JP4452262B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板の目標部分に所望のパターンを付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路(IC)の製造に用いることができる。この場合、マスク、レチクルとも呼ばれるパターニング用デバイスを用いて、ICの個々のレイヤ上に形成される回路パターンを生成することができる。基板(例えば、シリコンウェハ)上の目標部分(例えば、一つまたは複数のダイの部分を含む)にこのパターンを転写することができる。パターンの転写は、通常、基板に施された放射感受性材料(レジスト)の層にイメージングを介してなされる。一般に、単一の基板は、連続してパターン付与される隣接する目標部分のネットワークを有する。従来のリソグラフィ装置には、いわゆるステッパといわゆるスキャナとがある。ステッパでは、各目標部分にパターンの全体を一度に露光することによって、各目標部分が照射される。スキャナでは、所与の方向(「走査」方向)に放射ビームを用いてパターンを走査する一方、この方向と平行にまたは逆平行に基板を同期させて走査することによって、各目標部分が照射される。パターンを基板上に刻み込むことによって、パターニング用デバイスから基板にパターンを転写することができる。
集積回路のみならず液晶ディスプレイパネルも製造するマイクロリソグラフィに求められる要件のうち、最も挑戦的な要件の一つは、テーブルの位置決めである。例えば、100nm以下のリソグラフィでは、基板位置決めステージとマスク位置決めステージに対して、最高3m/sの速度で、六自由度(DOF)の全てで1nmのオーダーのダイナミック確度と機械間の整合とが要求される。
このような厳しい位置決め要件を満たすための一般的なアプローチは、ステージ位置決めアーキテクチャを、マイクロメートルの精度であるが作業範囲の全体にわたって移動する粗い位置決めモジュール(例えば、XYテーブルまたはガントリーテーブル)と、その上に重ねる微細な位置決めモジュールとにさらに分割することである。後者のモジュールは、粗い位置決めモジュールの最後の数ナノメートルという残留誤差を修正する役割を持つので、非常に限られた移動範囲にだけ対応していればよい。このようなナノ位置決めに一般に使用されるアクチュエータには、圧電アクチュエータや、音声コイルタイプの電磁アクチュエータがある。微細モジュールによる位置決めは、通常六自由度の全てにおいて実行される一方、広範囲の移動では三自由度以上を要求されることはほとんどない。したがって、粗いモジュールの設計はかなり簡単になる。
粗い位置決めのために必要となるマイクロメートルの精度は、比較的単純な位置センサ、例えば光学または磁気インクリメンタルエンコーダを用いて、容易に達成することができる。これらは、一自由度で測定する単一軸のデバイス、または、より近年では、Schaffelらによる「Integrated electro-dynamic multicoordinate drives」, Proc. ASPE Annual Meeting, California, USA, 1996, p.456-461に記載されているような、最大三自由度である多数自由度のデバイスであってもよい。同様のエンコーダは、商業的にも入手可能であり、例えば、Dr. J. Heidenhain GmbHにより製造されている位置測定システムType PP281Rがある。この種のセンサは造作なくサブマイクロメートルレベルの解像度を提供できるが、絶対精度と、特に長距離の移動範囲にわたる熱安定性とは、容易に達成できるものではない。
他方、微細位置決めモジュールの端部におけるマスクおよび基板テーブルの位置測定は、ナノメートルの精度と安定性とを持ちつつ、六自由度の全てでナノメートル以下の解像度で実行される必要がある。これは、通常、複数軸の干渉計を用いて六自由度の全てで変位を測定することで達成される。冗長な軸は、さらなる較正機能、例えば基板テーブル上の干渉計ミラーの平坦度の較正のために用いられる。
上記アプローチの不利な点は、微細位置決めモジュールの範囲内にステージが(戻って)来るたびに、ステージの位置を六自由度で(再び)較正しなければならないことである。これには相当の時間がかかり、結果としてリソグラフィ装置のスループットが低下する。
干渉計の代わりに光学エンコーダを用いることが知られており、干渉計と組み合わせて使用することができる。このような光学エンコーダは、例えば、米国特許出願公開第2004/0263846号に開示されており、この文書は参照により本願明細書に援用される。本出願に記載されている光学エンコーダは、格子パターンを備える格子プレートを利用する。格子パターンは、格子パターンに対するセンサの位置を決定するために用いられる。一実施形態では、センサは基板テーブル上に取り付けられ、格子プレートはリソグラフィ装置のフレームに取り付けられる。
光学エンコーダ型センサの不利な点は、この種のセンサの検出範囲が原則として格子プレートの寸法に限られるということである。しかしながら、格子には高解像度が要求されるために、この種の格子プレートの寸法は物理的に制限される。したがって、実際には、このようなセンサの作用領域のサイズは、限定されている。さらに、例えば投影ビームが通過する開口部のような穴/開口部を格子プレート内に設けなければならない可能性がある。このような穴/開口部のあるところでは、センサが自身の位置を決定することができない。さらに、格子プレートが局所的に損傷する可能性があり、損傷位置におけるセンサの位置を正確に決定することができなくなるおそれがある。
あらゆる可能性のある位置において基板テーブルの位置を測定するように構成された、リソグラフィ装置用の高精度の変位測定系を提供し、基板テーブルの連続的な位置測定を可能にすることが望ましい。
本発明の一実施形態によると、
基板を保持する基板テーブルと、
パターンが付与されたビームを基板の目標部分に投影する投影系と、
基板テーブルの位置を測定するように構成された変位測定系と、を備え、変位測定系は、基板テーブル上に取り付けられ、実質的に静止している隣接する二つ以上の格子プレートに対する第1の方向における基板テーブルの位置を測定するように構成された少なくとも一つのエンコーダ型のxセンサを備え、変位測定系が、隣接する二つ以上の格子プレートの間にある横断線を横切るとき、基板テーブルの位置を連続的に測定するように構成されているリソグラフィ装置が提供される。
本発明の一実施形態によると、
基板を保持する基板テーブルと、
パターンが付与されたビームを基板の目標部分に投影するための投影系と、
六自由度(x,y,z,Rx,Ry,Rz)で基板テーブルの位置を測定するように構成された変位測定系と、を備え、変位測定系は、
第1の方向における基板テーブルの位置を測定するように構成された一つのxセンサと、
第2の方向における基板テーブルの位置を測定するように構成された二つのyセンサと、
第3の方向における基板テーブルの位置を測定するように構成された三つのzセンサと、を備え、
変位測定系は、第2のxセンサと第4のzセンサとをさらに備え、第1および第2のxセンサと第1および第2のyセンサとは少なくとも一つの格子プレートに対するセンサそれぞれの位置を測定するように構成されたエンコーダ型のセンサであり、変位測定系が、基板テーブルの位置に応じて、第1および第2のxセンサと第1および第2のyセンサのうち三つとzセンサのうち三つとを選択的に使用して、六自由度での基板テーブルの位置を決定するように構成されているリソグラフィ装置が提供される。
本発明の一実施形態によると、パターンが付与された放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法であって、基板の目標部分にパターンが付与されたビームを投影する間は少なくとも、基板が基板テーブルに支持され基板テーブルの位置が変位測定系によって測定され、変位測定系は、基板テーブルに設けられ実質的に静止した隣接する二つ以上の格子プレートに対する第1の方向における基板テーブルの位置を測定するように構成された少なくとも一つのエンコーダ型のセンサを備え、変位測定系が、隣接する二つ以上の格子プレート間にある横断線を横切るとき、基板テーブルの位置を連続的に測定するように構成されているデバイス製造方法が提供される。
対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して、例示のみを目的として本発明の実施形態を以下に説明する。
図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を模式的に表す。リソグラフィ装置は、放射ビームB(例えば、紫外線放射または他の任意の適切な放射)を調節するように構成された照明系(照明器)ILと、パターニング用デバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構築されたマスク支持構造(例えば、マスクテーブル)MTとを備える。マスク支持構造MTは、特定のパラメータにしたがってパターニング用デバイスを正確に位置決めするように構成された第1の位置決めデバイスPMに接続される。リソグラフィ装置は、基板(例えば、レジストコートされたウェハ)Wを保持するように構築された基板テーブル(例えば、ウェハテーブル)WTすなわち「基板支持体」をさらに備える。基板テーブルWは、特定のパラメータにしたがって基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決めデバイスPWに接続される。リソグラフィ装置は、基板Wの目標部分C(例えば、一つまたは複数のダイを含む部分)に、パターニング用デバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを投影するように構成された投影系(例えば、屈折投影レンズ系)PSをさらに備える。
