KR101710024B1 - 기판 위치설정 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

기판 위치설정 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

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Abstract

리소그래피 장치 내에 기판(150, 160)을 위치시키는 위치설정 시스템이 개시되며, 위치설정 시스템은 작동 영역에서 이동가능한 제 1 대상물 테이블(210); 작동 영역에서 이동가능한 제 2 대상물 테이블(310); 작동 영역에 있는 경우, 기준에 대한 제 1 대상물 테이블 및 제 2 대상물 테이블의 증분 위치 측정을 제공하도록 구성된 제 1 위치 측정 시스템(100.1 내지 100.3, 200.1, 200.2, 300.1, 300.2) -제 1 위치 측정은 기준에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하도록 구성됨- ; 및 제 2 대상물 테이블에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하도록 구성된 제 2 위치 측정 시스템(330.1, 330.2)을 포함하고, 제 1 위치 측정 시스템은 기준에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정 및 제 2 대상물에 대한 제 1 대상물의 절대 위치 측정에 기초하여, 기준에 대한 제 2 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하도록 더 구성된다.

Description

기판 위치설정 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{SUBSTRATE POSITIONING SYSTEM, LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 출원은 2012년 10월 24일에 출원된 미국 가출원 61/718,094의 이익을 주장하며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.
본 발명은 기판 위치설정 시스템, 리소그래피 장치, 및 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 부분, 한 개 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 알려진 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
IC의 적절한 작동을 보장하기 위해, 노광 공정 동안 기판의 정확한 위치설정이 요구된다. 이러한 것으로서, 리소그래피 장치에는 통상적으로 1 이상의 위치 측정 시스템들이 구비되어, 패터닝 디바이스에 대한 대상물 테이블(여기에 기판이 장착됨)의 위치를 결정한다. 일 예시로서, 리소그래피 장치의 투영 시스템에 대한 대상물 테이블의 위치를 측정하기 위한 증분 위치 측정 시스템(incremental position measurement system), 예를 들어 인코더 기반 측정 시스템 또는 간섭계 측정 시스템이 리소그래피 장치에 제공될 수 있다. 또 다른 유사한 측정 시스템이 투영 시스템에 대한 패터닝 디바이스의 위치를 결정하기 위해 제공될 수 있다. 통상적으로, 증분 위치 측정 시스템은 절대 위치 측정을 얻기 위해 기준 또는 영점이 되어야 하는 (예를 들어, 측정 시스템의 격자의 주기에 대응하는 주기를 갖는) 주기적 측정 신호에서 제공된다. 이러한 기준화(referencing) 또는 영점화(zeroing)는 대상물 테이블에게 특정 지정된 기준 위치로 이동하도록 요구할 수 있고, 및/또는 측정 시스템에 대한 조정들을 필요로 할 수 있다. 기준화가 대상물 테이블의 특정 위치설정을 필요로 하는 경우, 이는 장치에 대한 스루풋 불이익을 유도할 수 있다.
기준화 또는 영점화의 대안적인 방식을 갖는 위치설정 시스템을 제공하는 것이 바람직하다.
그러므로, 본 발명의 일 실시예에서, 리소그래피 장치 내에 기판을 위치시키는 위치설정 시스템이 제공된다. 위치설정 시스템은 작동 영역에서 이동가능한 제 1 대상물 테이블; 작동 영역에서 이동가능한 제 2 대상물 테이블; 작동 영역에 있는 경우, 기준에 대한 제 1 대상물 테이블 및 제 2 대상물 테이블의 증분 위치 측정을 제공하도록 구성된 제 1 위치 측정 시스템 -제 1 위치 측정은 기준에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하도록 구성됨- ; 및 제 2 대상물 테이블에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하도록 구성된 제 2 위치 측정 시스템을 포함한다. 또한, 제 1 위치 측정 시스템은 기준에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정 및 제 2 대상물 테이블에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정에 기초하여, 기준에 대한 제 2 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하도록 구성된다.
