CN106997152B - 扫描反射镜监测系统及方法、调焦调平系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种扫描反射镜监测系统及方法、调焦调平系统,其中,所述扫描反射镜监测系统包括简谐运动探测单元和信号处理单元,所述简谐运动探测单元监测扫描反射镜的简谐运动,并产生简谐信号,所述信号处理单元接收所述简谐信号,根据所述简谐信号的变化控制扫描反射镜驱动单元对所述扫描反射镜进行振幅和位置调整。本发明的技术方案通过简谐运动探测单元监测扫描反射镜的简谐运动,并产生简谐信号,所述信号处理单元接收所述简谐信号,监测其光强值曲线的变化,根据所述简谐信号的变化控制扫描反射镜驱动单元对所述扫描反射镜进行振幅和位置调整。
Description
技术领域
本发明涉及一种扫描反射镜监测系统及方法、调焦调平系统,应用于光刻机技术领域。
背景技术
投影光刻机是一种把掩模上的图案通过投影物镜投影到硅片表面的设备。在光刻机的曝光过程中,如果硅片相对于物镜的焦平面发生离焦或倾斜,使曝光视场内某些区域处于有效焦深之外,将严重影响光刻质量,因此必须采用调焦调平系统对曝光视场内硅片的位置进行精确控制。现有的调焦调平系统的工作原理是:首先获得整个曝光视场内硅片表面的高度值与倾斜值,以此来判断调焦调平系统是否正确调焦调平,并根据这些信息作相应调节,以精确控制硅片位置。
如图1所示,现有技术公开了一种基于扫描反射镜的调焦调平系统,在该系统中,照明单元101出射的测量光束,经投影狭缝102后由第一平面反射镜103反射至硅片104表面,形成投影光斑;硅片104表面将光反射至第二平面反射镜105;从第二平面反射镜105出射的光入射至扫描反射镜106上;扫描反射镜106作周期性简谐振动,对光信号进行调制,以提高测量信号的信噪比;扫描反射镜106的出射光经探测狭缝107,入射到光电探测器108上,光电探测器108再根据所接收到的光强大小输出相应的电压信号。由于扫描反射镜106的调制作用,光电探测器108最终输出周期性的动态电压信号。最后,通过对该动态电压信号进行分析处理,实现硅片104表面离焦量的探测。在该系统中,扫描反射镜106是整个调焦调平系统的一个基准,并且是一个非常关键的运动组件,其扫描振幅和位置的稳定性直接决定调焦调平系统的整体性 能。由于扫描反射镜106会受到控制驱动信号稳定性影响、反射镜转轴长期运动材料疲劳特性变化影响、外部温度和环境压力变化影响,扫描反射镜106的振幅和位置会产生变化,进而影响调焦调平系统的性能。
为了解决扫描反射镜振幅和位置变化带来的问题,目前的通常做法是对调焦调平系统不定期进行测量校正,即如果调焦调平系统的扫描反射镜振幅和位置发生变化,产生测量误差,通过对整个调焦调平系统标定校准,可以暂时消除扫描反射镜振幅和位置发生变化对系统造成的影响。该方法的缺点是被测物飘移和扫描反射镜的状态变化耦合在一起,不能进行准确区分是否是扫描反射镜的状态发生变化。在现有技术中,还提供了针对扫描反射镜的振幅单独进行校准和调节的方法,但是这种方法需要光刻机的工件台系统配合,且需要光刻机停止当前的操作任务。现有技术中,还有使用单独的监测装置对扫描反射镜的振幅进行监控,并进行校准的方法。但是此方法只针对扫描反射镜的振幅进行了监控,并未对扫描反射镜本身的漂移进行监控,扫描反射镜自身漂移也会给调焦调平系统的测量精度带来影响。因此,现有技术中缺少可以对扫描反射镜的振幅和位置变化同时进行实时测量和调整的技术方案。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种对扫描反射镜的振幅和位置变化同时进行实时测量和调整的扫描反射镜监测系统及方法、以及调焦调平系统。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案予以实现:
一种扫描反射镜监测系统,包括简谐运动探测单元和信号处理单元,所述简谐运动探测单元监测扫描反射镜的简谐运动,并产生简谐信号,所述信号处理单元接收所述简谐信号,根据所述简谐信号的变化控制扫描反射镜驱动单元对所述扫描反射镜进行振幅和位置调整。
优选的,所述简谐信号为光强简谐信号。
