DE102019116460A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen und Einstellen der Neigungslage eines Suszeptors - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausgleichen eines Höhenschlages eines bei seiner Verwendung in einer Prozesskammer (2) eines Substratbehandlungsreaktors unter Substratbehandlungsbedingungen bei einer durch Beheizen des Suszeptors (3) mit einer Heizeinrichtung (4) erreichten erhöhten Temperatur um eine Drehachse (5) drehangetriebenen Suszeptors (3), mit einen ortsfest in einem Gehäuse (1) des Substratbehandlungsreaktors angeordneten Sensoranordnung zur Ermittlung zumindest einer zur Drehachse (5) parallelen Komponente des Abstandes zum Suszeptor (3), wobei Verstellorgane (6, 7) vorgesehen sind, um einen Neigungslage (11) einer Breitseitenfläche (3'') des Suszeptors (3) zur Drehachse zu verstellen. Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, dass der Abstand unter den Prozessbehandlungsbedingungen, also insbesondere bei Temperaturen über 500 °C ermittelt wird. Bei der hierzu verwendeten Vorrichtung verläuft die Messstrecke 13 der Sensoranordnung 8, 9 durch eine Heizeinrichtung 4.
Description
- Gebiet der Technik
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bestimmen und Ausgleichen eines Höhenschlages eines bei seiner Verwendung in einer Prozesskammer eines Substratbehandlungsreaktors unter Substratbehandlungsbedingungen bei einer durch Beheizen des Suszeptors mit einer Heizeinrichtung erreichten erhöhten Temperatur um eine Drehachse drehangetriebenen Suszeptors, mit einen ortsfest in einem Gehäuse des Substratbehandlungsreaktors angeordneten Sensoranordnung zur Ermittlung zumindest einer zur Drehachse parallelen Komponente des Abstandes zum Suszeptor, wobei Verstellorgane vorgesehen sind, um einen Neigungslage einer Breitseitenfläche des Suszeptors zu verstellen.
- Stand der Technik
- Die
US 2016/0010239 A1 - Die
US 6,737,663 B2 offenbart eine Vorrichtung, um einen Neigungswinkel einer ebenen Oberfläche einer Maschine gegenüber einer Referenzfläche zu messen, wobei ein Laserstrahl von einem Laser erzeugt und von einem optischen Empfänger empfangen wird. Der Laserstrahl wird an der Oberfläche reflektiert, deren Neigung ermittelt werden soll. - Die
US 6,788,991 B2 offenbart eine Vorrichtung, um die exakte Lage eines Substrates in einer Substratbehandlungseinrichtung zu bestimmen. - Aus der
DE 10 2016 122 072 A1 ist ein Substratbehandlungsreaktor vorbekannt, bei dem ein Suszeptor um eine Drehachse drehangetriebenen werden kann. Mittels Tastarmen kann die Lage des Suszeptors im Zentrum einer Prozesskammer eines Substratbehandlungsreaktors eingestellt werden. - Die
DE 20 2018 100 363.1 offenbart einen Tragkopf, der auf einen drehantreibbaren Schaft aufgesetzt werden kann. Der Tragkopf trägt eine Tragplatte, die wiederum einen Suszeptor trägt. Die Tragplatte kann gegenüber einem Flansch, mit dem der Kopf auf dem Schaft befestigt ist, neigungsverstellt werden. - Zusammenfassung der Erfindung
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Mittel anzugeben, mit denen eine Breitseitenfläche eines Suszeptors in eine Drehebene bringbar ist, die senkrecht zur Drehachse des Schaftes der Antriebsvorrichtung zum Drehantreiben des Suszeptors verläuft.
- Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei die Unteransprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der nebengeordneten Ansprüche sind, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufgabe darstellen.
