JPH0442601B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0442601B2
JPH0442601B2 JP56211130A JP21113081A JPH0442601B2 JP H0442601 B2 JPH0442601 B2 JP H0442601B2 JP 56211130 A JP56211130 A JP 56211130A JP 21113081 A JP21113081 A JP 21113081A JP H0442601 B2 JPH0442601 B2 JP H0442601B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
objective lens
optical system
light
wafer
condensing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP56211130A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58113706A (ja
Inventor
Makoto Uehara
Takeshi Sudo
Fujio Kanetani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nippon Kogaku KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Kogaku KK filed Critical Nippon Kogaku KK
Priority to JP56211130A priority Critical patent/JPS58113706A/ja
Priority to US06/419,514 priority patent/US4558949A/en
Publication of JPS58113706A publication Critical patent/JPS58113706A/ja
Publication of JPH0442601B2 publication Critical patent/JPH0442601B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7034Leveling

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は対物レンズの光軸に対してウエハ面や
被検物体面を垂直位置に正確に設置するための基
準位置検出装置特に水平位置検出装置に関する。
一般に、集積回路製造用の縮小投影型露光装置
には大きな開口数(N.A.)を有する投影対物レ
ンズが用いられているため、許容焦点範囲が非常
に小さい。このため、ウエハの露光領域を投影対
物レンズの光軸に対して正確な垂直位置に維持し
ない限り、露光領域全体にわたつて鮮明なパター
ンの露光を行なうことができない。ウエハ全体は
別途に設けられたオートフオーカス機構によりウ
エハ面上3点の検出によつて対物レンズの光軸に
対してほぼ垂直に位置合せされ得るが、ウエハの
大型化やシリコンに換わるガリウム、ヒ素等の新
材料ではウエハ自体の平面性が不安定になるため
ウエハの部分的な垂直位置検出が必要になる。そ
して、各回の露光と化学処理によりさらにウエハ
の変形が増大されるため、露光領域の正確な水平
検出が不可欠となつてきている。
本発明の目的は、投影対物レンズによりレチク
ル上のパターンが投影露光されるウエハ面が、投
影対物レンズの光軸に対して正確な垂直位置に配
置されているか否かを、非接触で精度良く検出す
ることのできる投影型露光装置用の水平位置検出
装置を提供することにある。
本発明による水平位置検出装置は、レチクル上
のパターンをウエハ面上に所定の倍率で投影露光
するための投影対物レンズと、該投影対物レンズ
の光軸外から前記ウエハ面上の前記レチクルパタ
ーンの像形成位置へ平行光束を供給する照射光学
系と、該照射光学系から供給され前記ウエハ面上
で反射される光束を集光するための集光対物レン
ズを有する集光光学系と、該集光対物レンズによ
る集光光の位置を検出するための検出手段とを設
けたものである。そして、照射光学系と集光光学
系との両光軸が投影対物レンズの光軸に関して対
称になるように配置し、照射光学系によるウエハ
面上への平行光束の照射領域を、前記投影対物レ
ンズによつてレチクル上のパターンが所定の倍率
で投影露光されるウエハ面上の露光領域とほぼ同
じ大きさとしたものである。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。第
1図は本発明を縮小投影型露光装置に適用した第
1実施例の概略光路図である。投影対物レンズ1
に関してレテイクル2とウエハ3とが共役に維持
され、図示なき照明光学系によつて照明されたレ
テイクル2上のパターンがウエハ3上に縮小投影
される。このようなウエハの焼付露光はステツ
プ・アンド・リピートと呼ばれるようにウエハを
所定量だけ移動させて繰り返され、異なるパター
ンを有するレテイクルに交換するごとに同様の操
作が繰り返される。照射光学系10は光源11、
コンデンサーレンズ12、微小円形開口を有する
絞り13、照射対物レンズ14からなり、コンデ
ンサーレンズ12は光源11の像を絞り13上に
形成し、絞り13上に焦点を有する照射対物レン
ズ14により平行光束がウエハ3上に供給され
る。照射光学系10から供給する光はウエハ3上
のレジストを感光させないために、露光光と異な
る波長の光である。また集光光学系20は受光対
物レンズ21と4分割受光素子22とからなり、
照射光学系10から供給されウエハ3で反射され
た光束は集光対物レンズ21により集光対物レン
ズ21の焦点位置に設けられた4分割受光素子2
2上に集光される。ここで、投影対物レンズ1の
光軸1aに関して、照射光学系10の光軸10a
と集光光学系20の光軸20aとは対称である。
従つて、投影対物レンズの光軸1aに対してウエ
ハ3の露光領域が垂直を保つているならば、照射
光学系10からの光束は4分割受光素子22の中
心位置に集光される。またウエハ3の露光領域が
垂直からθだけ傾いているならば、ウエハ3で反
射される照射光学系10からの平行光束は集光光
学系の光軸20aに対して2θ傾くため、4分割受
光素子22上で中心から外れた位置に集光され