优选的,所述简谐运动探测单元包括第一照明单元、第一投影单元及第一探测单元,所述第一照明单元发出的测量光束经所述第一投影单元产生探测光 斑后,照射到所述扫描反射镜上形成反射光束,所述反射光束照射到所述第一探测单元上,所述第一探测单元产生所述简谐信号,所述第一探测单元与所述信号处理单元连接。
优选的,所述扫描反射镜包括相互平行的两个平面,所述探测光斑照射在其中任何一个平面上。
优选的,所述探测光斑采用长方形光斑。
优选的,所述第一照明单元包括光源和照明镜组,所述照明镜组将所述光源发出的测量光束调整为平行光。
优选的,所述第一投影单元包括投影狭缝和投影镜组,所述测量光束经所述投影狭缝产生所述探测光斑,所述投影镜组将所述探测光斑调整为平行光。
优选的,所述第一探测单元包括探测镜头、探测狭缝、第一中继镜头、第二中继镜头及探测器,所述探测镜头将所述反射光束会聚成所述探测光斑后,再依次通过探测狭缝、第一中继镜头和第二中继镜头后,照射到所述探测器上。
优选的,所述探测器采用光电探测器。
优选的,所述探测光斑经过反射后照射到所述扫描反射镜上。
优选的,所述反射光束经过反射后照射到所述第一探测单元上。
一种调焦调平系统,包括所述扫描反射镜监测系统和调焦调平测量系统,所述调焦调平测量系统包括第二照明单元、第二投影单元、所述扫描反射镜及第二探测单元,所述第二照明单元发出的测量光束经所述第二投影单元产生探测光斑后,照射到所述扫描反射镜上形成反射光束,所述反射光束经第一透镜组会聚成所述探测光斑后,照射到硅片上形成二次反射光束,所述二次反射光束经第二透镜组调整为平行光后,照射到所述第二探测单元上,所述第二探测单元和工件台均与所述信号处理单元连接。
优选的,所述扫描反射镜监测系统的探测光斑和所述调焦调平测量系统的探测光斑照射在所述扫描反射镜的相同面上。
优选的,所述扫描反射镜监测系统的探测光斑和所述调焦调平测量系统的探测光斑照射在所述扫描反射镜的不同面上。
优选的,所述第二照明单元采用第一照明单元,所述第二投影单元采用第一投影单元。
优选的,还包括设置在所述扫描反射镜和所述第一投影单元之间的分光棱镜,所述分光棱镜将所述探测光斑分光成第一探测光束和第二探测光束,所述第一探测光束照射在所述扫描反射镜的一个面上,第二探测光束经过反射后照射在所述扫描反射镜的另一个面上。
一种扫描反射镜监测方法,包括:
步骤1:控制扫描反射镜作简谐运动,监测其简谐信号,记录其在标准振幅和位置状态下周期性的光强值曲线,记为原始曲线;
步骤2:监测所述扫描反射镜作简谐运动时的光强值曲线的变化,记为光强变化曲线;如果所述光强变化曲线的最大值小于原始曲线的最大值,则判定为所述扫描反射镜发生位置漂移,如果所述光强变化曲线的最大值等于原始曲线的最大值而最小值发生偏移,则判定为所述扫描反射镜发生振幅偏移;
步骤3:信号处理单元根据步骤2的判定结果,控制扫描反射镜驱动单元对所述扫描反射镜进行调整,直到所述光强变化曲线与原始曲线重合。
优选的,步骤1中进一步包括:在所述周期性的光强值曲线中,当所述扫描反射镜转动相位为0度时,光强值为最大,当所述扫描反射镜转动相位为90度或270度时,光强值为最小。
优选的,步骤2中进一步包括:如果所述光强变化曲线的最大值等于原始曲线的最大值而最小值向上偏移,则判定为所述扫描反射镜振幅变小;所述光强变化曲线的最大值等于原始曲线的最大值而最小值向下偏移,则判定为所述扫描反射镜振幅变大。
与现有技术相比,本发明的技术方案通过简谐运动探测单元监测扫描反射镜的简谐运动,并产生简谐信号,所述信号处理单元接收所述简谐信号,监测 其光强值曲线的变化,根据所述简谐信号的变化控制扫描反射镜驱动单元对所述扫描反射镜进行振幅和位置调整。本发明能够实时同时测量扫描反射镜的振幅和位置状态变化,并对扫描反射镜实时进行相应的调整,不需要光刻机工件台系统作出配合,也不影响光刻机的正常工作,提高了监测、调整扫描反射镜的效率,同时本发明监测扫描反射镜的方法不经过被测硅片,使被测硅片和扫描反射镜的状态变化解耦,快速精确。
附图说明
图1是现有技术中调焦调平系统的结构示意图;
图2是本发明实施例1中所述扫描反射镜监测系统的结构示意图;
图3是本发明所述扫描反射镜监测系统相位与探测光斑的关系示意图;
