JPH08145645A - 傾き検出装置 - Google Patents

傾き検出装置

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JPH08145645A
JPH08145645A JP6292656A JP29265694A JPH08145645A JP H08145645 A JPH08145645 A JP H08145645A JP 6292656 A JP6292656 A JP 6292656A JP 29265694 A JP29265694 A JP 29265694A JP H08145645 A JPH08145645 A JP H08145645A
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JP
Japan
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optical system
substrate
irradiation
wafer
light
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JP6292656A
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English (en)
Inventor
Yasuaki Tanaka
康明 田中
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Original Assignee
Nikon Corp
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C9/00Measuring inclination, e.g. by clinometers, by levels
    • G01C9/02Details
    • G01C9/06Electric or photoelectric indication or reading means

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 感光基板等の被検基板の表面に周期性のある
パターンが形成されている場合でも、正確にその表面の
傾きを検出する。 【構成】 パターン板10のピンホールからの照明光A
Lが、リレーレンズ11、視野絞り12、リレーレンズ
13を経て振動ミラー16上に集光され、振動ミラー1
6からの反射光が、照射側対物レンズ14により平行光
束15に変換されてウエハ4上に斜めに入射する。ウエ
ハ4で反射された0次光20が、集光レンズ21により
4分割受光素子22上に集光される。振動ミラー16を
振動させて、平行光束15でウエハ4上を走査し、それ
に同期して4分割受光素子22からの検出信号を平均化
して、ウエハ4の表面の傾き角を求める。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体ウエハ等
の基板の表面の所定の基準面に対する傾き角を検出する
ための傾き検出装置に関し、特に半導体素子、又は液晶
表示素子等を製造する際にマスクパターンを感光基板上
に投影するために使用される投影露光装置において、感
光基板の表面の投影光学系の結像面に対する傾斜角を検
出するためのレベリングセンサに適用して卓効あるもの
である。
【0002】
【従来の技術】投影露光装置において、マスクとしての
レチクルのパターンを投影光学系を介して、感光材料が
塗布されたウエハ又はガラスプレート等の感光基板上の
各ショット領域に高い解像度で投影するには、各ショッ
ト領域の表面をそれぞれ結像面に対して焦点深度の範囲
内で合わせ込む必要がある。そのため、投影露光装置に
は、感光基板上の各ショット領域の平均的な面を結像面
に平行に設定するオートレベリング機構と、各ショット
領域内の所定の点の高さを結像面の高さに設定するオー
トフォーカス機構とが設けられている。前者のオートレ
ベリング機構は、感光基板の露光対象とするショット領
域(又はほぼこのショット領域とみなせる領域)の平均
的な面の結像面に対する傾き角(傾斜角)を検出するレ
ベリングセンサと、その傾き角を0に収束させて維持す
るレベリングステージと、より構成されている。
【0003】従来のレベリングセンサ(傾き角の検出
系)は、ピンホールから射出された単色光を平行光束に
して感光基板上のショット領域と同じかそれに近い領域
に対して斜め方向から照射する照射光学系と、感光基板
上で反射された光束を集光してピンホール像を形成する
集光光学系と、そのピンホール像の結像位置に応じた検