照明系は、放射を導き、成形し、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気または他のタイプの光学部品、またはそれらの任意の組み合わせといった様々なタイプの光学部品を備えていてもよい。
マスク支持構造は、パターニング用デバイスを支持、すなわちその重量を支える。マスク支持構造は、パターニング用デバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、例えばパターニング用デバイスが真空環境に保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニング用デバイスを保持する。マスク支持構造は、機械的、真空、静電気、または他の固定技術を使用して、パターニング用デバイスを保持することができる。マスク支持構造は、フレームまたはテーブルであってもよく、それらは必要に応じて固定されていても移動可能でもよい。マスク支持構造は、例えば投影系に対してパターニング用デバイスを確実に所望の位置に置くことができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「パターニング用デバイス」と同義であるとみなしてよい。
本明細書で使用される「パターニング用デバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを与え、基板の目標部分にパターンを形成するために使用可能である任意のデバイスを参照するものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応していなくてもよいことに注意する。例えば、パターンが位相シフト特徴、すなわちいわゆるアシスト特徴を備える場合がある。通常、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、目標部分に作成されるデバイス内の特定の機能層と対応する。
パターニング用デバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニング用デバイスの例には、マスク、プログラム可能なミラーアレイ、プログラム可能なLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリ、交互位相シフト(alternating phase-shift)、ハーフトーン型位相シフト(attenuated phase-shift)、および様々なハイブリッド型などのマスクタイプを含む。プログラム可能なミラーアレイの例は、各ミラーが独立して傾き入射する放射ビームを異なる方向に反射させる、小型ミラーのマトリックス配列を使用する。傾斜した鏡が、鏡マトリックスによって反射された放射ビームにパターンを与える。
本明細書で使用される「投影系」という用語は、使用中の露光放射に適した、あるいは液浸の使用または真空の使用といった他の要因に適した、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、および静電気の光学系、またはそれらの組み合わせを含むあらゆるタイプの投影系を包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「投影系」と同義であるとみなしてよい。
図示するリソグラフィ装置は、透過型(例えば、透過型マスクを使用するもの)である。代替的に、リソグラフィ装置は反射型(例えば、上述したようなタイプのプログラム可能なミラーアレイを使用するもの、または反射型マスクを使用するもの)であってもよい。
リソグラフィ装置は、二つのテーブルすなわち「基板支持体」を有するタイプ(デュアルステージ)であっても、より多数の基板テーブルを有するタイプであってもよい。および/または、リソグラフィ装置は、二つ以上のマスクテーブルすなわち「マスク支持体」を有するタイプであってもよい。このような「マルチステージ」の装置では、追加のテーブルすなわち支持体が並列して使用されてもよいし、または、テーブルすなわち支持体の一部に対して予備的なステップが実行される一方、テーブルまたは支持体の残りが露光のために使用されてもよい。
リソグラフィ装置は、投影系と基板の間の空間を満たすように、比較的屈折率の高い液体(例えば、水)によって基板の少なくとも一部が覆われているタイプの装置であってもよい。リソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影系の間にも液浸を適用してもよい。液浸技術は、投影系の開口数を増やすために用いることができる。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板などの構造が液体に浸漬されていなければならないことを意味するわけではなく、露光中に投影系と基板との間に液体が存在していることを意味するに過ぎない。
図1を参照して、照明器ILは放射源SOからの放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は別個のものであってもよい。この場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、例えば適切な配向ミラー(directing mirror)および/またはビーム・エキスパンダを備えるビーム伝送系BDを用いて、放射源SOから照明器ILに放射ビームが渡される。他の場合、例えば放射源が水銀灯である場合、放射源はリソグラフィ装置と一体的な部品であってもよい。放射源SOと照明器IL、必要であればビーム伝送系BDを合わせて、放射系と称してもよい。
照明器ILは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成された調節器ADを備えてもよい。一般に、照明器の瞳面における強度分布の外径範囲および/または内径範囲(一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれる)を少なくとも調節することができる。加えて、照明器ILは、例えばインテグレータINおよび集光器CO等の様々な他の構成要素を備えてもよい。照明器を使用して放射ビームを調節し、その断面において所望の均一性および強度分布を持たせることができる。
放射ビームBは、マスク支持構造(例えば、マスクテーブルMT)上に保持されたパターニング用デバイス(例えば、マスクMA)に入射し、パターニング用デバイスによってパターンが付与される。放射ビームBはマスクMAを横切った後、投影系PSを通過し、そこでビームの焦点が基板Wの目標部分Cに合わせられる。第2の位置決め装置PWおよび位置センサIF(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ)を用いて、基板テーブルWTを正確に移動して、例えば異なる目標部分Cを放射ビームBの経路に配置することができる。同様に、第1の位置決め装置PMおよび別の位置センサ(図1には明示せず)を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的復帰の後にまたは走査中に、放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に配置することができる。一般に、マスクテーブルMTの移動は、第1の位置決め装置PMの一部を形成する長ストロークモジュール(粗い位置決め)と短ストロークモジュール(微細な位置決め)を用いて達成することができる。同様に、基板テーブルWTすなわち「基板支持体」の移動は、第2の位置決め装置PWの一部を形成する長ストロークモジュールと短ストロークモジュールを用いて達成することができる。ステッパの場合には、スキャナとは対照的に、マスクテーブルMTが短ストロークのアクチュエータにのみ接続されていてもよいし、または固定されていてもよい。マスクMAと基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2と基板アライメントマークP1、P2とを用いて位置合わせされてもよい。図示の基板アライメントマークは専用の目標部分を占めているが、基板アライメントマークは目標部分と目標部分の間の空間にあってもよい(これらはスクライブレーン(scribe-lane)・アライメントマークとして公知である)。同様に、マスクMA上に複数のダイが設けられている場合には、マスクアライメントマークがダイとダイの間にあってもよい。
図示する装置は、以下のモードのうち少なくとも一つのモードで使用することができる。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMTすなわち「マスク支持体」と、基板テーブルWTすなわち「基板支持体」とが本質的に静止状態を保つ一方、放射ビームに与えられたパターン全体が目標部分C上に一度に投影される(つまり、単一の静的露光)。続いて、基板テーブルWTすなわち「基板支持体」をXおよび/またはY方向に移動して、異なる目標部分Cを露光することができる。ステップモードでは、露光領域の最大サイズにより、単一の静的露光で像が与えられる目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、マスクテーブルMTすなわち「マスク支持体」と、基板テーブルWTすなわち「基板支持体」とが同期して走査される一方、放射ビームに与えられたパターンが目標部分C上に投影される(すなわち、単一の動的露光)。マスクテーブルMTすなわち「マスク支持体」に対する基板テーブルWTすなわち「基板支持体」の速度および方向は、投影系PSの倍率(縮小)および像反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一の動的露光における目標部分の(非走査方向における)幅を制限するのに対して、走査移動の長さが目標部分の(走査方向における)高さを決定する。