또 다른 실시예에서, 제 1 및 제 2 대상물 테이블을 포함한 듀얼 스테이지(dual stage) 리소그래피 장치에서 기준에 대한 제 2 대상물 테이블의 절대 위치를 결정하는 방법이 제공되고, 상기 방법은: 기준에 대한 제 1 대상물 테이블 및 제 2 대상물 테이블의 증분 위치 측정을 제공하는 단계; 기준에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 얻는 단계; 기준에 대한 제 2 대상물 테이블의 증분 위치 측정을 얻는 단계; 제 2 대상물 테이블에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 얻는 단계; 및 기준에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정 및 제 2 대상물 테이블에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정에 기초하여, 기준에 대한 제 2 대상물 테이블의 절대 위치를 결정하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 리소그래피 장치 내에 대상물을 위치시키는 위치설정 시스템이 제공되고, 상기 시스템은: 작동 영역에서 이동가능한 제 1 및 제 2 대상물 테이블; (a) 제 1 대상물 테이블 및 제 2 대상물 테이블이 작동 영역에 위치되는 경우, 기준에 대한 제 1 대상물 테이블 및 제 2 대상물 테이블의 증분 위치 측정, 및 (b) 기준에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하도록 구성된 제 1 위치 측정 시스템; 및 제 2 대상물 테이블에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하도록 구성된 제 2 위치 측정 시스템을 포함하며, 제 1 위치 측정 시스템은 기준에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정 및 제 2 대상물 테이블에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정에 기초하여, 기준에 대한 제 2 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하도록 더 구성된다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 위치설정 시스템에 적용될 수 있는 바와 같은 증분 위치 측정 시스템을 도시하는 도면;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 위치설정 시스템을 개략적으로 도시하는 도면;
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치 내에 구현된, 본 발명의 일 실시예에 따른 위치설정 시스템의 개략적인 평면도;
도 5는 기준화 또는 영점화 시스템을 포함한 본 발명의 일 실시예에 따른 위치설정 시스템의 개략적인 평면도;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 또 다른 기준화 시스템을 갖는 위치설정 시스템을 도시하는 도면; 및
도 7은 본 발명에 따른 증분 위치 측정 시스템의 일 실시예에서 위치 센서에 의해 수용된 측정 빔의 세기를 도시하는 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는: 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 EUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체 또는 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입들, 및 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광 시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.
방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치설정 시스템(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 위치설정 시스템(IF)은 예를 들어 메트롤로지 프레임(MF)에 장착될 수 있으며, 여기에 투영 시스템(PS)도 장착될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 리소그래피 장치에는 투영 시스템(PS)에 대해, 일반적으로는 기준에 대해 기판 테이블(WT)을 정확히 위치시키는 [나타낸 시스템(IF)과 같은] 증분 위치 측정 시스템이 구비될 수 있다. 통상적으로, 증분 위치 측정 시스템이 사용되는 경우, 증분 위치 측정 시스템으로부터 얻어진 측정 신호를 절대 위치 신호로 전환하기 위해 영점화 또는 기준화 시스템이 제시된다. 본 발명의 일 실시예에서, 증분 위치 측정 시스템이 어느 주기로 측정하고 있는지의 결정을 나타내기 위해 영점화 또는 기준화가 사용된다. 따라서, 이러한 영점화 또는 기준화 시스템은 증분 측정 시스템의 소정 주기를 절대 기준으로서 표시(labeling)하여 제공된다. 본 발명의 일 실시예에서, 다수 스테이지 장치들, 즉 2 이상의 대상물 테이블들을 갖는 장치들에 특히 적절한 기준화 또는 영점화의 방식이 제안된다. 이러한 장치의 일 예시로서, 듀얼 스테이지 장치가 고려될 수 있다. 이러한 장치에서는, 2 개의 대상물 테이블이 제공될 수 있고, 각각 기판을 지지하도록 구성될 수 있다. 이러한 듀얼 스테이지 구성은 2 개의 기판의 병행 처리를 가능하게 하며, 이로 인해 (제 2 대상물 테이블 상의) 제 2 기판이 측정(예를 들어, 기판의 높이 맵이 얻어짐)되는 동안 (제 1 대상물 테이블 상의) 제 1 기판이 노광(즉, 원하는 패턴이 제공)된다. 대안적으로, 대상물 테이블들 중 하나는 측정 테이블일 수 있다. 측정 테이블에는 투영 시스템을 통과하는 광 빔의 광학 특성들 또는 장치의 다른 파라미터들과 같은 측정들을 수행하는 장비가 제공될 수 있다. 듀얼 스테이지 구성의 일 실시예에서, 하나의 대상물 테이블은 기판을 유지하고, 다른 대상물 테이블은 측정들을 수행한다.
