JP3817232B2

JP3817232B2 - 変位測定装置

Info

Publication number: JP3817232B2
Application number: JP2003159471A
Authority: JP
Inventors: 雅也菅井; 紀彦益田; 貴久田下; 映治辻村
Original assignee: Anritsu Corp
Current assignee: Anritsu Corp
Priority date: 2003-06-04
Filing date: 2003-06-04
Publication date: 2006-09-06
Anticipated expiration: 2023-06-04
Also published as: JP2004361224A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被測定物体の変位量を非接触で測定できる変位測定装置に係り、特に反射率が領域によって大きく異なるような被測定物上の変位量を正確に測定でき、また被測定物の凸部分の陰にあたる測定不能領域を減らせるために、被測定物の面積や体積がより正確に測定できる変位測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
下記の特許文献１には、図７に示すような構造の変位測定装置が開示されている。
この変位測定装置は、光を用いて測定対象面の高さ変位（凹凸）を測定する装置である。図７に示すように、投光部において、光源１２１から出力されたレーザビームを回転ミラー型または振動ミラー型等の偏向装置１２２によって偏向し、この偏向した光をレンズ１２３によって同一平面上の所定範囲内を光軸が平行に移動するビームとする。このビームは、基準面２００上の測定対象物１００の表面１００ａに出射され、測定対象物１００の表面１００ａ上に定められたビームの照射点Ｓは、直線的（実際には被測定対象表面の凹凸により蛇行する）に片道あるいは往復走査される。
【０００３】
この照射点Ｓからの反射光を受ける受光部は、レンズアレイ１２５、結像レンズ１２６および受光素子１２７によって構成されている。
【０００４】
レンズアレイ１２５は、等しい焦点距離を有する複数（図７では５個）の集光レンズ部１２５ａ〜１２５ｅが一列に並ぶように合成樹脂あるいはガラスで一体成形されている。
【０００５】
結像レンズ１２６は、投光部から出射されるビームの走査幅寸法より大きい径を有し、光軸と直交する一方の面が球面状に形成されており、レンズアレイ１２５からのビームを集束して、受光素子１２７の受光面１２７ａに照射点Ｓの像を結像させる。
【０００６】
受光素子１２７は矩形状の受光面１２７ａを有し、受光面１２７ａに照射された光の位置のうち、受光面１２７ａの縦方向に沿った位置に対応する信号を出力するように構成されている。
【０００７】
なお、投光部からのビームの光軸と受光部のレンズアレイ１２５の光軸とは、受光量を確保するために、基準面２の法線をはさんで等しい角度、即ち正反射の向きとなるように予め設定されている。
【０００８】
この変位測定装置によれば、測定対象物１００に向かって出射されるビームの照射点Ｓは、被測定対象物１００の表面１００ａ上を一定方向に走査される。この照射点からの光は、レンズアレイ１２５の球面集束型の各集光レンズ部１２５ａ〜１２５ｅによってほぼ平行なビームに集束されて球面集束型の結像レンズ１２６に入射し、結像レンズ１２６によって偏向集束されて受光素子１２７の受光面１２７ａに照射点Ｓの像を点状に結像させる。この発明によれば、被測定面が粗く照射点からの光が広がっている場合でも、精度の高い測定が高速に行なえる。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１１−８３４２６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
図８（ａ）は、前記変位測定装置の被測定物であるプリント基板１を示す。このプリント基板１の上にはパッド２が設けられており、該パッド２の上にはんだ３が設けられている。このはんだ３の周囲にはパッド２の一部を覆ってレジスト４が設けられている。
【００１１】
はんだ３はプリント基板１及びパッド２の表面からある程度の高さを有する凸形状に形成されており、光学的には反射率が相対的に低い低反射率領域となっている。はんだ３の周囲を取り巻くパッド２及びレジスト４は、反射率がはんだ３に比べて相対的に高く、ほぼ鏡面に近い反射率を有する高反射率領域となっている。
【００１２】