3.他のモードでは、マスクテーブルMTすなわち「マスク支持体」が、プログラム可能なパターニング用デバイスを本質的に静的に保持し続ける。基板テーブルWTすなわち「基板支持体」が移動すなわち走査する一方、放射ビームに与えられたパターンが目標部分C上に投影される。このモードでは、通常、パルス状の放射源が使用され、基板テーブルWTすなわち「基板支持体」の毎回の移動後に、または走査中の連続する放射パルスの間に、プログラム可能なパターニング用デバイスが必要に応じて更新される。この動作モードは、上述したようなタイプのプログラム可能なミラーアレイなどのプログラム可能なパターニング用デバイスを利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
上述の使用モードの組み合わせおよび/または変形や、または全く異なる使用モードも利用することができる。
図2は、本発明に係る変位測定系の第1の実施形態を示す。変位測定系は、全体として参照番号1で示される。変位測定系1は、同一平面上の三自由度、すなわちx位置、y位置およびz軸周りの回転Rz(z軸は、図示するx軸、y軸に対して垂直の軸である)における基板テーブル2の位置を測定するように設計される。
変位測定系1は、リソグラフィ装置に載置される、例えばいわゆる計測フレームのようなフレーム上またはレンズ上に載置される、四つの隣接する格子プレート3で構成される。格子プレート3は、実質的に同一平面に配置される実質的に平坦なプレートであり、x軸およびy軸方向に延びる。「四つの格子プレート3が隣接する」とは、各格子プレートの少なくとも一辺が、別の格子プレート3の辺に寄せて、または少なくとも辺とともに配置されることを意味する。四つの格子プレート3は基板テーブル2の実質的に全ての必要な位置を覆い、その結果、測定系1は基板テーブル2の位置を連続的に測定することができる。
本実施形態では、基板テーブル2は格子プレート3の下に配置される。基板テーブル2上には、二つのxセンサ4、5と、二つのyセンサ6、7が配置される。xセンサ4、5は、x方向における基板テーブルの位置を測定することができる。yセンサ6、7は、y方向における基板テーブル2の位置を測定することができる。二つのxセンサと二つのyセンサのうちの一組(すなわち、xセンサとxセンサ、xセンサとyセンサ、またはyセンサとyセンサ)の信号を使用して、z軸周りの回転(x−y平面における回転)を定めることができる。このように、二つのxセンサ4、5とyセンサ6、7のうち三つを用いることで、基板テーブル2のあらゆる可能性のある配置における、同一平面上の三自由度(x,y,Rz)での基板テーブルの位置を決定することができる。結果として、基板テーブル2を高精度(ナノメートルまたはサブナノメートルの解像度)で連続的に測定することが可能になる。
xセンサ4、5とyセンサ6、7は、格子プレート3上に配置される格子に対するそれぞれのセンサの位置を決定可能であるエンコーダ型のものである。xセンサおよびyセンサのそれぞれは、例えば米国特許出願公開第2004/0263846号に記載されているように設計することができ、この文書は参照により本明細書に援用される。
格子プレート3の物理的寸法が限定されるので、本実施形態では4枚の格子プレートを使用している。本出願のために必要とされる精度を得るための解像度の格子を有する、動作範囲サイズの格子プレートを製作することは、実際には大変困難であるか、少なくとも非常にコスト高になる。基板テーブルによって使用される動作範囲が格子プレート3の物理的な最大サイズよりも実質的に大きいので、動作範囲を四つの領域に分割し、各領域が自身の格子プレート3を有している。
上述したように、格子プレート3は隣接して配置される。これにより、一つの格子プレート3から別の格子プレート3へのセンサの引き継ぎが可能になる。このようなセンサ引き継ぎの間、すなわち、センサが最初に第1の格子プレート3と最初に協働し、その後第2の格子プレート3と協働する間、連続的な測定を可能にするための信号を別のセンサが提供してもよい。第1のセンサが他の格子プレート3の範囲内にあるとき、おそらくは再初期化の後に、このセンサが基板テーブルの位置を表す信号を再び提供してもよい。
それぞれが専用の格子プレート3を有する四つのサブ領域へと動作範囲を分割することにより、比較的効率的な方法で基板テーブル2のあらゆる必要な配置をカバーすることが可能になるとはいえ、格子プレート3の間を横切ることで、単一のセンサを用いて基板テーブル2の位置を連続的に測定することが困難になる。また、穴または開口部(例えば、4枚の格子プレート3の中央にある、投影系の一部を受け入れ可能な開口部8)の存在や、格子プレート3の損傷した領域のために、その位置にある単一のセンサが、格子プレート3の一つに対する基板テーブル2の位置を測定できなくなるおそれがある。
上述したように、二つのxセンサ4、5およびyセンサ6、7のうち三つを用いれば、同一平面上の三自由度で基板テーブルの位置を決定することができる。したがって、冗長なセンサが一つ存在する。この余分なセンサを、他のセンサのうち一つが格子プレート3の範囲外にあるため使用できない場合に、有利に使用することができる。例えば、xセンサまたはyセンサのうち一つが、ある格子プレート3と別の格子プレート3の横断部の直下に配置される可能性がある。この場合、それぞれのセンサは、基板テーブル2のx位置またはy位置を表す信号を送り出すことができない(例えば、基板テーブル2がx方向に移動する場合に、二つの格子プレート3の間の横断線3aの下にxセンサ4が配置されるときである)。しかしながら、その他の三つのセンサ(この例では、xセンサ5、yセンサ6、7)は、同一平面上の三自由度において基板テーブル2の位置を決定することができ、したがって、高精度で連続的な変位/位置測定を維持することができる。
基板テーブル2がさらにx方向に移動すると、第1のxセンサ4は別の格子プレート3(この例では、図2の右上側にある格子プレート3)の下に移動する。そして、再初期化後、xセンサ4は再び基板テーブル2のx位置を表す信号を供給する。しかしながら、今度はyセンサ6が二つの格子プレート3の横断線の下に配置されうる。この状況においては、基板テーブル2のy位置を表す信号を取得するためにyセンサ6を使用することができない。しかしながら、いまやxセンサ4が格子プレート3のうち一つの下に位置するので、このxセンサ4をxセンサ5およびyセンサ7と組み合わせて使用して、三自由度における基板テーブル2の位置を決定することができる。x方向またはy方向における位置を表す信号をそれぞれ適切に決定できる三つのセンサのセットを選択的に使用することによって、連続的な制御が達成される。それぞれのxセンサおよびyセンサの選択は、選択装置によって実行されてもよい。それぞれの格子プレート3の選択/選定は、基板テーブルの位置に依存する。四つのセンサ全てが信号を送ることができる場合、例えば測定系の較正のために余分な信号を使用してもよい。
本実施形態では、格子プレート3は実質的に長方形の板であり、互いに面して配置される。これらのプレートの辺は、x方向およびy方向に正しく合わされている。したがって、二つのxセンサ4、5と二つのyセンサ6、7は、x方向およびy方向において互いに間隔を空けて(x−y平面に)配置されていることが好ましい。言い換えると、基板テーブル2のこの実施形態では、四つのセンサ4、5、6、7のいずれもがx方向の同一線上に配置されず、また、四つのセンサ4、5、6、7のいずれもがy方向の同一線上に配置されないように、xセンサ4、5とyセンサ6、7が位置合わせされている。このように、x方向またはy方向に横断線3aを横切るときに、四つのセンサのうち一つのみが格子プレート3の範囲外にあるようになっている。
別の実施形態では、互いに向き合って配置された格子プレートの辺をx方向およびy方向に位置合わせせずに、x−y平面における一つまたは複数の他の方向に位置合わせしてもよい。これら他の方向は、本明細書では格子プレート横断線方向と定義される。この場合、二つのxセンサ4、5と二つのyセンサ6、7は、一つまたは複数の横断線方向において互いに間隔を空けて配置される。
さらに、特定の理論においては、基板テーブル2の動作範囲内において、二つのxセンサ4、5および/または二つのyセンサ6、7のうち二台以上が、格子プレート3のうち一つに対するそれぞれのセンサの位置を同時に決定することができない、という可能性があることに注意する。例えば、一つのxセンサがx方向において格子プレート3の横断線の下に位置する一方で、他のxセンサがy方向に延びる横断線の下に位置することが起こり得る。このような状況は非常に望ましくない。なぜなら、基板テーブル2の位置を決定可能なセンサが二台のみであるという結果につながるからである。その結果、基板テーブル2の位置を二自由度までしか導き出すことができない。
基板テーブル2の異なる位置により多数の冗長センサを設けることによって、上述の望ましくない状況を回避することができる。この状況の別の解決法は、本実施形態において、基板テーブル2が一回に一つの横断線方向しか横切らないように、または少なくとも上述の状況が発生すると分かっているような位置へと至らないように、基板テーブルの動作を制限することである。より多数のセンサを設けると基板テーブル2のコストおよび重量が増加するため、一般には後者の解決法が好ましい。
したがって、両解決法において、リソグラフィ装置の使用中に、基板テーブル2のあらゆる可能性のある配置において測定系が基板テーブル2の位置を決定できることが保証される。これらの配置には、例えば、露光領域、露光領域への移動または露光領域からの移動の範囲、基板を交換する範囲、および多岐にわたる機能、位置合わせなどの範囲が含まれる。
図3は、本発明に係る測定系10の第2の実施形態を示す。本実施例形態では、測定系は、二つの基板テーブル11、12の位置を高精度レベルで決定するように構成される。各基板テーブル11、12上には、同数および同型のセンサが搭載され、基板テーブル11、12の位置を六自由度で求める。基板テーブル11、12は、二つの格子プレート13の一方または両方の下に配置される。これらの格子プレート13は、基板テーブル11、12の動作範囲全体を実質的に覆い、したがって、測定系10は、六自由度の基板テーブル11、12の位置を高精度レベルで連続的に決定することができる。六自由度で基板テーブルのそれぞれの位置を決定するために用いられる格子プレート13の下に、基板テーブル11、12の両方が直接配置されるとき、基板テーブル11、12のそれぞれの位置の測定は、基板テーブル12、11の他方によって妨げられない。したがって、本発明の測定系10は、二つの基板テーブルを有するいわゆる「デュアルステージリソグラフィ装置」において基板テーブルの位置を決定するのに非常に適している。