る。4分割受光素子22上での集光点の位置から
ウエハ3の露光領域の傾き方向が検出され、制御
手段31は4分割受光素子上の集光点の変位方向
及び量に対応する制御信号を発生し、駆動手段3
2により支持装置33を移動させて、ウエハ3が
載置されたステージ34がウエハ3の露光領域表
面の傾きを補正するように移動される。
このような構成によれば、照射光学系10によ
つて照射される範囲のウエハ面について部分的な
傾き検出がなされ、ウエハ3上への照射領域を投
影対物レンズ1による露光領域とほぼ同じ大きさ
とすることによつて、露光領域を投影対物レンズ
1の光軸1aに対して平均的に正確な垂直位置
を、自動的に設定することができる。
本発明による第2実施例は第2図に示すごと
く、集光光学系20に円形開口を有する絞り23
とコンデンサーレンズ24とを追加したものであ
り、他の構成は第1図に示した第1実施例と同様
である。このため、図では制御手段、駆動手段、
支持装置等を省略した。照射光学系10から供給
されウエハ3で反射された平行光束は、集光対物
レンズ21によりその焦点位置に配置された絞り
23上に集光され、コンデンサーレンズ24に関
してこの絞り23と共役な位置に配置された4分
割受光素子22上でウエハ3の照射領域の傾きに
対応した変位位置に集光される。一般にウエハ3
上に形成される所定の回路パターンには微細な矩
形パターンがある程度の規則性を持つて形成され
ているため照射光束の直接反射光に加えて回折光
が発生するが、本実施例においては、絞り23に
より回折光が除去されるため受光素子22でのノ
イズの発生が少なくより正確な検出を行なうこと
ができる。
本発明による第3実施例は第3図に示すごとく
前述した第1実施例の構成に、焦点検出装置を組
合せたものである。図中制御手段31駆動手段3
2、ステージ34は省略され前記と同様の機能を
有する部材には同一の番号を符した。照射光学系
10と集光光学系20とは第1実施例と同一であ
るが、照射光学系10中の照射対物レンズ14と
絞り13との間に第1ダイクロイツクミラー41
が斜設され、集光光学系20中の受光対物レンズ
21と4分割受光素子22との間に第2ダイクロ
イツクミラー41′が斜設されている。第2の光
源42は照射光学系10中の光源11とは異なる
光を発生し、この光は投影対物レンズ1によつて
ウエハ3を焼付露光するための光とも異なる第3
の光である。第2の光源42からの光束はコンデ
ンサーレンズ43により線状開口を有する絞り4
4上に集光され、コリメーターレンズ45により
平行光束となつて第1ダイクロイツクミラーに達
する。第1ダイクロイツクミラー41で反射され
た平行光束は、照射対物レンズ14によりその焦
点位置に集光されウエハ3で反射された後集光対
物レンズ21に入射する。集光対物レンズ14を
通り第2ダイクロイツクミラー42で反射された
光束はコンデンサーレンズ46、、振動ミラー4
7を介して線状開口を有する絞り48の後方に隣
接する第2の受光素子49上に集光される。ここ
で、ウエハ3が照射対物レンズ14及び集光対物
レンズ21との両者の焦点位置に合致している場
合には、集光対物レンズ21を射出する光束は平
行光束となり線状開口を有する絞り48上に絞り
44の線状開口像が形成される。振動ミラー47
は絞り44及び48の線状開口に直角な方向で光
束を振動させる機能を有する。絞り44の像はコ
リメーターレンズ45及び照射対物レンズ14に
よりウエハ面上に投影され、またウエハ面は集光
対物レンズ21とコンデンサーレンズ46とに関
して絞り48と共役になるように配置されるなら
ば、各レンズのパワーは任意であり、コリメータ
ーレンズ45とコンデンサーレンズ46を削除す
ることも可能である。これらの焦点検出機構につ
いては特開昭56−42205号公報等に詳述されてお
り、自動合焦も可能である。第3図では、水平位
置検出用光束を実線で、また焦点検出用の光束を
点線で示した。
尚、自動合焦用の光は水平位置検出用の光と異
なる光を用い、4分割受光素子22と受光素子4
9とは異なる感度特性を有することが望ましく、
これにより両者を同時に機能させても互いの信号
を独立に扱うことができるが、両者を同時に機能
させないならば、同一波長の光であつてもよい。
この場合第1、第2のダイクロイツクミラー4
1,42はそれぞれ半透過境等のビームスプリツ
ターを用いればよい。いずれにしろ、照射対物レ
ンズ14と集光対物レンズ21とがそれぞれ2つ
の機能を有しており、ウエハ3に関して焦点検出
の場合には両対物レンズの間の光束が結像系であ
るのに対し、水平位置検出の場合には平行系であ
ることが特徴である。
このような第3実施例の構成によれば、水平位
置検出用の2つの対物レンズ14と21が焦点検
出用にも共用されるため、2つの検出光学系を簡
単に構成でき、投影対物レンズ1の周囲を複雑化
することがない。特に、集積回路製造用の縮小投
影型露光装置では、ウエハの全体的位置合せの複
数本の顕微境やウエハの自動的移送機構等が投影
対物レンズの周囲に設けられているため、新たな
光学系のための光路を設けることは空間的に大き
な制約を受けるが、本実施例の構成は従来の自動
合焦機構の光学系に組み込むことができ、極めて
有用である。
以上のごとく、本発明によれば、縮小投影対物
レンズによるウエハの露光領域など、対物レンズ
と所定の共役関係を持つ部分領域を対物レンズの
光軸に対して正確な垂直位置に設定されているこ
とを非接触で容易に検出することができる。そし
て平行光束が照射される部分領域に微小な凹凸が
あつてもこの部分領域の平均的平面が対物レンズ
光軸に対して垂直に配置できるため、対物レンズ
の許容焦点範囲が非常に挾い場合にもこの部分領
域全体にわたつて最良の像を得ることができる。
尚、本発明は実施例に示した縮小投影型露光装置
に限らず、顕微鏡にも用いることができることは
いうまでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図はそれぞれ本発明によ
る第1、第2、第3実施例の構成を示す概略光路
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1…投影対物レン
ズ、2…レテイクル、3…ウエハ、10…照射光
学系、11…光源、20…集光光学系。22…4
分割受光素子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 レチクル上のパターンをウエハ面上に所定の