图4是本发明所述扫描反射镜监测系统振幅变化的光强值曲线图;
图5是本发明所述扫描反射镜监测系统位置变化的光强值曲线图;
图6是本发明所述扫描反射镜监测系统位置变化的结构示意图;
图7是本发明一实施例中所述扫描反射镜监测方法的流程图。
图8是本发明实施例2中所述扫描反射镜监测系统的结构示意图;
图9是本发明实施例3中所述扫描反射镜监测系统的结构示意图。
图1中所示:101、照明单元;102、投影狭缝;103、第一平面反射镜;104、硅片;105、第二平面反射镜;106、扫描反射镜;107、探测狭缝;108、光电探测器;
图2-图9中所示:1、硅片;2、投影物镜;3、第二光源;4、第二照明镜组;5、第二投影狭缝;6、第二投影镜组;7、分光棱镜;8、扫描反射镜;9、第一反射镜;10、第二反射镜;11、第一透镜组;12、第三反射镜;13、第一探测镜头;14、第一探测狭缝;15、第一中继镜头;16、第二中继镜头;17、第一探测器;18、第二透镜组;19、第四反射镜;20、第二探测镜头;21、第二探测狭缝;22、第三中继镜头;23、第四中继镜头;24、第二探测器;25、信号处理单元;26、工件台;27、扫描反射镜驱动单元;28、第一光 源;29、第一照明镜组;30、第一投影狭缝;31、第一投影镜组;d、探测光斑长度;L、探测光斑宽度。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作详细描述:
实施例1
参照图2所示,本发明的调焦调平系统,包括扫描反射镜监测系统和调焦调平测量系统。在光刻机中,所述调焦调平系统用于在硅片1曝光时对曝光视场内硅片1的位置进行监测,并配合工件台26的运动控制系统进行精确控制。在曝光时,还需要投影物镜2将掩模版的图案投影到硅片1上进行曝光。
具体的,所述扫描反射镜监测系统包括简谐运动探测单元和信号处理单元25,所述简谐运动探测单元监测扫描反射镜8的简谐运动,并产生简谐信号,所述信号处理单元25接收所述简谐信号,根据所述简谐信号的变化控制扫描反射镜驱动单元27对所述扫描反射镜8进行振幅和位置调整。所述简谐信号为光强简谐信号。
其中,所述简谐运动探测单元包括沿光传播方向依次设置的第一照明单元、第一投影单元及第一探测单元。
所述第一照明单元包括第一光源28和第一照明镜组29,所述第一照明镜组29将所述第一光源28发出的测量光束调整为平行光。
所述第一投影单元包括第一投影狭缝30和第一投影镜组31,所述测量光束经所述第一投影狭缝30产生探测光斑,所述第一投影镜组31将所述探测光斑调整为平行光。所述探测光斑采用长方形光斑。所述平行光经过第一反射镜9反射后照射到所述扫描反射镜8上。所述扫描反射镜8包括相互平行的两个平面,所述探测光斑照射在其中一个平面上,形成反射光束。
所述第一探测单元包括第一探测镜头13、第一探测狭缝14、第一中继镜头15、第二中继镜头16及第一探测器17,所述反射光束经过第三反射镜12反射后照射到所述第一探测镜头13上。所述第一探测镜头13将所述反射光束 会聚成所述探测光斑后,再依次通过第一探测狭缝14、第一中继镜头15和第二中继镜头16后,照射到所述第一探测器17上。所述第一探测器17采用光电探测器,探测其所接收到光能的光强信号。
所述扫描反射镜8作简谐运动,使所述第一探测器17产生光强的简谐信号,所述第一探测器17与所述信号处理单元25连接。所述信号处理单元25接收所述简谐信号,根据所述简谐信号的变化监测所述扫描反射镜8的振幅和位置状态变化情况,并控制扫描反射镜驱动单元27对所述扫描反射镜8进行振幅和位置调整。
具体的,所述调焦调平测量系统包括沿光传播方向依次设置的第二照明单元、第二投影单元、所述扫描反射镜及第二探测单元。
所述第二照明单元包括第二光源3和第二照明镜组4,所述第二照明镜组4将所述第二光源3发出的测量光束调整为平行光。
所述第二投影单元包括第二投影狭缝5和第二投影镜组6,所述测量光束经所述第二投影狭缝5产生探测光斑,所述第二投影镜组6将所述探测光斑调整为平行光。所述平行光照射到所述扫描反射镜8的另一个平面上,形成反射光束。所述反射光束经第一透镜组11会聚成所述探测光斑后,照射到硅片1上形成二次反射光束,所述二次反射光束经第二透镜组18调整为平行光后,照射到第四反射镜19上。