基板テーブル11、12のそれぞれは、図2の実施形態に関して説明したのと同じく、(同一平面上の)三自由度(x,y,Rz)でそれぞれの基板テーブル11、12の位置を決定するために、二つのxセンサ14、15と二つのyセンサ16、17を備える。三つのセンサ信号に基づいて三自由度を決定することができるので、二つのxセンサおよび二つのyセンサのうち一つは冗長である。さらに、各基板テーブル11、12は、z位置における基板テーブルの位置を決定するために四つのzセンサ18を備える。これら四つのzセンサ18のうち三つの信号を用いて、さらに三自由度、すなわちx位置、x軸周りの回転(Rz)、y軸周りの回転(Ry)を決定することができる。
エンコーダタイプのxセンサ14、15およびyセンサ16、17は、図2の実施形態に関して述べたタイプのものであってもよい。zセンサ18は、好ましくは干渉計であるが、後述するような任意の適切なタイプのものでもあってもよい。
基板テーブル11、12のそれぞれに四つのzセンサ18が設けられているので、zセンサのうちの一つは冗長である。したがって、二つのxセンサ14、15および二つのyセンサ16、17のうち一つと、四つのzセンサ18のうち一つが、格子プレート13に対する自身の位置を決定できない場合でも、基板テーブル11、12の位置は、依然として六自由度で決定することができる。
図3に示すようなx方向での横断線13aを越える横断を可能にするために、xセンサ14、15とyセンサ16、17とが次のように配置される。すなわち、これら四つのセンサ14,15,16,17のそれぞれが、横断線13aの方向と直角の方向においてx−y平面内で他の三つのセンサと離して配置される。本実施形態では、直角の方向はy方向であり、横断線の方向はx方向である。また、y方向で横断線を越える横断を可能にするために、これら四つのセンサ14、15、16、17の各々は、そのような横断線のy方向とは直角の方向において他の三つのセンサと離して配置される。センサ14、15、16、17の後者の配置は、y方向に横断線がないため、本実施形態では厳密にいうと必要ではないことに注意する。
また、同じ理由から、四つのzセンサ18のそれぞれは、x方向に直角の方向およびy方向に直角の方向の両方で、x−y平面内で他のzセンサ18と離して配置される。このようにすると、x方向またはy方向における横断線(y方向の横断線は、図3に示す実施形態には現れていない)を横断すると、zセンサ18のうち最大一つが、格子プレート13上の回折格子(grid grating)に対して自身の位置を決定できないようになる。
xセンサ14、15、yセンサ16、17、およびzセンサ18は、内側の長方形と外側の長方形の角に配置されるのが有利である。各長方形の四隅に、xセンサ14、15のうち一つ、yセンサ16、17のうち一つ、および二つのzセンサ18が配置され、zセンサは向かい合った角に配置される。さらに、内側長方形のzセンサは、外側長方形のzセンサとは異なる角に配置される。この構成によって、二つのxセンサおよび二つのyセンサのそれぞれが、x方向と垂直な方向およびy方向と垂直な方向の両方において、他のxセンサとyセンサからx−y平面内で離れて配置され、また、zセンサ18のそれぞれが、x方向と垂直な方向およびy方向と垂直な方向の両方において、他のzセンサ18からx−y平面内で離れて配置される。さらに、この構成では、基板テーブル11、12上に必要な空間が比較的少なくて済む。この構成では、最も正確にRzの測定をすることができるように、xセンサとyセンサが最大限離れた配置になっていることが好ましい。
図4は、エンコーダ型センサを使用して基板の位置を測定する本発明に係る測定系21の第4の実施形態を示す。この実施形態では、基板テーブル22の動作範囲の全体をカバーする多数の格子プレート23(明快さのために、三つにのみ参照番号23を付している)によって回折格子が形成される。格子プレートは、点線で示されている。格子プレート23は、例えば、回折格子がその上に設けられているウェハであってもよい。このようなウェハのサイズは限られる(通常、300mm)が、リソグラフィ露光プロセスを用いて、非常に高精度でウェハ上に格子を設けることができる。しかしながら、格子プレート23のサイズは制限されるため、基板テーブル22上のセンサの配置は、後で説明するように、別の配置であることが好ましい。
基板テーブル22は、二つのセンサのセットを6つ(各コーナーに2セット)、合計で、二つのxセンサ24、25、四つのyセンサ26、27、および6つのzセンサ28を備える。したがって、基板テーブル22は、基板テーブル22上に存在する各センサについて一つの冗長なセンサを備える。
基板テーブル22の三つの角のそれぞれにおいて、基板テーブル22は二つのxセンサ24、25または二つのyセンサ26、27と、二つのzセンサ28とを備える。すなわち、基板テーブル22は、各セットがxセンサ24、25のうち一つまたはyセンサ26、27のうち一つと、一つのzセンサ28とからなる二つのセットを備える。四つのセンサの全てが、一つの格子プレート23の領域よりも小さい領域の内部に配置されることが好ましい。基板テーブル22の一つの角にある四つのセンサのうち一つが、回折格子に対する自身の位置を決定できない場合、四つのセンサのうち対応する他のセンサを使用して基板テーブル22の位置を決定してもよい。例えば、xセンサ24、25のうち一つが横断線の下に位置するとき、他のxセンサ25、24を使用して基板テーブル22のx位置を決定してもよい。
各角の四つのセンサは、一つの角に配置された四つのセンサの全てが、x方向と直角な方向およびy方向直角な方向の両方において、x−y平面内で互いに間隔を空くように配置されると有利である。さらに、例えば基板テーブルがx方向の横断線を横切るときに最大で二つのセンサが同時のこの横断線を横切るように、ある角のセンサまたはyセンサが別の角のzセンサと位置合わせされている。なお、二つのセンサのうち一つはxセンサまたはyセンサであり、もう一つはzセンサである。
冗長性を高めるために、また測定系21のロバスト性向上の結果として、さらに多数のセンサを基板テーブル22に設けてもよい。特に、基板テーブル22の四隅に、二つのxセンサと二つのzセンサとをさらに設けてもよい。
xセンサ、yセンサ、およびzセンサは、図2および図3の実施形態に関して述べたように設計されていてもよい。
本発明で使用される典型的なシステムは、2(mu)m以下の周期と、二自由度の干渉読み込み(エンコーダ)ヘッドと、各軸について最大20000倍の補間器(interpolator)とを備える。
残りの三自由度すなわちZ、Rx、Ryを測定するために、種々の短距離変位検出技術を使用することができる。これには、光学三角測量、光ファイバー後方散乱、干渉センサ(空気中の光学距離が非常に短く、したがって環境変動の影響をはるかに受けにくい)、容量センサ、誘導センサが含まれる。
現在のところ、容量センサおよび光学センサが他の測定原理のものより好ましいが、本発明のいくつかの応用形態では別のものが適当であってもよい。ゼロデュアー(Zerodur)チャックに対して誘導センサを使用することは問題があるが、これはセンサの導電対象が必要だからである。他方、空気式近接センサ(エアマイクロメータ)には、対象に対して有限の力を与えるほか、解像度と動作範囲が限定されるという欠点がある。
光学センサは、干渉のものでも三角測量のものでも、作動距離が比較的大きく(数ミリメートル)なるように設計することができ、これは組み立て公差を緩和するのに役立つ。容量センサと比較して、光学センサはより大きな帯域を有し、絶対距離センサとして構成することもできる。しかしながら、絶対センサとしては、定期的な較正が必要となる機械的変動(熱的またはそれ以外)のために、光学センサには長期的な安定性の問題という欠点がある。
他方、容量センサは、非常に高い安定性を持つ絶対センサとして設計することができる。さらに、比較的大きいターゲット表面にわたる距離測定が実行され、これは、対象表面の局所的な起伏によるあらゆる影響を緩和するのに役立つ。
エンコーダベースのナノ位置決めシステムは、干渉計に対する有利な代替物となり、また実装もはるかに簡単である。例えば、X−Y平面内の測定格子が計測フレーム上に永久的に固定されているという事実によってより優れた測定安定性が達成される。計測フレームは、例えばゼロデュアーなどのゼロCTE(線膨張係数)材料で実装されている場合、長期間の寸法的安定性と熱非感受性がある。これによって、特に157nm以下の波長を使用するリソグラフィ投影装置の場合における、干渉計ビームの光路のすぐ周りの領域の環境制御に対する厳しい要求がかなり緩和される。このようなデバイスは、空気に大きく吸収されるビームを吸収しないガスでパージされる必要があり、また、干渉計ビームの長さにわたる空気シャワーの必要性を回避することによって、本発明はパージガスの消費を実質的に低減することができる。
投影光学系に対するマスク位置は、異なる構成に頼ることなく、エンコーダ解決法で測定することもできる。投影光学系の上部に直接読み出しヘッドを配置すると、読み出しヘッドの熱拡散に対する要求が多くなるが、能動冷却などのこれを最小化する技術、および光ファイバで接続される離れた位置の光源と検出器とが既に利用可能となっており、最先端の干渉計システムでは既に装備されている。エンコーダベースのナノ位置決めシステムは、以下のように配置されてもよい。すなわち、第1のセンサヘッドが基板テーブル上に配置され、第1の格子が投影系またはフレーム上に設置されてもよい。一実施形態では、このようなフレームは投影系に対して少なくとも実質的に静止しており、これは、投影系と第1の格子が取り付けられているフレームの部分との相対変位が、ごくわずかであることを意味している。これが達成できない場合、投影系に関するフレームの変位は同様にして測定されると考えられる。また、フレームが実質的に静止していると考えられる場合、相対変位が実際上は無視できることを確かめるために、投影系に対するフレームの変位が同様にして測定されると考えられる。
