JPH0442601B2 - - Google Patents
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- JPH0442601B2 JPH0442601B2 JP56211130A JP21113081A JPH0442601B2 JP H0442601 B2 JPH0442601 B2 JP H0442601B2 JP 56211130 A JP56211130 A JP 56211130A JP 21113081 A JP21113081 A JP 21113081A JP H0442601 B2 JPH0442601 B2 JP H0442601B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- objective lens
- optical system
- light
- wafer
- condensing
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 18
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7034—Leveling
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は対物レンズの光軸に対してウエハ面や
被検物体面を垂直位置に正確に設置するための基
準位置検出装置特に水平位置検出装置に関する。
被検物体面を垂直位置に正確に設置するための基
準位置検出装置特に水平位置検出装置に関する。
一般に、集積回路製造用の縮小投影型露光装置
には大きな開口数(N.A.)を有する投影対物レ
ンズが用いられているため、許容焦点範囲が非常
に小さい。このため、ウエハの露光領域を投影対
物レンズの光軸に対して正確な垂直位置に維持し
ない限り、露光領域全体にわたつて鮮明なパター
ンの露光を行なうことができない。ウエハ全体は
別途に設けられたオートフオーカス機構によりウ
エハ面上3点の検出によつて対物レンズの光軸に
対してほぼ垂直に位置合せされ得るが、ウエハの
大型化やシリコンに換わるガリウム、ヒ素等の新
材料ではウエハ自体の平面性が不安定になるため
ウエハの部分的な垂直位置検出が必要になる。そ
して、各回の露光と化学処理によりさらにウエハ
の変形が増大されるため、露光領域の正確な水平
検出が不可欠となつてきている。
には大きな開口数(N.A.)を有する投影対物レ
ンズが用いられているため、許容焦点範囲が非常
に小さい。このため、ウエハの露光領域を投影対
物レンズの光軸に対して正確な垂直位置に維持し
ない限り、露光領域全体にわたつて鮮明なパター
ンの露光を行なうことができない。ウエハ全体は
別途に設けられたオートフオーカス機構によりウ
エハ面上3点の検出によつて対物レンズの光軸に
対してほぼ垂直に位置合せされ得るが、ウエハの
大型化やシリコンに換わるガリウム、ヒ素等の新
材料ではウエハ自体の平面性が不安定になるため
ウエハの部分的な垂直位置検出が必要になる。そ
して、各回の露光と化学処理によりさらにウエハ
の変形が増大されるため、露光領域の正確な水平
検出が不可欠となつてきている。
本発明の目的は、投影対物レンズによりレチク
ル上のパターンが投影露光されるウエハ面が、投
影対物レンズの光軸に対して正確な垂直位置に配
置されているか否かを、非接触で精度良く検出す
ることのできる投影型露光装置用の水平位置検出
装置を提供することにある。
ル上のパターンが投影露光されるウエハ面が、投
影対物レンズの光軸に対して正確な垂直位置に配
置されているか否かを、非接触で精度良く検出す
ることのできる投影型露光装置用の水平位置検出
装置を提供することにある。
本発明による水平位置検出装置は、レチクル上
のパターンをウエハ面上に所定の倍率で投影露光
するための投影対物レンズと、該投影対物レンズ
の光軸外から前記ウエハ面上の前記レチクルパタ
ーンの像形成位置へ平行光束を供給する照射光学
系と、該照射光学系から供給され前記ウエハ面上
で反射される光束を集光するための集光対物レン
ズを有する集光光学系と、該集光対物レンズによ
る集光光の位置を検出するための検出手段とを設
けたものである。そして、照射光学系と集光光学
系との両光軸が投影対物レンズの光軸に関して対
称になるように配置し、照射光学系によるウエハ
面上への平行光束の照射領域を、前記投影対物レ
