JPH056853A - 近接リソグラフイツクシステムにおける横位置測定装置及びその方法 - Google Patents
近接リソグラフイツクシステムにおける横位置測定装置及びその方法Info
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- JPH056853A JPH056853A JP3263815A JP26381591A JPH056853A JP H056853 A JPH056853 A JP H056853A JP 3263815 A JP3263815 A JP 3263815A JP 26381591 A JP26381591 A JP 26381591A JP H056853 A JPH056853 A JP H056853A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
-
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
測定装置はプリズム（１０）を有し、このプリズム（１
０）はＴ．Ｉ．Ｒホログラム（１３）が予め記録され、
同一反射率を有するガラス板（１４）を下面に備えてい
る。レーザー源（１２）は再生ビームを発射する。シリ
コンウェハー（１６）は、ホログラムの下にこれと平行
に配置される。第２のレーザー源（１７）は、ホログラ
ム平面で平行な帯状の光（１９）を作り出すために、ガ
ウスの強度分布を有する光ビームを光学器機（１８）を
介して発射する。単一の格子構造（２０）がウェハー表
面上の複数の場所に設けてある。検出器（２２，２４）
はレーザービームと格子構造との相互作用によって生ず
る光場の一部を検出する。マイクロプロセッサ（２８）
により操作されるピエヅ装置（２６）は、このピエヅ装
置に対する整列信号を作成するためにマイクロプロセッ
サにより処理される２つの検出器の測定値に従ってシリ
コンウェハーを実質的に平行な方向に少しづつ移動させ
る。
０）はＴ．Ｉ．Ｒホログラム（１３）が予め記録され、
同一反射率を有するガラス板（１４）を下面に備えてい
る。レーザー源（１２）は再生ビームを発射する。シリ
コンウェハー（１６）は、ホログラムの下にこれと平行
に配置される。第２のレーザー源（１７）は、ホログラ
ム平面で平行な帯状の光（１９）を作り出すために、ガ
ウスの強度分布を有する光ビームを光学器機（１８）を
介して発射する。単一の格子構造（２０）がウェハー表
面上の複数の場所に設けてある。検出器（２２，２４）
はレーザービームと格子構造との相互作用によって生ず
る光場の一部を検出する。マイクロプロセッサ（２８）
により操作されるピエヅ装置（２６）は、このピエヅ装
置に対する整列信号を作成するためにマイクロプロセッ
サにより処理される２つの検出器の測定値に従ってシリ
コンウェハーを実質的に平行な方向に少しづつ移動させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、近接リソグラフィクシ
ステムにおける横位置測定の装置および方法、特にホロ
グラフィック画像システムにおいて、高精度なレジスト
を得るための横位置測定に関する。
ステムにおける横位置測定の装置および方法、特にホロ
グラフィック画像システムにおいて、高精度なレジスト
を得るための横位置測定に関する。
【０００２】
【従来技術および解決しようとする課題】全内部反射
（以下、「Ｔ．Ｉ．Ｒ」という。）ホログラムとは、物
体の一面又は両面に形成されたホログラムであって、参
照ビームが空気とホログラムの境界から全内部反射され
るものをいう。応用物理の書簡におけるＫ．Ａ．ステッ
トソンの論文に、Ｔ．Ｉ．Ｒホログラフィック画像形成
方法が記載されている。そこでは、参照ビームがホログ
ラム表面に臨界面θｃよりも大きな角度で到達できるよ
うに、ホログラフィック層の反射率が、直角プリズムの
斜辺表面に一致させてある。物体ビームは、ホログラム
上に極く近接して配置された半透明物質を通り到達す
る。共役再生ビームがオリジナル物体と同じ場所にホロ
グラフィック像を形成する。ステットソンにより紹介さ
れた上述の原理に基づく英国特許明細書Ｎｏ．２，１９
３，３４４には、特定の適用例、すなわち、以下の基本
工程による集積回路の製造方法が開示されている。 （ａ） 散乱が僅んど無く、収縮や歪みのない高解像を
示す第１の記録媒体を用意する。 （ｂ） 集積回路を備えたマスクを通過するコヒーレン
ト光の入射ビームと、記録媒体が配置されている表面で
全内部反射されたコヒーレント光の参照ビームとの相互
作用により、第１の記録媒体上に回路の体積ホログラフ
ィック像を形成する。 （ｃ） 集積回路のホログラフィック像を再生するため
に、マスクを第２の記録媒体を有するシリコンウェハー
に置き換える。 （ｄ） 上記ホログラムを形成した第１の参照ビームと
逆の方向から伝わる第２の参照ビームで上記ホログラム
を照明し、上記第２の記録媒体にホログラム像を形成す
る。 （ｅ） 複数のシリコンウェハーに対して、上記再生操
作を複数回繰り返す。
（以下、「Ｔ．Ｉ．Ｒ」という。）ホログラムとは、物
体の一面又は両面に形成されたホログラムであって、参
照ビームが空気とホログラムの境界から全内部反射され
るものをいう。応用物理の書簡におけるＫ．Ａ．ステッ
トソンの論文に、Ｔ．Ｉ．Ｒホログラフィック画像形成
方法が記載されている。そこでは、参照ビームがホログ
ラム表面に臨界面θｃよりも大きな角度で到達できるよ
うに、ホログラフィック層の反射率が、直角プリズムの
斜辺表面に一致させてある。物体ビームは、ホログラム
上に極く近接して配置された半透明物質を通り到達す
る。共役再生ビームがオリジナル物体と同じ場所にホロ
グラフィック像を形成する。ステットソンにより紹介さ
れた上述の原理に基づく英国特許明細書Ｎｏ．２，１９
３，３４４には、特定の適用例、すなわち、以下の基本
工程による集積回路の製造方法が開示されている。 （ａ） 散乱が僅んど無く、収縮や歪みのない高解像を
示す第１の記録媒体を用意する。 （ｂ） 集積回路を備えたマスクを通過するコヒーレン
ト光の入射ビームと、記録媒体が配置されている表面で
全内部反射されたコヒーレント光の参照ビームとの相互
作用により、第１の記録媒体上に回路の体積ホログラフ
ィック像を形成する。 （ｃ） 集積回路のホログラフィック像を再生するため
に、マスクを第２の記録媒体を有するシリコンウェハー
に置き換える。 （ｄ） 上記ホログラムを形成した第１の参照ビームと
逆の方向から伝わる第２の参照ビームで上記ホログラム
を照明し、上記第２の記録媒体にホログラム像を形成す
る。 （ｅ） 複数のシリコンウェハーに対して、上記再生操
作を複数回繰り返す。
【０００３】上記方法の発展過程で、再生ビームの不均
一性から生ずる問題は、我々の英国特許明細書Ｎｏ．
２，２１５，４８４で開示したスキャン技術を用いるこ
とで解決される。この出願で提案されているシステムに
は、シリコンウェハー上に設けた第２の記録媒体の上に
集積回路を構成するために、第１の記録媒体上のホログ
ラフィック像をスキャンする制限された又は狭い参照ビ
ームが使用されている。
一性から生ずる問題は、我々の英国特許明細書Ｎｏ．
２，２１５，４８４で開示したスキャン技術を用いるこ
とで解決される。この出願で提案されているシステムに
は、シリコンウェハー上に設けた第２の記録媒体の上に
集積回路を構成するために、第１の記録媒体上のホログ
ラフィック像をスキャンする制限された又は狭い参照ビ
ームが使用されている。
【０００４】集積回路を製造するために、ステットソン
により公表された原理の適用にあたって直面する問題
は、それぞれの回路に要求される複数の像に起因するも
のである。集積回路の多層構造を作成するためには、そ
れらの像は連続的に適用されることを要する。それぞれ
の像は、エッチング、転移、または蒸着のような特別な
化学的処理を受けるウェハー表面の領域を形成し、それ
により回路内で種々の電気的機能が実現できる。最終装
置を正確に操作するためには、これらの層のそれぞれが
互いに正確に整列されていることが必要である。量的に
見積ると、層と層との整列は、回路中で最も小さな形状
サイズの約２０％の値にしなければならず、例えば、最
も小さな形状の大きさが半ミクロンであれば、レジスト
は１０分の１ミクロンとしなければならない。また、後
の露光処理により、ウェハー表面を横切りその形状をゆ
がめる不均一な拡大または収縮が発生し、そのためにウ
ェハー領域でレジスト調整が局部的に行わなければなら
ない、ということを考慮に入れなければならない。
により公表された原理の適用にあたって直面する問題
は、それぞれの回路に要求される複数の像に起因するも
のである。集積回路の多層構造を作成するためには、そ
れらの像は連続的に適用されることを要する。それぞれ
の像は、エッチング、転移、または蒸着のような特別な
化学的処理を受けるウェハー表面の領域を形成し、それ
により回路内で種々の電気的機能が実現できる。最終装
置を正確に操作するためには、これらの層のそれぞれが