所述第二探测单元包括第二探测镜头20、第二探测狭缝21、第三中继镜头22、第四中继镜头23及第二探测器24,所述二次反射光束经过第四反射镜19反射后照射到所述第二探测镜头20上。所述第二探测镜头20将所述二次反射光束会聚成所述探测光斑后,再依次通过第二探测狭缝21、第三中继镜头22和第四中继镜头23后,照射到所述第二探测器24上。所述第二探测器24采用光电探测器,探测其所接收到光能的光强信号。所述第二探测器24和工件台26均与所述信号处理单元25连接。
所述扫描反射镜8作简谐运动,使所述第二探测器24产生光强的简谐信号,所述第二探测器24与所述信号处理单元25连接,所述信号处理单元25接收所述简谐信号,通过对所述简谐信号进行分析处理,实现对硅片1表面离焦量的检测。本调焦调平系统根据硅片1表面离焦量数据,控制工件台26的运动控制系统对硅片1的曝光视场中的位置进行调整。
下面结合图3-图6详细说明本发明的扫描反射镜监测系统及调焦调平系统的工作过程。
本调焦调平系统正确安装在光刻机中,即所述扫描反射镜8的振幅和位置处于标准状态下。所述扫描反射镜8作简谐运动,所述扫描反射镜监测系统检测到标准的简谐信号,绘制光强值曲线。如图3所示,当扫描反射镜8转动到相位为0度时,由第一投影狭缝30形成的探测光斑的长度与通过第一探测狭缝14的探测光斑的长度一致,此时第一探测器17接收到的光强信号为最大值,当扫描反射镜8转动到相位为90度或270度时,通过第一探测狭缝14的探测光斑长度为第一投影狭缝30形成的探测光斑的长度的一半,此时第一探测器17接收到的光强信号为最大值的一半,所述信号处理单元25据此绘制出周期性的光强值曲线,记为原始曲线。所述探测光斑的长度为d,宽度为L。其中,光强最大值为I0max,黑色阴影部分A为相位为90度时被第一探测器17检测到的探测光斑,记其光强值为A0,黑色阴影部分B为相位为270度时被第一探测器17检测到的探测光斑,记其光强值为B0,分别标示在图4和图5中的光强值坐标中。
当扫描反射镜8的振幅发生变化时,记变化后A、B的光强值分别为Ai和Bi。如图3所示,如果振幅变大,当转动相位为90度或270度时,黑色阴影部分A和B的面积会变小。如图4中所示,Ai和Bi发生下降,即Ai<A0,Bi<B0,但是,光强最大值不会发生改变,即Iimax=I0max。此时,所述信号处理单元25据此对扫描反射镜8的振幅作出调整,不断减小振幅,直到其绘制的光强值曲线和原始曲线重合,即Ai=A0,Bi=B0。同理,如果振幅变小,当转动相位为90 度或270度时,黑色阴影部分A和B的面积会变大,Ai和Bi发生上升,即Ai>A0,Bi>B0,但是,光强最大值不会发生改变,即Iimax=I0max。所述信号处理单元25据此对扫描反射镜8的振幅作出调整,不断增加其振幅,直到其绘制的光强值曲线和原始曲线重合,即Ai=A0,Bi=B0。则完成扫描反射镜8的振幅校准。
如图6所示,所述第二照明镜组4将所述第二光源3发出的测量光束调整为平行光。再经所述第二投影狭缝5产生探测光斑,所述第二投影镜组6将所述探测光斑调整为平行光,照射到所述扫描反射镜8的一个平面上,形成反射光束。所述反射光束经第一透镜组11会聚成所述探测光斑后,照射到硅片1上。当扫描反射镜8的位置发生变化时,所述反射光束会发生偏移,一部分光线无法进入到所述第一透镜组11,造成会聚后的探测光斑光强变低,同理可知,所述扫描反射镜监测系统检测到的光强值也会变低。如图5中所示,在所述扫描反射镜8作简谐运动时,无论其转动处于何种相位,所述信号处理单元25绘制出的光强值曲线都会下降,即光强值整体变小,Iimax<I0max,Ai<A0,Bi<B0。此时,所述信号处理单元25据此对扫描反射镜8的位置漂移进行调整,直到其绘制的光强值曲线和原始曲线重合,完成对扫描反射镜8位置的校准。
参照图7和图2所示,本发明的扫描反射镜监测方法,包括:
步骤1:控制扫描反射镜8作简谐运动,监测其简谐信号,记录其在标准振幅和位置状态下周期性的光强值曲线,记为原始曲线。