ンズによつてレチクル上のパターンが所定の倍率
で投影露光されるウエハ面上の露光領域とほぼ同
じ大きさとしたものである。
のパターンをウエハ面上に所定の倍率で投影露光
するための投影対物レンズと、該投影対物レンズ
の光軸外から前記ウエハ面上の前記レチクルパタ
ーンの像形成位置へ平行光束を供給する照射光学
系と、該照射光学系から供給され前記ウエハ面上
で反射される光束を集光するための集光対物レン
ズを有する集光光学系と、該集光対物レンズによ
る集光光の位置を検出するための検出手段とを設
けたものである。そして、照射光学系と集光光学
系との両光軸が投影対物レンズの光軸に関して対
称になるように配置し、照射光学系によるウエハ
面上への平行光束の照射領域を、前記投影対物レ
ンズによつてレチクル上のパターンが所定の倍率
で投影露光されるウエハ面上の露光領域とほぼ同
じ大きさとしたものである。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。第
1図は本発明を縮小投影型露光装置に適用した第
1実施例の概略光路図である。投影対物レンズ1
に関してレテイクル2とウエハ3とが共役に維持
され、図示なき照明光学系によつて照明されたレ
テイクル2上のパターンがウエハ3上に縮小投影
される。このようなウエハの焼付露光はステツ
プ・アンド・リピートと呼ばれるようにウエハを
所定量だけ移動させて繰り返され、異なるパター
ンを有するレテイクルに交換するごとに同様の操
作が繰り返される。照射光学系10は光源11、
コンデンサーレンズ12、微小円形開口を有する
絞り13、照射対物レンズ14からなり、コンデ
ンサーレンズ12は光源11の像を絞り13上に
形成し、絞り13上に焦点を有する照射対物レン
ズ14により平行光束がウエハ3上に供給され
る。照射光学系10から供給する光はウエハ3上
のレジストを感光させないために、露光光と異な
る波長の光である。また集光光学系20は受光対
物レンズ21と4分割受光素子22とからなり、
照射光学系10から供給されウエハ3で反射され
た光束は集光対物レンズ21により集光対物レン
ズ21の焦点位置に設けられた4分割受光素子2
2上に集光される。ここで、投影対物レンズ1の
光軸1aに関して、照射光学系10の光軸10a
と集光光学系20の光軸20aとは対称である。
従つて、投影対物レンズの光軸1aに対してウエ
ハ3の露光領域が垂直を保つているならば、照射
光学系10からの光束は4分割受光素子22の中
心位置に集光される。またウエハ3の露光領域が
垂直からθだけ傾いているならば、ウエハ3で反
射される照射光学系10からの平行光束は集光光
学系の光軸20aに対して2θ傾くため、4分割受
光素子22上で中心から外れた位置に集光され
る。4分割受光素子22上での集光点の位置から
ウエハ3の露光領域の傾き方向が検出され、制御
手段31は4分割受光素子上の集光点の変位方向
及び量に対応する制御信号を発生し、駆動手段3
2により支持装置33を移動させて、ウエハ3が
載置されたステージ34がウエハ3の露光領域表
面の傾きを補正するように移動される。
1図は本発明を縮小投影型露光装置に適用した第
1実施例の概略光路図である。投影対物レンズ1
に関してレテイクル2とウエハ3とが共役に維持
され、図示なき照明光学系によつて照明されたレ
テイクル2上のパターンがウエハ3上に縮小投影
される。このようなウエハの焼付露光はステツ
プ・アンド・リピートと呼ばれるようにウエハを
所定量だけ移動させて繰り返され、異なるパター
ンを有するレテイクルに交換するごとに同様の操
作が繰り返される。照射光学系10は光源11、
コンデンサーレンズ12、微小円形開口を有する
絞り13、照射対物レンズ14からなり、コンデ
ンサーレンズ12は光源11の像を絞り13上に
形成し、絞り13上に焦点を有する照射対物レン
ズ14により平行光束がウエハ3上に供給され
る。照射光学系10から供給する光はウエハ3上
のレジストを感光させないために、露光光と異な
る波長の光である。また集光光学系20は受光対
物レンズ21と4分割受光素子22とからなり、
照射光学系10から供給されウエハ3で反射され
た光束は集光対物レンズ21により集光対物レン
ズ21の焦点位置に設けられた4分割受光素子2
2上に集光される。ここで、投影対物レンズ1の
光軸1aに関して、照射光学系10の光軸10a
と集光光学系20の光軸20aとは対称である。
従つて、投影対物レンズの光軸1aに対してウエ