互いに正確に整列されていることが必要である。量的に
見積ると、層と層との整列は、回路中で最も小さな形状
サイズの約２０％の値にしなければならず、例えば、最
も小さな形状の大きさが半ミクロンであれば、レジスト
は１０分の１ミクロンとしなければならない。また、後
の露光処理により、ウェハー表面を横切りその形状をゆ
がめる不均一な拡大または収縮が発生し、そのためにウ
ェハー領域でレジスト調整が局部的に行わなければなら
ない、ということを考慮に入れなければならない。
【０００５】適正なレジスト調整の要求は、回路製造に
対してリソグラフィック技術が採用されているものでは
どれでも当てはまることで、その問題はすでに他のリソ
グラフィックシステムですでに処理されている。これら
のシステムにおける手法は、一般に、次の工程、すなわ
ち、ウェハー上の構造に対応した各新イメージの粗レジ
スト調整又は予備整列を実行するために単一又は複数の
方法を用いる工程、次に、５０個またはそれ以上の要素
について不整列を減少させ、精密な調整を行なうために
別の方法を用いる工程、により達成されている。完全自
動化され、高生産性システムに用いるのに特に困難なの
は、後者の工程である。光学ステッパーやＸ線リソグラ
フィック装置のようなシステムのために工夫された高精
度の調整を図るために、解決手段は、多くの場合、格子
構造に依存している。これらの構造は、第１に格子の高
調波が極めて良好に形成され、第２に、局部的な欠陥に
比較的影響されないために、採用されている。これらの
構成における一般的手法は、回路部の横のウェハー表面
上に参照マークとして機能する格子構造を設ける主要な
リソグラフィックプロセスを使用するものである。類似
の構造が、載置されて次の層を形成するマスク中の対応
する場所に形成される。それぞれの新しい層の露光が開
始される前に、マスク格子とウェハー格子の対がレーザ
ービームにより順次照明され、それぞれの相互作用によ
り生ずる光場の一部又は複数が検出される。検出器の出
力処理により、それぞれの格子対について、個々の格子
方向の相対的な位置ずれに関連した信号が得られ、そし
て、一対の格子対から得られる信号より、マスクとウェ
ハーとの間の移動および角度の不整列が決定されて調整
が行われる。これらの信号が位置を推定するために信頼
性をもって使用できるようにするために、それらの信号
は不整列の程度に応じた単純で平滑な変化を示すことが
必要である。そのためには、レーザービームと格子の相
互作用ができる限り単純であることが必要である。反射
に使用さるウェハー格子の必要事項と共に、採用すべき
個々の格子技術が導かれる。光学ステッパーの場合、こ
れは本質的にマスクとウェハーの間に一連の光学器機を
備えたイメージシステムであるので、マスクとウェハー
の間に別途整列用光学器機を介在させるのは容易であ
る。このことは、レーザー光がその領域に導入又は除去
され、これによりマスク格子とウェハー格子の単一相互
作用を受け、その相互作用を単純な形で維持し、高精度
な整列信号を得ることができるので、有益である。この
手法に基づく一つの方法が、米国特許明細書Ｎｏ．４，
７７９，００１に開示されている。この特許明細書では
ウェハー表面に直交格子を使用し得ることが述べられて
いるが、ここでは一つの直線格子要素がＸ方向に使用さ
れ、別の要素がＹ方向に使用されており、単一ウェハー
構造では２つの直交方向について測定が可能な単純なも
のである。Ｘ線システムの場合、これはマスクとウェハ
ーがほとんど接している近接プリンタであることから、
これらの間に整列用の光学器機を導入することは不可能
である。格子相互作用を必要程度まで簡略化すること
は、極めて少ない回折次数だけをカップリングプロセス
に関与させるべく、微小間隔の格子を採用することによ
り達成できる。
対してリソグラフィック技術が採用されているものでは
どれでも当てはまることで、その問題はすでに他のリソ
グラフィックシステムですでに処理されている。これら
のシステムにおける手法は、一般に、次の工程、すなわ
ち、ウェハー上の構造に対応した各新イメージの粗レジ
スト調整又は予備整列を実行するために単一又は複数の
方法を用いる工程、次に、５０個またはそれ以上の要素
について不整列を減少させ、精密な調整を行なうために
別の方法を用いる工程、により達成されている。完全自
動化され、高生産性システムに用いるのに特に困難なの
は、後者の工程である。光学ステッパーやＸ線リソグラ
フィック装置のようなシステムのために工夫された高精
度の調整を図るために、解決手段は、多くの場合、格子
構造に依存している。これらの構造は、第１に格子の高
調波が極めて良好に形成され、第２に、局部的な欠陥に
比較的影響されないために、採用されている。これらの
構成における一般的手法は、回路部の横のウェハー表面
上に参照マークとして機能する格子構造を設ける主要な
リソグラフィックプロセスを使用するものである。類似
の構造が、載置されて次の層を形成するマスク中の対応
する場所に形成される。それぞれの新しい層の露光が開
始される前に、マスク格子とウェハー格子の対がレーザ
ービームにより順次照明され、それぞれの相互作用によ
り生ずる光場の一部又は複数が検出される。検出器の出
力処理により、それぞれの格子対について、個々の格子
方向の相対的な位置ずれに関連した信号が得られ、そし
て、一対の格子対から得られる信号より、マスクとウェ
ハーとの間の移動および角度の不整列が決定されて調整
が行われる。これらの信号が位置を推定するために信頼
性をもって使用できるようにするために、それらの信号
は不整列の程度に応じた単純で平滑な変化を示すことが
必要である。そのためには、レーザービームと格子の相
互作用ができる限り単純であることが必要である。反射
に使用さるウェハー格子の必要事項と共に、採用すべき
個々の格子技術が導かれる。光学ステッパーの場合、こ
れは本質的にマスクとウェハーの間に一連の光学器機を
備えたイメージシステムであるので、マスクとウェハー
の間に別途整列用光学器機を介在させるのは容易であ
る。このことは、レーザー光がその領域に導入又は除去
され、これによりマスク格子とウェハー格子の単一相互
作用を受け、その相互作用を単純な形で維持し、高精度
な整列信号を得ることができるので、有益である。この
手法に基づく一つの方法が、米国特許明細書Ｎｏ．４，
７７９，００１に開示されている。この特許明細書では
ウェハー表面に直交格子を使用し得ることが述べられて
いるが、ここでは一つの直線格子要素がＸ方向に使用さ
れ、別の要素がＹ方向に使用されており、単一ウェハー
構造では２つの直交方向について測定が可能な単純なも
のである。Ｘ線システムの場合、これはマスクとウェハ
ーがほとんど接している近接プリンタであることから、
これらの間に整列用の光学器機を導入することは不可能
である。格子相互作用を必要程度まで簡略化すること
は、極めて少ない回折次数だけをカップリングプロセス
に関与させるべく、微小間隔の格子を採用することによ
り達成できる。
【０００６】しかしながら、上述の理論は、いずれも
Ｔ．Ｉ．Ｒホログラフィックシステムには適用不可能で
ある。第１にＸ線の場合、ウェハーとホログラフィック
層が極めて接近していることが障害となり、第２に微小
間隔に形成する際に直面する問題が障害となる。
Ｔ．Ｉ．Ｒホログラフィックシステムには適用不可能で
ある。第１にＸ線の場合、ウェハーとホログラフィック
層が極めて接近していることが障害となり、第２に微小
間隔に形成する際に直面する問題が障害となる。
【０００７】従って、本発明は、特定の方向に関して、
記録面に対するマスクの横方向の位置に正確に対応する
最適信号が近接リトグラフィックシステムより得られる
格子構造を提供することにある。
記録面に対するマスクの横方向の位置に正確に対応する
最適信号が近接リトグラフィックシステムより得られる
格子構造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記問題点を解
決するためになされたもので、近接リソグラフィックシ
ステムにおける横位置測定装置は、（ａ） 記録面の上
方に、平行かつ近接して配置されたマスク、（ｂ） 上
記マスク中の光伝達直線格子構造であって、マスク中の
他の特徴部分に対して正確に関係づけられている直線格
子構造、（ｃ） 上記記録面上の反射直交格子構造であ
って、上記直交格子が上記マスクの直下に設けた記録表
面の他の構造に対して正確に関係づけられ、一要素の格
子方向がマスク格子の格子方向に実質的に平行に置かれ
ている直交格子構造、（ｄ） レーザー源、（ｅ） 上
記レーザー源より平行照明を上記格子構造に直角または
略直角に入射すると共に、その照明を最初にマスクの格
子に入射させる光学要素、（ｆ） 相互作用によって生
じる１次直交次数組における正と負の反射１次回折次数
を検出する手段であって、上記直交次数組はマスク格子
の格子方向に垂直方向に回折されたものであり、上記格
子機構の幾何学形と照明ビームの特性は検出次数の光が
実質的にマスク中の格子を避けてその外側を通過するよ