従って、正反射光のみを用いる前記変位測定装置でこのプリント基板１を測定すると、図８（ｂ）に示すように、はんだ３の部分では十分な反射光量が得られず、受光素子の受光量は低くなるが、その周囲のパッド２及びレジスト４の領域は高い反射率で測定光を正反射するので、受光素子の受光量は非常に高くなる。
【００１３】
図７に示した従来の変位測定装置によれば、図９に示すように、光源からの測定光が被測定物のはんだ３で正反射して受光素子１２７に入射した場合、はんだ３の反射率は前述したように小さいので受光素子１２７での受光量は小さい。ところが、光源から来るレーザービームは図示のように中央が高く裾野にかけて広がり (フレア）を有する強度分布を有しているので、測定光がはんだ３を走査している時、そのフレアの部分ははんだ３の周囲の反射率の高いレジスト４等で正反射し、はんだ３からの正反射光とともに受光素子１２７に到達する。従って、はんだ３で正反射した光によって受光素子１２７で得られる信号は、その周囲からの正反射光による信号に比べて十分な強度を有するとはいえない。つまり、はんだ３からの正反射光とその周囲のレジスト４等によるフレア光の正反射光との相対的な強度差が小さいので、はんだ３からの正反射光を用いてはんだ３の変位を正確に測定することは困難であるという問題があった。
【００１４】
また、図１０に示すように、プリント基板１上のはんだ３は基板及びパッドの表面からある程度の高さを有する凸形状に形成されているため、法線に対して等しい入射角と反射角で測定光が入反射する場合、凸形状であるはんだ３の周囲にはんだ３の陰となる領域Ｗができて被測定物（はんだ３）の正確な測定ができないという問題があった。
【００１５】
すなわち、図１０において、はんだ３の右側の領域Ｗで正反射した測定光ははんだ３の陰となって受光素子には到達しない。また、はんだ３の左側の領域Ｗには測定光が到達しないので受光素子に反射光が到達することはない。
【００１６】
そこで、本願発明者等は、前記プリント基板における測定光の反射率を再度検討したところ、図８（ｃ）に示すように乱反射については正反射の場合と異なる結果が得られることに気づき、被測定物の反射率に応じて正反射と乱反射を使い分けるという発想を得るに至った。
【００１７】
すなわち、図８（ｃ）に示すように、乱反射の場合には、はんだ３の周囲のパッド２及びレジスト４での乱反射による受光素子の受光量は相対的に大きいが、はんだ３の部分でも、レジスト４等ほどではないが、乱反射によって受光素子ではある程度の受光量を得ることができる。つまり、受光素子に入射する光量は、前述したように正反射の場合には、はんだ３とレジスト４等とで差が大きいが、乱反射の場合にはその差が小さくなる。
【００１８】
そこで本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、被測定物体が、反射率が相対的に低い低反射率領域と、前記低反射率領域の周囲にある反射率が相対的に高い高反射率領域とを有している場合にも、正反射と乱反射を使い分けて正確な変位測定 (高さ測定）ができる変位測定装置を提供することを目的としている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載された変位測定装置１０は、
被測定物体５に測定光を照射する投光部１２と、前記被測定物体５からの正反射光を受光して正反射変位信号Ａと正反射光量信号Ｂを出力する正反射受光部１３と、前記被測定物体５からの乱反射光を受光して乱反射変位信号Ｃと乱反射光量信号Ｄを出力する乱反射受光部１４と、前記正反射受光部１３からの正反射変位信号Ａ及び正反射光量信号Ｂと前記乱反射受光部１４からの乱反射変位信号Ｃ及び乱反射光量信号Ｄとを用いて前記被測定物体５の変位信号Ｈを出力する信号処理部１５を有する変位測定装置１０において、
前記信号処理部は、
前記正反射光量信号のしきい値Ｅと前記乱反射光量信号の第１のしきい値Ｆとが予め設定され、前記正反射光量信号Ｂが前記正反射光量信号Ｂのしきい値Ｅより大きいと判定した場合には、前記正反射光量信号Ｂがブライトを示す上限値より大きい場合に前記乱反射変位信号Ｃを選択する選択信号Ｓを生成し、また前記正反射光量信号Ｂが前記上限値よりも小さい場合に前記正反射変位信号Ａを選択する選択信号Ｓを生成し、さらに前記正反射光量信号Ｂが前記正反射光量信号Ｂのしきい値Ｅより小さいと判定した場合には、前記乱反射光量信号Ｄが前記乱反射光量信号Ｄの第１のしきい値Ｆより大きい場合に前記乱反射変位信号Ｃを選択する選択信号Ｓを生成し、また前記乱反射光量信号Ｄが前記乱反射光量信号Ｄのしきい値Ｆより小さい場合には測定不能を示す選択信号Ｓを生成するデータ判定部２５と、