- Zunächst und im Wesentlichen wird vorgeschlagen, dass der Substratbehandlungsreaktor durch Beheizen des Suszeptors mit einer Heizeinrichtung auf eine Substratbehandlungstemperatur gebracht wird. Es ist zumindest eine Sensoranordnung mit einem Sensor vorgesehen, die ortsfest mit dem Gehäuse des Substratbehandlungsreaktors verbunden ist. Erfindungsgemäß ist diese Sensoranordnung in der Lage, einen Abstand zwischen sich und einer Breitseitenfläche des Suszeptors zu bestimmen. Es ist insbesondere vorgesehen, dass die Sensoranordnung in der Lage ist, eine Vektorkomponente des Abstandes zu ermitteln, die parallel zur Drehachse verläuft. Erfindungsgemäß soll der Abstand unter den Prozessbehandlungsbedingungen, also bei den Prozesstemperaturen ermittelt werden, die über 500° C liegen. Darüber hinaus ist vorgesehen, dass die Abstandsbestimmung kontinuierlich während einer Drehung des Suszeptors um seine Drehachse erfolgt. Dies erfolgt erfindungsgemäß dadurch, dass Licht, welches von einem Lichtgeber, beispielsweise einem Laser erzeugt wird, an einer Breitseitenfläche des Suszeptors reflektiert wird. Das reflektierte Lichtsignal wird von einem Lichtsensor empfangen. Mittels Laufzeitmessung oder Phasenlagenbestimmung lässt sich in bekannter Weise die Strecke ermitteln, die das Licht vom Lichtgeber zum Lichtsensor zurücklegt. Der Reflexionspunkt des Lichtes bzw. der Treffpunkt des Laserstrahls an der Breitseite des Suszeptors ist von der Drehachse des Suszeptors bevorzugt maximal in Radialrichtung beabstandet. Gemäß einer Variante der Erfindung ist vorgesehen, dass eine Vielzahl von Messungen während einer Umdrehung des Suszeptors getätigt wird, sodass eine Vielzahl von Messpunkten ermittelt wird. Bezogen auf eine ideale Drehebene zeigen die gemessenen Abstandswerte eines einen Höhenschlag aufweisenden Suszeptors einen sinusförmigen Verlauf. Aus diesem Verlauf der Abstandswerte können Korrekturwerte ermittelt werden, um mittels Verstellorgane die Breitseitenfläche, an der die Messung vorgenommen worden ist oder eine davon abweichende Breitseitenfläche, deren relative Neigungslage zur Breitseitenfläche, an der die Messungen vorgenommen worden sind, bekannt ist, in eine Drehebene zu bringen. Die Erfindung betrifft insbesondere eine Vorrichtung, die eine Heizeinrichtung aufweist, mit der der Suszeptor auf seiner von der Prozesskammer weg weisenden Seite beheizt werden kann. Es ist bevorzugt vorgesehen, dass die zur Prozesskammer weisende Breitseite des Suszeptors durch Verstellen von Verstellorgane in eine Drehebene gebracht werden soll. Die Prozesskammer besitzt eine sich insbesondere nicht drehende, sondern ortsfeste Prozesskammerdecke, die mittels anderweitiger Justierelemente in eine zur Drehebene parallele Ebene gebracht worden ist. Wird die zur Prozesskammer weisende Breitseitenfläche des Suszeptors in die Drehebene gebracht, so verläuft sie parallel zur Unterseite der Prozesskammerdecke. Dies führt zum Ziel der Erfindung, dass die Prozesskammerhöhe, also der Abstand der insbesondere nach oben weisenden Breitseitenfläche des Suszeptors zur insbesondere nach unten weisenden Breitseitenfläche der Prozesskammerdecke in der gesamten Prozesskammer überall gleich ist. Die Prozesskammer besitzt bevorzugt ein Gaseinlassorgan, durch welches Prozessgase in die Prozesskammer eingespeist werden können. Bei den Prozessgasen kann es sich um metallorganische Verbindungen der III. oder IV. Hauptgruppe des Periodensystems handeln. Als Prozessgase kommen zusätzlich Hydride der III. bzw. IV. Hauptgruppe in Betracht, sodass IV-IV-Halbleiterschichten oder III-V-Halbleiterschichten auf Substraten abgeschieden werden können, die auf der zur