うにしたものである、検出手段、（ｇ） 上記マスクと
記録面の格子の相対位置を少しずつ調整し、それらの位
置が照明ビームと格子表面の交点に関するものであり、
かつ、マスク格子の格子方向に関するものである、調整
手段、（ｈ） 上記マスクと記録面の格子の相対位置に
関する整列信号を作成するために、上記検出手段の出力
を処理する処理装置、で構成したものである。
決するためになされたもので、近接リソグラフィックシ
ステムにおける横位置測定装置は、（ａ） 記録面の上
方に、平行かつ近接して配置されたマスク、（ｂ） 上
記マスク中の光伝達直線格子構造であって、マスク中の
他の特徴部分に対して正確に関係づけられている直線格
子構造、（ｃ） 上記記録面上の反射直交格子構造であ
って、上記直交格子が上記マスクの直下に設けた記録表
面の他の構造に対して正確に関係づけられ、一要素の格
子方向がマスク格子の格子方向に実質的に平行に置かれ
ている直交格子構造、（ｄ） レーザー源、（ｅ） 上
記レーザー源より平行照明を上記格子構造に直角または
略直角に入射すると共に、その照明を最初にマスクの格
子に入射させる光学要素、（ｆ） 相互作用によって生
じる１次直交次数組における正と負の反射１次回折次数
を検出する手段であって、上記直交次数組はマスク格子
の格子方向に垂直方向に回折されたものであり、上記格
子機構の幾何学形と照明ビームの特性は検出次数の光が
実質的にマスク中の格子を避けてその外側を通過するよ
うにしたものである、検出手段、（ｇ） 上記マスクと
記録面の格子の相対位置を少しずつ調整し、それらの位
置が照明ビームと格子表面の交点に関するものであり、
かつ、マスク格子の格子方向に関するものである、調整
手段、（ｈ） 上記マスクと記録面の格子の相対位置に
関する整列信号を作成するために、上記検出手段の出力
を処理する処理装置、で構成したものである。
【０００９】次に、本発明の近接リソグラフィックシス
テムにおける横位置測定方法は、（ａ） マスクを記録
面上に平行にかつ近接して設け、（ｂ） 上記マスク中
に光伝達直線格子構造を設けると共に、上記格子をマス
ク中の他の特徴部分に対して正確に関係づけ、（ｃ）
直交格子が上記マスクの直下に設けた記録表面の他の構
造に対して正確に関係づけられ、一要素の格子方向がマ
スク格子の格子方向に実質的に平行に置かれている直交
格子構造を上記記録面上に設け、（ｄ） 平行なレーザ
ー光で、その照明光が最初にマスクの格子に入射するよ
うに、上記格子構造を直角又はほぼ直角に照明し、
（ｅ） 相互作用によって生じる１次直交次数組におけ
る正と負の反射１次回折次数を検出すると共に、上記直
交次数組はマスク格子の格子方向に垂直方向に回折され
たものであり、上記格子機構の幾何学形と照明ビームの
特性は検出次数の光が実質的にマスク中の格子を避けて
その外側を通過するようにし、（ｆ） 上記マスクと記
録面の格子の相対位置を少しずつ調整し、それらの位置
が照明ビームと格子表面の交点に関するものであり、か
つ、マスク格子の格子方向に関するものとし、（ｇ）
上記マスクと記録面の格子の相対位置に関する整列信号
を作成するために、上記検出手段の出力を処理する、も
のである。
テムにおける横位置測定方法は、（ａ） マスクを記録
面上に平行にかつ近接して設け、（ｂ） 上記マスク中
に光伝達直線格子構造を設けると共に、上記格子をマス
ク中の他の特徴部分に対して正確に関係づけ、（ｃ）
直交格子が上記マスクの直下に設けた記録表面の他の構
造に対して正確に関係づけられ、一要素の格子方向がマ
スク格子の格子方向に実質的に平行に置かれている直交
格子構造を上記記録面上に設け、（ｄ） 平行なレーザ
ー光で、その照明光が最初にマスクの格子に入射するよ
うに、上記格子構造を直角又はほぼ直角に照明し、
（ｅ） 相互作用によって生じる１次直交次数組におけ
る正と負の反射１次回折次数を検出すると共に、上記直
交次数組はマスク格子の格子方向に垂直方向に回折され
たものであり、上記格子機構の幾何学形と照明ビームの
特性は検出次数の光が実質的にマスク中の格子を避けて
その外側を通過するようにし、（ｆ） 上記マスクと記
録面の格子の相対位置を少しずつ調整し、それらの位置
が照明ビームと格子表面の交点に関するものであり、か
つ、マスク格子の格子方向に関するものとし、（ｇ）
上記マスクと記録面の格子の相対位置に関する整列信号
を作成するために、上記検出手段の出力を処理する、も
のである。
【００１０】上記近接リソグラフィックシステムは、
Ｔ．Ｉ．Ｒ．ホログラフィック・リソグラフィックシス
テムで、上記マスクがプリズム上に支持されているホロ
グラムであるのが好ましい。
Ｔ．Ｉ．Ｒ．ホログラフィック・リソグラフィックシス
テムで、上記マスクがプリズム上に支持されているホロ
グラムであるのが好ましい。
【００１１】また、記録面上におけるホログラフィック
イメージと格子構造との間のレジストが得られるように
するのが好ましい。
イメージと格子構造との間のレジストが得られるように
するのが好ましい。
【００１２】
【作用】レジスト調整は、例えば以下の方法により行わ
れる。 （ａ） ホログラムと記録面の全体に亙って複数の位置
で直交方向の横位置測定が行われ、その測定値がマイク
ロプロセッサのメモリに記憶される。そして、その情報
は、正確なレジスト調整を保証するための必要な移動お
よび回転調整を行なうために、リソグラフィック操作の
間使用される。 （ｂ） 記録面にイメージを構成すべくホログラムがス
キャンされる際に、レジストを維持するための横位置測
定および位置調整は、イメージ作成プロセスと同時に実
行される。 （ｃ） 記録面にイメージを構成するためにホログラム
を使用する段階的かつ繰り返し操作を行なう際は、ホロ
グラム領域とこれに対応するウェハーの領域の複数の位
置で横位置測定が行われ、記録面の領域にホログラムイ
メージを記録する前に、前記測定値がレジスト調整に用
いられる。
れる。 （ａ） ホログラムと記録面の全体に亙って複数の位置
で直交方向の横位置測定が行われ、その測定値がマイク
ロプロセッサのメモリに記憶される。そして、その情報
は、正確なレジスト調整を保証するための必要な移動お
よび回転調整を行なうために、リソグラフィック操作の
間使用される。 （ｂ） 記録面にイメージを構成すべくホログラムがス
キャンされる際に、レジストを維持するための横位置測
定および位置調整は、イメージ作成プロセスと同時に実
行される。 （ｃ） 記録面にイメージを構成するためにホログラム
を使用する段階的かつ繰り返し操作を行なう際は、ホロ
グラム領域とこれに対応するウェハーの領域の複数の位
置で横位置測定が行われ、記録面の領域にホログラムイ
メージを記録する前に、前記測定値がレジスト調整に用
いられる。
【００１３】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
詳細に説明する。図１において、再現または再生ビーム
は第１のレーザー源１２から供給され、光学器機（図示
せず）を経由してプリズム１０の斜面を通るように方向
づけられている。予め記録されたＴ．Ｉ．Ｒホログラム
１３は、プリズム１０の下にあって、反射率を一致させ
たガラス板１４の下面上に存在する。チップ製造処理を
一部に施して製造された構造体を支持するシリコンウェ
ハー１６は、ホログラムの下にこれと平行に配置されて
おり、後者は、先行特許出願Ｎｏ．８９２２３４１．６
で開示された方法により得らえる。ホログラムに対して
ウェハー構造を粗方整列さるために単一の又は複数の方
法が用いられており、これにより、レジスト誤差がホロ
グラム整列用格子の間隔以下にしてある。ホログラムの
照明が行われる前に、ウェハー構造に対するホログラム
の位置が正確に測定され、これら２つが正確に一致する
ように調整される。また、この調整は逐一基準点上で実
行され、これによりチップ製造の前段階で生じたウェハ
ーのあらゆる歪みが相殺される。そのために、第２のレ
ーザー源１７はガウスの強度分布を有する光を発生する
ＴＥＭｏｏモードで光を発し、一連の円筒状ビーム成形
用光学器機１８は、プリズムの垂直面を通るように方向
づけられ、ホログラム面に対して実質的に垂直に入射す
るように斜面で反射されたビームが、ホログラム平面で
光１９の平行な帯を生み出すようにしてある。また、基
本の格子構造２０が、ウェハー表面上の別々の位置とホ
ログラム上の対応する位置に、好ましくはチップ領域間
の連結領域に規制正しく間隔を隔てて設けてある。光ビ
ームに対して軸からずらして配置された検出装置２２と
２４が、プリズムを出る前に斜面から反射したレーザー
ビームと格子構造との相互作用により生ずる光場の一部
を収集するように設けてある。事実、一方はＸ方向の整
列、他方はＹ方向の整列を測定する２組の光学器機が必
要であるが、これら２つの光学器機の主なる原理は同一
であるから、図面では１組だけ示し、以下それについて
検討する。また、広がりのあるウェハー上で測定を行う
ためにはスキャン機構が必要であるが、これは本発明の
基本原理にとって重要ではないので、同様に図面から省
