としてのプレーンパラレル１６ｄと、レー
ザ光１３の傾きを変える光学素子としてのコンペンセー
タ１７ｂとがレーザ光１３の進行方向に沿って順次配置
されている。
【００２５】ここに、各プレーンパラレル１６ｃ，１６
ｄの回転角を夫々θy ，θz 、光軸方向の厚さｔ（共
通）、屈折率をｎ（共通）とする、各プレーンパラレル
１６ｃ，１６ｄによる光軸シフト量εy ，εz （εz は
図示せず）は、 εy ＝ｔ・θy ・（１−１／ｎ） εz ＝ｔ・θz ・（１−１／ｎ） で表すことができる。
ｄの回転角を夫々θy ，θz 、光軸方向の厚さｔ（共
通）、屈折率をｎ（共通）とする、各プレーンパラレル
１６ｃ，１６ｄによる光軸シフト量εy ，εz （εz は
図示せず）は、 εy ＝ｔ・θy ・（１−１／ｎ） εz ＝ｔ・θz ・（１−１／ｎ） で表すことができる。
【００２６】一方、前記第１レンズ３の焦点距離を
ｆ1 、第２レンズ４の焦点距離をｆ2 とすると、仮想マ
スク面上の中心（マーク中心）からのレーザ光１３の中
心のずれ量ε′y ，ε′z （ε′z は図示せず）は、 ε′y ＝εy ・ｆ2 ／ｆ1 ε′z ＝εz ・ｆ2 ／ｆ1 で表すことができる。
ｆ1 、第２レンズ４の焦点距離をｆ2 とすると、仮想マ
スク面上の中心（マーク中心）からのレーザ光１３の中
心のずれ量ε′y ，ε′z （ε′z は図示せず）は、 ε′y ＝εy ・ｆ2 ／ｆ1 ε′z ＝εz ・ｆ2 ／ｆ1 で表すことができる。
【００２７】今、仮想マスク面上のずれ量ε′y ，ε′
z を±１０μｍ程度のオーダに抑えるものとし、一例と
して、ｆ1 ＝１５０mm、ｆ2 ＝５０mm、ｔ＝１０００μ
ｍ、ｎ＝１．４５６としてこれらの値を上記式に代入す
ると、εy ＝εz ＝３０μｍとなり、これだけの平行シ
フト量εy ，εz を得るためには、各プレーンパラレル
１６ｃ，１６ｄを各々θy ＝θz ＝５．５deg だけ回転
させれば良い。このような操作は簡単に行うことができ
る。
z を±１０μｍ程度のオーダに抑えるものとし、一例と
して、ｆ1 ＝１５０mm、ｆ2 ＝５０mm、ｔ＝１０００μ
ｍ、ｎ＝１．４５６としてこれらの値を上記式に代入す
ると、εy ＝εz ＝３０μｍとなり、これだけの平行シ
フト量εy ，εz を得るためには、各プレーンパラレル
１６ｃ，１６ｄを各々θy ＝θz ＝５．５deg だけ回転
させれば良い。このような操作は簡単に行うことができ
る。
【００２８】これにより、第１レンズ３及び第２レンズ
４を設置した後、各プレーンパラレル１６ｃ，１６ｄを
回転することにより、アライメントマーク中心に対する
レーザ光１３のｙ及びｘ方向の光軸調整を容易かつ高精
度の行うことができる。しかも、ウェハに入射するレー
ザ光の角度の調整としてはコンペンセータ１７ｂを介し
てレーザ光１３の傾きを調整することにより行なうこと
ができ、信号強度を最大に維持することができる。
４を設置した後、各プレーンパラレル１６ｃ，１６ｄを
回転することにより、アライメントマーク中心に対する
レーザ光１３のｙ及びｘ方向の光軸調整を容易かつ高精
度の行うことができる。しかも、ウェハに入射するレー
ザ光の角度の調整としてはコンペンセータ１７ｂを介し
てレーザ光１３の傾きを調整することにより行なうこと
ができ、信号強度を最大に維持することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明は上記のような構成であるので、
音響光学変調素子の後段に設置された光学素子によって
レーザ光を左右、上下に平行にシフトするとともに、レ
ーザ光の傾きを調整することにより、最大強度のレーザ
光の光軸がずれてしまうことを防止しつつ、レーザ光の
中心とレンズの中心等とを容易かつ高精度に位置合わせ
することができる。
音響光学変調素子の後段に設置された光学素子によって
レーザ光を左右、上下に平行にシフトするとともに、レ
ーザ光の傾きを調整することにより、最大強度のレーザ
光の光軸がずれてしまうことを防止しつつ、レーザ光の
中心とレンズの中心等とを容易かつ高精度に位置合わせ
することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略平面図。
【図２】従来例の一部を拡大して示す縦断面図。
【図３】同じく、図１相当図。
１ アライメント光学系 １４ 音響光学変調素子（ＡＯＭ） １６ａ，１６ｂ 第１の光学素子（プレーンパラレル） １６ｃ，１６ｄ 第３の光学素子（プレーンパラレル） １７ａ 第２の光学素子（コンペンセータ） １６ｂ 第４の光学素子（コンペンセータ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芳 野 寿 和 東京都板橋区蓮沼町75の１ 株式会社ト プコン内 (56)参考文献 特開 昭59−132126（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−43719（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−61802（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 9/00
Claims (2)
- 【請求項１】マスク及び半導体ウエハに夫々設けられた
アライメントマークに対してレーザ光を照射して、前記
マスクと前記半導体ウエハとの位置合わせ及びギャップ
の検出を行うアライメント光学系を備え、Ｘ線や光を利
用してマスクに描かれたマスクパターンを半導体ウエハ
上に転写する露光装置において、前記アライメント光学
系に備えられている音響光学変調素子の前段に、前記音
響光学変調素子に入射すべきレーザ光を上下および左右
に平行にシフトする第１の光学素子と、前記音響光学変
調素子に入射すべきレーザ光の傾きを変更する第２の光
学素子とを配置するとともに、前記音響光学変調素子の
後段に、前記音響光学変調素子から出射した一次光を上
下および左右に平行にシフトする第３の光学素子と、前
記音響光学変調素子から出射した一次光の傾きを変更す
る第４の光学素子とを配置したことを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】前記第３の光学素子がプレーンパラレルで
あり、前記第４の光学素子がコンペンセータであること
を特徴とする、請求項１に記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03171438A JP3080694B2 (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03171438A JP3080694B2 (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521321A JPH0521321A (ja) | 1993-01-29 |
| JP3080694B2 true JP3080694B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=15923128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03171438A Expired - Fee Related JP3080694B2 (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3080694B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11389241B2 (en) | 2019-01-15 | 2022-07-19 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Alignment method and tools |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP03171438A patent/JP3080694B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521321A (ja) | 1993-01-29 |
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