ハ3の露光領域が垂直を保つているならば、照射
光学系10からの光束は4分割受光素子22の中
心位置に集光される。またウエハ3の露光領域が
垂直からθだけ傾いているならば、ウエハ3で反
射される照射光学系10からの平行光束は集光光
学系の光軸20aに対して2θ傾くため、4分割受
光素子22上で中心から外れた位置に集光され
る。4分割受光素子22上での集光点の位置から
ウエハ3の露光領域の傾き方向が検出され、制御
手段31は4分割受光素子上の集光点の変位方向
及び量に対応する制御信号を発生し、駆動手段3
2により支持装置33を移動させて、ウエハ3が
載置されたステージ34がウエハ3の露光領域表
面の傾きを補正するように移動される。
このような構成によれば、照射光学系10によ
つて照射される範囲のウエハ面について部分的な
傾き検出がなされ、ウエハ3上への照射領域を投
影対物レンズ1による露光領域とほぼ同じ大きさ
とすることによつて、露光領域を投影対物レンズ
1の光軸1aに対して平均的に正確な垂直位置
を、自動的に設定することができる。
つて照射される範囲のウエハ面について部分的な
傾き検出がなされ、ウエハ3上への照射領域を投
影対物レンズ1による露光領域とほぼ同じ大きさ
とすることによつて、露光領域を投影対物レンズ
1の光軸1aに対して平均的に正確な垂直位置
を、自動的に設定することができる。
本発明による第2実施例は第2図に示すごと
く、集光光学系20に円形開口を有する絞り23
とコンデンサーレンズ24とを追加したものであ
り、他の構成は第1図に示した第1実施例と同様
である。このため、図では制御手段、駆動手段、
支持装置等を省略した。照射光学系10から供給
されウエハ3で反射された平行光束は、集光対物
レンズ21によりその焦点位置に配置された絞り
23上に集光され、コンデンサーレンズ24に関
してこの絞り23と共役な位置に配置された4分
割受光素子22上でウエハ3の照射領域の傾きに
対応した変位位置に集光される。一般にウエハ3
上に形成される所定の回路パターンには微細な矩
形パターンがある程度の規則性を持つて形成され
ているため照射光束の直接反射光に加えて回折光
が発生するが、本実施例においては、絞り23に
より回折光が除去されるため受光素子22でのノ
イズの発生が少なくより正確な検出を行なうこと
ができる。
く、集光光学系20に円形開口を有する絞り23
とコンデンサーレンズ24とを追加したものであ
り、他の構成は第1図に示した第1実施例と同様
である。このため、図では制御手段、駆動手段、
支持装置等を省略した。照射光学系10から供給
されウエハ3で反射された平行光束は、集光対物
レンズ21によりその焦点位置に配置された絞り
23上に集光され、コンデンサーレンズ24に関
してこの絞り23と共役な位置に配置された4分
割受光素子22上でウエハ3の照射領域の傾きに
対応した変位位置に集光される。一般にウエハ3
上に形成される所定の回路パターンには微細な矩
形パターンがある程度の規則性を持つて形成され
ているため照射光束の直接反射光に加えて回折光
が発生するが、本実施例においては、絞り23に
より回折光が除去されるため受光素子22でのノ
イズの発生が少なくより正確な検出を行なうこと
ができる。
本発明による第3実施例は第3図に示すごとく
前述した第1実施例の構成に、焦点検出装置を組
合せたものである。図中制御手段31駆動手段3
2、ステージ34は省略され前記と同様の機能を
有する部材には同一の番号を符した。照射光学系
10と集光光学系20とは第1実施例と同一であ
るが、照射光学系10中の照射対物レンズ14と
絞り13との間に第1ダイクロイツクミラー41
が斜設され、集光光学系20中の受光対物レンズ
21と4分割受光素子22との間に第2ダイクロ
イツクミラー41′が斜設されている。第2の光
源42は照射光学系10中の光源11とは異なる
光を発生し、この光は投影対物レンズ1によつて
ウエハ3を焼付露光するための光とも異なる第3
の光である。第2の光源42からの光束はコンデ
ンサーレンズ43により線状開口を有する絞り4
4上に集光され、コリメーターレンズ45により
平行光束となつて第1ダイクロイツクミラーに達
する。第1ダイクロイツクミラー41で反射され
た平行光束は、照射対物レンズ14によりその焦
点位置に集光されウエハ3で反射された後集光対
物レンズ21に入射する。集光対物レンズ14を
通り第2ダイクロイツクミラー42で反射された
光束はコンデンサーレンズ46、、振動ミラー4