略し、それに関する説明も省略してある。
詳細に説明する。図１において、再現または再生ビーム
は第１のレーザー源１２から供給され、光学器機（図示
せず）を経由してプリズム１０の斜面を通るように方向
づけられている。予め記録されたＴ．Ｉ．Ｒホログラム
１３は、プリズム１０の下にあって、反射率を一致させ
たガラス板１４の下面上に存在する。チップ製造処理を
一部に施して製造された構造体を支持するシリコンウェ
ハー１６は、ホログラムの下にこれと平行に配置されて
おり、後者は、先行特許出願Ｎｏ．８９２２３４１．６
で開示された方法により得らえる。ホログラムに対して
ウェハー構造を粗方整列さるために単一の又は複数の方
法が用いられており、これにより、レジスト誤差がホロ
グラム整列用格子の間隔以下にしてある。ホログラムの
照明が行われる前に、ウェハー構造に対するホログラム
の位置が正確に測定され、これら２つが正確に一致する
ように調整される。また、この調整は逐一基準点上で実
行され、これによりチップ製造の前段階で生じたウェハ
ーのあらゆる歪みが相殺される。そのために、第２のレ
ーザー源１７はガウスの強度分布を有する光を発生する
ＴＥＭｏｏモードで光を発し、一連の円筒状ビーム成形
用光学器機１８は、プリズムの垂直面を通るように方向
づけられ、ホログラム面に対して実質的に垂直に入射す
るように斜面で反射されたビームが、ホログラム平面で
光１９の平行な帯を生み出すようにしてある。また、基
本の格子構造２０が、ウェハー表面上の別々の位置とホ
ログラム上の対応する位置に、好ましくはチップ領域間
の連結領域に規制正しく間隔を隔てて設けてある。光ビ
ームに対して軸からずらして配置された検出装置２２と
２４が、プリズムを出る前に斜面から反射したレーザー
ビームと格子構造との相互作用により生ずる光場の一部
を収集するように設けてある。事実、一方はＸ方向の整
列、他方はＹ方向の整列を測定する２組の光学器機が必
要であるが、これら２つの光学器機の主なる原理は同一
であるから、図面では１組だけ示し、以下それについて
検討する。また、広がりのあるウェハー上で測定を行う
ためにはスキャン機構が必要であるが、これは本発明の
基本原理にとって重要ではないので、同様に図面から省
略し、それに関する説明も省略してある。
【００１４】上記基本の格子構造の正確な性質及び操作
について以下に詳細に説明する。
について以下に詳細に説明する。
【００１５】図２と図３は、参照マークとしてウェハー
上に設けた格子構造の一つをそれぞれ示す概略図、斜視
図である。ここでは直交格子が記載されており、この直
交格子は本質的に２つの直線格子で構成され、反射物と
して作用する。回路部の横のマスクに形成された上記格
子構造はＴ．Ｉ．Ｒリソグラフィック処理により形成さ
れ、回路部に対して正確に関係づけられている。上記格
子構造は、上述の層に直接設ける必要はなく、プロセス
の前段階で、複数の同一被覆層を重ねてもよく、この場
合、その輪郭は図に示すような正確な長方形とはならな
い。また、図示しないが、それは操作原理に影響を及ぼ
すものではないので、次のイメージを受けるためにウェ
ハー表面全体に覆われる感光性材料の層であつてもよ
い。図示するものとは逆に、高くなった部分をへこませ
た構造も同様に実行可能である。格子において重要な点
は、間隔Ｐ１と特に間隔Ｐ２、および寸法Ｌ１とＬ２で
ある。以後、間隔Ｐ１の要素を主格子、間隔Ｐ２の要素
を直交格子という。上記Ｐ１の値は一般にシステムに必
要な測定精度の１００倍のオーダーにすべきで、例え
ば、０．１μの位置精度が要求されるときには、Ｐ１＝
１０μが適当な値である。寸法Ｌ１は、一般に１０個の
格子ラインがその方向に存在するようにする。したがっ
て、Ｐ１＝１０μならば、Ｌ１の一般値は１００μとな
る。さらに重要なパラメータであるＰ２とＬ２の一般値
は後に説明する。
上に設けた格子構造の一つをそれぞれ示す概略図、斜視
図である。ここでは直交格子が記載されており、この直
交格子は本質的に２つの直線格子で構成され、反射物と
して作用する。回路部の横のマスクに形成された上記格
子構造はＴ．Ｉ．Ｒリソグラフィック処理により形成さ
れ、回路部に対して正確に関係づけられている。上記格
子構造は、上述の層に直接設ける必要はなく、プロセス
の前段階で、複数の同一被覆層を重ねてもよく、この場
合、その輪郭は図に示すような正確な長方形とはならな
い。また、図示しないが、それは操作原理に影響を及ぼ
すものではないので、次のイメージを受けるためにウェ
ハー表面全体に覆われる感光性材料の層であつてもよ
い。図示するものとは逆に、高くなった部分をへこませ
た構造も同様に実行可能である。格子において重要な点
は、間隔Ｐ１と特に間隔Ｐ２、および寸法Ｌ１とＬ２で
ある。以後、間隔Ｐ１の要素を主格子、間隔Ｐ２の要素
を直交格子という。上記Ｐ１の値は一般にシステムに必
要な測定精度の１００倍のオーダーにすべきで、例え
ば、０．１μの位置精度が要求されるときには、Ｐ１＝
１０μが適当な値である。寸法Ｌ１は、一般に１０個の
格子ラインがその方向に存在するようにする。したがっ
て、Ｐ１＝１０μならば、Ｌ１の一般値は１００μとな
る。さらに重要なパラメータであるＰ２とＬ２の一般値
は後に説明する。
【００１６】図４には、ホログラムの中に設けた格子構
造の配列を示す。ここでは、格子は直線的な光伝達構造
を有し、ホログラムが再生する像に対して正確にレジス
ト調整されている。それぞれの格子ラインの実際の物理
的性質は、使用するホログラフィック記録材料（一般的
に、この材料はフォトポリマーである。）に依存し、そ
の格子ラインは異なる屈折率の領域を生み出すことにな
る。図５は同一ケースを示す。ライン３０と空間３２の
間の屈折率は、測定レーザービームを照明したとき、最
初の回折次数の強さが出来るだけ高く、しかも高次のも
のに比べて高くなることが好ましい。また、空間３２の
幅に対する格子ライン３０の幅の比率は、回折次数の強
さがゼロに近づくように、出来るだけ１に近づけるのが
良い。格子間隔Ｐ３はウェハー格子の主要素のそれと同
一の値とする。したがって、Ｐ１＝１０μならば、Ｐ３
＝１０μとなる。格子の長さＬ３、幅Ｌ４はそれぞれ後
に説明する。位置測定における格子操作の説明を簡単に
するために、直交格子の回折特性について付言しなけれ
ばならない。既に述べたように、直交格子は、２つの直
交方向に向けられた直線格子で本質的に構成されてお
り、その回折特性は本記述中で不変である。間隔ｄを有
する直線格子にある波長の単色光を直角入射すると、一
組の次数が作成され、ｎ次の方向θｎが式１で与えられ
る。 ｄ・ｓｉｎ（θｎ）＝ｎλ …式１ 間隔ｄ１，ｄ２の直交格子については、複数組の次数が
作成され、その組の０次に対する任意の１組のｎ次方向
が式２で与えられる。 ｄ1・ｓｉｎ（θｎ）＝ｎλ …式２ 一方、入射ビームに対するｍ次組の平面角は、式３で与
えられる。 ｄ2・ｓｉｎ（θｍ）＝ｍλ …式３
造の配列を示す。ここでは、格子は直線的な光伝達構造
を有し、ホログラムが再生する像に対して正確にレジス
ト調整されている。それぞれの格子ラインの実際の物理
的性質は、使用するホログラフィック記録材料（一般的
に、この材料はフォトポリマーである。）に依存し、そ
の格子ラインは異なる屈折率の領域を生み出すことにな
る。図５は同一ケースを示す。ライン３０と空間３２の
間の屈折率は、測定レーザービームを照明したとき、最
初の回折次数の強さが出来るだけ高く、しかも高次のも
のに比べて高くなることが好ましい。また、空間３２の
幅に対する格子ライン３０の幅の比率は、回折次数の強
さがゼロに近づくように、出来るだけ１に近づけるのが
良い。格子間隔Ｐ３はウェハー格子の主要素のそれと同
一の値とする。したがって、Ｐ１＝１０μならば、Ｐ３
＝１０μとなる。格子の長さＬ３、幅Ｌ４はそれぞれ後
に説明する。位置測定における格子操作の説明を簡単に
するために、直交格子の回折特性について付言しなけれ
ばならない。既に述べたように、直交格子は、２つの直
交方向に向けられた直線格子で本質的に構成されてお
り、その回折特性は本記述中で不変である。間隔ｄを有
する直線格子にある波長の単色光を直角入射すると、一
組の次数が作成され、ｎ次の方向θｎが式１で与えられ
る。 ｄ・ｓｉｎ（θｎ）＝ｎλ …式１ 間隔ｄ１，ｄ２の直交格子については、複数組の次数が
作成され、その組の０次に対する任意の１組のｎ次方向
が式２で与えられる。 ｄ1・ｓｉｎ（θｎ）＝ｎλ …式２ 一方、入射ビームに対するｍ次組の平面角は、式３で与
えられる。 ｄ2・ｓｉｎ（θｍ）＝ｍλ …式３
【００１７】これが図６に示してあり、ここでは次数は
−１≦ｍ≦１，−２≦ｎ≦２について示してある。な
お、直交格子における直交要素は、（直交格子に関す
る）ｍ次直交次数組におけるｎ次の次数を（ｍ，ｎ）と
明示して定義されている。直交格子の位置測定に戻り、
図７はシステムの基本原理を示す。既述の方法で作成さ
れた横方向の寸法がＷ１×Ｗ２の平行なレーザービーム
４０は、その相対的な方向を、格子方向が実質的にビー