Prozesskammer weisenden Breitseitenfläche des Suszeptors aufliegen. Es ist insbesondere vorgesehen, dass die zur Prozesskammer weisende Breitseitenfläche des Suszeptors Taschen aufweist, in denen jeweils ein Substratträger einliegt, der ein oder mehrere Substrate trägt. Die Substratträger können in bekannter Weise auf Gaskissen gelagert sein, wobei die Gaskissen von Gasströmungen erzeugt werden, die dem Substratträger auch eine Drehung um seine Achse verleihen. Die Gasversorgung der Gaskissen erfolgt durch einen Schaft hindurch, mit dem der Suszeptor drehangetriebenen wird. In einer Variante der Erfindung ist vorgesehen, dass die von der Prozesskammer wegweisende Breitseitenfläche des Suszeptors mit einer Heizeinrichtung beheizt wird. Bei der Heizeinrichtung kann es sich um eine IR-Heizeinrichtung, RF-Heizeinrichtung oder um eine andere Energiequelle handeln, mit der Heizleistung dem Suszeptor zugeführt wird, um den Suszeptor auf eine Prozesstemperatur zu bringen. Gemäß einer Variante der Erfindung ist vorgesehen, dass die Messstrecke zwischen der Sensoranordnung und der Breitseitenfläche des Suszeptors durch die Heizeinrichtung hindurch verläuft. Es kann vorgesehen sein, dass die Sensoranordnung eine optische Sensoranordnung ist und der Lichtstrahl durch eine Heizspirale des Heizelementes hindurch verläuft. Die Heizspirale kann von einer RF-Antenne verwirklicht sein. Die Heizspirale kann von einem Hohlkörper gebildet sein, durch dessen Höhlung ein Kühlmedium hindurchfließt. In einer Variante der Erfindung ist vorgesehen, dass die Verstellung der Neigungslage bei Raumtemperatur erfolgt, indem beispielsweise Verstellwerkzeuge verwendet werden, die an Gewindeelemente angreift. Die Gewindeelemente können beispielsweise von Schrauben ausgebildet sein, die von Schraubendrehern oder anderen Schraubwerkzeugen gedreht werden können. Diese Schrauben können wie es die
DE 20 2018 100 363.1 zeigt, durch eine zentrale Öffnung des Suszeptors her betätigt werden. Der Offenbarungsgehalt derDE 20 2018 100 363.1 wird deshalb vollständig in den Offenbarungsgehalt dieser Anmeldung mit einbezogen, insbesondere mit dem Zweck, dort offenbarte Merkmale in die Ansprüche aufzunehmen. In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Verstellung der Neigungslage bei erhöhter Temperatur erfolgen kann. Hierzu kann vorgesehen sein, dass die Verstellorgane, die ebenfalls Gewindeelemente aufweisen können, von außerhalb des Reaktorgehäuses betätigt werden können. Alternativ dazu können aber auch Aktoren vorgesehen sein, beispielsweise elektrische Servomotoren, mit denen die Verstellorgane betätigt werden können, um den Neigungswinkel elektromotorisch zu verstellen. Die Servomotoren können fest mit dem Schaft verbunden sein, mit dem der Suszeptor drehangetriebenen wird. Mit den Aktoren können beispielsweise Gewindespindeln gedreht werden, die jeweils ein Außengewinde aufweisen, wobei das Außengewinde jeweils in eine Spindelmutter eingreift, die an einem Verstellkopf sitzt, der den Suszeptor trägt. Bevorzugt besitzt die Vorrichtung eine Steuereinrichtung in Form einer Steuerung, die von der Sensoranordnung Abstandsdaten erhält. Vom Drehantrieb, mit dem der Schaft gedreht wird, kann die Steuerung Informationen über den Drehwinkel des Suszeptors erhalten. Aus diesen Daten kann die Steuerung Korrekturdaten berechnen, mit denen mittels der Aktoren oder anderweitig die Verstellorgane verstellt werden müssen, um die Breitseitenfläche des Suszeptors in die Drehebene zu bringen. Auch wenn die Abstandsmessungen an einer unteren Breitseitenfläche des Suszeptors vorgenommen werden, die die von der Prozesskammer weg weist, wird bevorzugt die Breitseitenfläche in die Drehebene gelegt, die zur Prozesskammer hinweist. Bei der Korrektur können Abweichungen von der Parallelität der beiden Breitseitenflächen berücksichtigt werden. Die Höhe der Prozesskammer beträgt bevorzugt maximal 40 mm. Bevorzugt liegt die Prozesskammerhöhe im Bereich zwischen 20 und 25 mm, wo bei der Durchmesser des Suszeptors mindestens 600 mm beträgt. Der Durchmesser kann zwischen 500 und 700 mm liegen. - Figurenliste
- Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand einer Zeichnung erläutert. Es zeigt:
-
1 einen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel eines CVD-Reaktors - Beschreibung der Ausführungsformen
- Die
1 zeigt einen Querschnitt durch einen Substratbehandlungsreaktor zur Verdeutlichung der wesentlichen Elemente der Erfindung. - Die
1 zeigt ein Reaktorgehäuse1 , welches ein gasdichtes Edelstahlgehäuse ist. Innerhalb des Gehäuses befindet sich ein Suszeptor3 , bei dem es sich um ein kreisscheibenförmiges Graphitteil, Keramikteil oder Metallteil handeln kann. Der Suszeptor3 bildet mit einer Breitseitenfläche 3" eine untere Begrenzungsfläche einer Prozesskammer2 , die nach oben hin durch eine Unterseite14' einer Deckenplatte14 begrenzt ist. Die Deckenplatte14 kann aus Graphit, einem keramischen Material oder dergleichen bestehen und kann lagejustiert werden. Die Deckenplatte14 ist bevorzugt derart lagejustiert, dass ihre Unterseite14 senkrecht zu einer Drehachse5 verläuft. Die Deckenplatte14 ist ortsfest dem Gehäuse zugeordnet. Sie ist insbesondere nicht drehbar. - In der Drehachse
5 befindet sich ein Gaseinlassorgan17 mit mehreren Gaszuleitungen, um voneinander verschiedene Prozessgase jeweils zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer2 einspeisen zu können. Die Prozesskammerdecke14 kann vom Gaseinlassorgan17 getragen werden. Ein unterer Abschnitt des Gaseinlassorganes17 kann in einer Aussparung des Suszeptors3 einliegen. - Der Suszeptor
3 wird von einem Tragkopf22 getragen, der sich in der Drehachse5 befindet. Unter Zwischenlage einer elastischen Dichtung23 ruht der Tragkopf22 auf einem Schaft18 , der von einem Drehantrieb19 in einem Drehlager21 gelagert drehangetriebenen werden kann. - Innerhalb des Schaftes
18 verlaufen in der Figur nur angedeutete Gasleitungen, die durch die Dichtung23 und den Tragkopf22 hindurch in den Suszeptor3 verlaufen, wo sie in Taschen münden, in denen sich Substratträger15 befinden, die jeweils ein oder mehrere Substrate16 tragen. Durch diese Gaszuleitungen können Trägergasströme geleitet werden, die die Substratträger15 in bekannter Weise um ihre Achse drehantreiben. Der zur Prozesskammer2 weisende Breitseitenfläche3" des Suszeptors3 liegt eine Breitseitenfläche3' gegenüber, die zu einer Heizeinrichtung4 hinweist. Die Heizeinrichtung4 wird im Ausführungsbeispiel von einer spiralförmigen Antenne ausgebildet, die ein elektromagnetisches Wechselfeld erzeugt, welches im elektrisch leitfähigen Suszeptor3 Wirbelströme erzeugt, mit denen der Suszeptor beheizt wird. - Es ist eine gehäusefeste Sensoranordnung
8 ,9 vorgesehen. Im Ausführungsbeispiel ist die Sensoranordnung8 ,9 mit dem Boden des Reaktorgehäuses1 verbunden. Mit dem Reaktorgehäuse1 ist auch das Drehlager21 bzw. der Drehantrieb19 verbunden, sodass die Drehachse5 , um die der Schaft18 bzw. der Suszeptor3 drehangetriebenen werden kann, gehäusefest verläuft. Mit der Sensoranordnung8 ,9 kann ein Abstand a der Breitseitenfläche3' zur Sensoranordnung8 ,9 gemessen werden. Dies erfolgt bevorzugt während sich der Suszeptor3 um die Drehachse5 dreht. Die von der Sensoranordnung8 ,9 gewonnenen Messwerte werden in einer Steuerung10 gespeichert. Die Steuerung10 erhält beispielsweise vom