出信号を生成する4分割受光素子と、から構成されてい
た。この場合、そのショット領域の傾き角が変化する
と、その4分割受光素子上での結像位置(集光位置)が
変化して検出信号も変化するため、その検出信号が所定
の状態に維持されるように感光基板の傾き角を制御して
いた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来の技
術においては、単色の平行光束を感光基板上で露光対象
とする比較的広いショット領域のほぼ全面に照射してい
た。しかしながら、各種製造プロセスを経て感光基板上
の各ショット領域に周期性のあるパターンが形成されて
いる場合に、広い領域に単色の平行光束を照射すると、
そのパターンによる回折光が発生することがある。回折
角はパターンピッチに依存するので、パターンピッチが
或る程度大きくなると、回折角が小さくなって回折光が
4分割受光素子に入射するようになる。
【0005】このとき、照射光学系の光軸が感光基板に
対して傾いていること、及び感光基板上のパターンやそ
の上に塗布された感光材料(フォトレジスト等)の形状
の非対称性等によって、+次数の回折光と−次数の回折
光とで光量に差が生じることがある。このとき、その光
量の不均衡によって4分割受光素子の検出信号が変化し
て、本来0次光によって定まる傾き角の検出結果に誤差
が混入し、感光基板を結像面に対して正確に平行にでき
ないという不都合があった。
【0006】また、フォトレジスト等の薄膜における干
渉の影響を低減するために、傾き角検出用の照明光とし
て、単色光でなく所定幅の波長帯(帯域)に分布する光
束を使用する例も知られている。しかしながら、そのよ
うに所定の波長幅を有する光束を使用しても、感光基板
上に周期的なパターンが存在する場合には、4分割受光
素子上での光量分布はその帯域内の各波長毎の回折光を
重畳したような状態となるため、単色光を使用する場合
と同様に回折光の不均衡による悪影響を受けるという不
都合がある。
【0007】本発明は斯かる点に鑑み、感光基板等の被
検基板の表面に周期性のあるパターンが形成されている
場合でも、正確にその表面の傾きを検出することができ
る傾き検出装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明による傾き検出装
置は、例えば図1に示すように、計測対象とする基板
(4)上に斜めに平行光束を照射する照射光学系(8)
と、基板(4)からの反射光を集光する集光光学系(2
1)と、この集光光学系により集光された光束の位置に
対応する検出信号を生成する光電検出手段(22)とを
有し、この光電検出手段からの検出信号に基づいて基板
(4)の傾きを検出する装置において、照射光学系
(8)から基板(4)上に照射される平行光束と基板
(4)とを1次元的、又は2次元的に相対的に走査する
相対走査手段(16,17)と、その平行光束と基板
(4)との相対的な走査位置に応じて光電検出手段(2
2)から取り込んだ検出信号を統計処理(平均化、積分
等)して基板(4)の表面の平均的な面の傾き角に対応
する情報を求める演算手段(19)とを備えたものであ
る。
【0009】この場合、その照射光学系(8)を、所定
のパターン(10)からの光束を一度集光するリレー光
学系(10,13)と、その一度集光された光束を平行
光束にする照射対物光学系(14)とを含んで構成する
と、その相対走査手段としては、リレー光学系(10,
13)による光束の集光点に配置された反射部材(1
6)と、この反射部材を駆動してその集光された光束の
照射対物光学系(14)に対する入射角を変化させる駆
動手段(17)と、を有する走査手段が使用できる。
【0010】また、平行光束と基板(4)とを1次元的
に走査する場合、照射光学系(8)から基板(4)上に
照射される平行光束の入射方向(X方向)に沿って、相
対走査手段(16,17)によりその平行光束と基板
(4)とを相対的に走査することが望ましい。更に、照
射光学系(8)内、又は集光光学系(21)内に、基板
(4)上での傾きの検出領域を制限する絞り(26)を
設けることが望ましい。
【0011】
【作用】斯かる本発明によれば、例えば図3(b)に示
すように基板(4)上の所定の領域(28)の傾きを検
出する場合には、その領域(28)より例えばX方向に
狭い矩形の照射領域(27A)に平行光束を斜めに照射
する。この場合、基板(4)上にX方向に所定ピッチで
周期的なパターンが存在しても、照射領域(27A)は
X方向に狭いため、その照射領域(27A)内にそのパ
ターンが複数周期存在する確率は低いと共に、仮にその
パターンが複数周期存在しても回折光の強度は弱いた