具体的,通过探测光斑照射到所述扫描反射镜8上形成反射光束,所述反射光束照射到所述第一探测单元上,所述第一探测单元产生简谐信号,信号处理单元25接收所述简谐信号,绘制周期性的光强值曲线。
步骤2:监测所述光强值曲线的变化,记为光强变化曲线;如果所述光强变化曲线的最大值小于原始曲线的最大值,则判定为所述扫描反射镜8发生位 置漂移,如果所述光强变化曲线的最大值等于原始曲线的最大值而最小值发生偏移,则判定为所述扫描反射镜8发生振幅偏移。
具体的,如果所述光强变化曲线的最大值等于原始曲线的最大值而最小值向上偏移,则判定为所述扫描反射镜8振幅变小;所述光强变化曲线的最大值等于原始曲线的最大值而最小值向下偏移,则判定为所述扫描反射镜8振幅变大。
步骤3:信号处理单元25根据相应的判定,控制扫描反射镜驱动单元27对所述扫描反射镜8进行调整,直到所述光强变化曲线与原始曲线重合。
作为一种实施例,如图7所示,本发明所述扫描反射镜监测系统对扫描反射镜8的振幅和位置变化的调整,需要完成以下步骤:
701:安装本调焦调平系统,控制扫描反射镜8作简谐运动,信号处理单元25绘制标准状态下的光强值曲线,记录光强最大值I0max及最小值A0,B0;扫描反射镜监测系统开始监测;
702:监测光强值曲线是否发生变化,如果是,执行步骤703,如果不是,继续执行步骤703;
703:判断监测最大值Iimax相对I0max是否变小,如果是,执行步骤704,如果不是,执行步骤710;
704:信号处理单元25驱动扫描反射镜驱动单元27向垂直于扫描反射镜8的一个方向移动;
705:判断I0max-Iimax是否变小,如果是,执行步骤706,如果不是,执行步骤708;
706:继续驱动扫描反射镜驱动单元27向此方向移动;
707:判断是否I0max=Iimax,如果是,执行步骤715,如果不是,继续执行步骤706;
708:继续驱动扫描反射镜驱动单元27向相反方向移动;
709:判断是否I0max=Iimax,如果是,执行步骤715,如果不是,继续执行步骤708;
710:判断监测最小值Ai,Bi相对A0,B0是否变小,如果是,执行步骤711,如果不是,执行步骤713;
711:信号处理单元25驱动扫描反射镜8,减小其振幅;
712:判断是否Ai=A0,Bi=B0,如果是,执行步骤715,如果不是,继续执行步骤711;
713:信号处理单元25驱动扫描反射镜8,增大其振幅;
714:判断是否Ai=A0,Bi=B0,如果是,执行步骤715,如果不是,继续执行步骤713;
715:扫描反射镜振幅变化及位置变化,校准完成。
本发明的技术方案通过简谐运动探测单元监测扫描反射镜8的简谐运动,并产生简谐信号,所述信号处理单元25接收所述简谐信号,监测其光强值曲线的变化,根据所述简谐信号的变化控制扫描反射镜驱动单元27对所述扫描反射镜8进行振幅和位置调整。如果所述光强变化曲线的最大值小于原始曲线的最大值,则判定为所述扫描反射镜8发生位置漂移,如果所述光强变化曲线的最大值等于原始曲线的最大值而最小值发生偏移,则判定为所述扫描反射镜8发生振幅偏移。本发明能够实时同时测量扫描反射镜8的振幅和位置状态变化,并对扫描反射镜8实时进行相应的调整,不需要光刻机工件台系统作出配合,也不影响光刻机的正常工作,提高了监测、调整扫描反射镜8的效率,同时本发明监测扫描反射镜的方法不经过被测硅片1,使被测硅片1和扫描反射镜8的状态变化解耦,快速精确。
实施例2
如图8所示,为本发明的扫描反射镜监测系统及调焦调平系统的另一种实施方式。其与实施例1的区别在于,所述扫描反射镜监测系统的探测光斑和所述调焦调平测量系统的探测光斑照射在所述扫描反射镜8的同一面上。相对应 作出的改动是,所述调焦调平测量系统的所述第二照明单元及所述第二投影单元与所述扫描反射镜监测系统的所述第一照明单元及所述第一投影单元呈一定夹角设置。
实施例3
如图9所示,为本发明的扫描反射镜监测系统及调焦调平系统的第三种实施方式。其与实施例1和2的区别在于,省略了所述第一照明单元和所述第一投影单元,增加了设置在所述扫描反射镜8和所述第二投影单元之间的分光棱镜7,所述分光棱镜7将所述探测光斑分光成第一探测光束和第二探测光束,所述第一探测光束照射在所述扫描反射镜8的一个面上,用于所述调焦调平测量系统中的光强值测量,所述第二探测光束经过第一反射镜9和第二反射镜10的两次反射后照射在所述扫描反射镜8的另一个面上,用于所述扫描反射镜监测系统中的光强值测量。