이러한 구성에서, 제 1 기판의 노광 및 제 2 기판의 측정 완료 후, 제 2 대상물 테이블은 제 2 기판을 노광시키기 위해 투영 시스템 아래로 운반되어야 한다.
(노광될 기판이 제공된) 제 2 대상물 테이블이 노광이 일어나야 하는 작동 영역에 접근하는 경우, 대상물 테이블은 증분 위치 측정 시스템의 작동 범위 내에 들어온다. 일반적으로, 이 제 2 대상물 테이블의 위치는 절대적 의미에서 알려지지 않을 수 있다; 즉, 투영 시스템(PS) 또는 또 다른 기준[예를 들어, 메트롤로지 시스템(MF)]에 대해 제 2 대상물 테이블의 절대 위치를 확립하기 위해 기준화 또는 영점화가 필요할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 2 대상물 테이블의 기준화 또는 영점화는 (기준에 대해, 절대적 의미에서 알려진 것으로 가정되는) 제 1 대상물 테이블의 위치, 및 제 1 대상물 테이블과 제 2 대상물 테이블 간의 거리의 절대 위치 측정으로부터 도출된다. 이 접근법을 이용하면, 기준화 또는 영점화는 지정된 기준 위치로 대상물 테이블을 위치시킬 필요가 없다. 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 기준화 또는 영점화는 예를 들어 대상물 테이블들의 교환(swap) 동안, 즉 제 1 대상물 테이블이 투영 시스템 아래로부터 이동되어 멀어지는 한편 제 2 대상물 테이블이 투영 시스템 아래의 위치로 이동되는 경우에 일어날 수 있다. 대안적으로, 기준화 또는 영점화는 이러한 교환 이전 또는 이후에 일어날 수 있다.
일반적으로, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있음]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상으로 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광 시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상으로 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광 시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 매 이동 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2에서, 증분 위치 측정 시스템의 일 실시예가 개략적으로 도시되며, 상기 측정 시스템은 예를 들어 1- 또는 2-차원 격자들일 수 있는 격자들(100.1, 100.2, 100.3)(위치 센서 타겟으로서 작용함)과 상호작동하는 복수의 위치 센서들(200.1, 200.2)을 포함한다. 나타낸 바와 같은 구성에서, 격자들(100.1 및 100.2)은 측정 시스템의 공통 프레임(120)(예를 들어, Zerodur 또는 여하한의 다른 타입의 낮은 열팽창 재료로 만들어지는 프레임)에 장착되고, 이는 예를 들어 투영 시스템(PS)(도 1 참조)이 장착되는 메트롤로지 프레임(MF)과 같은 기준 프레임에 장착될 수 있다. 