    倍率で投影露光するための投影対物レンズと、該
    投影対物レンズの光軸外から前記ウエハ面上の前
    記レチクルパターンの像形成位置へ平行光束を供
    給する照射光学系と、該照射光学系から供給され
    前記ウエハ面上で反射される光束を集光するため
    の集光対物レンズを有する集光光学系と、該集光
    対物レンズによる集光光の位置を検出するための
    検出手段とを設け、前記照射光学系と前記集光光
    学系との両光軸が前記投影対物レンズの光軸に関
    して対称になるように配置し、前記照射光学系に
    よる前記ウエハ面上への平行光束の照射領域は、
    前記投影対物レンズによつて前記レチクル上のパ
    ターンが所定の倍率で投影露光される前記ウエハ
    面上の露光領域とほぼ同じ大きさであることを特
    徴とする水平位置検出装置。
JP56211130A 1981-12-26 1981-12-26 水平位置検出装置 Granted JPS58113706A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56211130A JPS58113706A (ja) 1981-12-26 1981-12-26 水平位置検出装置
US06/419,514 US4558949A (en) 1981-12-26 1982-09-17 Horizontal position detecting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56211130A JPS58113706A (ja) 1981-12-26 1981-12-26 水平位置検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58113706A JPS58113706A (ja) 1983-07-06
JPH0442601B2 true JPH0442601B2 (ja) 1992-07-14

Family

ID=16600877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56211130A Granted JPS58113706A (ja) 1981-12-26 1981-12-26 水平位置検出装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4558949A (ja)
JP (1) JPS58113706A (ja)

Families Citing this family (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4708484A (en) * 1984-10-24 1987-11-24 Hitachi, Ltd. Projection alignment method and apparatus
US4936676A (en) * 1984-11-28 1990-06-26 Honeywell Inc. Surface position sensor
WO1989000675A1 (en) * 1985-08-16 1989-01-26 Grumman Aerospace Corporation Hole centration gage
US4690563A (en) * 1985-08-16 1987-09-01 Grumman Aerospace Corporation Hole centration gage
JPH0727857B2 (ja) * 1985-09-09 1995-03-29 株式会社ニコン 投影光学装置
JPH0721586B2 (ja) * 1985-09-30 1995-03-08 株式会社ニコン 像形成光学装置
US5162642A (en) * 1985-11-18 1992-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Device for detecting the position of a surface
US4810077A (en) * 1986-02-13 1989-03-07 Spectra-Tech, Inc. Grazing angle microscope
JPH0658410B2 (ja) * 1986-05-23 1994-08-03 株式会社ニコン ステ−ジ装置
US4796997A (en) * 1986-05-27 1989-01-10 Synthetic Vision Systems, Inc. Method and system for high-speed, 3-D imaging of an object at a vision station
US4814829A (en) * 1986-06-12 1989-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPS63255916A (ja) * 1987-04-13 1988-10-24 Nikon Corp 投影光学装置
JPH07107481B2 (ja) * 1987-05-21 1995-11-15 アンリツ株式会社 変位測定装置
JP2580651B2 (ja) * 1987-12-18 1997-02-12 株式会社ニコン 投影露光装置及び露光方法
US4902900A (en) * 1987-12-21 1990-02-20 Nikon Corporation Device for detecting the levelling of the surface of an object
US4886958A (en) * 1988-03-25 1989-12-12 Texas Instruments Incorporated Autofocus system for scanning laser inspector or writer
US4952815A (en) * 1988-04-14 1990-08-28 Nikon Corporation Focusing device for projection exposure apparatus
US5218415A (en) * 1988-05-31 1993-06-08 Canon Kabushiki Kaisha Device for optically detecting inclination of a surface