め、+次数の回折光と−次数の回折光との不均衡による
悪影響は低減される。従って、光電検出手段(22)の
検出信号より、その狭い照射領域(27A)内の平均的
な面の正確な傾き角に対応する情報が得られる。
【0012】更に、その照射領域(27A)と基板
(4)とをX方向に相対的に走査して、光電検出手段
(22)から得られる検出信号を例えば積分することに
より、その領域(28)全体の平均的な面の正確な傾き
角に対応する情報が得られる。この場合、その平行光束
と基板(4)とを相対的に走査した場合に、その平行光
束の入射角が変化すると、光電検出手段(22)上での
平行光束の集光点の位置が変化するため、予め相対的な
走査位置と光電検出手段(22)上での集光点との関係
を求めておき、その相対的な走査位置に応じて光電検出
手段(22)の検出信号を補正する必要がある。
【0013】逆に、その平行光束と基板(4)とを相対
的に走査しても、その平行光束の入射角が変化しないよ
うにしてもよい。これにより、相対的に走査しても光電
検出手段(22)上での集光点の位置が変化しないた
め、検出信号の処理が容易になる。そのように平行光束
の入射角を変化させない方法としては、例えば基板
(4)側を所定の平面に沿って平行光束に対して移動さ
せる方法がある。
【0014】また、平行光束の入射角を変化させずに、
平行光束の入射位置を基板(4)の表面で移動させるに
は、照射対物光学系(14)の前側焦点位置に反射部材
(16)を配置し、リレー光学系(11,13)により
その反射部材(16)上に所定のパターン(ピンホール
等)からの光束を集光し(即ち、その所定のパターンの
像を形成し)、その反射部材(16)からの反射光を照
射対物光学系(14)に入射させればよい。そして、駆
動手段(17)により反射部材(16)の角度を変える
と、照射対物光学系(14)から射出される平行光束は
平行に移動するため、基板(4)に対する入射角が一定
の状態でその照射位置が変化する。
【0015】次に、図3(a)に示すように、平行光束
(15)の基板(4)に対する入射方向をX方向、基板
(4)の法線方向をZ方向として、基板(4)上にX方
向に周期的なパターンが存在すると、基板(4)からの
反射光(0次光)(20)を挟むようにXZ平面内に例
えば±1次回折光(29A,29B)が発生する。この
場合、平行光束(15)がXZ平面内で斜めに入射する
ため、非対称性によって特に+1次回折光(29A)と
−1次回折光(29B)との光量が不均衡になり易い。
従って、その不均衡の影響を小さくするためには、照射
領域(27A)のX方向の幅を狭くして、相対的な走査
方向をX方向とすればよい。
【0016】この際に、図3(a)の紙面に垂直なY方
向に周期的なパターンが存在しても、平行光束(15)
はそのパターンに対して対称に入射するため、例えば±
1次回折光の光量はほぼ同一であり、特に悪影響を与え
ない。従って、照射領域(27A)をY方向に長くして
も傾き角の検出精度は悪化しない。次に、図1に示すよ
うに、照射光学系(8)内、又は集光光学系(21)内
に絞り(26)を設けると、平行光束(15)の走査範
囲に拘らず、基板(4)上での傾き角の検出領域を所望
の領域に制限できる。
【0017】
【実施例】以下、本発明による傾き検出装置の一実施例
につき図面を参照して説明する。本実施例は、投影露光
装置に設けられるレベリングセンサに本発明を適用した
ものである。図1は本実施例の投影露光装置の要部を示
し、この図1において、レチクル1がレチクルステージ
2上に保持され、露光時には上方の不図示の照明光学系
からの露光用の照明光ILがレチクル2に照射され、そ
の照明光ILのもとでレチクル2のパターンが投影光学
系3を介して、感光基板としてのフォトレジストが塗布
されたウエハ4の各ショット領域に結像投影される。こ
こで、投影光学系3の光軸AXに平行にZ軸を取り、Z
軸に垂直な平面内で図1の紙面に平行にX軸を、図1の
紙面に垂直にY軸を取る。
【0018】ウエハ4は、レベリングステージ5上に保
持され、レベリングステージ5は3個の上下動機構6A
〜6Cを介してウエハステージ7上に載置されている。
上下動機構6A〜6Cは、それぞれZ方向に伸縮自在で
あり、例えば駆動モータの回転角を偏心カムでZ方向へ
の変位に変換する機構、Z方向に配置された送りねじを
駆動モータで回動する機構、又はピエゾ素子等が使用で
きる。そして、3個の上下動機構6A〜6CのZ方向へ
の伸縮量を個別に調整することにより、ウエハ4の表面
(被検面)のX軸の回りの傾き角、及びY軸の回りの傾
き角を調整することができる。更に、3個の上下動機構