다수 격자들을 갖는 것에 대한 대안예로서, 단일의 비교적 큰 격자 또는 센서 타겟이 적용될 수도 있다는 것을 유의한다. 나타낸 실시예에서, 위치 센서들(200.1 및 200.2)은 예를 들어 기판 테이블일 수 있는 대상물 테이블(210)에 장착되며, 이는 예를 들어 리니어 모터들 또는 액추에이터들에 의하여 투영 시스템(PS)에 대해 대상물 테이블(210)을 변위시키는 위치설정 디바이스(220)에 장착된다. 도시된 바와 같은 증분 위치 측정 시스템은, 통상적으로 카운터 값(counter value) 및 위상 값(phase value)의 조합인 측정 신호에서 제공될 수 있다. 측정 신호의 위상 값은 격자 또는 센서 타겟의 소정 주기 내의 위치를 나타내는 반면, 카운터 값은 센서에 의해 관찰되는 주기를 나타낸다. 측정 신호가 예를 들어 대상물 테이블(210)과 투영 시스템(PS) 간의 거리의 절대 값을 나타내기 위해, 카운터 값이 설정되거나 개시되어야 한다. 이는, 예를 들어 격자 또는 센서 타겟 상에 기준 마크를 제공함으로써 행해질 수 있다. 대안적으로, 기준화 또는 영점화 시스템을 이용함으로써 초기 카운터 값이 얻어질 수 있다. 이러한 기준화 또는 영점화 시스템은, 예를 들어 알려진 고정 위치에 위치되는 절대 위치 측정 시스템을 포함할 수 있다. 이러한 것으로서, 대상물 테이블(210)이 기준화 또는 영점화 시스템의 작동 범위 내에 위치되는 경우, 증분 위치 측정 시스템이 개시되어 시스템에 의해 제공된 위치 신호들이 센서 타겟에 대한 센서의[또는 위치 기준(예를 들어, 투영 시스템)에 대한 대상물 테이블의] 절대 위치; 즉, 센서와 센서 타겟 간의 (주어진 방향으로의) 거리를 나타내도록 할 수 있다.
이러한 기준화 또는 영점화 시스템은, 예를 들어 대상물 테이블의 작동 영역의 경계 부근에 제공될 수 있으며, 작동 영역은 증분 위치 측정 시스템의 범위 내에 있는 동안 대상물 테이블이 이동할 수 있는 영역에 의해 정의된다.
듀얼 또는 다수-스테이지 리소그래피 장치에서, 처리될 기판들을 운반하는 2 이상의 대상물 테이블들이 제시될 수 있다. 이러한 장치에서는, 상이한 작동 영역들이 정의될 수 있으며, 이로 인해 상이한 작동 영역들에서 상이한 공정들이 일어날 수 있다. 일 예시로서, 듀얼 스테이지 리소그래피 장치는 기판이 측정되는(예를 들어, 기판의 높이 맵이 기록되는) 제 1 작동 영역, 및 기판이 노광되는 제 2 작동 영역을 포함할 수 있다. 두 작동 영역들에서, 앞서 설명된 증분 위치 측정 시스템과 같은 정확한 위치 측정 시스템이 이용가능할 수 있다. 하지만, 제 1 작동 영역과 제 2 작동 영역 사이의 전이(transition) 동안, 정확한 위치 제어는 유지되지 않을 수 있다. 이는, 두 작동 영역들이 서로 연결되지 않는 경우에 일어날 수 있다. 또한, 격자들 또는 센서 타겟들의 형성 크기(building size)와 같은 추가 제한들, 또는 작동 범위 외부에서의 대상물 테이블들의 필요한 위치설정이 작동 영역들 사이에서의 운반을 초래할 수 있고, 이로 인해 제 1 작동 영역에서 적용된 바와 같은 기준화 또는 영점화는 제 2 작동 영역에서 더 이상 유효하지 않다.