JPH0210250A (ja) * 1988-06-29 1990-01-16 Kanto Auto Works Ltd 塗装面の欠陥検査装置用姿勢制御方法及び装置
JPH0228312A (ja) * 1988-07-18 1990-01-30 Nikon Corp 露光装置
JP2679186B2 (ja) * 1988-12-05 1997-11-19 株式会社ニコン 露光装置
US5124562A (en) * 1989-01-27 1992-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Surface position detecting method at a predetermined and plurality of adjacent points
US6094268A (en) * 1989-04-21 2000-07-25 Hitachi, Ltd. Projection exposure apparatus and projection exposure method
US5101226A (en) * 1990-10-22 1992-03-31 General Signal Corporation Distance and tilt sensing apparatus
JP3158446B2 (ja) * 1990-12-13 2001-04-23 株式会社ニコン 表面位置検出装置及び表面位置検出方法、並びに露光装置、露光方法及び半導体製造方法
JP2830492B2 (ja) * 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
US5424552A (en) * 1991-07-09 1995-06-13 Nikon Corporation Projection exposing apparatus
US6078380A (en) * 1991-10-08 2000-06-20 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure
US5216235A (en) * 1992-04-24 1993-06-01 Amray, Inc. Opto-mechanical automatic focusing system and method
JP3384038B2 (ja) * 1992-06-15 2003-03-10 株式会社ニコン 面位置検出光学装置
JP3275368B2 (ja) * 1992-07-09 2002-04-15 株式会社ニコン 露光方法及び装置
DE69324532T2 (de) * 1992-07-15 1999-09-23 Nikon Corp Lichtquelle für ein Heterodyninterferometer
US5521036A (en) * 1992-07-27 1996-05-28 Nikon Corporation Positioning method and apparatus
DE69329611T2 (de) * 1992-08-19 2001-05-03 Canon Kk Verfahren zur Registrierung mittels eines projizierenden optischen System, Belichtungsapparat zu dessen Durchführung und sowie Halbleiter-Herstellungsverfahren das diesen Belichtungsapparat verwendet
US5559582A (en) * 1992-08-28 1996-09-24 Nikon Corporation Exposure apparatus
US6404482B1 (en) 1992-10-01 2002-06-11 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
US5510892A (en) * 1992-11-25 1996-04-23 Nikon Corporation Inclination detecting apparatus and method
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JP3265668B2 (ja) * 1993-01-13 2002-03-11 株式会社ニコン ベストフォーカス位置の算出方法
JP3271348B2 (ja) * 1993-01-14 2002-04-02 株式会社ニコン レベリング合わせ面計測方法及び露光装置
JP3291818B2 (ja) * 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
US5461237A (en) * 1993-03-26 1995-10-24 Nikon Corporation Surface-position setting apparatus
JP3301153B2 (ja) * 1993-04-06 2002-07-15 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法、及び素子製造方法
US6753948B2 (en) 1993-04-27 2004-06-22 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
US5581324A (en) * 1993-06-10 1996-12-03 Nikon Corporation Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors
US5654553A (en) * 1993-06-10 1997-08-05 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an alignment sensor for aligning a mask image with a substrate
US5602399A (en) * 1993-06-23 1997-02-11 Nikon Corporation Surface position detecting apparatus and method