第1のセンサヘッドは、投影系またはフレームに設置された第1の格子に対して上方を向いた状態で、基板テーブルの上面に取り付けることができる。基板テーブルの全ての動きの間、投影系に対する基板テーブルの変位を測定するときに第1のセンサヘッドと第1の格子とが協働できるような態様で、センサヘッドと第1の格子とが配置される。
この構成では、測定系は第1のzセンサを備えてもよい。zセンサと第1の格子は、第3の測定方向における投影系に対する基板テーブルの変位を決定するときに協働する。第3の測定方向は、第1の測定方向と第1の格子のラインの方向とで定義される平面と垂直の方向である。例えば、第1の測定方向がx方向であり、センサヘッドがz方向に分極化された放射ビームを第1の格子に対して送る場合、第1の格子のラインはy方向に延びる。この場合、第1の測定方向と第1の格子のライン方向とで定義される平面は、x−y平面である。その場合、第3の測定方向は、x−y平面と垂直の方向、すなわちz方向である。したがって、この状況において、第1の格子は、x方向における投影系に対する基板テーブルの変位を測定するために使用されるのみならず、z方向における投影系に対する基板テーブルの変位を測定するためにも使用される。
zセンサは干渉計であってもよく、また第1の格子が干渉計と協働する反射面を有していてもよいことが認められる。例えば、格子の性質のために、格子が二つの相互に平行な反射面を備えることも可能である。これは、格子が二つの平行線グループを備える場合にあり得る。この場合、第1および第2面上での反射の間(すなわち、両反射面の間)の光路長の差は、干渉計ビームの波長のN倍(Nは正の整数(1,2,3,4・・・))であることが好ましい。
代替的に、zセンサは容量センサであってもよい。機能するために、容量センサは、容量センサから測定方向に数ミリメートルといった短距離に配置される導電性カウンタープレートを必要とする。第1格子の少なくとも一部を導電性にすることによって、第1格子が容量センサのカウンタープレートとして機能する。クロム線を用いてガラスから格子を作ることは公知である。クロム線を相互接続しそれを接地することによって、このような格子を容量センサとともに使用することができる。
本発明のリソグラフィ投影系において、投影系に対する基板テーブルの変位を測定するために使用する干渉計の数が削減される。この方法で、測定系と基板テーブルの両方のコストが削減される。第1の方向と第2の方向の両方において、投影系に対する基板テーブルの変位がセンサヘッドまたは読み出しヘッドを用いて測定されることが認められる。本実施形態では、リソグラフィ装置は、第1のセンサヘッドと第2のセンサヘッドを有する測定系を備えている。この目的を達成するために、第1の格子は、第1の測定方向に垂直に延びる相互に平行な線の第1グループだけでなく、第2の測定方向に垂直に延びる相互に平行な線の第2グループを含んでもよい。第1センサヘッドと第2センサヘッドの両方と関連して使用するために、第1の格子は市松模様(checkerboard pattern)を備えていてもよい。その場合、市松模様の明領域と暗領域の間の移り変わりが格子の平行線の役割を引き継ぐ。代替的に、第2のセンサヘッドによって使用されるために、別個の第2の格子が存在してもよい。第1センサヘッドと第2センサヘッドは、単一のセンサユニットに一体化されていることが好ましい。
別の実施形態では、測定系は、第1および第2の測定方向で定義される平面内の三自由度の全てで、センサヘッドを用いて投影系に対する基板テーブルの変位を測定するために適応される。この平面がx−y平面である場合、x方向およびy方向における基板テーブルの平行移動変位とz方向の軸周りの回転変位とが、センサヘッドを用いて測定されることを意味する。
この目的のために、本実施形態の測定系は、第1、第2、および第3のセンサヘッドを備える。これらのセンサヘッドのうち二つが第1の測定方向における基板テーブルの変位を測定するために使用され、別のエンコーダが第2の測定方向における基板テーブルの変位を測定するために使用される。もちろん、これは逆であってもよい。第3の測定方向に延びる軸周りの基板テーブルの任意の回転をセンサヘッドの測定に基づいて決定できるように、センサヘッドが既知の相対距離で配置される。
各センサヘッドは自身の格子と関連付けられていてもよい。これは、測定系が第1、第2、第3の格子を備えることを意味する。しかしながら、特定の実施形態では、例えば市松模様の存在のために、二方向の測定に適した少なくとも二つのセンサヘッドが格子を共有する。
上述のように、センサヘッドを使用して第1および第2の測定方向で定義される平面内で三自由度の全てで投影系に対する基板テーブルの変位を測定するための測定系が、zセンサを用いることなく使用されることが認められる。この場合、センサヘッドは基板テーブル上に取り付けられる。
さらに別の実施形態では、測定系は、第1、第2、第3のzセンサを備えている。これらのzセンサは、第1の測定方向回りおよび第2の測定方向回りの基板テーブルの任意の回転をzセンサの測定で決定することができるように、周知の相対位置に配置される。投影系に対する基板テーブルの変位を測定する際に、全てのzセンサが格子と協働することが好ましい。これにより、測定系は六自由度(6DOF)で位置測定ができるようになる。
以上、基板テーブルの位置を決定するための測定系について説明した。しかしながら、このような測定系は、高精度で位置を決定すべきである任意の他の移動可能な物体に対しても使用することができる。この点において、測定系は、リソグラフィ装置におけるパターニング用デバイス支持体の位置決定にも有効に使用することができる。特に、六自由度で高精度にパターニング用デバイス支持体の位置を決定するために、測定系を使用することができる。上述した測定系の全ての特徴は、パターニング用デバイス支持体などの他の移動可能な物体に対しても、測定系内で適用することができる。
IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について本文書において特に言及をしてきたが、本明細書で述べたリソグラフィ装置は、他の応用形態も有していることを理解すべきである。例えば、集積された光学システム、磁気領域メモリ用の誘導および検出パターン(guidance and detection pattern)、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの製造といった応用である。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、本明細書における「ウェハ」または「ダイ」という用語のいかなる使用も、それぞれより一般的な用語である「基板」または「目標部分」と同義とみなすことができることを認められよう。本明細書で参照された基板は、例えばトラック(通常、レジスト層を基板に付加し、露光されたレジストを現像するツール)、計測ツールおよび/または検査ツールで露光の前後に加工されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示は、そのような基板処理工具または他の工具に対しても適用することができる。さらに、例えば多層ICを作製するために二回以上基板が加工されてもよく、その結果、本明細書で使用された基板という用語は、複数回処理された層を既に含む基板のことも指してもよい。
光リソグラフィの文脈における本発明の実施形態の使用について特に言及してきたが、文脈が許す限り、光リソグラフィに限定されない、例えばインプリントリソグラフィなどの他の応用形態でも、本発明を使用できることを認められよう。インプリントリソグラフィでは、パターニング用デバイスにおけるトポグラフィが基板に形成されるパターンを定義する。パターニング用デバイスのトポグラフィが、基板に供給されるレジスト層に押し付けられると、電磁気放射、熱、圧力、またはこれらの組み合わせを与えることによってレジストが硬化される。レジストが硬化した後、パターンを残してパターニング用デバイスがレジストから取り除かれる。
本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、あらゆるタイプの電磁気放射、例えば、紫外線(UV)放射(例えば、約365、248、193、157、126nmの波長を有する)、極紫外線(EUV)放射(例えば、5〜20nmの範囲の波長を有する)、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子線を包含する。
「レンズ」という用語は、文脈が許す場合、種々のタイプの光学部品、例えば屈折、反射、磁気、電磁気、静電気の光学部品のうち任意のものまたはその組み合わせを指してもよい。
本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、上記以外にも実施可能であることはいうまでもない。例えば、本発明は、上述したような方法を記述した、機械により読み取り可能な一つ以上の命令シーケンスを収容するコンピュータプログラムの形態をとってもよく、あるいは、そのようなコンピュータプログラムを内部に記憶するデータ記憶媒体(例えば、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク)の形態をとってもよい。
上述の説明は例示を意図しており、限定を意図していない。したがって、特許請求の範囲から逸脱することなく、上述した本発明に対して修正を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を表す図である。 本発明による測定系の第1の実施形態を示す図である。 本発明による測定系の第2の実施形態を示す図である。 本発明による測定系の第3の実施形態を示す図である。

