JPS61276223A - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
- Publication number
- JPS61276223A JPS61276223A JP60118524A JP11852485A JPS61276223A JP S61276223 A JPS61276223 A JP S61276223A JP 60118524 A JP60118524 A JP 60118524A JP 11852485 A JP11852485 A JP 11852485A JP S61276223 A JPS61276223 A JP S61276223A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation light
- reflecting mirror
- length
- radiation
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
本発明は、シンクロトロン放射光を利用したＸ線露光方
法であって、シンクロトロン放射光に含まれるＸ線を選
択し、そのＸ線を水平方向のみならず、垂直方向にも所
定の拡がりを有するＸ線とするように、反射ミラーを放
射光の方向と同一方向に往復移動走査して、垂直方向の
長さを拡大したものである。
法であって、シンクロトロン放射光に含まれるＸ線を選
択し、そのＸ線を水平方向のみならず、垂直方向にも所
定の拡がりを有するＸ線とするように、反射ミラーを放
射光の方向と同一方向に往復移動走査して、垂直方向の
長さを拡大したものである。
［産業上の利用分野］
本発明は、シンクロトロン放射光から得られるＸ線によ
り露光を行う方法であって、特に、シンクロトロン放射
光を、垂直と水平の両方向に拡がりをもたせて、試料を
露光する方法に関するものである。
り露光を行う方法であって、特に、シンクロトロン放射
光を、垂直と水平の両方向に拡がりをもたせて、試料を
露光する方法に関するものである。
近時、シンクロトロン放射光を利用し、その広帯域の波
長帯から分光装置を用いてＸ線を選択して、その強力な
Ｘ線によってＸ線露光に利用することが行われている。
長帯から分光装置を用いてＸ線を選択して、その強力な
Ｘ線によってＸ線露光に利用することが行われている。
この放射光の発生は、光と同速度で移動する高エネルギ
ー電子が、磁場で湾曲される際に発する光であって、こ
のようにして得られる放射光は強力な白色光で、そのス
ペクトルは電波領域から可視、紫外線を含めてＸ線に及
ぶ連続スペクトルであり、一般に指向性が優れ、特に短
波長帯のＸ線等では、極めて強度が大きいという特徴が
あり、そのため半導体装置のＸ線露光にはこのように強
力なＸ線が利用されている。
ー電子が、磁場で湾曲される際に発する光であって、こ
のようにして得られる放射光は強力な白色光で、そのス
ペクトルは電波領域から可視、紫外線を含めてＸ線に及
ぶ連続スペクトルであり、一般に指向性が優れ、特に短
波長帯のＸ線等では、極めて強度が大きいという特徴が
あり、そのため半導体装置のＸ線露光にはこのように強
力なＸ線が利用されている。
然しなからこのシンクロトロン放射光を、露光に利用す
る際には、水平面内では広角度分布を有しているが、垂
直方向では１ ｍｒａｄ （ｒａｄニラジアン）程度の
狭い角度分布であるために、その狭い角度分布の改善が
要望されている。
る際には、水平面内では広角度分布を有しているが、垂
直方向では１ ｍｒａｄ （ｒａｄニラジアン）程度の
狭い角度分布であるために、その狭い角度分布の改善が
要望されている。
［従来の技術］
第２図は、従来のシンクロトロン放射光の垂直方向の長
さを得るための走査機構の模式要部側断面図である。
さを得るための走査機構の模式要部側断面図である。
放射光源１があり、そこから放射された矢印の放射光２
が、反射ミラー３に投射されるが、放射光が広帯域のス
ペクトルを含んでいるので、そのスペクトルの内、軟Ｘ
線を取り出して露光に利用するために、反射ミラーの放
射光２となす角度θを、θ＝ ４８ｍｒａｄに設定して
、その偏向光４から軟Ｘ線を選択している。
が、反射ミラー３に投射されるが、放射光が広帯域のス
ペクトルを含んでいるので、そのスペクトルの内、軟Ｘ
線を取り出して露光に利用するために、反射ミラーの放
射光２となす角度θを、θ＝ ４８ｍｒａｄに設定して
、その偏向光４から軟Ｘ線を選択している。
第３図は、反射ミラーの模式上部斜視図を示している。
放射光源１から矢印の放射光２が投射されるが、この放
射光の水平角度θ′は広角度であり、この放射光が反射
ミラー３の凹面部５に投射することにより、放射光の水
平光線は、図示するように平行になり、且つ所定の幅Ｗ
が得られる。
射光の水平角度θ′は広角度であり、この放射光が反射
ミラー３の凹面部５に投射することにより、放射光の水
平光線は、図示するように平行になり、且つ所定の幅Ｗ
が得られる。
一方、放射光の垂直方向の投射角度は極めて狭く、これ
を拡大するためには、反射ミラー３を前記の水平となす
角度のθ−４８ｍｒａｄを中心として、はぼΔθ−±３
ｍｒａｄの角度範囲で振動を与えることにより、ビー
ムラインＤ＝ｌＯメートル先の位置で、垂直長さＬ＝５
ｃｍを得ることができるようになっていて、通常露光は
この位置で行われることになる。
を拡大するためには、反射ミラー３を前記の水平となす
角度のθ−４８ｍｒａｄを中心として、はぼΔθ−±３
ｍｒａｄの角度範囲で振動を与えることにより、ビー
ムラインＤ＝ｌＯメートル先の位置で、垂直長さＬ＝５
ｃｍを得ることができるようになっていて、通常露光は
この位置で行われることになる。
然しでがら、従来の垂直方向の角度を得る方法では、ビ
ームラインが１０メートルと極めて長く、装置構成上不
都合を生じることになる。
ームラインが１０メートルと極めて長く、装置構成上不
都合を生じることになる。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の、シンクロトロン放射光を用いる露光装置では、
垂直方向の角度範囲を得るために、反射ミラーの角度か
ら必要となるビームラインの長さが著しく大きくなり（
実用的には約１０メートルの長さにする必要がある）露
光装置が大型になることが問題点である。
垂直方向の角度範囲を得るために、反射ミラーの角度か