US5635722A (en) * 1993-07-01 1997-06-03 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus capable of performing focus detection with high accuracy
USRE37359E1 (en) * 1993-07-01 2001-09-11 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus capable of performing focus detection with high accuracy
JPH0784357A (ja) * 1993-09-14 1995-03-31 Nikon Corp 露光マスクおよび投影露光方法
JP3395280B2 (ja) * 1993-09-21 2003-04-07 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
US6122036A (en) * 1993-10-21 2000-09-19 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
JPH07128035A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Nikon Corp 水平位置検出装置
JP3453818B2 (ja) * 1993-11-08 2003-10-06 株式会社ニコン 基板の高さ位置検出装置及び方法
KR100363922B1 (ko) * 1993-12-06 2003-08-21 가부시키가이샤 니콘 노광장치및노광방법
JP3401769B2 (ja) * 1993-12-28 2003-04-28 株式会社ニコン 露光方法、ステージ装置、及び露光装置
US6271916B1 (en) * 1994-03-24 2001-08-07 Kla-Tencor Corporation Process and assembly for non-destructive surface inspections
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH08145645A (ja) * 1994-11-28 1996-06-07 Nikon Corp 傾き検出装置
JP3572430B2 (ja) * 1994-11-29 2004-10-06 株式会社ニコン 露光方法及びその装置
JP3634068B2 (ja) 1995-07-13 2005-03-30 株式会社ニコン 露光方法及び装置
JP3376179B2 (ja) * 1995-08-03 2003-02-10 キヤノン株式会社 面位置検出方法
JPH09138117A (ja) * 1995-11-14 1997-05-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 光学測定装置
JP3689949B2 (ja) * 1995-12-19 2005-08-31 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該投影露光装置を用いたパターン形成方法
US5770337A (en) * 1996-03-22 1998-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of inspection to determine reticle pitch
JPH1038513A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Nikon Corp 表面高さ計測装置及び、これを用いた露光装置
KR19980019031A (ko) 1996-08-27 1998-06-05 고노 시게오 스테이지 장치(a stage apparatus)
US5917580A (en) * 1996-08-29 1999-06-29 Canon Kabushiki Kaisha Scan exposure method and apparatus
JPH10112433A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Nikon Corp 除振装置及び露光装置
US6166808A (en) * 1996-12-24 2000-12-26 U.S. Philips Corporation Optical height meter, surface-inspection device provided with such a height meter, and lithographic apparatus provided with the inspection device
US20040057045A1 (en) * 2000-12-21 2004-03-25 Mehdi Vaez-Iravani Sample inspection system
US6201601B1 (en) 1997-09-19 2001-03-13 Kla-Tencor Corporation Sample inspection system
US6956644B2 (en) * 1997-09-19 2005-10-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Systems and methods for a wafer inspection system using multiple angles and multiple wavelength illumination
EP0950881A3 (de) * 1998-04-17 2000-08-16 NanoPhotonics AG Verfahren und Vorrichtung zur automatischen relativen Justierung von Proben bezüglich eines Ellipsometers
US20050134841A1 (en) * 1998-09-18 2005-06-23 Mehdi Vacz-Iravani Sample inspection system
JP4434372B2 (ja) * 1999-09-09 2010-03-17 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