需要说明的是,实施例1、2和3仅是对本发明所述扫描反射镜监测系统及调焦调平系统的部分优选举例。在此基础上,经过合理的变动可以得到更多的实施方式,其亦在本发明的构思范围之内。比如,所述扫描反射镜的反射面可以设置为2个以上,每个反射面之间的位置关系不需要固定,当所述扫描反射镜监测系统的探测光斑和所述调焦调平测量系统的探测光斑照射在所述扫描反射镜的不同面上时,只要发生反射的反射面的简谐运动所产生的简谐信号相同或一致即可。
Claims (18)
1.一种扫描反射镜监测系统,其特征在于,包括简谐运动探测单元和信号处理单元,所述简谐运动探测单元监测扫描反射镜的简谐运动,并产生简谐信号,所述信号处理单元接收所述简谐信号,绘制周期性的光强值曲线,监测所述光强值曲线的变化,记为光强变化曲线;如果所述光强变化曲线的最大值小于原始曲线的最大值,则判定为所述扫描反射镜发生位置漂移;如果所述光强变化曲线的最大值等于原始曲线的最大值而最小值发生偏移,则判定为所述扫描反射镜发生振幅偏移;根据所述简谐信号的变化控制扫描反射镜驱动单元对所述扫描反射镜进行振幅和位置调整;
所述简谐运动探测单元包括第一照明单元、第一投影单元及第一探测单元,所述第一照明单元发出的测量光束经所述第一投影单元产生探测光斑后,照射到所述扫描反射镜上形成反射光束;
所述扫描反射镜包括相互平行的两个平面,所述探测光斑照射在其中任何一个平面上。
2.根据权利要求1所述的扫描反射镜监测系统,其特征在于,所述简谐信号为光强简谐信号。
3.根据权利要求1所述的扫描反射镜监测系统,其特征在于,所述反射光束照射到所述第一探测单元上,所述第一探测单元产生所述简谐信号,所述第一探测单元与所述信号处理单元连接。
4.根据权利要求3所述的扫描反射镜监测系统,其特征在于,所述探测光斑采用长方形光斑。
5.根据权利要求3所述的扫描反射镜监测系统,其特征在于,所述第一照明单元包括光源和照明镜组,所述照明镜组将所述光源发出的测量光束调整为平行光。
6.根据权利要求3所述的扫描反射镜监测系统,其特征在于,所述第一投影单元包括投影狭缝和投影镜组,所述测量光束经所述投影狭缝产生所述探测光斑,所述投影镜组将所述探测光斑调整为平行光。
7.根据权利要求6所述的扫描反射镜监测系统,其特征在于,所述第一探测单元包括探测镜头、探测狭缝、第一中继镜头、第二中继镜头及探测器,所述探测镜头将所述反射光束会聚成所述探测光斑后,再依次通过探测狭缝、第一中继镜头和第二中继镜头后,照射到所述探测器上。
8.根据权利要求7所述的扫描反射镜监测系统,其特征在于,所述探测器采用光电探测器。
9.根据权利要求3所述的扫描反射镜监测系统,其特征在于,所述探测光斑经过反射后照射到所述扫描反射镜上。
10.根据权利要求3所述的扫描反射镜监测系统,其特征在于,所述反射光束经过反射后照射到所述第一探测单元上。
11.一种调焦调平系统,其特征在于,包括权利要求3-10中任何一项所述的扫描反射镜监测系统和调焦调平测量系统,所述调焦调平测量系统包括第二照明单元、第二投影单元、所述扫描反射镜及第二探测单元,所述第二照明单元发出的测量光束经所述第二投影单元产生探测光斑后,照射到所述扫描反射镜上形成反射光束,所述反射光束经第一透镜组会聚成所述探测光斑后,照射到硅片上形成二次反射光束,所述二次反射光束经第二透镜组调整为平行光后,照射到所述第二探测单元上,所述第二探测单元和工件台均与所述信号处理单元连接。
12.根据权利要求11所述的调焦调平系统,其特征在于,所述扫描反射镜监测系统的探测光斑和所述调焦调平测量系统的探测光斑照射在所述扫描反射镜的相同面上。
13.根据权利要求11所述的调焦调平系统,其特征在于,所述扫描反射镜监测系统的探测光斑和所述调焦调平测量系统的探测光斑照射在所述扫描反射镜的不同面上。
14.根据权利要求11所述的调焦调平系统,其特征在于,所述第二照明单元采用第一照明单元,所述第二投影单元采用第一投影单元。