ム寸法Ｗ１と平行になるようにして、ホログラフィック
格子４２に実質的に直角に入射される。ビームとホログ
ラム格子との相互作用により、ホログラムから距離Ｄの
位置にあるウェハー４６上の直交格子に向かって伝わる
一組の回折次数が得られる。種々の回折次数間で光を結
び合わせる２つの格子４２と４４により光の複雑な相互
作用が生じ、これにより直交格子を直接照明するビーム
に一致する方向（強さは異なる）の一組の反射次数がシ
ステムから発せられる。これら次数の２つ、すなわち、
１次直交次数組のプラスとマイナスの１次オーダ（１，
１），（１，−１）は、それぞれ検出器２２と２４で集
められる。レーザービームのパラメータと格子システム
の幾何学形は、検出器に到達する次数が、ホログラム格
子を避けてこれらの外側からホログラフィック層を通
り、それぞれの格子で１回相互作用を受けるようにす
る。これによりカップリングプロセスが必要程度また簡
略化され、高精度の整列信号が得られる。図８は、格子
相互作用の端面を示し、次の式４，５の条件が満足され
ているときは、上述のことが真実であることが理解でき
る。 θ≧０ …式４ θ（１，ｎ）≧ｔａｎ-1｛（Ｗ２＋Ｅ）／Ｄ）｝ …式５ 式中、Ｅは、図示するように、照明ビームの端部を超え
るホログラム格子の幅で、θ（１，ｎ）は１次直角次数
組の回折角である。
−１≦ｍ≦１，−２≦ｎ≦２について示してある。な
お、直交格子における直交要素は、（直交格子に関す
る）ｍ次直交次数組におけるｎ次の次数を（ｍ，ｎ）と
明示して定義されている。直交格子の位置測定に戻り、
図７はシステムの基本原理を示す。既述の方法で作成さ
れた横方向の寸法がＷ１×Ｗ２の平行なレーザービーム
４０は、その相対的な方向を、格子方向が実質的にビー
ム寸法Ｗ１と平行になるようにして、ホログラフィック
格子４２に実質的に直角に入射される。ビームとホログ
ラム格子との相互作用により、ホログラムから距離Ｄの
位置にあるウェハー４６上の直交格子に向かって伝わる
一組の回折次数が得られる。種々の回折次数間で光を結
び合わせる２つの格子４２と４４により光の複雑な相互
作用が生じ、これにより直交格子を直接照明するビーム
に一致する方向（強さは異なる）の一組の反射次数がシ
ステムから発せられる。これら次数の２つ、すなわち、
１次直交次数組のプラスとマイナスの１次オーダ（１，
１），（１，−１）は、それぞれ検出器２２と２４で集
められる。レーザービームのパラメータと格子システム
の幾何学形は、検出器に到達する次数が、ホログラム格
子を避けてこれらの外側からホログラフィック層を通
り、それぞれの格子で１回相互作用を受けるようにす
る。これによりカップリングプロセスが必要程度また簡
略化され、高精度の整列信号が得られる。図８は、格子
相互作用の端面を示し、次の式４，５の条件が満足され
ているときは、上述のことが真実であることが理解でき
る。 θ≧０ …式４ θ（１，ｎ）≧ｔａｎ-1｛（Ｗ２＋Ｅ）／Ｄ）｝ …式５ 式中、Ｅは、図示するように、照明ビームの端部を超え
るホログラム格子の幅で、θ（１，ｎ）は１次直角次数
組の回折角である。
【００１８】１次の直交次数組の方向は式３にｍ＝１を
代入することにより与えられ、各パラメータ間には以下
の関係がある。 ｓｉｎ-1（λ／Ｐ２）≧ｔａｎ-1｛（Ｗ２＋Ｅ）／Ｄ｝ …式６ Ｅ＝０、すなわち格子の端部がビームの端部であること
が好ましく、この場合、式７の関係を有する。 ｓｉｎ-1（λ／Ｐ２）≧ｔａｎ-1（Ｗ２／Ｄ） …式７ この式は格子の間を伝わるビーム幅Ｗ２を一定としたも
ので、一般に良好な近似解を与える。しかしながら、フ
レネル回折の影響が著しいとき、すなわち、ビームがゆ
っくりした散乱を受けるときは、修正項を式に加えなけ
ればならない。式７を満足する値の典型例を示すと、光
の波長が６３３ｎｍでホログラムとウェハーの間隔が１
６０μの場合、ウェハー格子により程良く整列された信
号が得られるのは、ビーム幅が５０μ、直交間隔が２μ
である。ガウスの強度分布を有するレーザービームか
ら、上述の方法で照明スポットが形成される場合には、
上記スポットの寸法は、ビームにおける１／ｅ2の点間
距離の２倍に一致させる。
代入することにより与えられ、各パラメータ間には以下
の関係がある。 ｓｉｎ-1（λ／Ｐ２）≧ｔａｎ-1｛（Ｗ２＋Ｅ）／Ｄ｝ …式６ Ｅ＝０、すなわち格子の端部がビームの端部であること
が好ましく、この場合、式７の関係を有する。 ｓｉｎ-1（λ／Ｐ２）≧ｔａｎ-1（Ｗ２／Ｄ） …式７ この式は格子の間を伝わるビーム幅Ｗ２を一定としたも
ので、一般に良好な近似解を与える。しかしながら、フ
レネル回折の影響が著しいとき、すなわち、ビームがゆ
っくりした散乱を受けるときは、修正項を式に加えなけ
ればならない。式７を満足する値の典型例を示すと、光
の波長が６３３ｎｍでホログラムとウェハーの間隔が１
６０μの場合、ウェハー格子により程良く整列された信
号が得られるのは、ビーム幅が５０μ、直交間隔が２μ
である。ガウスの強度分布を有するレーザービームか
ら、上述の方法で照明スポットが形成される場合には、
上記スポットの寸法は、ビームにおける１／ｅ2の点間
距離の２倍に一致させる。
【００１９】ホログラムとウェハー格子の幅Ｌ４，Ｌ３
は、相互作用に関与する光量が最大となるようにする。
これは、Ｌ４＞Ｗ２、およびＬ２＞Ｗ２とすることによ
り満足され、予備整列操作により２つの格子をその方向
に実質的に整列させる役目（そして、フレネル回折の影
響を無視できるようにする役目）を後者が担っている。
ホログラム格子の長さＬ３は、ウェハー表面に注がれる
回折次数がウェハー格子を完全に照明することができる
ようにする。これが格子相互作用の側面を表わした図９
に示されており、ここでホログラムとウェハーの間の点
線が伝達次数のエッジを示している。ｎがウェハー格子
を完全に照明するのに必要な最も高い正又は負の回折次
数の大きさであれば、必要なホログラム格子の長さは式
８で与えられる。 Ｌ３≧Ｌ１＋２Ｄｔａｎ｛ｓｉｎ-1（ｎλ／Ｐ３）｝ …式８
は、相互作用に関与する光量が最大となるようにする。
これは、Ｌ４＞Ｗ２、およびＬ２＞Ｗ２とすることによ
り満足され、予備整列操作により２つの格子をその方向
に実質的に整列させる役目（そして、フレネル回折の影
響を無視できるようにする役目）を後者が担っている。
ホログラム格子の長さＬ３は、ウェハー表面に注がれる
回折次数がウェハー格子を完全に照明することができる
ようにする。これが格子相互作用の側面を表わした図９
に示されており、ここでホログラムとウェハーの間の点
線が伝達次数のエッジを示している。ｎがウェハー格子
を完全に照明するのに必要な最も高い正又は負の回折次
数の大きさであれば、必要なホログラム格子の長さは式
８で与えられる。 Ｌ３≧Ｌ１＋２Ｄｔａｎ｛ｓｉｎ-1（ｎλ／Ｐ３）｝ …式８
【００２０】ホログラムからの回折次数が無視できる強
さの場合、ｎの一般値は３となる。
さの場合、ｎの一般値は３となる。
【００２１】レーザー光の幅Ｗ１は、第１に、相互作用
に関与する光量が最大となり、第２に、ホログラム格子
の照明がその範囲内で出来るだけ均一になるようにす
る。ガウスビームを用いた好適な照明手段では、ビーム
における１／ｅ2の点間距離は、一般にホログラム格子
の長さの４倍に相当する。
に関与する光量が最大となり、第２に、ホログラム格子
の照明がその範囲内で出来るだけ均一になるようにす
る。ガウスビームを用いた好適な照明手段では、ビーム
における１／ｅ2の点間距離は、一般にホログラム格子
の長さの４倍に相当する。
【００２２】ホログラムとウェハー格子の相対位置に関
する信号は種々の方法により作成され、そのうち好まし
い２つの方法は次のものである。
する信号は種々の方法により作成され、そのうち好まし
い２つの方法は次のものである。
【００２３】第１の方法を図１を参照して説明する。こ
の方法では、ウェハーは、格子間隔以下の範囲内で、か
つその方向のレジスト調整が達成できる範囲内で、ホロ
グラム格子方向に実質的に平行な方向に、ピエヅ装置２
６又はステッピングモータにより少しずつ、また一定量
づつ移動させられる。一定量の移動が終わった時点で、
検出器２２と２４で読み取りが行われ、マイクロプロセ
ッサ２８のメモリに記憶される。対称であることから、
２つの格子が正しく整列されているとき、すなわち、ウ
ェハー格子４４の主要素がホログラム格子４２のライン
直下にあるとき、２つの検出器の各次数の強さが同一に
なる。したがって、マイクロプロセッサ２８に記憶され
ている２組の読取値の引算を行うことにより、整列位置
が決定される。
の方法では、ウェハーは、格子間隔以下の範囲内で、か
つその方向のレジスト調整が達成できる範囲内で、ホロ
グラム格子方向に実質的に平行な方向に、ピエヅ装置２
６又はステッピングモータにより少しずつ、また一定量
づつ移動させられる。一定量の移動が終わった時点で、
検出器２２と２４で読み取りが行われ、マイクロプロセ
ッサ２８のメモリに記憶される。対称であることから、
２つの格子が正しく整列されているとき、すなわち、ウ