US6621089B1 (en) * 1999-10-19 2003-09-16 Nikon Corporation Reticle-focus detector, and charged-particle-beam microlithography apparatus and methods comprising same
US6768124B2 (en) * 1999-10-19 2004-07-27 Nikon Corporation Reticle-focus detector, and charged-particle-beam microlithography apparatus and methods comprising same
JP2001144168A (ja) 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 静電チャック、それを有する荷電粒子線露光装置、ウエハ保持方法及びそれを用いたデバイス製造方法
US7505134B1 (en) * 2001-01-16 2009-03-17 J.A. Woollam Co., Inc Automated ellipsometer and the like systems
WO2002075246A1 (fr) * 2001-03-16 2002-09-26 Hitachi, Ltd. Procede de mesure des dimensions d'un motif
US7136172B1 (en) * 2002-01-15 2006-11-14 J.A. Woollam Co., Inc. System and method for setting and compensating errors in AOI and POI of a beam of EM radiation
DE10239858B4 (de) * 2002-08-29 2005-08-11 Infineon Technologies Ag Verfahren und Anordnung zur Kompensation von Unebenheiten in der Oberfläche eines Substrates
EP1439428A3 (en) * 2003-01-14 2009-05-13 ASML Netherlands B.V. Level sensor for lithographic apparatus
TWI237744B (en) * 2003-01-14 2005-08-11 Asml Netherlands Bv Level sensor for lithographic apparatus
US6781103B1 (en) * 2003-04-02 2004-08-24 Candela Instruments Method of automatically focusing an optical beam on transparent or reflective thin film wafers or disks
WO2008051211A1 (en) * 2006-10-23 2008-05-02 J.A. Woollam Co., Inc. System and method for setting and compensating errors in aoi and poi of a beam of em radiation
US8638437B2 (en) 2008-02-14 2014-01-28 J.A. Woollam Co., Inc. System and method of aligning a sample
US8064055B2 (en) * 2008-02-14 2011-11-22 J.A. Woollam Co., Inc. System and method of aligning a sample
US8983787B1 (en) 2008-12-12 2015-03-17 Martin M. Liphardt Method of evaluating data quality
JP5728822B2 (ja) 2010-04-22 2015-06-03 信越化学工業株式会社 近赤外光吸収膜形成材料及び積層膜
JP5782797B2 (ja) 2010-11-12 2015-09-24 信越化学工業株式会社 近赤外光吸収色素化合物、近赤外光吸収膜形成材料、及びこれにより形成される近赤外光吸収膜
US8722307B2 (en) 2011-05-27 2014-05-13 International Business Machines Corporation Near-infrared absorptive layer-forming composition and multilayer film comprising near-infrared absorptive layer
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
CN103365099B (zh) * 2012-03-31 2015-02-11 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平信号处理方法
CN103389623B (zh) * 2012-05-11 2015-03-25 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平装置
US9772564B2 (en) 2012-11-12 2017-09-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
CN102997869A (zh) * 2012-12-24 2013-03-27 南京东利来光电实业有限责任公司 光纤端面垂直度检查仪及检查方法
CN104133345B (zh) * 2013-05-03 2016-12-07 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平装置及方法
CN105700297B (zh) * 2014-11-27 2018-01-26 上海微电子装备(集团)股份有限公司 振幅监测系统、调焦调平装置及离焦量探测方法
CN105807570B (zh) 2014-12-31 2018-03-02 上海微电子装备(集团)股份有限公司 自适应沟槽的调焦调平装置及其方法