15.根据权利要求14所述的调焦调平系统,其特征在于,还包括设置在所述扫描反射镜和所述第一投影单元之间的分光棱镜,所述分光棱镜将所述探测光斑分光成第一探测光束和第二探测光束,所述第一探测光束照射在所述扫描反射镜的一个面上,第二探测光束经过反射后照射在所述扫描反射镜的另一个面上。
16.一种扫描反射镜监测方法,其特征在于,包括:
步骤1:控制扫描反射镜作简谐运动,监测其简谐信号,记录其在标准振幅和位置状态下周期性的光强值曲线,记为原始曲线;
步骤2:监测所述扫描反射镜作简谐运动时的光强值曲线的变化,记为光强变化曲线;如果所述光强变化曲线的最大值小于原始曲线的最大值,则判定为所述扫描反射镜发生位置漂移,如果所述光强变化曲线的最大值等于原始曲线的最大值而最小值发生偏移,则判定为所述扫描反射镜发生振幅偏移;
步骤3:信号处理单元根据步骤2的判定结果,控制扫描反射镜驱动单元对所述扫描反射镜进行调整,直到所述光强变化曲线与原始曲线重合。
17.根据权利要求16所述的扫描反射镜监测方法,其特征在于,步骤1中进一步包括:在所述周期性的光强值曲线中,当所述扫描反射镜转动相位为0度时,光强值为最大,当所述扫描反射镜转动相位为90度或270度时,光强值为最小。
18.根据权利要求16所述的扫描反射镜监测方法,其特征在于,步骤2中进一步包括:如果所述光强变化曲线的最大值等于原始曲线的最大值而最小值向上偏移,则判定为所述扫描反射镜振幅变小;所述光强变化曲线的最大值等于原始曲线的最大值而最小值向下偏移,则判定为所述扫描反射镜振幅变大。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610052984.7A CN106997152B (zh) | 2016-01-26 | 2016-01-26 | 扫描反射镜监测系统及方法、调焦调平系统 |
KR1020187023417A KR102144567B1 (ko) | 2016-01-26 | 2017-01-23 | 스캔 반사 미러 모니터링 시스템 및 방법, 포커싱 및 레벨링 시스템 |
JP2018538761A JP6794458B2 (ja) | 2016-01-26 | 2017-01-23 | スキャン反射性ミラー監視システム及び方法、フォーカス・レベリングシステム |
US16/072,212 US10394142B2 (en) | 2016-01-26 | 2017-01-23 | Scan reflective mirror monitoring system and method, focusing and leveling system |
PCT/CN2017/072214 WO2017129095A1 (zh) | 2016-01-26 | 2017-01-23 | 扫描反射镜监测系统及方法、调焦调平系统 |
SG11201806276RA SG11201806276RA (en) | 2016-01-26 | 2017-01-23 | Scan reflective mirror monitoring system and method, focusing and leveling system |
TW106102920A TWI646402B (zh) | 2016-01-26 | 2017-01-25 | Scanning mirror monitoring method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610052984.7A CN106997152B (zh) | 2016-01-26 | 2016-01-26 | 扫描反射镜监测系统及方法、调焦调平系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106997152A CN106997152A (zh) | 2017-08-01 |
CN106997152B true CN106997152B (zh) | 2019-11-26 |
Family