ェハー格子４４の主要素がホログラム格子４２のライン
直下にあるとき、２つの検出器の各次数の強さが同一に
なる。したがって、マイクロプロセッサ２８に記憶され
ている２組の読取値の引算を行うことにより、整列位置
が決定される。
【００２４】第２の方法について説明する。この方法で
は、ホログラムとウェハーは静止状態に保持され、照明
ビームが、ホログラム格子の配設方向に平行に、かつ、
ホログラム上での位置を実質的に一定に保持しながら、
少しずつ角度を変えながらスキャンされる。図１には示
されていないが、照明スポットは別途設けたシリンドリ
カルレンズの焦平面で寸法Ｗ１に形成され、そして、ミ
ラーを移動させるピエヅ装置又はステッピングモータに
よりレンズ開口を通る平行ビームが移動させられるよう
になっている。その範囲は、ビームと、このビームライ
ンが投影されるホログラム格子との交差領域が、ホログ
ラム格子の配設方向に関して、格子間隔よりも短い距離
だけウェハー格子をスキャンするようにする。前述のよ
うに、移動ごとに検出読取値は記憶され、引算が行われ
る。本ケースでは、照明ビームのラインに関して格子が
対称に配置されているときのゼロ結果から、ビーム方
向、レジストに関する正確な知識が得られる。
は、ホログラムとウェハーは静止状態に保持され、照明
ビームが、ホログラム格子の配設方向に平行に、かつ、
ホログラム上での位置を実質的に一定に保持しながら、
少しずつ角度を変えながらスキャンされる。図１には示
されていないが、照明スポットは別途設けたシリンドリ
カルレンズの焦平面で寸法Ｗ１に形成され、そして、ミ
ラーを移動させるピエヅ装置又はステッピングモータに
よりレンズ開口を通る平行ビームが移動させられるよう
になっている。その範囲は、ビームと、このビームライ
ンが投影されるホログラム格子との交差領域が、ホログ
ラム格子の配設方向に関して、格子間隔よりも短い距離
だけウェハー格子をスキャンするようにする。前述のよ
うに、移動ごとに検出読取値は記憶され、引算が行われ
る。本ケースでは、照明ビームのラインに関して格子が
対称に配置されているときのゼロ結果から、ビーム方
向、レジストに関する正確な知識が得られる。
【００２５】整列信号の挙動を最適化させるために、ホ
ログラムとウェハーの間隔、およびレーザー１７から発
射される光の波長を調整するのが良い。この場合、レー
ザー１７に、波長調整手段、又は、これに代えて異なる
波長の光を発する複数のレーザー源を設けると共に、ホ
ログラムとウェハーの間隔を調整するための手段を別途
設ける。
ログラムとウェハーの間隔、およびレーザー１７から発
射される光の波長を調整するのが良い。この場合、レー
ザー１７に、波長調整手段、又は、これに代えて異なる
波長の光を発する複数のレーザー源を設けると共に、ホ
ログラムとウェハーの間隔を調整するための手段を別途
設ける。
【００２６】以上の説明から明らかなように、本発明の
横位置測定は、一方向の格子構造をホログラフィック層
に設け、直交格子構造をウェハー表面に設け、これら２
つの格子が、基本的に長方形断面の焦点整合された平行
なレーザービームにより照明され、システムから生ずる
１次直交次数組における正と負の１次が、ホログラムと
ウェハーの格子で単一相互作用を受けるように格子の幾
何学形およびビームのパラメータが設定されている。検
出器に収集されるこれらの次数は、２つの格子の相対位
置に対応した信号を作成するのに使用される。
横位置測定は、一方向の格子構造をホログラフィック層
に設け、直交格子構造をウェハー表面に設け、これら２
つの格子が、基本的に長方形断面の焦点整合された平行
なレーザービームにより照明され、システムから生ずる
１次直交次数組における正と負の１次が、ホログラムと
ウェハーの格子で単一相互作用を受けるように格子の幾
何学形およびビームのパラメータが設定されている。検
出器に収集されるこれらの次数は、２つの格子の相対位
置に対応した信号を作成するのに使用される。
【００２７】請求の範囲において、マスクの用語は、マ
スクがホログラムを構成する実施例に限定するものでな
く、他のリソグラフィック法を含む広い意味で使用され
ている。
スクがホログラムを構成する実施例に限定するものでな
く、他のリソグラフィック法を含む広い意味で使用され
ている。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
係る測定装置および測定方法によれば、記録面に対する
マスクの横方向の位置が正確に得られる。
係る測定装置および測定方法によれば、記録面に対する
マスクの横方向の位置が正確に得られる。
【図１】 ホログラフィックとウェハー構造の相対的な
横方向の位置測定をする実施例を示す図である。
横方向の位置測定をする実施例を示す図である。
【図２】 ウェハーに設けた格子構造を示す図である。
【図３】 ウェハー上の格子構造の斜視図である。
【図４】 ホログラムに設けた格子構造配列を示す図で
ある。
ある。
【図５】 ホログラムに設けた格子構造の物理的構成の
例を示す図である。
例を示す図である。
【図６】 直交格子の回折特性を示す図である。
【図７】 本発明の基本原理を示す図である。
【図８】 図７に示す構成の端面図である。
【図９】 図７に示す構成の側面図である。
１０…プリズム、１３…Ｔ．Ｉ．Ｒホログラム、１２，
１７…レーザー源、１４…ガラス板、１６…シリコンウ
ェハー、１８…光学器機、１９…光、２０…格子構造、
２２，２４…検出器、２６…ピエヅ装置、２８…マイク
ロプロセッサ。
１７…レーザー源、１４…ガラス板、１６…シリコンウ
ェハー、１８…光学器機、１９…光、２０…格子構造、
２２，２４…検出器、２６…ピエヅ装置、２８…マイク
ロプロセッサ。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１２月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図８】
【図６】
【図７】
【図９】
Claims (24)
- 【請求項１】（ａ） 記録面の上方に、平行かつ近接し
て配置されたマスク、（ｂ） 上記マスク中の光伝達直
線格子構造であって、マスク中の他の特徴部分に対して
正確に関係づけられている直線格子構造、（ｃ） 上記
記録面上の反射直交格子構造であって、上記直交格子が
上記マスクの直下に設けた記録表面の他の構造に対して
正確に関係づけられ、一要素の格子方向がマスク格子の
格子方向に実質的に平行に置かれている直交格子構造、
（ｄ） レーザー源、（ｅ） 上記レーザー源より平行
照明を上記格子構造に直角または略直角に入射すると共
に、その照明を最初にマスクの格子に入射させる光学要
素、（ｆ） 相互作用によって生じる１次直交次数組に
おける正と負の反射１次回折次数を検出する手段であっ
て、上記直交次数組はマスク格子の格子方向に対して垂
直方向に回折されたものであり、上記格子機構の幾何学
形と照明ビームの特性は検出次数の光が実質的にマスク
中の格子を避けてその外側を通過するようにしたもので
ある、検出手段、（ｇ） 上記マスクと記録面の格子の
相対位置を少しずつ調整し、それらの位置が照明ビーム
と格子表面の交点に関するものであり、かつ、マスク格
子の格子方向に関するものである、調整手段、（ｈ）
上記マスクと記録面の格子の相対位置に関する整列信号
を作成するために、上記検出手段の出力を処理する処理
装置、からなることを特徴とする近接リソグラフィック
システムにおける横位置測定装置。 - 【請求項２】 上記近接リソグラフィックシステムがＸ
線リソグラフィックシステムであることを特徴とする請
求項１の測定装置。 - 【請求項３】 上記近接リソグラフィックシステムが
Ｔ．Ｉ．Ｒホログラフィック画像システムで、上記マス
クがプリズムに支持されているホログラムであることを
特徴とする請求項１の測定装置。 - 【請求項４】 上記プリズムは、ホログラフィック再生
ビームが臨界角と同一またはそれよりも大きな角度をも
ってホログラムに到達すると共に、位置測定用のビーム
が格子構造を直角又はほぼ直角に入射して照明し、１次
直交次数組における正と負の１次回折次数が検出器に集
められるようにしたことを特徴とする請求項３の測定装
置。 - 【請求項５】 上記レーザー源がＴＥＭｏｏモード、す
なわち、ガウスの強度分布を有するビームを発射し、上
記光学要素が、上記ビームを整合してマスク平面上に平
行な帯状の光を投射すると共に、その帯の長さが実質的
にマスク格子の格子方向に平行に位置するように整合す
る円筒状のビーム成形光学器機を備えていることを特徴
とする上記請求項１〜４のいずれかの測定装置。 - 【請求項６】 整列信号の最適化を図るために、レーザ
ー光の波長を変化させる手段を有することを特徴とする
請求項１〜５のいずれかの測定装置。 - 【請求項７】 整列信号の最適化を図るために、マスク
と記録面の間隔を調整する手段を有することを特徴とす
る請求項１〜６のいずれかの測定装置。 - 【請求項８】 上記マスクの格子の長さＬ３が、式９よ
り決定されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか
の測定装置。 Ｌ３≧Ｌ１＋２Ｄ・ｔａｎ｛ｓｉｎ-1（ｎλ）／Ｐ３）｝ ｎ：記録面上の格子を完全に照明するために必要な、マ
スク格子からの正又は負の最高回折次数の値 λ：照明光の波長 Ｐ３：マスク格子の間隔 Ｌ：記録面上の格子の長さ Ｄ：マスクと記録表面の間隔 - 【請求項９】 上記マスクとウェハーの格子の相対位置
を調整する手段は、それらの位置が照明ビームのライン
に関して測定され、ウェハーに対してマスクを移動させ
るものであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか
の測定装置。 - 【請求項１０】 上記マスクと記録面との格子の相対位
置を調整する手段は、それらの位置が照明ビームのライ
ンに関して測定され、マスクと記録面を静止状態に保持
し、照明ビームをマスク格子に対して角度スキャンさせ
るものであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか
の測定装置。 - 【請求項１１】（ａ） マスクを記録面上に平行にかつ
近接して設け、（ｂ） 上記マスク中に光伝達直線格子
構造を設けると共に、上記格子をマスク中の他の特徴部
分に対して正確に関係づけ、（ｃ） 直交格子が上記マ
スクの直下に設けた記録表面の他の構造に対して正確に
関係づけられ、一要素の格子方向がマスク格子の格子方
向に実質的に平行に置かれている直交格子構造を上記記
録面上に設け、（ｄ） 平行なレーザー光で、その照明
光が最初にマスクの格子に入射するように、上記格子構
造を直角又はほぼ直角に照明し、（ｅ） 相互作用によ
って生じる１次直交次数組における正と負の反射１次回
折次数を検出すると共に、上記直交次数組はマスク格子
の格子方向に対して垂直方向に回折されたものであり、
上記格子機構の幾何学形と照明ビームの特性は検出次数
の光が実質的にマスク中の格子を避けてその外側を通過
するようにし、（ｆ） 上記マスクと記録面の格子の相
対位置を少しずつ調整し、それらの位置が照明ビームと
格子表面の交点に関するものであり、かつ、マスク格子
の格子方向に関するものとし、（ｇ） 上記マスクと記
録面の格子の相対位置に関する整列信号を作成するため
に、上記検出手段の出力を処理する、近接リソグラフィ
ックシステムにおける横位置測定方法。 - 【請求項１２】 上記近接リソグラフィックシステムが
Ｘ線リソグラフィックシステムであることを特徴とする
請求項１１の測定方法。 - 【請求項１３】 上記近接リソグラフィックシステムが
Ｔ．Ｉ．Ｒホログラフィック画像システムで、上記マス
クがプリズムに支持されているホログラムであることを
特徴とする請求項１１の測定方法。 - 【請求項１４】 上記レーザー光の波長が整列信号を最
適化させるものであることを特徴とする請求項１１〜１
３のいずれかの測定方法。 - 【請求項１５】 上記マスクと記録面の間隔が整列信号
を最適化させるものであることを特徴とする請求項１１
〜１４のいずれかの測定方法。 - 【請求項１６】 上記マスクの格子の長さＬ３が、式９
より決定されることを特徴とする請求項１１〜１５のい
ずれかの測定装置。 Ｌ３≧Ｌ１＋２Ｄ・ｔａｎ｛ｓｉｎ-1（ｎλ／Ｐ３）｝ ｎ：記録面上の格子を完全に照明するために必要な、マ
スク格子からの正又は負の最高回折次数の値 λ ：照明光の波長 Ｐ３：マスク格子の間隔 Ｌ ：記録面上の格子の長さ Ｄ ：マスクと記録表面の間隔 - 【請求項１７】 上記マスクとウェハーの格子の相対位
置を調整する方法は、それらの位置が照明ビームのライ
ンに関して測定され、ウェハーに対してマスクを移動さ
せるものであることを特徴とする請求項１３〜１６のい
ずれかの測定方法。 - 【請求項１８】 上記マスクと記録面との格子の相対位
置を調整する方法は、それらの位置が照明ビームのライ
ンに関して測定され、マスクと記録面を静止状態に保持
し、照明ビームをマスク格子に対して角度スキャンさせ
るものであることを特徴とする請求項１１〜１６のいず
れかの測定方法。 - 【請求項１９】 マスク上の特徴部分と記録面上の構造
とのレジスト調整を得ることを特徴とする上記請求項１
１〜１８のいずれかの測定装置。 - 【請求項２０】 マスクと記録面上の複数の点で直交方
向の横位置測定を行い、上記測定値をマイクロプロセッ
サのメモリに記憶し、正確なレジスト調整を確保するた
めに、リソグラフィック操作中は上記情報を利用しなが
ら必要な移動および回転調整を行うことを特徴とする上
記請求項１９の測定装置。 - 【請求項２１】 記録面上に像を形成すべくマスクをス
キャンする際に、レジストを維持ために、横位置測定と
位置調整をリソグラフィック処理と同時に行うことを特
徴とする請求項１９の測定方法。 - 【請求項２２】 記録表面にプリントをマスクを使用す
る段階的かつ繰り返し操作の際に、マスク領域と、これ
に対応する記録表面の部分の複数の場所で横位置測定が
行われ、記録表面の上記部分上に位置するマスクをプリ
ントすることに先立って、それらの測定がレジスト調整
を実行するために使用されることを特徴とする請求項１
９の測定方法。 - 【請求項２３】 最終的な適用、例えば集積回路、光学
記録ディスク、高解像表示スクリーン、および表面音波
装置、の特性に拘わりなく、レジスト調整がリソグラフ
ィック処理に対して得られることを特徴とする請求項１
９〜２２のいずれかの測定方法。 - 【請求項２４】 実質的に明細書に記載され、添付図面
に図示された構成のＴ．Ｉ．Ｒホログラフィック画像シ
ステムにおける横位置測定装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9022154A GB2249387B (en) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | Apparatus for and a method of transverse position measurement in proximity lithographic systems |
| GB9022154 | 1990-10-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056853A true JPH056853A (ja) | 1993-01-14 |
| JP3249154B2 JP3249154B2 (ja) | 2002-01-21 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3249154B2 (ja) |
| KR (1) | KR100209463B1 (ja) |
| DE (1) | DE69128771T2 (ja) |
| GB (1) | GB2249387B (ja) |
Families Citing this family (29)
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|---|---|---|---|---|
| US6329104B1 (en) * | 1992-03-16 | 2001-12-11 | Holtronic Technologies, Ltd. | Position alignment system for holographic lithography process |
| US5504596A (en) * | 1992-12-21 | 1996-04-02 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus using holographic techniques |
| DE69432092D1 (de) * | 1993-05-24 | 2003-03-13 | Holtronic Technologies Plc Lon | Vorrichtung und Verfahren zur Veränderung des Massstabs eines gedruckten Musters |
| US5519535A (en) * | 1994-04-04 | 1996-05-21 | Motorola, Inc. | Precision placement apparatus having liquid crystal shuttered dual prism probe |
| JP4022398B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2007-12-19 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 位相シフトマスクの作成方法及び装置 |
| JP2003297718A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Seiko Epson Corp | 微細孔形成方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、表示装置、および電子機器 |