결과로서, 노광될 기판(예를 들어, 사전에 측정되었던 기판)을 지지하는 대상물 테이블은 노광 공정에 앞서 기준화 또는 영점화를 필요로 할 수 있다. 다르게 표현하면, 대상물 테이블의 센서의 카운터 값은 노광이 일어나는 작동 영역에서 작동하는 경우에 설정되거나 개시되어야 할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른, 이러한 기준화가 제공될 수 있는 방식이 도 3에 개략적으로 도시된다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 위치설정 시스템의 일 실시예를 개략적으로 나타낸다. 도 3에서, 제 1 위치 측정 시스템(증분 위치 측정 시스템)이 센서 타겟들 또는 격자들(100.1 내지 100.3), [제 1 대상물 테이블(210)에 장착된] 위치 센서들 200.1 및 200.2, 및 [제 2 대상물 테이블(310)에 장착된] 위치 센서들 300.1 및 300.2을 포함한다. 나타낸 바와 같은 구성에서, 제 1 대상물 테이블(210) 상의 기판(150)은 처리된 것으로; 즉, 투영 시스템(PS)을 이용하여 패터닝된 방사선 빔으로 노광된 것으로 가정된다. 따라서, 제 1 대상물 테이블(210)과 연계된 센서들(200.1 및 200.2)은 기준화 또는 영점화된 것으로 가정된다. 따라서, 이 센서들의 위치 신호가 투영 시스템(PS) 또는 프레임(MF)과 같은 기준에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정에서 제공된다. (위치설정 디바이스 220과 유사한 위치설정 디바이스 320에 의해 위치될 수 있는) 제 2 대상물 테이블(310)은 나타낸 바와 같은 구성에서, 점선들(335, 330)로 나타낸 바와 같이 센서 타겟들 또는 격자들(100.1, 100.2)의 작동 범위 내에 있다. 앞서 설명된 바와 같이, 제 2 대상물 테이블이 작동 영역에 들어가는 경우, 영점화 또는 기준화가 필요할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 2 대상물 테이블의 이러한 기준화 또는 영점화는 제 2 대상물 테이블이 기준화 또는 영점화 시스템 부근에 위치되지 않고, 또는 격자들 중 하나의 기준 마크를 사용하지 않고 실현될 수 있다. 오히려, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 위치설정 시스템에서, 제 2 위치 측정 시스템이 적용되고, 제 2 위치 측정 시스템은 제 2 대상물 테이블에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정에서 제공되도록 구성된다. 일 예시로서, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제 2 위치 측정 시스템(330.1, 330.2)은 제 1 대상물 테이블에 장착된 용량성 센서(330.1) 및 제 2 대상물 테이블에 장착된 용량성 타겟(330.2)을 갖는 용량성 측정 시스템을 포함할 수 있다. 제 2 위치 측정 시스템의 사용은 제 1 및 제 2 대상물 테이블들 간의 거리의 정확한 절대 값을 얻을 수 있게 한다. 제 1 위치 측정 시스템에 이 거리를 제공함으로써, 제 2 대상물 테이블의 센서들(300.1 및 300.2)의 기준화 또는 영점화가 실현될 수 있다; 이러한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 위치 측정 시스템은 (예를 들어, 센서들 200.1 및 200.2의 위치 측정으로부터 얻어진) 기준에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정, 및 제 2 대상물 테이블에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정(즉, 제 2 위치 측정 시스템 330.1, 330.2에 의해 측정된 제 1 및 제 2 대상물 테이블들 간의 거리)에 기초하여 기준에 대한 제 2 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하도록 구성될 수 있다.
제 2 위치 측정 시스템으로서 용량성 측정 시스템의 사용은 단지 일 예시라는 것을 유의한다. 다른 예시들로는 인코더 기반 측정 시스템들과 같은 광학 측정 시스템들이 있다.
앞서 설명된 바와 같은 시스템을 이용하면, 제 2 대상물 테이블(310)의 처리[특히, 제 2 대상물 테이블에 장착된 기판(160)의 처리]는 제 2 대상물 테이블이 제 2 위치 측정 시스템(330.1, 330.2)의 작동 범위 내에 있으면 실질적으로 어떠한 지연 없이 시작될 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 위치 측정 시스템은 6 DOF(자유도) 측정 시스템을 포함한다. 이와 유사하게, (센서들 200.1 및 200.2이 도시되어 있는) 제 1 대상물 테이블(210)에 장착된 센서들 또는 (센서들 300.1 및 300.2이 도시되어 있는) 제 2 대상물 테이블(310)에 장착된 센서들은 기준, 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대한 대상물 테이블들 각각의 위치의 6 DOF 측정을 제공할 수 있다. 이를 실현하기 위해, 대상물 테이블들(210, 310) 각각에는 4 개의 2D 센서들이 제공될 수 있으며, 이들은 예를 들어 대상물 테이블의 코너들 부근에 위치된다.
본 발명의 일 실시예에서, 기판 위치설정 시스템에는 제 1 위치 측정 시스템을 기준화 또는 영점화하는 기준화 시스템이 더 제공된다. 이러한 기준화 시스템은 고장으로 인해 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정이 더 이상 유효하지 않는 경우에 백업(back-up)으로서 제공될 수 있거나, 시스템의 초기화를 위해 사용될 수 있다.
도 4a 내지 도 4f에서, 기판의 처리 사이클의 다양한 단계들에서의 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 위치설정 시스템의 평면도가 도시된다.
도 4a에서, 제 1 및 제 2 작동 영역(410, 420)이 (제 1 작동 영역에서 작동하는) 제 1 대상물 테이블(210) 및 (제 2 작동 영역에서 작동하는) 제 2 대상물 테이블(310)과 함께 도시된다. 제 1 작동 영역에서는, 레벨 센서(440)를 이용하여 측정 공정이 수행되어 대상물 테이블(310)에 장착된 기판(도시되지 않음)의 높이 맵을 얻을 수 있다. 제 2 작동 영역에서는, 참조 번호 430으로 개략적으로 나타낸 투영 시스템을 이용하여 대상물 테이블(210)에 장착된 기판(도시되지 않음)의 노광이 수행될 수 있다. 대상물 테이블들(210 및 310)에는 각각 제 1 위치 측정 시스템의 4 개의 센서들(450)이 제공되며, 이들은 예를 들어 기준[예를 들어, 투영 시스템(430) 또는 레벨 센서(440)]에 대한 대상물 테이블의 위치를 결정하기 위해 격자 또는 센서 타겟(도시되지 않음)과 상호작동하는 2D 인코더 기반 센서들일 수 있다. 더 나타낸 바와 같이, 제 1 및 제 2 대상물 테이블(210 및 310)에는 제 2 대상물 테이블에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하는 제 2 위치 측정 시스템(330.1, 330.2)이 제공된다. 도 4b 내지 도 4f는, 제 2 대상물 테이블(310)에 제공된 기판이 측정 작동 영역(420)으로부터 노광 작동 영역(410)으로 운반되는 통상적인 작동 순서를 나타낸다. 앞서 설명된 바와 같이, 두 작동 영역들 사이에서의 운반 동안 대상물 테이블(310)의 정확한 위치 제어가 이용가능하지 않을 수 있다는 것을 유의한다; 따라서, 도 4b 및 도 4c에 나타낸 바와 같은 대상물 테이블(310)의 전이를 가능하게 하도록 추가 위치 제어 시스템이 요구될 수 있다. 대상물 테이블들(310 및 210)이 도 4d에 나타낸 바와 같이 충분히 가까워지는 경우[즉, 상호작동하는 부재들(330.1 및 330.2)이 작동 범위 안으로 들어오는 경우], 제 1 대상물 테이블의 센서들(450)은 앞서 설명된 바와 같이 기준화 또는 영점화될 수 있다. 또한, 이러한 기준화 또는 영점화는 도 4e에 나타낸 다음 작동 단계 시에도 수행되며, 이로 인해 대상물 테이블들의 교환이 수행되어 투영 시스템(430) 아래에 있는 대상물 테이블 210을 대상물 테이블 310으로 교체할 수 있다는 것을 유의한다. 일반적으로, 이러한 교환은 두 대상물 테이블들 간의 동기화된 이동(synchronised movement)이어야 한다는 것을 유의한다. 하지만, 침지 리소그래피 장치의 경우, 이러한 동시 이동은 대상물 테이블과 투영 시스템 사이의 공간에 포함되는 침지 액체가 대상물 테이블들의 교환 시 공간에 포함된 채로 유지된다는 장점을 제공한다. 대상물 테이블들 간의 갭이 최소화되어, 공간으로부터의 액체의 누출을 최소화할 수 있다. 일단 교환이 수행되었으면, 대상물 테이블(210)은 측정 영역으로 운반되어 노광된 기판을 언로딩(unload)하고 다음 기판을 수용할 수 있다. 이러한 다음 기판이 예를 들어 레벨 센서(440)를 이용하여 측정되면, 도 4b 내지 도 4e에 도시된 바와 같은 사이클이 역순으로 반복될 수 있으며, 즉 대상물 테이블들은 반시계 방향으로 이동할 것이다.