7を介して線状開口を有する絞り48の後方に隣
接する第2の受光素子49上に集光される。ここ
で、ウエハ3が照射対物レンズ14及び集光対物
レンズ21との両者の焦点位置に合致している場
合には、集光対物レンズ21を射出する光束は平
行光束となり線状開口を有する絞り48上に絞り
44の線状開口像が形成される。振動ミラー47
は絞り44及び48の線状開口に直角な方向で光
束を振動させる機能を有する。絞り44の像はコ
リメーターレンズ45及び照射対物レンズ14に
よりウエハ面上に投影され、またウエハ面は集光
対物レンズ21とコンデンサーレンズ46とに関
して絞り48と共役になるように配置されるなら
ば、各レンズのパワーは任意であり、コリメータ
ーレンズ45とコンデンサーレンズ46を削除す
ることも可能である。これらの焦点検出機構につ
いては特開昭56−42205号公報等に詳述されてお
り、自動合焦も可能である。第3図では、水平位
置検出用光束を実線で、また焦点検出用の光束を
点線で示した。
前述した第1実施例の構成に、焦点検出装置を組
合せたものである。図中制御手段31駆動手段3
2、ステージ34は省略され前記と同様の機能を
有する部材には同一の番号を符した。照射光学系
10と集光光学系20とは第1実施例と同一であ
るが、照射光学系10中の照射対物レンズ14と
絞り13との間に第1ダイクロイツクミラー41
が斜設され、集光光学系20中の受光対物レンズ
21と4分割受光素子22との間に第2ダイクロ
イツクミラー41′が斜設されている。第2の光
源42は照射光学系10中の光源11とは異なる
光を発生し、この光は投影対物レンズ1によつて
ウエハ3を焼付露光するための光とも異なる第3
の光である。第2の光源42からの光束はコンデ
ンサーレンズ43により線状開口を有する絞り4
4上に集光され、コリメーターレンズ45により
平行光束となつて第1ダイクロイツクミラーに達
する。第1ダイクロイツクミラー41で反射され
た平行光束は、照射対物レンズ14によりその焦
点位置に集光されウエハ3で反射された後集光対
物レンズ21に入射する。集光対物レンズ14を
通り第2ダイクロイツクミラー42で反射された
光束はコンデンサーレンズ46、、振動ミラー4
7を介して線状開口を有する絞り48の後方に隣
接する第2の受光素子49上に集光される。ここ
で、ウエハ3が照射対物レンズ14及び集光対物
レンズ21との両者の焦点位置に合致している場
合には、集光対物レンズ21を射出する光束は平
行光束となり線状開口を有する絞り48上に絞り
44の線状開口像が形成される。振動ミラー47
は絞り44及び48の線状開口に直角な方向で光
束を振動させる機能を有する。絞り44の像はコ
リメーターレンズ45及び照射対物レンズ14に
よりウエハ面上に投影され、またウエハ面は集光
対物レンズ21とコンデンサーレンズ46とに関
して絞り48と共役になるように配置されるなら
ば、各レンズのパワーは任意であり、コリメータ
ーレンズ45とコンデンサーレンズ46を削除す
ることも可能である。これらの焦点検出機構につ
いては特開昭56−42205号公報等に詳述されてお
り、自動合焦も可能である。第3図では、水平位
置検出用光束を実線で、また焦点検出用の光束を
点線で示した。
尚、自動合焦用の光は水平位置検出用の光と異
なる光を用い、4分割受光素子22と受光素子4
9とは異なる感度特性を有することが望ましく、
これにより両者を同時に機能させても互いの信号
を独立に扱うことができるが、両者を同時に機能
させないならば、同一波長の光であつてもよい。
この場合第1、第2のダイクロイツクミラー4
1,42はそれぞれ半透過境等のビームスプリツ
ターを用いればよい。いずれにしろ、照射対物レ
ンズ14と集光対物レンズ21とがそれぞれ2つ
の機能を有しており、ウエハ3に関して焦点検出
の場合には両対物レンズの間の光束が結像系であ
るのに対し、水平位置検出の場合には平行系であ
ることが特徴である。
なる光を用い、4分割受光素子22と受光素子4
9とは異なる感度特性を有することが望ましく、
これにより両者を同時に機能させても互いの信号
を独立に扱うことができるが、両者を同時に機能
させないならば、同一波長の光であつてもよい。
この場合第1、第2のダイクロイツクミラー4
1,42はそれぞれ半透過境等のビームスプリツ
ターを用いればよい。いずれにしろ、照射対物レ
ンズ14と集光対物レンズ21とがそれぞれ2つ
の機能を有しており、ウエハ3に関して焦点検出