6A〜6CのZ方向への伸縮量を並行に同じ量だけ調整
することにより、ウエハ4のZ方向の位置(焦点位置)
を所定範囲で調整できるようになっている。
【0019】また、ウエハステージ7は、ウエハ4をZ
方向に大まかに位置決めするZステージ、及びウエハ4
のXY平面内での位置決めを行うXYステージ等から構
成されている。露光時には、ウエハステージ7を介して
ステップ・アンド・リピート方式でウエハ4の各ショッ
ト領域を順次投影光学系3の露光フィールドに移動した
後、オートフォーカス、及びオートレベリングをかけた
状態でレチクル1のパターン像がそれらショット領域に
露光される。
【0020】次に、本例のレベリングセンサは、照射光
学系8、振動ミラー16、集光光学系としての集光レン
ズ21、及び4分割受光素子22等から構成されてい
る。先ず、照射光学系8において、ハロゲンランプ等の
光源9から射出された照明光ALは、パターン板9に照
射される。照明光ALとしては、ウエハ4上のフォトレ
ジスト層への感光性の弱い波長帯の光が使用され、パタ
ーン板9上のピンホールを通過した照明光ALは、第1
リレーレンズ11を介してスリット状の開口が形成され
た視野絞り12に照射される。そのスリット状の開口の
長手方向はY方向(図1の紙面に垂直な方向)となって
いる。その視野絞り12の開口から射出される照明光A
Lは、第2リレーレンズ13により集光される。
【0021】その集光点、即ちパターン板10のピンホ
ールと共役な位置に振動ミラー16が配置され、振動ミ
ラー16は加振器17によりY方向に平行な軸を中心と
して振動するようになっている。振動ミラー16、及び
加振器17としてはガルバノミラー、又はモータにより
回転されるポリゴンミラー等が使用できる。また、加振
器17の加振動作は振動制御系18により制御され、振
動制御系18から後述の平均化回路19に対して、振動
ミラー16の傾斜角に対応する角度信号Sθ(t)が供
給される。
【0022】その振動ミラー16上の集光点を前側焦点
として照射側対物レンズ14が配置されている。更に、
照射側対物レンズ14の光軸は投影光学系3の光軸AX
に斜めに交差しており、振動ミラー16で反射された照
明光ALは、照射側対物レンズ14を介して平行光束1
5に変換されてウエハ4の表面(被検面)に斜めに入射
する。振動ミラー16が振動すると、照射側対物レンズ
14から射出される平行光束15は、照射側対物レンズ
14の光軸に垂直な方向に平行移動して、その平行光束
15はウエハ4の表面を±X方向に走査する。
【0023】平行光束15の入射によりウエハ4の表面
で反射された0次光20は、集光光学系としての集光レ
ンズ21により4分割受光素子22の受光面に集光さ
れ、その受光面にパターン板9内のピンホールの像23
が結像される。即ち、4分割受光素子22の受光面は、
振動ミラー16の反射面、及びパターン板10の配置面
と共役である。そのピンホールの像23の位置は、ウエ
ハ4の表面の傾き角に応じて変化する。
【0024】図2は4分割受光素子22の正面図であ
り、この図2に示すように、4分割受光素子22は、4
個の互いに独立で、且つ密接して配置された矩形の受光
面を有するフォトダイオード等の受光素子22a〜22
dに分割され、各受光素子22a,22b,22c,2
2dからそれぞれ入射した照明光を光電変換して得られ
る検出信号A(t),B(t),C(t),D(t)が
出力される。これらの検出信号は時間tの関数として表
され、検出信号A(t)〜D(t)は、演算回路24に
供給されている。
【0025】図2において、図1の紙面に垂直な方向に
対応する方向をRX方向として、RX方向に垂直な方向
をRY方向とすると、受光素子22a〜22dは、RY
方向に2行で、RX方向に2列となるように配列されて
いる。そこで、演算回路24では、次のような演算によ
り4分割受光素子22上のピンホールの像23のRX方
向の位置に対応する検出信号SX(t)、及びRY方向
の位置に対応する検出信号SY(t)を求める。
【0026】
【数1】SX(t)=[{A(t)+C(t)}−{B
(t)+D(t)}]/Σ
【0027】
【数2】SY(t)=[{A(t)+B(t)}−{C
(t)+D(t)}]/Σ 但し、分母のΣは、次のように各検出信号の和である。
【0028】
【数3】Σ=A(t)+B(t)+C(t)+D(t) この場合、実際には検出信号A(t)〜D(t)はそれ
ぞれ受光素子22a〜22dの出力信号を増幅器(不図
示)で増幅して得た信号であり、各受光素子22a〜2
2dに同じ光量の光束を入射させたときに、検出信号A
(t)〜D(t)が同じ大きさとなるようにそれら増幅
器の増幅度が調整されている。また、予め投影光学系3