前記正反射受光部１３からの前記正反射変位信号Ａと、前記乱反射受光部１４からの前記乱反射変位信号Ｃと、前記データ判定部２５からの前記選択信号Ｓとが入力され、前記正反射変位信号Ａと前記乱反射変位信号Ｃと測定不能を示す前記選択信号Ｓのいずれか一つを選択して出力する変位選択部２６と、
を有することを特徴としている。
【００２０】
請求項１に記載された変位測定装置１０によれば、前記信号処理部１５が、前記正反射受光部１３からの正反射変位信号Ａ及び正反射光量信号Ｂと、前記乱反射受光部１４からの乱反射変位信号Ｃ及び乱反射光量信号Ｄを用いることにより、前記被測定物体５の反射率に対応して正反射と乱反射を使い分けて信号を選択することにより、当該被測定物５の正確な変位測定 (高さ測定）を非接触で行なうことができる。
また、前記正反射光量信号Ｂをそのしきい値Ｅと比較し、前記乱反射光量信号Ｄをその第１のしきい値Ｆと比較し、その結果に基づいて前記正反射変位信号Ａと前記乱反射変位信号Ｃのいずれか一方を選択して出力することができるので、前記被測定物体５の反射率に対応して正反射と乱反射を使い分けて信号を選択することにより、当該被測定物５の正確な変位測定 ( 高さ測定）を非接触で行なうことができる。
さらに、前記正反射光量信号Ｂが前記正反射光量信号Ｂのしきい値Ｅより大きいと判定した場合において、前記正反射光量信号Ｂがその上限値より大きい場合には前記乱反射変位信号Ｃを選択するとともに、前記正反射光量信号Ｂがその上限値よりも小さい場合には前記正反射変位信号Ａを選択し、選択信号Ｓを出力し、前記正反射光量信号Ｂが前記正反射光量信号Ｂのしきい値Ｅより小さいと判定した場合において、前記乱反射光量信号Ｄがその第１のしきい値Ｆより大きい場合には前記乱反射変位信号Ｃを選択するとともに、前記乱反射光量信号Ｄがその第１のしきい値Ｆより小さい場合には測定不能とするので、前記被測定物体５の反射率に対応して正反射と乱反射を使い分けて信号を選択することにより、当該被測定物５の正確な変位測定 ( 高さ測定）を非接触で行なうことができる。
【００２１】
請求項２に記載された変位測定装置１０は、請求項１に記載の変位測定装置において、前記投光部１２は前記被測定物体に対して単一の測定光を照射し、前記正反射受光部１３と前記乱反射受光部１４は、前記単一の測定光による前記被測定物体５の同一箇所からの正反射光及び乱反射光をそれぞれの受光部で同時に受けることを特徴とする。
【００２５】
請求項３に記載された変位測定装置１０は、請求項１又は２に記載の変位測定装置において、
前記被測定物体５が、反射率が相対的に低い低反射率領域３と、前記低反射率領域３の周囲にある反射率が相対的に高い高反射率領域２，４とを有しており、
前記データ判定部２５は、前記高反射率領域２，４からの乱反射光によって前記乱反射受光部１４が出力する乱反射光量信号Ｄの第２のしきい値Ｇを入力され、前記乱反射光量信号Ｄが該第２のしきい値Ｇより大きいと判定した場合には高反射率領域認識信号Ｊを出力することを特徴としている。
【００２６】
請求項３に記載された変位測定装置１０によれば、被測定物体５の被測定面において反射率が相対的に高い高反射率領域２，４を確実に検知することができる。
【００２７】
請求項４に記載された変位測定装置１０は、請求項１〜３のいずれか一つに記載の変位測定装置において、前記正反射受光部１３と前記乱反射受光部１４が、位置検出素子２２と位置調整自在な結像レンズ２１をそれぞれ有しており、前記正反射受光部１３の前記結像レンズ２１と前記乱反射受光部１４の前記結像レンズ２１とが解除可能な固定手段３０によって互いに連結されていることを特徴としている。
【００２８】
請求項４に記載された変位測定装置１０によれば、正反射系と乱反射系の２つの受光系を独立して動かないように互いに固定できるので、たとえ温度変化等に起因する外力が加わっても、各受光系の位置検出素子２２，２２における変位のゼロ点がずれることがなく、正確な測定を行なうことができる。
【００２９】
請求項５に記載された変位測定装置１０は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の変位測定装置において、前記正反射受光部１３の光路内に、前記乱反射受光部１４の光路内には存在しない減衰フィルター２０が設けられていることを特徴としている。
【００３０】
請求項５に記載された変位測定装置１０によれば、相対的に反射光の強度が高い正反射受光部１３の光路内には減衰フィルター２０を設け、相対的に反射光の強度が低い乱反射受光部１４の光路内には設けていないので、反射光の強度に差のある２つの受光系をバランスを保持しつつ選択的に使用することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１〜図６を参照して説明する。
図１は、本実施の形態に係る変位測定装置の概略構成図であり、図２は同変位測定装置の信号処理における信号の入出力状態を示すブロック図であり、図３は同変位測定装置の信号処理部のブロック図であり、図４は同信号処理部における処理手順を示す流れ図であり、図５は同変位測定装置における２系統の受光部の各結像レンズが連結された状態を示す図であり、図６は同変位測定装置における２系統の受光部の各結像レンズの位置調整を示す模式図である。
【００３２】
図１に示すように、本例の変位測定装置１０は、簡略化して図示した筐体１１を本体としている。この筐体１１の内部には、被測定物体５に測定光を照射する投光部１２と、被測定物体５からの正反射光を受光して正反射変位信号と正反射光量信号を出力する正反射受光部１３と、被測定物体５からの乱反射光を受光して乱反射変位信号と乱反射光量信号を出力する乱反射受光部１４と、これら２つの受光部１３，１４からの信号が入力されて後述する所定の処理を行なう信号処理部１５を有している。
【００３３】
本変位測定装置１０は、上記の構成において被測定物体５に測定用のレーザー光を照射して該被測定物体５上の測定箇所の変位量を三角測量の原理を利用して非接触で測定するものである。本変位測定装置１０は、図８（ａ）を参照して説明したように、反射率が相対的に低い低反射率領域（例えば前記はんだ３）と、その周囲にある反射率が相対的に高い高反射率領域（例えば前記パッド２及びレジスト４）とを有する被測定物体５（例えば前記プリント基板１等）の測定に適している。
【００３４】
投光部１２は、レーザービームを出射するレーザー光源１６と、駆動されて回転することによりレーザー光源１６からのビームを所定方向に走査する走査手段としてのポリゴンミラー１７と、ポリゴンミラー１７からの走査ビームを被測定物体５の基準面上の所定範囲内で光軸が平行に移動するように偏向させるレンズ１８とを有している。
【００３５】
正反射受光部１３は、被測定物体５の基準面に対し、前記投光部１２のレンズ１８から入射するビームの入射角と同一の反射角で反射する正反射光を受光する第１の受光系である。この正反射受光部１３は、被測定物体５に近い側から光軸に沿って、集光レンズ１９（アレイ）と、減衰フィルターとしてのＮＤ(neutral density) フィルター２０と、結像レンズ２１と、位置検出素子２２とが順に配置されて固定された構造とされている。
【００３６】
乱反射受光部１４は、被測定物体５の基準面に対して垂直な光路を有しており、投光部１２からのビームが被測定物体５で乱反射した乱反射光を受光する第２の受光系であり、本例の光路配置によれば垂直受光部とも指称しうる。この乱反射受光部１４は、前記正反射受光部１３と同様、被測定物体５に近い側から光軸に沿って、集光レンズ１９（アレイ）と、結像レンズ２１と、位置検出素子２２とを有しているが、ＮＤフィルター２０は設けられていない。
【００３７】
ＮＤフィルター２０が正反射受光部１３のみに設けられ、乱反射受光部１４に設けられていないのは、反射光の強度は散乱光よりも正反射光の方が大きいので、異なる反射光を利用する２系統の受光部を備えた本変位測定装置１０において各受光部１３，１４が受ける反射光の強度のバランスを取るためである。
【００３８】
従って、本変位測定装置１０によれば、被測定物体５における散乱光と正反射光の強度比に応じて、最適の減衰率を有する減衰フィルターを採用することができ、被測定物体５の光学的性質に対応した本変位測定装置１０による最適な変位測定を実現することができる。
【００３９】
２つの受光系１３，１４の各結像レンズ２１，２１は、投光部１２におけるビームの走査幅寸法より大きい径を有し、光軸と直交する一方の面が球面状に形成されており、集光レンズ（アレイ）１９，１９からのビームを集束して、各受光素子２２，２２の受光面に被測定物体５における照射点の像を結像させる。
【００４０】
２つの受光系１３，１４の各受光素子２２，２２は矩形状の受光面を有し、受光面に照射された光の位置のうち、受光面の縦方向に沿った位置に対応する信号 (変位信号）と、受光面に照射された光の強度に対応する信号（光量信号）を出力するように構成されている。ここで、正反射受光部１３が出力する変位信号を正反射変位信号、正反射受光部１３が出力する光量信号を正反射光量信号、乱反射受光部１４が出力する変位信号を乱反射変位信号、乱反射受光部１４が出力する光量信号を乱反射光量信号と呼ぶ。
【００４１】