| US7394554B2 (en) * | 2003-09-15 | 2008-07-01 | Timbre Technologies, Inc. | Selecting a hypothetical profile to use in optical metrology |
| US7312021B2 (en) * | 2004-01-07 | 2007-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Holographic reticle and patterning method |
| US8227150B2 (en) * | 2004-01-07 | 2012-07-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Holographic reticle and patterning method |
| US20060121357A1 (en) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Holtronic Technologies Plc. | Large pattern printing |
| US8749760B2 (en) * | 2009-03-03 | 2014-06-10 | International Business Machines Corporation | Asymmetric complementary dipole illuminator |
| CN102043341B (zh) * | 2009-10-12 | 2012-10-03 | 上海微电子装备有限公司 | 用于光刻设备的对准信号采集系统与对准方法 |
| CN102455600B (zh) * | 2010-10-18 | 2014-07-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 检测晶片表面形貌的方法 |
| NZ773822A (en) | 2015-03-16 | 2022-07-29 | Magic Leap Inc | Methods and systems for diagnosing and treating health ailments |
| NZ738352A (en) | 2015-06-15 | 2019-07-26 | Magic Leap Inc | Method of manufacturing a liquid crystal device |
| EP3440497B1 (en) | 2016-04-08 | 2023-08-16 | Magic Leap, Inc. | Augmented reality systems and methods with variable focus lens elements |
| US10416471B2 (en) | 2016-10-17 | 2019-09-17 | Cymer, Llc | Spectral feature control apparatus |
| IL310194A (en) | 2016-11-18 | 2024-03-01 | Magic Leap Inc | Liquid crystal refraction lattices vary spatially |
| KR20190082303A (ko) * | 2016-11-18 | 2019-07-09 | 매직 립, 인코포레이티드 | 교차 격자를 이용한 도파관 광 멀티플렉서 |
| US11067860B2 (en) | 2016-11-18 | 2021-07-20 | Magic Leap, Inc. | Liquid crystal diffractive devices with nano-scale pattern and methods of manufacturing the same |
| KR102298018B1 (ko) | 2016-12-08 | 2021-09-02 | 매직 립, 인코포레이티드 | 콜레스테릭 액정에 기초한 회절 디바이스들 |
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| IL303471B1 (en) | 2017-03-21 | 2024-04-01 | Magic Leap Inc | An eye imaging device that uses optical refractive elements |
| US11841481B2 (en) | 2017-09-21 | 2023-12-12 | Magic Leap, Inc. | Augmented reality display with waveguide configured to capture images of eye and/or environment |
| CN111683584A (zh) | 2017-12-15 | 2020-09-18 | 奇跃公司 | 用于增强现实显示系统的目镜 |
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| CN114286962A (zh) | 2019-06-20 | 2022-04-05 | 奇跃公司 | 用于增强现实显示系统的目镜 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2436967A1 (fr) * | 1978-09-19 | 1980-04-18 | Thomson Csf | Procede d'alignement optique de motifs dans deux plans rapproches et dispositif d'alignement mettant en oeuvre un tel procede |
| DE2905635A1 (de) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Censor Patent Versuch | Verfahren und vorrichtung zum ausrichten der bild- und/oder objektflaechen bei optischen kopiereinrichtungen |
| FR2450468A1 (fr) * | 1979-02-27 | 1980-09-26 | Thomson Csf | Systeme optique d'alignement de deux motifs et photorepeteur mettant en oeuvre un tel systeme |
| US4814626A (en) * | 1985-12-13 | 1989-03-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for high precision position measurement of two-dimensional structures |
| JPS62172203A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 相対変位測定方法 |
| DE3682675D1 (de) * | 1986-04-29 | 1992-01-09 | Ibm Deutschland | Interferometrische maskensubstratausrichtung. |
| JPH01285803A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-16 | Fujitsu Ltd | フレネル・ゾーン・プレートおよびそれを用いる位置合せ方法 |
| JP2658051B2 (ja) * | 1987-05-15 | 1997-09-30 | 株式会社ニコン | 位置合わせ装置，該装置を用いた投影露光装置及び投影露光方法 |
| US4988197A (en) * | 1987-12-28 | 1991-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for aligning two objects, and method and apparatus for providing a desired gap between two objects |
-
1990
- 1990-10-11 GB GB9022154A patent/GB2249387B/en not_active Expired - Fee Related
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1991
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