Claims (15)

  1. 基板を保持する基板テーブルと、
    パターンが付与されたビームを基板の目標部分に投影する投影系と、
    前記基板テーブルの位置を測定するように構成された変位測定系と、を備え、
    前記変位測定系は、前記基板テーブル上に取り付けられ、実質的に静止した隣接する二つ以上の格子プレートに対する第1の方向における基板テーブルの位置を測定するように構成された第1および第2のエンコーダ型のxセンサと、前記隣接する二つ以上の格子プレートに対する第2の方向における基板テーブルの位置を測定するように構成された第1および第2のエンコーダ型のyセンサと、を備え、
    前記第1および第2のxセンサと前記第1および第2のyセンサのいずれもが、x方向およびy方向の同一線上に配置されないように位置合わせされ、前記変位測定系は、前記隣接する二つ以上の格子プレートの間にある横断線を横切るとき、前記基板テーブルの位置を連続的に測定するように構成され、
    前記変位測定系は、前記基板テーブルの位置に応じて前記第1および第2のxセンサと前記第1および第2のyセンサのうち三つを選択的に使用して、同一平面上の少なくとも三つの自由度(x,y,Rz)で前記基板テーブルの位置を決定するように構成されることを特徴とするリソグラフィ装置。
  2. 前記二つ以上の格子プレートは前記基板テーブルのあらゆる可能性のある位置を覆っており、前記基板テーブルの連続的な位置測定が可能であることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記xセンサとyセンサはそれぞれ、少なくとも前記横断線の方向と直角の方向において、他のxセンサとyセンサから離して配置されることを特徴とする請求項1または2に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記xセンサとyセンサはそれぞれ、少なくとも前記第1の方向および/または第2の方向と直角の方向において、他のxセンサとyセンサから離して配置されることを特徴とする請求項1または2に記載リソグラフィ装置。
  5. 前記変位測定系は、第1および第2の方向と直角の方向における基板テーブルの位置を測定する四つのzセンサを備え、
    前記変位測定系は、前記基板テーブルの位置に応じて前記四つのzセンサのうち三つを選択的に使用して、さらに三自由度(z,Rx,Ry)での前記基板テーブルの位置を決定するように構成されたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記四つのzセンサはそれぞれ、少なくとも前記横断線の方向と直角の方向において、他のzセンサと離して配置されることを特徴とする請求項5に記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記zセンサはそれぞれ、少なくとも前記第1および/または第2の方向と直角の方向において、他の三つのzセンサと離して配置されることを特徴とする請求項5に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記基板テーブルの各角に、前記第1および第2のxセンサまたは前記第1および第2のyセンサのうち一つと、前記四つのzセンサのうち一つが取り付けられることを特徴とする請求項5乃至のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  9. 前記二つのxセンサと、前記二つのyセンサと、前記四つのzセンサが内側の長方形と外側の長方形の角に配置されており、各長方形は一つのxセンサと、一つのyセンサと、二つのzセンサとを備え、zセンサは、前記内側長方形の向かい合った角と、前記外側長方形の二つの別の向かい合った角に配置されることを特徴とする請求項5乃至のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  10. 二つ以上の基板テーブルを備え、基板テーブルのそれぞれに少なくとも一つのxセンサが取り付けられることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  11. 前記格子プレートの少なくとも三つの位置に、それぞれ二組のセンサセットが配置され、各センサセットが一つのxセンサまたは一つのyセンサと、一つのzセンサとを有していることを特徴とする請求項5乃至のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  12. 前記第1および第2の方向における前記少なくとも一つの格子プレートの寸法が、前記第1および第2の方向における前記基板テーブルの寸法よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  13. 前記二つ以上の格子プレートがそれぞれウェハであり、回折格子が設けられていることを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  14. 基板を保持する基板テーブルと、
    パターンが付与されたビームを基板の目標部分に投影するための投影系と、
    六自由度(x,y,z,Rx,Ry,Rz)で前記基板テーブルの位置を測定するように構成された変位測定系と、を備え、
    前記変位測定系は、
    第1の方向における基板テーブルの位置を測定するように構成された第1および第2のxセンサと、
    第2の方向における基板テーブルの位置を測定するように構成された第1および第2のyセンサと、
    第1および第2の方向と直角の第3の方向における基板テーブルの位置を測定するように構成された四つのzセンサと、を備え、
    前記第1および第2のxセンサと前記第1および第2のyセンサとは、少なくとも一つの格子プレートに対する前記センサそれぞれの位置を測定するように構成されたエンコーダ型のセンサであり、前記第1および第2のxセンサと前記第1および第2のyセンサのいずれもが、x方向およびy方向の同一線上に配置されないように位置合わせされ、前記変位測定系は、前記隣接する二つ以上の格子プレートの間にある横断線を横切るとき、前記基板テーブルの位置を連続的に測定するように構成され、
    前記変位測定系は、前記基板テーブルの位置に応じて、前記第1および第2のxセンサと前記第1および第2のyセンサのうち三つと、前記四つのzセンサのうち三つとを選択的に使用して、六自由度での前記基板テーブルの位置を決定するように構成されていることを特徴とするリソグラフィ装置。
  15. パターンが付与された放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法であって、
    基板の目標部分にパターンが付与されたビームを投影する間は少なくとも、前記基板が基板テーブルに支持され、前記基板テーブルの位置が変位測定系によって測定され、
    前記変位測定系は、前記基板テーブル上に取り付けられ、実質的に静止した隣接する二つ以上の格子プレートに対する第1の方向における基板テーブルの位置を測定するように構成された第1および第2のエンコーダ型のxセンサと、前記隣接する二つ以上の格子プレートに対する第2の方向における基板テーブルの位置を測定するように構成された第1および第2のエンコーダ型のyセンサと、を備え、
    前記第1および第2のxセンサと前記第1および第2のyセンサのいずれもが、x方向およびy方向の同一線上に配置されないように位置合わせされ、前記変位測定系は、前記隣接する二つ以上の格子プレートの間にある横断線を横切るとき、前記基板テーブルの位置を連続的に測定するように構成され、
    前記変位測定系は、前記基板テーブルの位置に応じて前記第1および第2のxセンサと前記第1および第2のyセンサのうち三つを選択的に使用して、同一平面上の少なくとも三つの自由度(x,y,Rz)で前記基板テーブルの位置を決定するように構成されることを特徴とするデバイス製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7561270B2 (en) * 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
TW527526B (en) * 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101780574B1 (ko) 2006-01-19 2017-10-10 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US8908145B2 (en) 2006-02-21 2014-12-09 Nikon Corporation Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US8027021B2 (en) 2006-02-21 2011-09-27 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
JP5195417B2 (ja) * 2006-02-21 2013-05-08 株式会社ニコン パターン形成装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7602489B2 (en) * 2006-02-22 2009-10-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7483120B2 (en) * 2006-05-09 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
TWI610149B (zh) * 2006-08-31 2018-01-01 Nikon Corp 移動體驅動系統及移動體驅動方法、圖案形成裝置及方法、曝光裝置及方法、元件製造方法、以及決定方法