図１に示すように、２つの受光系１３，１４の各受光素子２２，２２は共通の信号処理部１５に接続されている。信号処理部１５は、前記正反射受光部１３からの正反射変位信号及び正反射光量信号と前記乱反射受光部１４からの乱反射変位信号及び乱反射光量信号とを用いて前記被測定物体５の変位信号を出力する。この信号処理部１５は図示しない画像処理部に接続され、前記変位信号等を処理することによって被測定物体５の画像を合成することができる。
【００４２】
さらに具体的には、信号等の入出力状態を表す図２のブロック図に示すように、本例の信号処理部１５においては、前述したように、前記正反射受光部１３からの正反射変位信号Ａ及び正反射光量信号Ｂと前記乱反射受光部１４からの乱反射変位信号Ｃ及び乱反射光量信号Ｄが入力される他、前記正反射光量信号のしきい値Ｅと、前記乱反射光量信号の第１のしきい値Ｆと、前記乱反射光量信号の第２の第２のしきい値Ｇも入力され、後述する所定のアルゴリズムに従った信号処理によって、これらの信号としきい値から変位信号Ｈと光量信号Ｉとパッド認識信号Ｊを得ている。
【００４３】
ここで、前記正反射光量信号のしきい値Ｅは、反射率の低いはんだ３を認識するために設定される正反射はんだ輝度を表すものであり、可変パラメータである。また、前記乱反射光量信号の第１のしきい値Ｆは、反射率の低いはんだ３を認識するために設定される乱反射はんだ輝度を表すものであり、また乱反射光での測定不能レベルであるダークレベルを認識するための値であり、可変パラメータである。また、前記乱反射光量信号の第２のしきい値Ｇは、乱反射光でパッド２を認識するための値であり、可変パラメータである。
【００４４】
上記各しきい値Ｅ，Ｆ，Ｇは上述したようにいずれも可変パラメータであり、被測定物体５の測定面の反射率に応じて最適に設定することができるので、本変位測定装置１０は測定対象の光学的性質に対応した最適の設定で正反射と乱反射を使い分けて正確な変位測定を行なうことができる。
【００４５】
図２に示した信号等の入出力状態を示すブロック図において、各信号と各しきい値を用いて行う信号処理のアルゴリズムは、図３に示すブロック構成の信号処理部１５によって実行される。
【００４６】
図３に示すように、信号処理部１５はデータ判定部２５を有している。データ判定部２５は、前記正反射光量信号のしきい値Ｅと、前記乱反射光量信号の第１の第１のしきい値Ｆと、前記乱反射光量信号の第２のしきい値Ｇと、前記正反射光量信号Ｂと、前記乱反射光量信号Ｄとを入力され、前記正反射変位信号Ａと前記乱反射変位信号Ｃのいずれか一方を選択するための選択信号Ｓを生成する。
【００４７】
また、データ判定部２５は、前記乱反射光量信号Ｄが第２のしきい値Ｇ以上であれば、パッド認識信号Ｊを１とし、第２のしきい値Ｇ以下ならばＪを０とする。
【００４８】
また、図３に示すように、信号処理部１５は変位選択部２６を有している。変位選択部２６は、前記正反射変位信号Ａと前記乱反射変位信号Ｃと前記データ判定部２５からの前記選択信号Ｓが入力され、前記正反射変位信号Ａと前記乱反射変位信号Ｃのいずれか一方を選択して変位信号Ｈとして出力する。
【００４９】
また、図３に示すように、信号処理部１５は光量選択部２７を有している。この光量選択部２７は、予め行なう設定により前記正反射光量信号Ｂを光量信号Ｉとして出力する。なお、設定を変更することにより、乱反射光量信号Ｄを光量信号Ｉとして出力できる。さらに、正反射光量信号Ｂと乱反射光量信号Ｄとデータ判定部２５からの選択信号Ｓとが入力されることで、正反射光量信号Ｂと乱反射光量信号Ｄのいずれか一方を選択して、光量信号Ｉとして出力することができるように設定することができる。
【００５０】
図３に示す構成の信号処理部１５における処理手順を図４の流れ図を参照して説明する。まず、前記データ判定部２５は、正反射光量信号Ｂが正反射光量信号のしきい値Ｅより大きいか否かを判定する（ＳＴ１）。大きいと判定した場合（ＳＴ１でＹＥＳ）には、前記正反射光量信号Ｂがその上限値より大きいか否か（「ブライト」か否か）を判定する（ＳＴ２）。ブライトである場合（ＳＴ２でＹＥＳ、すなわち正反射が限度を越えて明るい場合）は、乱反射による変位信号Ｃを採用する（Ｋ１）。ブライトでない場合（ＳＴ２でＮＯ、すなわち正反射が明るさの限度を越えていない場合）は、正反射による変位信号Ａを採用する（Ｋ２）。
【００５１】
正反射光量信号Ｂが正反射光量信号のしきい値Ｅより大きいと判定しなかった場合（ＳＴ１でＮＯ）には、乱反射光量信号Ｄが乱反射光量の第１のしきい値Ｆより大きいか否かを判定する（ＳＴ３）。大きいと判定した場合（ＳＴ３でＹＥＳ）は、乱反射による変位信号Ｃを採用する（Ｋ１）。大きいと判定しなかった場合（ＳＴ３でＮＯ、正反射も乱反射もしきい値より光量が小さい場合、すなわち「ダーク」の場合）は、正反射、乱反射のいずれの変位信号も採用できず、測定不能となる（Ｋ３）。
【００５２】
また、本例の信号処理部１５では、上記の信号処理手順において、乱反射光量信号Ｄが第２のしきい値Ｇ以上であれば、高反射率領域であるパッド２を認識したことを示す信号として、パッド認識信号Ｊを１として出力する。第２のしきい値Ｇ以下ならば、高反射率領域であるパッド２を認識していないことを示す信号として、Ｊを０として出力する。
【００５３】
このように、本変位測定装置１０によれば、特に検出したい高反射率領域について適当なしきい値を設定しておけば、乱反射光量信号Ｄが当該しきい値以上であるか否かによって、当該高反射率領域を正確に検出して直ちに信号として出力し、種々の用途で有効に利用することができる。例えば、前記パッド認識信号Ｊは、基準面としてレジスト面でなくパッド面を使用する場合に有効に使用することができる。
【００５４】
次に、本変位測定装置１０では、正反射受光部１３の結像レンズ２１と乱反射受光部１４の結像レンズ２１は、図１中に模式的に示す固定手段３０によって互いに連結されている。
図５に構造の詳細を示すように、いずれの受光部の結像レンズ２１も、それぞれ略Ｌ字形の取り付け具３１を介してそれぞれ独立に、ねじ３２等の締結手段で位置調整自在に筐体１１に取り付けられている。すなわち、取り付け具３１のフランジ３１ａには長孔３１ｂが設けられ、この長孔３１ｂを相通したねじ３２が筐体１１にねじ込まれ、取り付け具３１を筐体１１に固定している。
【００５５】
従って、ねじ３２を緩めれば筐体１１に対して取り付け具３１を動かすことができ、図６及び図５（ｂ）中に矢印で示すように、各受光部１３，１４ともに光軸方向についての結像レンズ２１の位置を調整することができ、位置検出素子２２の受光面に垂直な方向についての結像位置を適宜調整することができる。
【００５６】
なお、位置検出素子２２の受光面に平行な方向についての結像位置の調整は、位置検出素子２２が出力する反射光の受光信号を検出しながら、当該位置検出素子２２を同方向に移動させて行なうことができる。
【００５７】
このようにして２つの結像レンズ２１，２１の位置を調整し、ねじ３２を締め付けて筐体１１に対して固定したあとで、図５に示すように２つの取り付け具３１，３１同士をを共通の固定手段３０で連結する。本例の固定手段３０は剛性を有する連結板であり、各取り付け具３１，３１にねじ３２等の締結手段で固定する。
【００５８】
本変位測定装置１０は、正反射受光部１３と乱反射受光部１４の２つの受光部を有しており、被測定物体５からの反射光の光量に応じてこれら２つの受光系１３，１４から最適な受光系を選択し、正反射又は乱反射の受光信号を選択して利用するという原理を採用しているので、これら２つの受光系１３，１４において各結像レンズ２１，２１の位置がずれると各受光素子２２，２２での受光位置がずれて検出される変位に受光系間で誤差が生じることとなる。このような結像レンズ２１の位置ずれの原因としては、例えば温度の変化による部品の膨張や収縮によって部品に加わる応力が挙げられ、その結果、位置がすれてしまうことがある。しかしながら、本変位測定装置１０によれば、調整後の２受光系の各結像レンズ２１，２１は固定手段３０で強固に結合されて相互の位置関係が所期の状態に安定して保持されるので、位置検出素子２２上の反射光の受光位置が調整後の所期の位置からずれるおそれがない。
【００５９】
従って、２つの受光系１３，１４を選択的に用いることにより正反射光と乱反射光を使い分けて変位測定 (高さ測定）を行なう本変位測定装置１０の特長を損なうことがなく、低反射率領域と高反射率領域を有する被測定物体５についての変位測定の正確性が十分に担保されるという効果がある。
【００６０】
本変位測定装置１０によれば、被測定物体５において測定用のレーザー光のビームを所定方向 (Ｘ方向）に沿って走査し、これに同期して同走査方向と直交する方向 (Ｙ方向）について本変位測定装置１０と被測定物体５を相対移動させることにより、被測定物体５の測定面の全面を走査することができる。そして、その走査において上述のように適当に選択した変位信号と光量信号を出力し、これを図示しない画像処理部において本変位測定装置１０の図示しない制御装置からの信号とともに適当に処理すれば、被測定物体５の測定面の面積や被測定物体５の体積等が正確に再現でき、被測定物体５の精密な距離画像を生成することもできる。
【００６１】
以上説明した実施の形態では、乱反射受光部１４が被測定物体５の測定面に対して垂直な光軸を有する垂直受光部であったが、乱反射受光部１４は被測定物体５の測定面に対して必ずしも垂直に配置する必要はない。
【００６２】
また、以上説明した実施の形態では、乱反射受光部１４は１つであったが、２以上設けて相対的に光量の大きい方の乱反射光の変位信号及び光量信号を用いるようにする等、適宜使い分けても良いし、２つの乱反射受光部１４からの乱反射光による信号を合成する等、何らかの演算を加えて使用しても良い。例えば、はんだの部分の測定精度を向上させるために、２つの乱反射受光部の変位信号を平均して使用してもよい。また、はんだの投光側壁面については、垂直受光部は迷光の影響を受ける可能性があるため、この垂直受光部以外の他の乱反射受光部の変位を使用してもよい。なお、ここで迷光とは測定物体に当たった光が散乱することにより、別の物体に当たって受光部に到達してしまった光を言う。
【００６３】
また、以上説明した実施の形態の変位測定装置は、低反射率領域と高反射率領域とを有していたり、測定面に測定光の陰になる領域が生じるような被測定物の変位測定に特に有用であったが、本発明の変位測定装置の測定対象がこれに限定されるものでないことはもちろんである。
【００６４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の変位測定装置によれば、２以上の受光系を有し、被測定物の反射率に対応して正反射と乱反射を使い分けることができるので、被測定物が低反射率領域と高反射率領域とを有している場合にも、測定光のフレアの影響を受けにくく、また測定面から突出した部分の陰のような測定不能領域を可及的に減少させることにより、被測定物の面積、体積がより正確に測定できるという効果が得られる。
【００６５】
特に、請求項１に記載された変位測定装置によれば、信号処理部が、被測定物の反射率に対応して正反射と乱反射を使い分けて信号を選択できるので、被測定物の正確な変位測定 (高さ測定）を非接触で行なうことができる。
【００６６】
また、正反射光量信号をそのしきい値と比較し、乱反射光量信号をそのしきい値と比較し、その結果に基づいて正反射変位信号と乱反射変位信号のいずれか一方を選択して出力できるので、被測定物の反射率に対応して正反射と乱反射を使い分けて信号を選択することにより、当該被測定物の正確な変位測定 (高さ測定）を非接触で行なうことができる。
【００６７】
さらに、正反射光量信号が正反射光量信号のしきい値より大きいと判定した場合において、正反射光量信号がその上限値より大きい場合には乱反射変位信号を選択し、正反射光量信号がその上限値よりも小さい場合には正反射変位信号を選択し、また正反射光量信号が正反射光量信号のしきい値より小さいと判定した場合において、乱反射光量信号がそのしきい値より大きい場合には乱反射変位信号を選択し、乱反射光量信号がそのしきい値より小さい場合には測定不能とするので、被測定物の反射率に対応して正反射と乱反射を使い分けて信号を選択することにより、当該被測定物の正確な変位測定 (高さ測定）を非接触で行なうことができる。
【００６８】
また、請求項３に記載された変位測定装置によれば、被測定物の被測定面において反射率が相対的に高い高反射率領域を確実に検知することができる。
【００６９】
また、請求項４に記載された変位測定装置によれば、正反射系と乱反射系の２つの受光系を独立して動かないように互いに固定できるので、たとえ温度変化等に起因する外力が加わっても、各受光系の位置検出素子における変位のゼロ点がずれることがなく、上述した測定をさらに正確に行なうことができる。
【００７０】
また、請求項５に記載された変位測定装置によれば、相対的に反射光の強度が高い正反射受光部の光路内には減衰フィルターを設け、相対的に反射光の強度が低い乱反射受光部の光路内には設けていないので、反射光の強度に差のある２つの受光系をバランスを保持しつつ選択的に使用して上述した効果をさらに確実に達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本実施の形態に係る変位測定装置の概略構成図である。
【図２】図２は同変位測定装置の信号処理における信号の入出力状態を示すブロック図である。
【図３】図３は同変位測定装置の信号処理部のブロック図である。
【図４】図４は同信号処理部における処理手順を示す流れ図である。
【図５】図５は同変位測定装置における２系統の受光部の各結像レンズが連結された状態を示す図である。
【図６】図６は同変位測定装置における２系統の受光部の各結像レンズの位置調整を示す模式図である。
【図７】図７は従来の変位測定装置の光学系の構造を示す概略斜視図である。
【図８】はんだ等が設けられたプリント基板と、該プリント基板の各部における正反射光の強度と、乱反射光の強度を対比して示す図である。
【図９】従来の変位測定装置において光源からの測定光が被測定物のはんだで正反射して受光素子に入射した場合の問題点を示す図であって、入射光及び反射光の波形図を重ねて示す光路図である。
【図１０】従来の変位測定装置において光源からの測定光が被測定物のはんだで正反射して受光素子に入射する場合に測定できない陰が生じることを示す図である。
【符号の説明】
２…高反射率領域を構成するパッド、３…低反射率領域を構成するはんだ、
４…高反射率領域を構成するレジスト、５…被測定物体、
１０…変位測定装置、１２…投光部、１３…正反射受光部、
１４…乱反射受光部、１５…信号処理部、
２０…減衰フィルターとしてのＮＤフィルター、２１…結像レンズ、
２２…位置検出素子、２５…データ判定部、２６…変位選択部、
３０…固定手段、
Ａ…正反射変位信号、Ｂ…正反射光量信号、Ｃ…乱反射変位信号、
Ｄ…乱反射光量信号、Ｅ…正反射光量信号のしきい値、
Ｆ…乱反射光量信号の第１のしきい値、
Ｇ…乱反射光量信号の第２のしきい値、
Ｈ…変位信号、Ｉ…光量信号、
Ｊ…高反射率領域認識信号としてのパッド認識信号、Ｓ…選択信号。

Claims

被測定物体（５）に測定光を照射する投光部（１２）と、前記被測定物体からの正反射光を受光して正反射変位信号（Ａ）と正反射光量信号（Ｂ）を出力する正反射受光部（１３）と、前記被測定物体からの乱反射光を受光して乱反射変位信号（Ｃ）と乱反射光量信号（Ｄ）を出力する乱反射受光部（１４）と、前記正反射受光部からの正反射変位信号及び正反射光量信号と前記乱反射受光部からの乱反射変位信号及び乱反射光量信号とを用いて前記被測定物体の変位信号（Ｈ）を出力する信号処理部（１５）を有する変位測定装置（１０）において、
前記信号処理部は、
前記正反射光量信号のしきい値（Ｅ）と前記乱反射光量信号の第１のしきい値（Ｆ）とが予め設定され、前記正反射光量信号が前記正反射光量信号のしきい値より大きいと判定した場合には、前記正反射光量信号がブライトを示す上限値より大きい場合に前記乱反射変位信号を選択する選択信号（Ｓ）を生成し、また前記正反射光量信号が前記上限値よりも小さい場合に前記正反射変位信号を選択する選択信号を生成し、さらに前記正反射光量信号が前記正反射光量信号のしきい値より小さいと判定した場合には、前記乱反射光量信号が前記乱反射光量信号の第１のしきい値より大きい場合に前記乱反射変位信号を選択する選択信号を生成し、また前記乱反射光量信号が前記乱反射光量信号のしきい値より小さい場合には測定不能を示す選択信号を生成するデータ判定部（２５）と、
前記正反射受光部からの前記正反射変位信号と、前記乱反射受光部からの前記乱反射変位信号と、前記データ判定部からの前記選択信号とが入力され、前記正反射変位信号と前記乱反射変位信号と測定不能を示す前記選択信号のいずれか一つを選択して出力する変位選択部（２６）と、
を有することを特徴とする変位測定装置。
前記投光部（１２）は前記被測定物体に対して単一の測定光を照射し、前記正反射受光部（１３）と前記乱反射受光部（１４）は、前記単一の測定光による前記被測定物体（５）の同一箇所からの正反射光及び乱反射光をそれぞれの受光部で同時に受けることを特徴とする請求項１に記載の変位測定装置（１０）。
前記被測定物体（５）が、反射率が相対的に低い低反射率領域と、前記低反射率領域の周囲にある反射率が相対的に高い高反射率領域とを有しており、
前記データ判定部（２５）は、前記高反射率領域からの乱反射光によって前記乱反射受光部（１４）が出力する乱反射光量信号（Ｄ）の第２のしきい値（Ｇ）を入力され、前記乱反射光量信号が該しきい値より大きいと判定した場合には高反射率領域認識信号（Ｊ）を出力することを特徴とする請求項１又は２に記載の変位測定装置（１０）。
前記正反射受光部（１３）と前記乱反射受光部（１４）が、位置検出素子（２２）と位置調整自在な結像レンズ（２１）をそれぞれ有しており、前記正反射受光部の前記結像レンズと前記乱反射受光部の前記結像レンズとが解除可能な固定手段（３０）によって互いに連結されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の変位測定装置（１０）。
前記正反射受光部（１３）の光路内に、前記乱反射受光部（１４）の光路内には存在しない減衰フィルター（２０）が設けられたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の変位測定装置（１０）。