초기화를 위해, 또는 제 1 대상물 테이블이 그 기준화를 잃게 하는 오류 또는 고장의 경우, 본 발명의 일 실시예에서 기준화 또는 영점화 시스템이 제공될 수 있다. 도 5에서, 이러한 영점화 시스템은 작동 영역(410)의 가장자리 또는 코너 부근에서 개략적으로 도시된다. 작동 영역(410)이, 제 1 위치설정 시스템이 높은 정확성으로 제 1 대상물 테이블 또는 제 2 대상물 테이블의 위치를 결정하여야 하는 영역인 경우, 영점화 시스템은 작동 영역(410) 외부에 있을 수 있다. 작동 영역(410) 외부에서, 제 1 대상물 테이블 또는 제 2 대상물 테이블의 위치는 낮은 정확성으로 제 1 위치설정 시스템에 의해 결정될 수 있다. 나타낸 바와 같은 기준화 시스템에서, 부재들 500.1은 대상물 테이블(210)에 장착되고, 부재들 500.2는 작동 영역(410)의 에지 부근에 배치된다. 일 실시예에서, 기준화 또는 영점화 시스템은 부재들(500.1)이 연결되는 대상물 테이블의 절대 위치 측정을, 바람직하게는 6 DOF로 제공할 수 있다. 이러한 시스템의 가능한 구현으로서, 부재들 500.1은 코너 큐브(corner cube)들과 같은 3 개의 2 DOF 타겟들을 포함할 수 있고, 여기에 (부재들 500.2의) 측정 빔들의 일 세트가 지향된다. 또한, 유사한 영점화 시스템(부재들 500.1)이 제 2 대상물 테이블(310)에 적용될 수도 있다(도시되지 않음). 기준화 시스템(500.1, 500.2)의 위치는 도 5에 나타낸 것과 같지 않아도 된다는 것을 유의한다. 오히려, 제 1 위치 측정 시스템의 기준화를 가능하게 하는 여하한의 위치가 적절히 적용될 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 예를 들어 시스템 500.1, 500.2와 유사한 또 다른 기준화 시스템이 제 2 작동 영역(420)에 적용되어 제 2 작동 영역의 제 1 위치 측정 시스템을 기준화하거나 영점화할 수 있다.
일 실시예에서, 영점화 시스템은 제 1 위치 측정 시스템의 일부분이다. 이 실시예에서, 제 1 위치 측정 시스템은 제 1 대상물 테이블 또는 제 2 대상물 테이블이 작동 영역(410)에 있는 경우, 기준에 대한 제 1 대상물 테이블 및 제 2 대상물 테이블의 증분 위치 측정을 제공할 수 있다. 또한, 제 1 위치 측정 시스템은 영점화 시스템을 이용함으로써 기준에 대한 제 1 대상물 테이블의 절대 위치를 제공할 수 있다.