NL2017892A (en) * 2015-12-22 2017-06-28 Asml Netherlands Bv Topography measurement system
CN106933044B (zh) * 2015-12-30 2019-03-12 上海微电子装备(集团)股份有限公司 调焦调平的离焦倾斜补偿装置与方法
CN106997152B (zh) * 2016-01-26 2019-11-26 上海微电子装备(集团)股份有限公司 扫描反射镜监测系统及方法、调焦调平系统
CN107450287B (zh) * 2016-05-31 2019-10-25 上海微电子装备(集团)股份有限公司 调焦调平测量装置及方法
CN107664922B (zh) 2016-07-29 2019-09-17 上海微电子装备(集团)股份有限公司 扫描反射镜振幅测量装置及测量方法
CN108121179A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种调焦调平装置
CN109426093B (zh) * 2017-08-31 2020-12-11 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种调焦调平检测装置
CN111272153A (zh) * 2020-03-03 2020-06-12 中国科学院光电技术研究所 一种被动调平结构的检平装置与方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49120787A (ja) * 1973-03-24 1974-11-19
JPS55124002A (en) * 1979-03-17 1980-09-24 Tokyo Optical Co Ltd Optical position detector

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3541338A (en) * 1967-01-12 1970-11-17 Ibm Positioning system
US3645623A (en) * 1970-09-25 1972-02-29 Raymond A Patten Apparatus for monitoring film thickness by reflecting a light beam from the film surface
US3880524A (en) * 1973-06-25 1975-04-29 Ibm Automatic ellipsometer
NL186353C (nl) * 1979-06-12 1990-11-01 Philips Nv Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat voorzien van een opto-elektronisch detektiestelsel voor het bepalen van een afwijking tussen het beeldvlak van een projektielenzenstelsel en het substraatvlak.
FR2504281A1 (fr) * 1981-04-16 1982-10-22 Euromask Appareil de projection a dispositif de mise au point
JPS57197402A (en) * 1981-05-29 1982-12-03 Nec Home Electronics Ltd Position detector

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49120787A (ja) * 1973-03-24 1974-11-19
JPS55124002A (en) * 1979-03-17 1980-09-24 Tokyo Optical Co Ltd Optical position detector

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58113706A (ja) 1983-07-06
US4558949A (en) 1985-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0442601B2 (ja)
JP2924344B2 (ja) 投影露光装置
EP0867775B1 (en) Proximity exposure device with distance adjustment device
US4902900A (en) Device for detecting the levelling of the surface of an object
US5721605A (en) Alignment device and method with focus detection system
JP2890943B2 (ja) 位置検出方法及びそれを用いた位置検出装置
JPH1022213A (ja) 位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3428705B2 (ja) 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JPH07106243A (ja) 水平位置検出装置
JPH05226217A (ja) 投影型露光装置
JPH08213306A (ja) 位置検出装置及び該装置を備えた投影露光装置
JP2556074B2 (ja) 投影露光装置、投影露光方法及び水平位置検出装置
JPH0210361B2 (ja)
JPH0744138B2 (ja) 位置合わせ装置
US4660966A (en) Optical alignment apparatus
JP3381740B2 (ja) 露光方法及び投影露光装置
JP3448663B2 (ja) 投影露光装置
JP2730089B2 (ja) 投影露光装置及び方法
JPH10172900A (ja) 露光装置
JPH0934134A (ja) アライメント装置
JPH07142346A (ja) 投影露光装置
JP2897085B2 (ja) 水平位置検出装置及びそれを備えた露光装置
JPH0677096B2 (ja) 投影装置の焦点合せ装置
JP3158538B2 (ja) 基板表面の光学的検査装置及び方法
JP2569713B2 (ja) 投影露光装置