TW201738667A (zh) * 2006-08-31 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光方法及曝光裝置、以及元件製造方法
KR20180137600A (ko) 2006-08-31 2018-12-27 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR101511929B1 (ko) 2006-09-01 2015-04-13 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법
KR101477471B1 (ko) * 2006-09-01 2014-12-29 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
EP2068112A4 (en) * 2006-09-29 2017-11-15 Nikon Corporation Mobile unit system, pattern forming device, exposing device, exposing method, and device manufacturing method
KR101549709B1 (ko) * 2006-11-09 2015-09-11 가부시키가이샤 니콘 유지 장치, 위치 검출 장치 및 노광 장치, 이동 방법, 위치검출 방법, 노광 방법, 검출계의 조정 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
WO2008071269A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Carl-Zeiss Sms Gmbh Apparatus and method for mask metrology
US20080148875A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
US8164736B2 (en) * 2007-05-29 2012-04-24 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
US8098362B2 (en) * 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US7804579B2 (en) * 2007-06-21 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Control system, lithographic projection apparatus, method of controlling a support structure, and a computer program product
US8174671B2 (en) * 2007-06-21 2012-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and method for controlling a support structure
EP2933683B1 (en) * 2007-07-18 2016-08-24 Nikon Corporation Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus
US8194232B2 (en) 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
JP5057220B2 (ja) * 2007-07-24 2012-10-24 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP2187430B1 (en) * 2007-07-24 2018-10-03 Nikon Corporation Position measuring system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method, and device manufacturing method
WO2009013903A1 (ja) 2007-07-24 2009-01-29 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US8547527B2 (en) * 2007-07-24 2013-10-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method
US8023106B2 (en) * 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US20090051895A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, device manufacturing method, and processing system
US8867022B2 (en) * 2007-08-24 2014-10-21 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
US8237919B2 (en) * 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
DE102007046927A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Carl Zeiss Smt Ag Kalibrierung einer Positionsmesseinrichtung einer optischen Einrichtung
US8279399B2 (en) * 2007-10-22 2012-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9013681B2 (en) * 2007-11-06 2015-04-21 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101470671B1 (ko) * 2007-11-07 2014-12-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US9256140B2 (en) * 2007-11-07 2016-02-09 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction
US8665455B2 (en) * 2007-11-08 2014-03-04 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8422015B2 (en) * 2007-11-09 2013-04-16 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
NL1036180A1 (nl) * 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method.
US8115906B2 (en) * 2007-12-14 2012-02-14 Nikon Corporation Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and measurement device, and device manufacturing method
US8711327B2 (en) * 2007-12-14 2014-04-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
WO2009078443A1 (ja) * 2007-12-17 2009-06-25 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US8269945B2 (en) 2007-12-28 2012-09-18 Nikon Corporation Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
JP5088588B2 (ja) * 2007-12-28 2012-12-05 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US8792079B2 (en) * 2007-12-28 2014-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method having encoders to measure displacement between optical member and measurement mount and between measurement mount and movable body
US8237916B2 (en) * 2007-12-28 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US8451425B2 (en) * 2007-12-28 2013-05-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, cleaning apparatus, and device manufacturing method
NL1036662A1 (nl) * 2008-04-08 2009-10-09 Asml Netherlands Bv Stage system and lithographic apparatus comprising such stage system.