ID=59397421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610052984.7A Active CN106997152B (zh) | 2016-01-26 | 2016-01-26 | 扫描反射镜监测系统及方法、调焦调平系统 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10394142B2 (zh) |
JP (1) | JP6794458B2 (zh) |
KR (1) | KR102144567B1 (zh) |
CN (1) | CN106997152B (zh) |
SG (1) | SG11201806276RA (zh) |
TW (1) | TWI646402B (zh) |
WO (1) | WO2017129095A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107450287B (zh) * | 2016-05-31 | 2019-10-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 调焦调平测量装置及方法 |
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CN104133345B (zh) * | 2013-05-03 | 2016-12-07 | 上海微电子装备有限公司 | 一种调焦调平装置及方法 |
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-
2016
- 2016-01-26 CN CN201610052984.7A patent/CN106997152B/zh active Active
-
2017
- 2017-01-23 SG SG11201806276RA patent/SG11201806276RA/en unknown
- 2017-01-23 KR KR1020187023417A patent/KR102144567B1/ko active IP Right Grant
- 2017-01-23 WO PCT/CN2017/072214 patent/WO2017129095A1/zh active Application Filing
- 2017-01-23 JP JP2018538761A patent/JP6794458B2/ja active Active
- 2017-01-23 US US16/072,212 patent/US10394142B2/en active Active
- 2017-01-25 TW TW106102920A patent/TWI646402B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6794458B2 (ja) | 2020-12-02 |
US20190025718A1 (en) | 2019-01-24 |
WO2017129095A1 (zh) | 2017-08-03 |
KR102144567B1 (ko) | 2020-08-13 |
CN106997152A (zh) | 2017-08-01 |
JP2019504364A (ja) | 2019-02-14 |
US10394142B2 (en) | 2019-08-27 |
TWI646402B (zh) | 2019-01-01 |
TW201736980A (zh) | 2017-10-16 |
SG11201806276RA (en) | 2018-08-30 |
KR20180103991A (ko) | 2018-09-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
CB02 | Change of applicant information |
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GR01 | Patent grant | ||
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