ら必要となるビームラインの長さが著しく大きくなり（
実用的には約１０メートルの長さにする必要がある）露
光装置が大型になることが問題点である。
［問題点を解決するための手段］
第１図は、上記問題点を解決するための、本発明による
光学系を示す断面図であり、その解決の手段は、シンク
ロトロン放射光を受光して、その放射光を水平方向では
広角度に反射する反射ミラーを利用して、Ｘ線が垂直方
向でも広角度になるように、反射ミラーを放射光の進行
方向と同一方向に、往復走査で移動させることにより、
放射光の垂直方向の放射光の長さを太き（するもので、
拡大した幅を有する放射光により試料を露光するように
したものである。
光学系を示す断面図であり、その解決の手段は、シンク
ロトロン放射光を受光して、その放射光を水平方向では
広角度に反射する反射ミラーを利用して、Ｘ線が垂直方
向でも広角度になるように、反射ミラーを放射光の進行
方向と同一方向に、往復走査で移動させることにより、
放射光の垂直方向の放射光の長さを太き（するもので、
拡大した幅を有する放射光により試料を露光するように
したものである。
［作用］
本発明は、従来は５ｃｍの垂直方向の長さを得るために
、１０メートル以上のビームラインを必要としたが、こ
のビームラインを短縮するために、反射ミラーを偏向の
機能と同時に、反射ミラーを水平方向に往復移動走査を
することにより、その分だけ放射光の垂直方向の反射光
が直接移動することになり、従来の垂直長さを得るビー
ムラインの長さに比較して、同−垂直長さを得るために
、ビームライン長が大幅に短縮されるようにしたもので
ある ［実施例］ 第１図は本発明による放射光によるＸ線露光装置の光学
系を示す模式要部断面図である。
、１０メートル以上のビームラインを必要としたが、こ
のビームラインを短縮するために、反射ミラーを偏向の
機能と同時に、反射ミラーを水平方向に往復移動走査を
することにより、その分だけ放射光の垂直方向の反射光
が直接移動することになり、従来の垂直長さを得るビー
ムラインの長さに比較して、同−垂直長さを得るために
、ビームライン長が大幅に短縮されるようにしたもので
ある ［実施例］ 第１図は本発明による放射光によるＸ線露光装置の光学
系を示す模式要部断面図である。
放射光源１１があり、そこから放射された矢印の放射光
１２が、反射ミラー１３に投射される。
１２が、反射ミラー１３に投射される。
放射光のスペクトルの内、軟Ｘ線を取り出して露光に利
用するために、反射ミラーの水平となす角度を４８ｍｒ
ａｄに設定することにより、従来方法と同様に、その偏
向光から軟Ｘ線のみを選択する ゛ことができる。
用するために、反射ミラーの水平となす角度を４８ｍｒ
ａｄに設定することにより、従来方法と同様に、その偏
向光から軟Ｘ線のみを選択する ゛ことができる。
また、放射光の水平角度は広角度でありで、この放射光
を反射ミラーの凹面に投射することにより、放射光の水
平面内では、平行の所定の角度の放射光が得られる。
を反射ミラーの凹面に投射することにより、放射光の水
平面内では、平行の所定の角度の放射光が得られる。
一方、放射光の垂直方向の角度を拡大するために、矢印
で示す放射光１２が投射される反射ミラー１３を、放射
光と同一である水平方向にΔｄだけ、往復移動走査を行
なうもので、即ち、反射ミラー１３が点線で示す反射ミ
ラーの位置１３′との間を往復移動するように構成され
ている。
で示す放射光１２が投射される反射ミラー１３を、放射
光と同一である水平方向にΔｄだけ、往復移動走査を行
なうもので、即ち、反射ミラー１３が点線で示す反射ミ
ラーの位置１３′との間を往復移動するように構成され
ている。
この往復移動によって得られる垂直方向の長さＬ′は、
反射ミラーの角度θと反射ミラーの移動距離Δｄによっ
て決定される。
反射ミラーの角度θと反射ミラーの移動距離Δｄによっ
て決定される。
この往復移動を２０ｃｍ／秒程度の移動速度で、移動距
離の長さΔｄ＝１メートルとすると、垂直方向の長さＬ
’−５ｃｍを得ることができ、Δｄ＝２メートルとする
と、垂直長さＬ ’ ＝１０ｃｍの垂直幅を得ることが
できる。
離の長さΔｄ＝１メートルとすると、垂直方向の長さＬ
’−５ｃｍを得ることができ、Δｄ＝２メートルとする
と、垂直長さＬ ’ ＝１０ｃｍの垂直幅を得ることが
できる。
この結果、Ｘ１ＩＡ露光装置の大きさは、従来のビーム
ラインＤ−１０メートルに比較し、同一垂直方向の長さ
を得るのに、移動距離Δｄ＝１メートル程度でよく、即
ちビームライン長が１メートルでよいことになり、装置
サイズが小型化されることになる。
ラインＤ−１０メートルに比較し、同一垂直方向の長さ
を得るのに、移動距離Δｄ＝１メートル程度でよく、即
ちビームライン長が１メートルでよいことになり、装置
サイズが小型化されることになる。
［発明の効果］
以上、詳細に説明したように、本発明によるシンクロト
ロン放射光の垂直方向の偏向方法を採用することにより
、ビームラインを著しく短縮化でき、コンパクトで精度
の良好な露光装置が供し得るという効果大なるものがあ
る。
ロン放射光の垂直方向の偏向方法を採用することにより
、ビームラインを著しく短縮化でき、コンパクトで精度
の良好な露光装置が供し得るという効果大なるものがあ
る。
第１図は、本発明の放射光によるＸ線露光装置の光学系
を示す模式要部断面図、 第２図は、従来の放射光によるＸ線露光装置の光学系を
示す模式要部断面図、 第３図は、反射ミラーの模式上部斜視図、図において、 １１は放射光源、 １２は放射光、１３は反射ミ
ラー、 １３′は反射ミラーの位置、 をそれぞれ示している。 不発９和放＃ｆ支ｄり求そ釘駄柑泪 第１図 第２図
を示す模式要部断面図、 第２図は、従来の放射光によるＸ線露光装置の光学系を
示す模式要部断面図、 第３図は、反射ミラーの模式上部斜視図、図において、 １１は放射光源、 １２は放射光、１３は反射ミ
ラー、 １３′は反射ミラーの位置、 をそれぞれ示している。 不発９和放＃ｆ支ｄり求そ釘駄柑泪 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シンクロトロン放射光（１２）を受光して反射する反射
ミラー（１３）を、 該放射光の進行方向と同一方向に往復移動走査（Δｄ）
することにより、 該放射光の垂直方向の長さ（Ｌ′）を大きくすることを
