JP2016502070A - オブジェクト位置決めシステム、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents
オブジェクト位置決めシステム、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016502070A JP2016502070A JP2015538386A JP2015538386A JP2016502070A JP 2016502070 A JP2016502070 A JP 2016502070A JP 2015538386 A JP2015538386 A JP 2015538386A JP 2015538386 A JP2015538386 A JP 2015538386A JP 2016502070 A JP2016502070 A JP 2016502070A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- object table
- position measurement
- relative
- substrate
- measurement system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 165
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 40
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 208000025174 PANDAS Diseases 0.000 description 1
- 208000021155 Paediatric autoimmune neuropsychiatric disorders associated with streptococcal infection Diseases 0.000 description 1
- 240000000220 Panda oleosa Species 0.000 description 1
- 235000016496 Panda oleosa Nutrition 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
[0001] 本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、2012年10月24日出願の米国仮特許出願第61/718,094号の利益を主張する。
[0002] 本発明は、基板位置決めシステム、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法に関する。
1.ステップモードにおいては、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2.スキャンモードにおいては、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (19)
- リソグラフィ装置において基板を位置決めするための位置決めシステムであって、
動作領域内で可動の第1オブジェクトテーブルと、
前記動作領域内で可動の第2オブジェクトテーブルと、
前記動作領域内にある時に、基準に対する前記第1オブジェクトテーブルおよび前記第2オブジェクトテーブルのインクリメンタル位置測定値を提供する第1位置測定システムであって、前記第1位置測定は、前記基準に対する前記第1オブジェクトテーブルの絶対位置測定値を提供する、第1位置測定システムと、
前記第2オブジェクトテーブルに対する前記第1オブジェクトテーブルの絶対位置測定値を提供する第2位置測定システムと、を備え、
前記第1位置測定システムは、さらに、前記基準に対する前記第1オブジェクトテーブルの前記絶対位置測定値と、前記第2オブジェクトに対する前記第1オブジェクトの前記絶対位置測定値とに基づいて、前記基準に対する前記第2オブジェクトテーブルの絶対位置測定値を提供する、
位置決めシステム。 - 前記第1位置測定システムは、前記動作領域内にある時に、前記基準に対する前記第1オブジェクトおよび前記第2オブジェクトテーブルの前記位置を決定するために、前記基準に取り付けられたセンサアレイと、前記第1オブジェクトテーブルに取り付けられた第1センサターゲットと、前記第2オブジェクトテーブルに取り付けられた第2センサターゲットと、を備える、請求項1に記載の位置決めシステム。
- 前記第1位置測定システムは、エンコーダベースの測定システムを備える、請求項1または2に記載の位置決めシステム。
- 前記第2位置測定システムは、静電容量測定システムを備える、請求項1〜3のいずれかに記載の位置決めシステム。
- 前記第2位置測定システムは、6DOF測定システムである、請求項1〜4のいずれかに記載の位置決めシステム。
- 前記第1位置測定システムは、前記動作領域内にある時に、前記基準に対する前記第1オブジェクトおよび前記第2オブジェクトテーブルの前記位置を決定するために、前記第1オブジェクトテーブルに取り付けられた第1センサと、前記第2オブジェクトテーブルに取り付けられた第2センサと、前記基準に取り付けられたセンサターゲットと、を備える、請求項1〜5のいずれかに記載の位置決めシステム。
- 前記基準に対する前記第1オブジェクトテーブルの前記絶対位置測定値を提供するための基準化システムをさらに備える、請求項1〜6のいずれかに記載の位置決めシステム。
- 前記第1位置測定システムには、前記基準に対する前記第1オブジェクトテーブルおよび前記第2オブジェクトテーブルのうちの一方の絶対位置を決定するための基準フィーチャが設けられる、請求項7に記載の位置決めシステム。
- 放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記パターン付き放射ビームを基板上に投影する投影システムと、
前記基板を保持する基板テーブルと、
請求項1〜8のいずれかに記載の位置決めシステムと、を備える
リソグラフィ装置。 - 前記第1オブジェクトテーブルおよび前記第2オブジェクトテーブルの少なくとも一方は前記基板テーブルを備え、前記基準は前記投影システムに接続される、請求項9に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第2位置測定システムは、前記第1オブジェクトテーブルおよび前記第2オブジェクトテーブルのうち前記投影システムの下にある一方と、前記第1オブジェクトテーブルおよび前記第2オブジェクトテーブルの他方とが入れ替えられるスワップ中に、前記第2オブジェクトテーブルに対する前記第1オブジェクトテーブルの前記位置を測定する、請求項10または11に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1オブジェクトテーブルおよび前記第2オブジェクトテーブルの少なくとも一方は、測定テーブルを備える、請求項9、10または11に記載のリソグラフィ装置。
- 第1オブジェクトテーブルおよび第2オブジェクトテーブルを備えたリソグラフィ装置において基準に対する前記第2オブジェクトテーブルの絶対位置を決定する方法であって、
‐前記基準に対する前記第1オブジェクトテーブルおよび前記第2オブジェクトテーブルのインクリメンタル位置測定値を提供する工程と、
‐前記基準に対する前記第1オブジェクトテーブルの絶対位置測定値を得る工程と、
‐前記基準に対する前記第2オブジェクトテーブルのインクリメンタル位置測定値を得る工程と、
‐前記第2オブジェクトテーブルに対する前記第1オブジェクトテーブルの絶対位置測定値を得る工程と、
‐前記基準に対する前記第1オブジェクトテーブルの前記絶対位置測定値と、前記第2オブジェクトテーブルに対する前記第1オブジェクトテーブルの前記絶対位置測定値とに基づいて、前記基準に対する前記第2オブジェクトテーブルの絶対位置を決定する工程と、を含む、
方法。 - 基板上にパターン付き放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、前記パターン付き放射ビームを投影する工程に先立って、請求項1〜8のいずれかに記載の位置決めシステムを使用して基板を位置決めする工程が行われる、デバイス製造方法。