の露光フィールド内に配置された基準部材の平坦度の良
好な表面が結像面に合致しているときに、4分割受光素
子22の中心にピンホールの像が結像されて、検出信号
SX(t)及びSY(t)がそれぞれ0となるように、
4分割受光素子22の位置が調整されている。
【0029】従って、ウエハ4の露光対象のショット領
域の表面が平坦で、且つ結像面に合致しているときに
は、ピンホールの像23の位置は4分割受光素子22の
中心にあり、そのショット領域の表面がX軸に平行な軸
を中心として傾くと、その像23の位置はほぼRX方向
に変位して検出信号SX(t)の値が変化し、そのショ
ット領域の表面がY軸に平行な軸(図1の紙面に垂直な
軸)を中心として傾くと、その像23の位置はほぼRY
方向に変位して検出信号SY(t)の値が変化する。そ
のため、検出信号SX(t)、及びSY(t)の値がそ
れぞれ0になるように、レベリングステージ5のX軸に
平行な軸を中心とする傾斜角θX 、及びY軸に平行な軸
を中心とする傾斜角θY を調整することにより、そのシ
ョット領域の表面を結像面に平行に設定できる。
【0030】但し、実際にはウエハ4の各ショット領域
には凹凸のパターンが形成されているため、ウエハ4の
表面からは0次光20の他に回折光が発生し、これらの
回折光は検出信号SX(t)、及びSY(t)にも影響
を与える恐れがある。そこで、その回折光の影響を低減
させるため、照射光学系8からウエハ4の表面に照射さ
れる平行光束15の照射領域のX方向の幅をショット領
域の幅より狭くして、その平行光束15を±X方向に走
査している。
【0031】それら検出信号SX(t)及びSY(t)
を走査方向に平均化するため、図1において、演算回路
24からの検出信号SX(t),及びSY(t)を平均
化回路19に供給している。平均化回路19には振動制
御系18より振動ミラー16の傾斜角に対応する角度信
号Sθ(t)も供給されている。また、振動ミラー16
の振動の角速度は一定であり、平行光束15のウエハ4
上での±X方向への走査速度は一定であるとする。この
場合、平均化回路19では、その角度信号Sθ(t)の
値が所定の範囲内にある期間Tにおいて、即ち平行光束
15がウエハ4の露光対象とするショット領域上を走査
している期間Tにおいて、検出信号SX(t)、及びS
Y(t)を次のように積分して、それぞれ積分信号〈S
X(t)〉、及び〈SY(t)〉を得る。但し、積分記
号∫dtは期間T内での時間tに関する積分を意味す
る。
【0032】
【数4】〈SX(t)〉=∫SX(t)dt,〈SY
(t)〉=∫SY(t)dt なお、(数4)の演算はアナログ演算で行ってもよい
が、期間T内に所定のサンプリング周期で検出信号SX
(t)、及びSY(t)をそれぞれサンプル/ホールド
した後、アナログ/デジタル変換し、得られたデータを
それぞれ積算してもよい。
【0033】但し、振動ミラー16の角速度が一定でな
い場合には、振動ミラー16の傾斜角(角度信号Sθ
(t))が変化して平行光束15のX方向への移動量が
所定のステップ量に達する毎に、検出信号SX(t)、
及びSY(t)をそれぞれサンプル/ホールドした後、
アナログ/デジタル変換して積算してもよい。更に、4
分割受光素子22からの検出信号A(t)〜D(t)を
小さなサンプリング周期でアナログ/ジデタル変換して
取り込んだ後、上述の(数1)及び(数2)の演算、及
び平均化の演算を全てデジタル演算で行ってもよい。
【0034】その積分信号〈SX(t)〉、及び〈SY
(t)〉がステージ制御系25に供給され、ステージ制
御系25は、積分信号〈SX(t)〉、及び〈SY
(t)〉がそれぞれ0になるように上下動機構6A〜6
Cの伸縮量を調整する。これにより、ウエハ4上のショ
ット領域の表面の平均的な面が結像面に平行にされる。
また、不図示の焦点位置検出系により計測されたZ方向
の位置(焦点位置)に基づいて、そのショット領域の例
えば中央部での焦点位置が結像面の焦点位置に設定され
た後、レチクル1のパターンがそのショット領域に投影
露光される。
【0035】なお、検出信号SX(t),SY(t)を
積分(デジタルの場合には積算)する代わりに、所定の
時間間隔で取り込んだ検出信号SX(t)、及びSY
(t)を平均化して得た信号を使用してもよい。次に、
本例のレベリングセンサの動作につき図3を参照して詳
細に説明する。図3(a)は図1の照射光学系8の要
部、及び振動ミラー16を示し、或る時点t1 におい
て、振動ミラー16の傾斜角をθ1 とする。このとき、
視野絞り12を通過した照明光は、振動ミラー16及び
照射側対物レンズ14を経て平行光束15として、ウエ