Drehantrieb19 Winkelangaben über die Drehstellung des Suszeptors3 , sodass durch Auswerten dieser Daten einen Neigungslage11 der Breitseitenfläche3' des Suszeptors3 bestimmt werden kann. Die Elemente der Sensoranordnung8 ,9 sind beim Ausführungsbeispiel fest mit der Unterseite des Gehäuses1 verbunden, sodass der Abstand a ein Abstand eines radial äußeren Bereichs der Unterseite3' des Suszeptors3 zum Gehäuse ist. Besitzt der Suszeptor3 einen Höhenschlag, so ändert sich bei einer Drehung des Suszeptors3 der Abstand a periodisch. - Es ist ein Ziel der Erfindung, die Höhe h zwischen der zur Prozesskammer
2 weisenden Breitseitenfläche3" und der Unterseite14' der Deckenplatte14 an jedem Ort auf der Breitseitenfläche3" gleich zu halten. Die beiden Flächen3" und 14' sollen parallel zueinander verlaufen. - Mit den oben genannten Messdaten kann somit die Neigung der Breitseitenfläche
3" gegenüber der Unterseite14' der Deckenplatte14 ermittelt werden. - Es sind Verstellorgane
6 ,7 vorgesehen, mit denen die Neigungslage11 verstellt werden kann. Bei den Verstellorganen6 ,7 kann es sich um solche handein, nur dann betätigt werden können, wenn das Reaktorgehäuse1 geöffnet ist, es kann sich beispielsweise um Verstellorgane handeln, wie sie dieDE 20 2018 100 363.1 offenbart. - Beim Ausführungsbeispiel kann die Neigungslage
11 nicht nur im abgekühlten Zustand des Suszeptors3 sondern auch unter Substratbehandlungsbedingungen verstellt werden. Hierzu sind elektromotorisch betreibbare Aktoren12 vorgesehen, die in einem Verstellantriebsgehäuse20 angeordnet sind, welches fest mit dem Schaft18 verbunden ist, also mit dem Schaft18 mitdrehen kann. Die Aktoren12 können ein Außengewinde aufweisende Gewindespindel6 drehantreiben, wobei die Aktoren12 Schrittmotoren sein können, mit denen auch kleine Winkelverstellungen möglich sind. Der Tragkopf besitzt Spindelmuttern7 , mit Innengewinden, in die die Außengewinde der Gewindespindeln6 eingreifen. Durch eine Drehwinkelverstellung der Gewindespindeln6 lässt sich somit die Neigungslage11 verstellen. - Die Sensoranordnung 8,9 besitzt bevorzugt einen Lichtgeber
8 , bei dem es sich bevorzugt um einen Laser handeln kann. Der Laser erzeugt einen Laserstrahl, der entlang einer Messstrecke13 zur Breitseitenfläche3" des Suszeptors3 verläuft. Ein davon zurückgeworfener Lichtstrahl erreicht einen Lichtsensor9 , sodass mit Lichtgeber8 und Lichtsensor9 der Abstand a bestimmbar ist. Der Lichtgeber8 erzeugt einen Lichtstrahl, der zur Breitseitenfläche3' gerichtet ist. Dort trifft er im radial äußeren Bereich des Suszeptors3 auf. Er erzeugt einen lichtemittierenden Bereich. Das von diesem Bereich abgestrahlte Licht erreicht den Lichtsensor9 . In der Zeichnung sind Lichtgeber8 und Lichtsensor9 als voneinander beabstandet dargestellt. In einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel werden Lichtgeber8 und Lichtsensor9 von einem gemeinsamen Gehäuse ausgebildet, sodass der vom Lichtgeber abgegebene Lichtstrahl mit dem vom Lichtsensor9 empfangenen Lichtstrahl im Wesentlichen zusammenfällt. - Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinationen auch kombiniert sein können, nämlich:
- Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass der Abstand unter den Prozessbehandlungsbedingungen ermittelt wird.
- Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die erhöhte Temperatur mindestens 500°C beträgt.
- Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Verstellung der Neigungslage
11 bei einer abgesenkten Temperatur insbesondere bei Raumtemperatur durchgeführt wird. - Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass der Höhenschlag mit einer optischen Sensoranordnung ermittelt wird.
- Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass eine Steuerung
10 aus den bei einer Drehung des Suszeptors3 um seine Drehachse5 aufgenommenen Abstandswerten Korrekturwerte ermittelt, mit denen die Verstellorgane6 ,7 verstellt werden. - Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Verstellung der Neigungslage
11 bei der erhöhten Temperatur erfolgt. - Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Verstellorgane
6 ,7 Gewindeelemente aufweisen und die Korrekturwerte Drehwinkel zum Verstellen der Gewindeelemente sind. - Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Messstrecke
13 der Sensoranordnung8 ,9 durch die Heizeinrichtung4 verläuft. - Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Sensoranordnung
8 ,9 einen optischen Sensor9 aufweist und insbesondere den Abstand zu einer zur Heizeinrichtung4 weisenden Breitseite des Suszeptors3 zur Sensoranordnung8 ,9 misst. - Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Verstellorgane
6 ,7 Gewindeelemente aufweisen. - Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Verstellorgane
6 ,7 von motorisch betriebenen Aktoren12 unter Substratbehandlungsbedingungen verstellbar sind. - Eine Vorrichtung, gekennzeichnet durch eine Steuereinrichtung
10 , die aus den vom Sensor ermittelten Abstandswerten Korrekturwerte liefert, mit denen die Neigungslage11 des Suszeptors3 manuell oder dynamisch während einer Substratbehandlung verändert wird. - Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass an mindestens drei Drehpositionen des Suszeptors
3 Abstandswerte ermittelt werden, die als Stützstellen zur Berechnung einer Sinusfunktion verwendet werden, mit der die Korrekturwerte berechnet werden, um den Neigungswinkel einer zur Prozesskammer2 weisenden Breitseitenfläche des Suszeptors3 zu einer Drehebene des Suszeptors3 zu minimieren. - Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die zur Prozesskammer
2 weisende Breitseitenfläche3' des Suszeptors3 einer Prozesskammerdecke gegenüberliegt, die sich parallel zur Drehebene erstreckt und die von der Breitseitenfläche3' ,3" des Suszeptors3 maximal 40 mm entfernt ist. - Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfindung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehenden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbesondere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden können.
- Bezugszeichenliste
-
- 1
- Reaktorgehäuse
- 2
- Prozesskammer
- 3
- Suszeptor
- 3'
- Breitseitenfläche
- 3''
- Breitseitenfläche
- 4
- Heizeinrichtung
- 5
- Drehachse
- 6
- Verstellorgan, Gewindespindel
- 7
- Verstellorgan, Spindelmutter
- 8
- Lichtgeber
- 9
- Lichtsensor
- 10
- Steuerung
- 11
- Neigungslage
- 12
- Aktoren
- 13
- Messstrecke
- 14
- Deckenplatte
- 14'
- Unterseite
- 15
- Substratträger
- 16
- Substrat
- 17
- Gaseinlassorgan
- 18
- Schaft
- 19
- Drehantrieb
- 20
- Verstellantriebsgehäuse
- 21
- Drehlager
- 22
- Tragknopf
- 23
- Dichtung
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
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- US 6737663 B2 [0003]
- US 6788991 B2 [0004]
- DE 102016122072 A1 [0005]
- DE 202018100363 [0006, 0009, 0019]
Claims (15)
- Verfahren zum Bestimmen oder Ausgleichen eines Höhenschlages eines bei seiner Verwendung in einer Prozesskammer (2) eines Substratbehandlungsreaktors unter Substratbehandlungsbedingungen bei einer durch Beheizen des Suszeptors (3) mit einer Heizeinrichtung (4) erreichten erhöhten Temperatur um eine Drehachse (5) drehangetriebenen Suszeptors (3), mit einen ortsfest in einem Gehäuse (1) des Substratbehandlungsreaktors angeordneten Sensoranordnung zur Ermittlung zumindest einer zur Drehachse (5) parallelen Komponente des Abstandes zum Suszeptor (3), wobei Verstellorgane (6, 7) vorgesehen sind, um einen Neigungslage (11) einer Breitseitenfläche (3'') des Suszeptors (3) zur Drehachse zu verstellen, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand unter den Prozessbehandlungsbedingungen ermittelt wird.
- Verfahren nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die erhöhte Temperatur mindestens 500 °C beträgt. - Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verstellung der Neigungslage (11) bei einer abgesenkten Temperatur insbesondere bei Raumtemperatur durchgeführt wird.
- Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Höhenschlag mit einer optischen Sensoranordnung ermittelt wird.
- Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Steuerung (10) aus den bei einer Drehung des Suszeptors (3) um seine Drehachse (5) aufgenommenen Abstandswerten Korrekturwerte ermittelt, mit denen die Verstellorgane (6, 7) verstellt werden.
- Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verstellung der Neigungslage (11) bei der erhöhten Temperatur erfolgt.
- Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verstellorgane (6, 7) Gewindeelemente aufweisen und die Korrekturwerte Drehwinkel zum Verstellen der Gewindeelemente sind.