- リソグラフィ装置においてオブジェクトを位置決めするための位置決めシステムであって、
動作領域内で可動の第1および第2オブジェクトテーブルと、
(a)前記第1オブジェクトおよび前記第2オブジェクトテーブルが前記動作領域に内に置かれている時に、基準に対する前記第1オブジェクトテーブルおよび前記第2オブジェクトテーブルのインクリメンタル位置測定値と、(b)前記基準に対する前記第1オブジェクトテーブルの絶対位置測定値と、を提供する第1位置測定システムと、
前記第2オブジェクトテーブルに対する前記第1オブジェクトテーブルの絶対位置測定値を提供する第2位置測定システムと、を備え、
前記第1位置測定システムは、さらに、前記基準に対する前記第1オブジェクトテーブルの絶対位置測定値と、前記第2オブジェクトに対する前記第1オブジェクトの絶対位置測定値とに基づいて、前記基準に対する前記第2オブジェクトテーブルの絶対位置測定値を提供する、
位置決めシステム。 - 前記第1および前記第2オブジェクトテーブルは、基板を支持する、請求項15に記載の位置決めシステム。
- 前記第1位置測定システムは、エンコーダベースの測定システムを備える、請求項15に記載の位置決めシステム。
- 前記第2位置測定システムは、静電容量測定システムを備える、請求項15に記載の位置決めシステム。
- 請求項15に記載の位置決めシステムを備えたリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261718094P | 2012-10-24 | 2012-10-24 | |
US61/718,094 | 2012-10-24 | ||
PCT/EP2013/071780 WO2014063995A1 (en) | 2012-10-24 | 2013-10-17 | Substrate positioning system, lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016502070A true JP2016502070A (ja) | 2016-01-21 |
JP6082471B2 JP6082471B2 (ja) | 2017-02-15 |
Family
ID=49515325
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015538386A Active JP6082471B2 (ja) | 2012-10-24 | 2013-10-17 | オブジェクト位置決めシステム、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9470988B2 (ja) |
JP (1) | JP6082471B2 (ja) |
KR (1) | KR101710024B1 (ja) |
CN (1) | CN104756013B (ja) |
NL (1) | NL2011658A (ja) |
WO (1) | WO2014063995A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016136691A1 (ja) | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社ニコン | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
EP3264030B1 (en) * | 2015-02-23 | 2020-07-22 | Nikon Corporation | Measurement device, lithography system and exposure device, and device manufacturing method |
CN107250915B (zh) | 2015-02-23 | 2020-03-13 | 株式会社尼康 | 测量装置、光刻系统及曝光装置、以及管理方法、重迭测量方法及组件制造方法 |
CN105427288B (zh) * | 2015-11-10 | 2018-05-29 | 凌云光技术集团有限责任公司 | 一种机器视觉对位系统的标定方法及装置 |
EP3859448A1 (en) * | 2020-01-28 | 2021-08-04 | ASML Netherlands B.V. | Positioning device and method to use a positioning device |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07190741A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JP2002195819A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Nikon Corp | 形状測定方法、形状測定装置、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
EP1710629A2 (en) * | 2005-04-08 | 2006-10-11 | ASML Netherlands BV | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070263197A1 (en) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Asml Nethlerlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
JP2008535209A (ja) * | 2005-03-23 | 2008-08-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および装置製造方法 |
JP2008306099A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Canon Inc | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2009135490A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | ステージシステム、このようなステージシステムを含むリソグラフィ装置、及び補正方法 |
JP2009295932A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2011054694A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Canon Inc | 計測装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005327993A (ja) | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Canon Inc | 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4410216B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2010-02-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 2ステージ・リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
EP1918983A4 (en) | 2005-08-05 | 2010-03-31 | Nikon Corp | STAGE EQUIPMENT AND EXPOSURE DEVICE |
KR100741355B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2007-07-20 | 인하대학교 산학협력단 | 인지 가중 필터를 이용한 전처리 방법 |