ハ4の表面の領域27Aに入射する。その領域27Aで
反射された0次光20は、図1の集光レンズ21を介し
て4分割受光素子22上にピンホールの像23を形成
し、演算回路24からその像23の位置に応じた、即ち
領域27Aの平均的な面の傾き角に応じた検出信号SX
(t1)、及びSY(t1)が出力される。
【0036】その後、図3(a)に示すように、時点t
2 において、振動ミラー16が位置16Aに傾斜して傾
斜角が角度θ2 に変化すると、照射側対物レンズ14か
ら射出される平行光束15は位置15Aに平行移動し
て、ウエハ4上の領域27Bに入射する。その領域27
Bから反射される0次光が、図1の4分割受光素子22
上にピンホールの像を結像し、演算回路24から領域2
7Bの平均的な面の傾き角に応じた検出信号SX
(t),SY(t)が出力される。
【0037】また、図3(b)は、図3(a)のウエハ
4の平面図を示し、この図3(b)において、領域27
A、及び領域27Bはウエハ4上の露光対象とするショ
ット領域28のX方向の端部に位置しているものとす
る。これは、振動ミラー16が時点t1 から時点t2
で傾斜することにより、平行光束15はそのショット領
域28をX方向に1回走査することを意味する。従っ
て、振動ミラー16の傾斜角の変化に同期して時点t1
から時点t2 までの1周期だけ、図1の検出信号SX
(t),SY(t)を積分することにより、ウエハ4上
のショット領域28の全体の平均的な面の傾き角を検出
できる。
【0038】更に、時間的な平均化効果を得るために、
振動ミラー16の振動の複数周期分、即ち、平行光束1
5がウエハ4のショット領域28を±X方向に複数回走
査する期間に亘って、検出信号SX(t),SY(t)
を平均化してもよい。これにより、空気揺らぎ、振動ミ
ラー16の振動のばらつき、及び電気的なノイズ等の影
響を低減させて、より高精度にそのショット領域28の
平均的な面の傾き角を求めることができる。
【0039】次に、図3において、平行光束15の照射
領域27Aの走査方向(X方向)の幅D1の定め方につ
いて説明する。先ず、図3(b)に示すようにウエハ4
上での平行光束15の照射領域27Aは、Y方向がショ
ット領域28の幅と等しい矩形領域である。ショット領
域28は例えば直径が28mm程度の露光フィールドに
内接する1辺が20mm程度の正方形の領域であるた
め、照射領域27AのY方向の幅は20mm程度であ
る。
【0040】この場合、そのショット領域28内にそれ
までのプロセスによっって、平行光束15の入射方向で
あるX方向に所定ピッチで周期的な凹凸のパターンが形
成されているものとして、図3(a)に示すように、平
行光束15によりウエハ4上で照明される照射領域27
AのX方向の幅D1よりもそのパターンのピッチが小さ
いと、照射領域27Aからは0次光20の他に、XZ平
面内で+1次回折光29A、及び−1次回折光29B等
の回折光が射出される。その平行光束15はウエハ4上
の凹凸のパターンに対して斜めに非対称に入射している
ため、+1次回折光29Aと−1次回折光29Bとの光
量のバランスは崩れ易い。従って、それら+1次回折光
29A、及び−1次回折光29Bが図1の4分割受光素
子22に入射すると、光量分布が本来の位置からずれ
て、領域27Aの平均的な傾き角を誤って検出すること
になる。
【0041】それを避けるためには、平行光束15によ
る照射領域27AのX方向の幅D1を、ウエハ4上のX
方向に周期的なパターンのピッチよりも小さくすればよ
い。更に、仮にその照射領域27A内に2周期分程度の
パターンが入っても、回折光の強度は弱いため、その幅
D1はウエハ4上のパターンのピッチの2倍よりも小さ
い程度に設定すればよい。通常回折光が問題となるのは
ピッチが1mm程度のパターンであるため、その照射領
域27AのX方向の幅D1は2mmより小さいことが望
まれる。更に、その幅D1が1mmより小さければ回折
光が少なくなり、より高精度に照射領域27Aの傾きを
検出できる。
【0042】この際に、照射領域27A内に平行光束1
5の入射方向に垂直なY方向に周期的な凹凸のパターン
が形成されていても、その平行光束15はそのパターン
に対して対称に入射するため、そのパターンからの+1
次回折光と、−1次回折光との光量はほぼ等しい。従っ
て、Y方向に周期的なパターンからの回折光が存在して
も、それらは4分割受光素子22上で相殺するため、照
射領域27Aの傾きの検出精度は悪化しない。従って、
照射領域27AがY方向に長くとも差し支えなく、平行
光束15を1次元的にX方向に走査するだけでよい。
【0043】次に、図1に示すように、本実施例ではウ
エハ4と集光レンズ21との間に視野絞り26が配置さ
れている。この視野絞り26の開口部の図1の紙面内で
の幅は、0次光20の幅よりかなり広く設定されてい
る。これに対して、振動ミラー16と光源9との間にあ
る視野絞り12の幅は狭く、視野絞り12により平行光
束15のウエハ4上でのX方向の幅、及びY方向の幅が
設定されている。
【0044】ここで視野絞り12と視野絞り26との相
違を説明するため、図4にウエハ4上のショット領域2
8の平面図を示す。この図4において、ショット領域2
8内でそのショット領域28とY方向に等しい幅を有す
る矩形の照射領域27が視野絞り12により制限される
領域であり、振動ミラー16の振動により照射領域27
がそのショット領域28を走査する。一方、図1の視野
絞り26を0次光20に平行にウエハ4側に投影した像
が、図4の矩形の検出領域30となる。即ち、ショット
領域28に入射した平行光束の内で、検出領域30に入
射した平行光束の反射光だけが、図1の4分割受光素子
22に入射するため、検出領域30の平均的な面の傾き
角が検出されるようになる。
【0045】その検出領域30の大きさは、視野絞り1
2によって決まる照射領域27の大きさ、及び振動ミラ
ー16の振れ角と振動方向とに依らず決めることができ
る。従って、予め照射領域27、及び振動ミラー16の
振動範囲を大きめに設定しておき、ウエハ4上のショッ
ト領域の大きさに応じて視野絞り26の開口部の大きさ
を変えることにより、容易にウエハ4上で傾き角を検出
する領域を設定できる利点がある。なお、視野絞り26
によって検出領域30の大きさを制限する場合には、検
出領域の幅が振動ミラー16の傾斜角の範囲からは判定
できなくなる。そこで、図1の平均化回路19では、例
えば検出信号A(t)〜D(t)の和信号をモニタし、
この和信号のレベルが所定の閾値を超えた時点からその
和信号のレベルがその閾値以下になるまでの間、検出信
号SX(t),SY(t)を積分するようにしてもよ
い。
【0046】なお、図1において、ウエハ4からの0次
光が平行光束であるため、視野絞り26の配置面とウエ
ハ4の表面とは実質的に共役であるとも言える。この場
合、入射する光束も平行光束15であるため、照射側対
物レンズ14とウエハ4との間に視野絞り26を配置し
てもよい。更に、実際に集光レンズ20の後にリレー光
学系を設けて、ウエハ4の表面と実際に共役な面を設
け、その共役な面に視野絞り26を設けるようにしても
よい。
【0047】次に、上述実施例では平行光束をウエハ4
上で1次元的に走査しているが、その平行光束を図5に
示すように、ウエハ4上で2次元的に走査してもよい。
即ち、図5は、ウエハ4上のショット領域28内に、X
方向及びY方向にそれぞれピッチPのパターン32が形
成されているものとして、そのパターン32上に−X方
向から平行光束が入射したときに、+Y方向及び−Y方
向に発生する回折光の光量のバランスが大きく異なって
いるとする。この場合、その平行光束の照射領域31
を、X方向及びY方向の幅がD2の正方形の領域である
として、幅D2をパターン32のピッチPの2倍以下、
好ましくはそのピッチP以下に設定する。そして、図1
の振動ミラー16を2方向に振ることにより、図5の点
線で示すように、照射領域31でショット領域28上の
全面を2次元的に走査する。そして、図1の演算回路2
4から出力される検出信号SX(t),SY(t)を平
均化することにより、パターン32が存在しても正確に
ショット領域28の平均的な傾き角を検出できる。
【0048】なお、上述実施例では、平行光束の集光点
(ピンホールの像)の位置を検出するための光電検出手
段として、4分割受光素子22が使用されているが、そ
の他に例えば所謂ポジション・センシティブ・ディテク
タ(PSD)等を使用することができる。また、ウエハ
4上にはピンホールからの平行光束を照射しているが、
例えば十字型のパターン等からの平行光束をウエハ4上
に照射してもよい。
【0049】また、振動ミラー16により平行光束15
をウエハ4上で走査する代わりに、平行光束16を固定
して、ウエハステージ7によりウエハ4をX方向に走査
してもよい。このように本発明は上述実施例に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得る。
【0050】
【発明の効果】本発明によれば、計測対象とする基板と
平行光束とを相対的に走査しているため、基板上での傾
き角の検出領域(ショット領域等)に対してその平行光
束の照射領域の幅を走査方向に対して狭くできる。従っ
て、その検出領域上に周期的なパターンがある場合で
も、回折光の光量が小さくなるため、光電検出手段から