特徴とするＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118524A JPS61276223A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | Ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118524A JPS61276223A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | Ｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276223A true JPS61276223A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14738739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60118524A Pending JPS61276223A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | Ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276223A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0357425A2 (en) | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | An exposure apparatus |
| US4984259A (en) * | 1987-10-09 | 1991-01-08 | Hitachi, Ltd. | X-ray exposure apparatus |
| JPH0431799A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | シンクロトロン放射光収束偏向装置 |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP60118524A patent/JPS61276223A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4984259A (en) * | 1987-10-09 | 1991-01-08 | Hitachi, Ltd. | X-ray exposure apparatus |
| EP0357425A2 (en) | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | An exposure apparatus |
| JPH0431799A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | シンクロトロン放射光収束偏向装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5222112A (en) | X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system | |
| JP3284045B2 (ja) | Ｘ線光学装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3689516B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| US4458302A (en) | Reflection type optical focusing apparatus | |
| JP2731955B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| US20110177463A1 (en) | Illumination system for euv microlithography | |
| EP0083394B1 (en) | A method and apparatus for providing a uniform illumination of an area | |
| US20050263725A1 (en) | Source multiplexing in lithography | |
| JP3278277B2 (ja) | 投影露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法 | |
| US5268951A (en) | X-ray beam scanning method for producing low distortion or constant distortion in x-ray proximity printing | |
| KR920001171B1 (ko) | X선 노출 장치 | |
| US5214685A (en) | X-ray lithography mirror and method of making same | |
| JPS61276223A (ja) | Ｘ線露光方法 | |
| JP2002529776A (ja) | 陰極線管用のレーザ照射装置。 | |
| US4021674A (en) | Charged-particle beam optical apparatus for irradiating a specimen in a two-dimensional pattern | |
| JPH09186082A (ja) | 走査露光方法 | |
| EP0311058A2 (en) | X-ray exposure apparatus | |
| US7237914B2 (en) | Light condenser | |
| JPS6346974B2 (ja) | ||
| JP3013341B2 (ja) | Ｘ線照射用光学系及びそれを用いたｘ線投影露光装置 | |
| JPH0349213A (ja) | 露光装置 | |
| JP2740021B2 (ja) | レーザ走査装置 | |
| JP2868028B2 (ja) | Ｘ線照射装置 | |
| JPH07113736B2 (ja) | 照明装置 | |
| JPS63236321A (ja) | Ｘ線露光装置 |