CN102017072B (zh) 2008-04-30 2013-06-05 株式会社尼康 载置台装置、图案形成装置、曝光装置、载置台驱动方法、曝光方法、以及器件制造方法
US8817236B2 (en) * 2008-05-13 2014-08-26 Nikon Corporation Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8786829B2 (en) * 2008-05-13 2014-07-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8228482B2 (en) * 2008-05-13 2012-07-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5195022B2 (ja) * 2008-05-23 2013-05-08 株式会社ニコン 位置計測装置及び位置計測方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP5612810B2 (ja) * 2008-05-23 2014-10-22 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
TW201003053A (en) * 2008-07-10 2010-01-16 Nikon Corp Deformation measuring apparatus, exposure apparatus, jig for deformation measuring apparatus, position measuring method and device manufacturing method
JP5251367B2 (ja) * 2008-09-01 2013-07-31 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8508735B2 (en) * 2008-09-22 2013-08-13 Nikon Corporation Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2010091628A (ja) * 2008-10-03 2010-04-22 Hitachi High-Technologies Corp 表示用パネル露光装置および露光方法並びに表示用パネル露光装置の組立てまたは調整方法
US8902402B2 (en) * 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8773635B2 (en) * 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8599359B2 (en) 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US8760629B2 (en) * 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8493547B2 (en) 2009-08-25 2013-07-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8514395B2 (en) * 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2011054694A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Canon Inc 計測装置、露光装置およびデバイス製造方法
US20110096306A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110096318A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110102761A1 (en) * 2009-09-28 2011-05-05 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US20110096312A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
NL2005545A (en) * 2009-11-17 2011-05-18 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20110128523A1 (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110123913A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US8488106B2 (en) * 2009-12-28 2013-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101539153B1 (ko) 2010-12-14 2015-07-23 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
NL2008111A (en) 2011-02-18 2012-08-21 Asml Netherlands Bv Optical apparatus, method of scanning, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8760669B2 (en) 2011-09-30 2014-06-24 Honeywell Asca Inc. Method of measuring the thickness of a moving web
US9360772B2 (en) 2011-12-29 2016-06-07 Nikon Corporation Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
CN103246172B (zh) * 2012-02-10 2016-12-28 约翰内斯﹒海德汉博士有限公司 具有位置测量装置的多个扫描单元的装置
CN102661709B (zh) * 2012-04-23 2014-08-13 清华大学 一种大行程运动台位移测量方法
DE102012210309A1 (de) * 2012-06-19 2013-12-19 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Positionsmesseinrichtung
KR101671824B1 (ko) 2012-08-23 2016-11-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법 및 이격 측정 시스템
JP2012256943A (ja) * 2012-09-18 2012-12-27 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2014054690A1 (ja) 2012-10-02 2014-04-10 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US9772564B2 (en) 2012-11-12 2017-09-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
EP2947679A4 (en) 2012-11-20 2017-02-08 Nikon Corporation Exposure device, mobile device, and device manufacturing method
JP5304959B2 (ja) * 2013-01-31 2013-10-02 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
DE102013102477A1 (de) * 2013-03-12 2014-09-18 Carl Mahr Holding Gmbh Positioniervorrichtung für mehrachsige Verstelltische
JP6381184B2 (ja) 2013-07-09 2018-08-29 キヤノン株式会社 校正方法、測定装置、露光装置および物品の製造方法
US9007589B2 (en) 2013-09-16 2015-04-14 Honeywell Asca Inc. Co-located porosity and caliper measurement for membranes and other web products
US9529280B2 (en) * 2013-12-06 2016-12-27 Kla-Tencor Corporation Stage apparatus for semiconductor inspection and lithography systems
WO2015147319A1 (ja) * 2014-03-28 2015-10-01 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び移動体駆動方法
DE102015201230A1 (de) 2015-01-26 2016-07-28 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Positionsmesseinrichtung
KR20230130161A (ko) 2015-02-23 2023-09-11 가부시키가이샤 니콘 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 관리 방법, 중첩 계측 방법 및 디바이스 제조 방법
CN111948913B (zh) * 2015-02-23 2023-09-01 株式会社尼康 基板处理系统及基板处理方法
TWI749514B (zh) 2015-02-23 2021-12-11 日商尼康股份有限公司 測量裝置、微影系統、以及元件製造方法
JP6774031B2 (ja) 2015-03-25 2020-10-21 株式会社ニコン レイアウト方法、マーク検出方法、露光方法、計測装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
CN111812949A (zh) * 2015-09-30 2020-10-23 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法
CN106225685B (zh) * 2016-08-26 2018-11-30 清华大学 一种硅片台大行程三自由度位移测量系统
CN112965345B (zh) * 2016-09-30 2023-05-16 株式会社尼康 移动体装置、曝光装置、平板显示器的制造方法
DE102018103869B3 (de) * 2018-02-21 2019-05-09 Physik Instrumente (Pi) Gmbh & Co. Kg Maßelement für eine optische Messvorrichtung
CN108613647B (zh) * 2018-07-02 2020-02-25 燕山大学 三自由度平面并联机构动平台位姿检测装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0447222A (ja) * 1990-06-13 1992-02-17 Olympus Optical Co Ltd 高精度位置比較装置
NL9100215A (nl) * 1991-02-07 1992-09-01 Asm Lithography Bv Inrichting voor het repeterend afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
JPH07270122A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Canon Inc 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法
US5757507A (en) * 1995-11-20 1998-05-26 International Business Machines Corporation Method of measuring bias and edge overlay error for sub-0.5 micron ground rules
JPH09320921A (ja) * 1996-05-24 1997-12-12 Nikon Corp ベースライン量の測定方法及び投影露光装置
CN1144263C (zh) 1996-11-28 2004-03-31 株式会社尼康 曝光装置以及曝光方法
EP1197801B1 (en) 1996-12-24 2005-12-28 ASML Netherlands B.V. Lithographic device with two object holders
JPH10318791A (ja) 1997-05-14 1998-12-04 Sony Precision Technol Inc スケール装置
JP2001118773A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
EP1111471B1 (en) 1999-12-21 2005-11-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus with collision preventing device
TWI231405B (en) 1999-12-22 2005-04-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, position detection device, and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
US7289212B2 (en) 2000-08-24 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby
JP2002289515A (ja) 2000-12-28 2002-10-04 Nikon Corp 製品の製造方法、露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US6665054B2 (en) 2001-10-22 2003-12-16 Nikon Corporation Two stage method
EP1345082A1 (en) * 2002-03-15 2003-09-17 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6781694B2 (en) * 2002-07-16 2004-08-24 Mitutoyo Corporation Two-dimensional scale structures and method usable in an absolute position transducer
JP4362862B2 (ja) 2003-04-01 2009-11-11 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
WO2004102646A1 (ja) 2003-05-15 2004-11-25 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101436003B (zh) 2003-06-19 2011-08-17 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
EP1510870A1 (en) 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6977713B2 (en) 2003-12-08 2005-12-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7102729B2 (en) 2004-02-03 2006-09-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method
GB0403576D0 (en) * 2004-02-18 2004-03-24 Prior Scient Instr Ltd Stage apparatus
US7161659B2 (en) 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7483120B2 (en) 2006-05-09 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US7515281B2 (en) 2009-04-07
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