の検出信号を統計処理(例えば積分)することにより、
その基板の検出領域内の平均的な傾き角を正確に検出で
きる利点がある。
【0051】また、照射光学系が、所定のパターンから
の光束を一度集光するリレー光学系と、前記一度集光さ
れた光束を平行光束にする照射対物光学系とを有し、相
対走査手段が、そのリレー光学系による光束の集光点に
配置された反射部材と、この反射部材を駆動してその集
光された光束のその照射対物光学系に対する入射角を変
化させる駆動手段と、を有する場合には、その反射部材
を駆動することにより、照射対物光学系から射出される
平行光束が平行移動する。従って、この平行光束は、計
測対象とする基板上を入射角が同じ状態で走査するた
め、光電検出手段からの検出信号の処理が容易である。
【0052】また、照射光学系からその基板上に照射さ
れる平行光束の入射方向に沿って、その相対走査手段に
よりその平行光束とその基板とを相対的に走査する場合
には、その入射方向での照射領域の幅を狭くできる。従
って、非対称になり易い入射方向に周期的なパターンか
らの回折光が弱くなるため、1次元的な走査を行うだけ
て検出領域の平均的な面の傾きを正確に検出できる。
【0053】次に、その照射光学系内、又はその集光光
学系内に、その基板上での傾きの検出領域を制限する絞
り(視野絞り26)を設けた場合には、基板上での平行
光束の照射領域の大きさと、相対走査する方向及び長さ
とに依らず、検出領域を定められるので、検出領域の形
状の設定の自由度が高くなる。逆に言えば、ある特定の
検出領域に対する傾き検出装置の光学系の設計の自由度
を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による傾き検出装置の一実施例が適用さ
れた投影露光装置の要部を示す構成図である。
【図2】図1の4分割受光素子22を示す正面図であ
る。
【図3】実施例における振動ミラー16の傾斜角と平行
光束の照射領域の移動方向との関係を示す図である。
【図4】実施例における平行光束の照射領域27と、図
1の視野絞り26によって制限される検出領域30との
関係を示す平面図である。
【図5】ウエハ上を平行光束で2次元的に走査する場合
の説明図である。
【符号の説明】
3 投影光学系 4 ウエハ 5 レベリングステージ 6A〜6C 上下動機構 8 照射光学系 9 光源 10 パターン板 12 照射領域制限用の視野絞り 14 照射側対物レンズ 16 振動ミラー 17 加振器 18 振動制御系 19 平均化回路 21 集光レンズ 22 4分割受光素子 24 演算回路 26 検出領域制限用の視野絞り 28 ショット領域

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 計測対象とする基板上に斜めに平行光束
    を照射する照射光学系と、前記基板からの反射光を集光
    する集光光学系と、該集光光学系により集光された光束
    の位置に対応する検出信号を生成する光電検出手段とを
    有し、該光電検出手段からの検出信号に基づいて前記基
    板の傾きを検出する装置において、 前記照射光学系から前記基板上に照射される平行光束と
    前記基板とを相対的に走査する相対走査手段と、 前記平行光束と前記基板との相対的な走査位置に応じて
    前記光電検出手段から取り込んだ検出信号を統計処理し
    て前記基板の表面の平均的な面の傾き角に対応する情報
    を求める演算手段と、を備えたことを特徴とする傾き検
    出装置。
  2. 【請求項2】 前記照射光学系は、所定のパターンから
    の光束を一度集光するリレー光学系と、前記一度集光さ
    れた光束を平行光束にする照射対物光学系とを有し、 前記相対走査手段は、前記リレー光学系による光束の集
    光点に配置された反射部材と、該反射部材を駆動して前
    記集光された光束の前記照射対物光学系に対する入射角
    を変化させる駆動手段と、を有することを特徴とする請
    求項1記載の傾き検出装置。
  3. 【請求項3】 前記照射光学系から前記基板上に照射さ
    れる平行光束の入射方向に沿って、前記相対走査手段に
    より前記平行光束と前記基板とを相対的に走査すること
    を特徴とする請求項1又は2記載の傾き検出装置。
  4. 【請求項4】 前記照射光学系内、又は前記集光光学系
    内に、前記基板上での傾きの検出領域を制限する絞りを
    設けたことを特徴とする請求項1、2、又は3記載の傾
    き検出装置。
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