- Vorrichtung mit einem Substratbehandlungsreaktor der in einem Gehäuse (1) einen von einer Heizeinrichtung (4) beheizbaren Suszeptor (3) aufweist, der um eine Drehachse (5) drehantreibbar ist, wobei in dem Gehäuse (1) eine ortsfest angeordnete Sensoranordnung (8, 9) vorgesehen ist, mit der zumindest eine zur Drehachse (5) parallele Komponente eines Abstandes zum Suszeptor (3) ermittelbar ist, wobei Verstellorgane (6, 7) vorgesehen sind, um die Neigungslage (11) einer Breitseitenfläche (3'') des Suszeptors (3) zu verändern, dadurch gekennzeichnet, dass die Messstrecke (13) der Sensoranordnung (8, 9) durch die Heizeinrichtung (4) verläuft.
- Vorrichtung nach
Anspruch 8 , dadurch gekennzeichnet, dass die Sensoranordnung (8, 9) einen optischen Sensor (9) aufweist und insbesondere den Abstand zu einer zur Heizeinrichtung (4) weisenden Breitseite des Suszeptors (3) zur Sensoranordnung (8, 9) misst. - Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verstellorgane (6, 7) Gewindeelemente aufweisen.
- Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verstellorgane (6, 7) von motorisch betriebenen Aktoren (12) unter Substratbehandlungsbedingungen verstellbar sind.
- Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Steuereinrichtung (10), die aus den vom Sensor ermittelten Abstandswerten Korrekturwerte liefert, mit denen die Neigungslage (11) des Suszeptors (3) manuell oder dynamisch während einer Substratbehandlung verändert wird.
- Verfahren nach einem der
Ansprüche 1 bis7 oder Vorrichtung nachAnspruch 12 , dadurch gekennzeichnet, dass an mindestens drei Drehpositionen des Suszeptors (3) Abstandswerte ermittelt werden, die als Stützstellen zur Berechnung einer Sinusfunktion verwendet werden, mit der die Korrekturwerte berechnet werden, um den Neigungswinkel einer zur Prozesskammer (2) weisenden Breitseitenfläche des Suszeptors (3) zu einer Drehebene des Suszeptors (3) zu minimieren. - Vorrichtung nach einem der
Ansprüche 8 bis13 , dadurch gekennzeichnet, dass die zur Prozesskammer (2) weisende Breitseitenfläche (3") des Suszeptors (3) einer Prozesskammerdecke gegenüberliegt, die sich parallel zur Drehebene erstreckt und die von der Breitseitenfläche (3', 3") des Suszeptors (3) maximal 40 mm entfernt ist. - Vorrichtung oder Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019116460.5A DE102019116460A1 (de) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen und Einstellen der Neigungslage eines Suszeptors |
CN202080044240.5A CN113994026A (zh) | 2019-06-18 | 2020-06-16 | 用于确定和调节基座的倾斜位置的装置和方法 |
TW109120129A TW202113150A (zh) | 2019-06-18 | 2020-06-16 | 用於確定及調節基板座之傾斜方位的裝置及方法 |
PCT/EP2020/066535 WO2020254270A1 (de) | 2019-06-18 | 2020-06-16 | Vorrichtung und verfahren zum bestimmen und einstellen der neigungslage eines suszeptors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019116460.5A DE102019116460A1 (de) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen und Einstellen der Neigungslage eines Suszeptors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102019116460A1 true DE102019116460A1 (de) | 2020-12-24 |
Family
ID=71103380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102019116460.5A Pending DE102019116460A1 (de) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen und Einstellen der Neigungslage eines Suszeptors |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113994026A (de) |
DE (1) | DE102019116460A1 (de) |
TW (1) | TW202113150A (de) |
WO (1) | WO2020254270A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN118571821B (zh) * | 2024-08-05 | 2024-09-27 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 用于半导体设备基座的非接触式调平调心治具及方法 |
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2019
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2020
- 2020-06-16 WO PCT/EP2020/066535 patent/WO2020254270A1/de active Application Filing
- 2020-06-16 TW TW109120129A patent/TW202113150A/zh unknown
- 2020-06-16 CN CN202080044240.5A patent/CN113994026A/zh active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020254270A1 (de) | 2020-12-24 |
TW202113150A (zh) | 2021-04-01 |
CN113994026A (zh) | 2022-01-28 |
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