の場合には両対物レンズの間の光束が結像系であ
るのに対し、水平位置検出の場合には平行系であ
ることが特徴である。
このような第3実施例の構成によれば、水平位
置検出用の2つの対物レンズ14と21が焦点検
出用にも共用されるため、2つの検出光学系を簡
単に構成でき、投影対物レンズ1の周囲を複雑化
することがない。特に、集積回路製造用の縮小投
影型露光装置では、ウエハの全体的位置合せの複
数本の顕微境やウエハの自動的移送機構等が投影
対物レンズの周囲に設けられているため、新たな
光学系のための光路を設けることは空間的に大き
な制約を受けるが、本実施例の構成は従来の自動
合焦機構の光学系に組み込むことができ、極めて
有用である。
置検出用の2つの対物レンズ14と21が焦点検
出用にも共用されるため、2つの検出光学系を簡
単に構成でき、投影対物レンズ1の周囲を複雑化
することがない。特に、集積回路製造用の縮小投
影型露光装置では、ウエハの全体的位置合せの複
数本の顕微境やウエハの自動的移送機構等が投影
対物レンズの周囲に設けられているため、新たな
光学系のための光路を設けることは空間的に大き
な制約を受けるが、本実施例の構成は従来の自動
合焦機構の光学系に組み込むことができ、極めて
有用である。
以上のごとく、本発明によれば、縮小投影対物
レンズによるウエハの露光領域など、対物レンズ
と所定の共役関係を持つ部分領域を対物レンズの
光軸に対して正確な垂直位置に設定されているこ
とを非接触で容易に検出することができる。そし
て平行光束が照射される部分領域に微小な凹凸が
あつてもこの部分領域の平均的平面が対物レンズ
光軸に対して垂直に配置できるため、対物レンズ
の許容焦点範囲が非常に挾い場合にもこの部分領
域全体にわたつて最良の像を得ることができる。
尚、本発明は実施例に示した縮小投影型露光装置
に限らず、顕微鏡にも用いることができることは
いうまでもない。
レンズによるウエハの露光領域など、対物レンズ
と所定の共役関係を持つ部分領域を対物レンズの
光軸に対して正確な垂直位置に設定されているこ
とを非接触で容易に検出することができる。そし
て平行光束が照射される部分領域に微小な凹凸が
あつてもこの部分領域の平均的平面が対物レンズ
光軸に対して垂直に配置できるため、対物レンズ
の許容焦点範囲が非常に挾い場合にもこの部分領
域全体にわたつて最良の像を得ることができる。
尚、本発明は実施例に示した縮小投影型露光装置
に限らず、顕微鏡にも用いることができることは
いうまでもない。
第1図、第2図、第3図はそれぞれ本発明によ
る第1、第2、第3実施例の構成を示す概略光路
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1…投影対物レン
ズ、2…レテイクル、3…ウエハ、10…照射光
学系、11…光源、20…集光光学系。22…4
分割受光素子。
る第1、第2、第3実施例の構成を示す概略光路
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1…投影対物レン
ズ、2…レテイクル、3…ウエハ、10…照射光
学系、11…光源、20…集光光学系。22…4
分割受光素子。
Claims (1)
- 1 レチクル上のパターンをウエハ面上に所定の
倍率で投影露光するための投影対物レンズと、該
投影対物レンズの光軸外から前記ウエハ面上の前
記レチクルパターンの像形成位置へ平行光束を供
給する照射光学系と、該照射光学系から供給され
前記ウエハ面上で反射される光束を集光するため
の集光対物レンズを有する集光光学系と、該集光
対物レンズによる集光光の位置を検出するための
検出手段とを設け、前記照射光学系と前記集光光
学系との両光軸が前記投影対物レンズの光軸に関
して対称になるように配置し、前記照射光学系に
よる前記ウエハ面上への平行光束の照射領域は、
前記投影対物レンズによつて前記レチクル上のパ
ターンが所定の倍率で投影露光される前記ウエハ
面上の露光領域とほぼ同じ大きさであることを特
徴とする水平位置検出装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56211130A JPS58113706A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 水平位置検出装置 |
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