EP2132600B1 (en) | 2007-03-27 | 2012-01-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Split axes stage design for semiconductor applications |
JP2008306140A (ja) | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Canon Inc | ステージ装置及び露光装置並びに製造方法 |
-
2013
- 2013-10-17 JP JP2015538386A patent/JP6082471B2/ja active Active
- 2013-10-17 WO PCT/EP2013/071780 patent/WO2014063995A1/en active Application Filing
- 2013-10-17 KR KR1020157013717A patent/KR101710024B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-17 CN CN201380055536.7A patent/CN104756013B/zh active Active
- 2013-10-17 US US14/437,441 patent/US9470988B2/en active Active
- 2013-10-22 NL NL2011658A patent/NL2011658A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07190741A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JP2002195819A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Nikon Corp | 形状測定方法、形状測定装置、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2008535209A (ja) * | 2005-03-23 | 2008-08-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および装置製造方法 |
EP1710629A2 (en) * | 2005-04-08 | 2006-10-11 | ASML Netherlands BV | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070263197A1 (en) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Asml Nethlerlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
JP2008306099A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Canon Inc | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2009135490A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | ステージシステム、このようなステージシステムを含むリソグラフィ装置、及び補正方法 |
JP2009295932A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2011054694A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Canon Inc | 計測装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150277242A1 (en) | 2015-10-01 |
CN104756013A (zh) | 2015-07-01 |
CN104756013B (zh) | 2017-09-29 |
NL2011658A (en) | 2014-04-29 |
KR20150079805A (ko) | 2015-07-08 |
US9470988B2 (en) | 2016-10-18 |
JP6082471B2 (ja) | 2017-02-15 |
KR101710024B1 (ko) | 2017-02-24 |
WO2014063995A1 (en) | 2014-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7619207B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4937079B2 (ja) | リソグラフィ装置および方法 | |
JP5036914B2 (ja) | デュアルステージエリアリソグラフィ装置における位置測定システムの補正方法 | |
JP2009156862A (ja) | 位置測定システムおよびリソグラフィ装置 | |
US20070099099A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US9606458B2 (en) | Method for calibration of an encoder scale and a lithographic apparatus | |
EP2920649B1 (en) | Position measurement system and grating for a position measurement system | |
JP2011209278A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
US20150212425A1 (en) | Quantitative Reticle Distortion Measurement System | |
JP6082471B2 (ja) | オブジェクト位置決めシステム、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 | |
JP5600138B2 (ja) | 位置決めデバイス、位置決め方法及びデバイス製造方法 | |
JP2007180548A (ja) | パターンアライメント方法およびリソグラフィ装置 | |
JP6243927B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5784576B2 (ja) | リソグラフィ装置および方法 | |
JP2010087484A (ja) | デバイス製造方法、制御システム、コンピュータプログラムおよびコンピュータ可読媒体 | |
JP2006100802A (ja) | アライメント装置、アライメント方法、及びリソグラフィ装置 | |
JP2019516133A (ja) | 位置測定システム、較正方法、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
KR101671824B1 (ko) | 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법 및 이격 측정 시스템 | |
JP5145379B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160323 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160616 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160805 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6082471 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |