JP5328717B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 77
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 57
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 48
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 40
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
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Description
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築されたサポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分の上に前記パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと
を備えるリソグラフィ装置に関する。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMTまたは「マスクサポート」および基板テーブルWTまたは「基板サポート」が、実質的に静止状態に保たれ、放射ビームに与えられた全パターンが、一度でターゲット部分C上に投影される(すなわち単一静止露光)。次いで、基板テーブルWTまたは「基板サポート」は、別のターゲット部分Cを露光することが可能となるように方向および/またはY方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一静止露光においてイメージングされるターゲット部分Cのサイズを限定する。
2.スキャンモードでは、マスクテーブルMTまたは「マスクサポート」および基板テーブルWTまたは「基板サポート」が、同期してスキャンされ、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分C上に投影される(すなわち単一動的露光)。マスクテーブルMTまたは「マスクサポート」に対する基板テーブルWTまたは「基板サポート」の速度および方向は、投影システムPSの拡大率(縮小率)および像反転特性により決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャニング方向の)幅を限定し、スキャニング動作の長さが、ターゲット部分の(スキャニング方向の)高さを決定する。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTまたは「マスクサポート」が、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ実質的に静的状態に保たれ、基板テーブルWTまたは「基板サポート」が、移動されまたはスキャンされるとともに、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分C上に投影される。このモードでは、一般的にはパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTまたは「基板サポート」の各移動の後で、またはスキャン中の連続放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この作動モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することが可能である。
照射源およびディテクタ、全ての光学部品、ならびに第2スケールを1つのセンサハウジング(すなわち共通ハウジング)内に配置し、結果として非ワイヤレス構成とすることができる。
照射源ディテクタ、および全ての光学部品を1つのセンサハウジング内に配置し、結果として非ワイヤレス構成とすることができる。
照明光源および全ての光学部品を1つのハウジング内に配置し、結果として部分的なワイヤレス構成とすることができる。
ディテクタおよび全ての光学部品を1つのハウジング内に取り付け、結果として部分的なワイヤレス構成とすることができる。
第2スケール、および全ての光学部品を1つのハウジング内に取り付け、結果としてワイヤレス構成とすることができる)。
全ての光学部品は1つのハウジング内に取り付け、結果としてワイヤレス構成とすることができる。
後の2つの構成では、照射源およびディテクタは、単一コンポーネントの一部であっても一部でなくてもよい。
Claims (14)
- パターニングデバイスを支持するサポートであって、前記パターニングデバイスはパターン付き放射ビームを形成するように放射ビームにその横断面内でパターンを与えることができる、サポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分の上に投影する投影システムとを含むリソグラフィ装置であって、
照射ビームを第1スケールに向けて送る照射システムと、
前記照射ビームによる照射で前記第1スケールから回折された1次回折ビームを第2スケールに向けて送るための光学部品と、
前記第2スケールに対する前記第1スケールの位置を測定するために、前記第2スケール上での前記1次回折照射ビームの干渉および第2の回折後に2次回折ビームを検出するディテクタとを含む光学エンコーダ測定システムを備え、
前記第1スケールおよび第2スケールが、XY平面に延びる2次元回折格子であり、
前記第1スケールおよび前記第2スケールが、前記光学エンコーダ測定システムに対して可動である、リソグラフィ装置。 - 前記第1スケールが前記パターニングデバイスまたは基板テーブルに設けられ、前記第2スケールがメトロロジーフレームまたは前記投影システムに設けられる、請求項1に記載の装置。
- 前記パターニングデバイスまたは前記基板をロングストロークムーバに対して動かすためのショートストロークモジュールを含む位置決めデバイスを備え、前記光学エンコーダ測定システムの前記光学部品が前記ロングストロークムーバに設けられる、請求項1または2に記載の装置。
- 前記第1スケールおよび/または前記第2スケールが反復構造であり、前記エンコーダ測定システムが、前記第2スケールに対する前記第1スケールの位置を少なくとも1つの方向で測定する、請求項1から3のいずれかに記載の装置。
- 前記照射システムおよび前記光学部品が、および任意選択により前記ディテクタが、および任意選択により前記第2スケールが共通ハウジング内に取り付けられる、請求項1から4のいずれかに記載の装置。
- 前記光学部品がミラー、回折光学部品、屈折光学部品または偏光光学部品を含み、および/または前記光学部品が、前記第1スケールの2次元像を前記第2スケール上に投影するために円対称である、請求項1から5のいずれかに記載の装置。
- 前記第1スケールと第2スケールの一方が、前記光学エンコーダ測定システムに対して比較的短い範囲にわたって可動であり、前記第1スケールと第2スケールのもう一方が、比較的長い範囲にわたって可動である、請求項1から6のいずれかに記載の装置。
- 前記照射システムが照射ミラーおよび照射源を備え、前記ディテクタが検出ミラーおよび検出センサを備え、前記照射ミラーおよび前記検出ミラーが前記照射源および前記検出センサに対して可動である、請求項1から7のいずれかに記載の装置。
- 前記光学エンコーダ測定システムを前記第1スケールと前記第2スケールの間に位置づける、請求項1から8のいずれかに記載の装置。
- 前記光学エンコーダ測定システムが、前記第1スケール上に測定ビームを供給するための第2照射システムを含み、前記ビームが、前記第1スケールによって前記光学エンコーダ測定システムの光学部品の方向に回折され、前記光学部品が、前記回折されたビームを前記第2スケールに向けて送り、前記第2スケールが、前記回折されたビームを前記光学エンコーダ測定システムの第2ディテクタの上へ回折させる、請求項1から9のいずれかに記載の装置。
- 前記光学エンコーダ測定システムが、前記第2スケールに対する前記第1スケールの位置を前記第1スケールおよび第2スケールの面に対して垂直な第3の方向で測定する、請求項1から10のいずれかに記載の装置。
- 前記光学エンコーダ測定システムが、前記第1スケールおよび、または前記第2スケールに対する前記光学エンコーダ測定システムの傾きの影響を受けない、請求項1から11のいずれかに記載の装置。
- 前記光学エンコーダ測定システムが、前記第2スケールで回折されたビームを前記第2スケールに向けて送る屋根プリズムをさらに含む、請求項1から12のいずれかに記載の装置。
- パターンをパターニングデバイスから基板の上へ転写するステップと、
光学エンコーダ測定システムを用いて第2スケールに対する第1スケールの位置を測定するステップであって、照射ビームを前記第1スケール上に照射し、前記第1スケールの第1の像を前記第2スケール上に光学部品を用いて投影し、前記第1の像が投影された前記第2スケールの第2の像を検出することによって測定するステップとを含み、
前記第1スケールおよび第2スケールが、XY平面に延びる2次元回折格子であり、
前記第1スケールおよび前記第2スケールが、前記光学エンコーダ測定システムに対して可動である、デバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US18059509P | 2009-05-22 | 2009-05-22 | |
US61/180,595 | 2009-05-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010272863A JP2010272863A (ja) | 2010-12-02 |
JP5328717B2 true JP5328717B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=43124782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010111959A Expired - Fee Related JP5328717B2 (ja) | 2009-05-22 | 2010-05-14 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8334983B2 (ja) |
JP (1) | JP5328717B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100124245A (ko) * | 2008-02-08 | 2010-11-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 위치 계측 시스템 및 위치 계측 방법, 이동체 장치, 이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 패턴 형성 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US8493547B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
NL2006773A (en) | 2010-06-23 | 2011-12-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus. |
DE102011082156A1 (de) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Optische Positionsmesseinrichtung |
US9025161B2 (en) | 2011-11-09 | 2015-05-05 | Zygo Corporation | Double pass interferometric encoder system |
EP2776790B1 (en) * | 2011-11-09 | 2016-09-14 | Zygo Corporation | Compact encoder head for interferometric encoder system |
WO2013073538A1 (ja) | 2011-11-17 | 2013-05-23 | 株式会社ニコン | エンコーダ装置、移動量計測方法、光学装置、並びに露光方法及び装置 |
NL2009870A (en) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
US10162087B2 (en) * | 2016-04-11 | 2018-12-25 | Nikon Research Corporation Of America | Optical system with a frustrated isotropic block |
US10488228B2 (en) * | 2016-04-11 | 2019-11-26 | Nikon Corporation | Transparent-block encoder head with isotropic wedged elements |
US10591826B2 (en) * | 2016-04-11 | 2020-03-17 | Nikon Corporation | Encoder head with a birefringent lens element and exposure system utilizing the same |
US10483107B2 (en) * | 2016-04-11 | 2019-11-19 | Nikon Corporation | Encoder head with birefringent elements for forming imperfect retroreflection and exposure system utilizing the same |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW527526B (en) * | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7025498B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-04-11 | Asml Holding N.V. | System and method of measuring thermal expansion |
US7256871B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
US7332709B2 (en) * | 2004-12-13 | 2008-02-19 | Nikon Corporation | Photoelectric encoder |
US7636165B2 (en) * | 2006-03-21 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5077744B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
DE102007046927A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Kalibrierung einer Positionsmesseinrichtung einer optischen Einrichtung |
-
2010
- 2010-04-28 US US12/768,883 patent/US8334983B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-05-14 JP JP2010111959A patent/JP5328717B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8334983B2 (en) | 2012-12-18 |
US20100297561A1 (en) | 2010-11-25 |
JP2010272863A (ja) | 2010-12-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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