추가적으로 또는 대안적으로, 또 다른 기준화 시스템이 제공될 수 있다. 또 다른 기준화 시스템은 개략적인 방식으로 도 6에 도시된다. 도 6은 위치 센서들 중 하나(200.1)를 나타낸다. 위치 센서(200.1)는 격자들 중 하나, 예를 들어 격자 100.2로 측정 빔(600)을 투영한다. 측정 빔(600)의 제어 하에, 위치 센서(200.1)는 격자(100.2)에 대한 위치 센서의 위치를 결정할 수 있다. 격자(100.2)에는 측정 빔(600)과 상호작용하는 격자 패턴(610)이 제공된다. 예를 들어, 격자 패턴(610)은 측정 빔(600)을 회절시킬 수 있다. 격자 패턴(610)은 반복적인 격자, 예를 들어 라인들의 패턴이며, 각각의 라인이 이웃하는 라인들과 동일한 두께 및 이웃하는 라인들에 대한 동일한 거리를 갖는다. 제 1 위치 측정 시스템의 기준화를 위해, 격자(100.2)에 기준화 피처(referencing feature: 620)가 제공된다. 기준화 피처(620)는 측정 빔(600)과 상호작용하는 피처 또는 피처들의 패턴이다. 예를 들어, 기준화 피처(620)는 격자 패턴(610)의 라인들과 상이한 폭을 갖는 라인을 갖는다. 폭은 격자 패턴(610)의 라인들의 폭보다 크거나 작을 수 있다. 기준화 피처(620)는 격자 패턴(610)의 라인들보다 짧거나 긴 라인을 가질 수 있다. 예를 들어, 기준화 피처(620)는 격자 패턴(610)의 두 라인들 간의 거리보다 격자 패턴(610)의 라인에 더 가까운 라인을 갖는다. 기준화 피처(620)는 반사성 또는 투과성인 라인을 가질 수 있다. 기준화 피처(620)는 격자 패턴(610) 상에 제공될 수 있으며, 또는 격자 패턴(610)과 별도로 제공될 수 있다. 기준화 피처(620)는 복수의 라인들을 가질 수 있다.
위치 센서(200.1)가 격자(100.2)에 대해 이동하는 경우, 측정 빔(600)이 격자 패턴(610) 상으로 투영된다. 격자 패턴(610)은 반복적인 격자이기 때문에, 위치 센서(200.1)에 의해 수용되는 측정 빔(600)의 세기가 예측될 수 있다. 일 예시가 도 7에 주어진다. 도 7은 위치 센서(200.1)에 의해 수용되는 측정 빔(600)의 세기(700.1)를 나타낸다. 세기(700.1)는 x1 위치 주위를 제외하고는 x-위치들의 범위에 걸쳐 일정하다. x1 위치에서, 세기(700.1)는 710.1의 값인 것으로 기대된다. 하지만, x1 위치에서의 기준화 피처(620)로 인해, 세기(700.1)가 더 낮은 값(720.1)으로 변화된다. 일 실시예에서, 세기(700.1)는 x1 위치에서 더 높은 값으로 변화된다. x1 위치에서의 세기(700.1)의 변화로 인해, 제 1 위치설정 시스템은 격자(100.2)에 대한 위치 센서(200.1)의 절대 위치를 결정할 수 있다. 세기(700.1)는 x-위치들의 범위에 걸친 일정한 값과 상이할 수 있다. 세기(700.1)의 라인들은 사인-형상(sine-shape)일 수 있으며, 또는 세기(720.1)의 변화가 결정될 수 있는 한 여하한의 다른 형상을 가질 수 있다.
기준화 피처(620)는 격자들(100.1, 100.2 및 100.3) 중 1 이상에 있을 수 있다. 예를 들어, 기준화 피처(620)는 제 1 대상물 테이블 및 제 2 대상물 테이블의 위치가 높은 정확성으로 제 1 위치 측정 시스템에 의해 결정되는 영역의 외부에 있다. 기준화 피처(620)는 기판 테이블(WT) 상으로 기판이 로딩되는 영역에 있거나, 이 영역에 가까울 수 있다. 다수 기준화 피처들(620), 예를 들어 각각의 위치 센서(200.1, 200.2, 300.1 및 300.2)에 대해 하나가 적용될 수 있다.
제 1 및 제 2 대상물 테이블들 간의 거리 또는 상대 위치를 측정하도록 적용되는 바와 같은 제 2 위치 측정 시스템에 대해, 다양한 선택사항들이 존재한다는 것이 주목할만하다. 제 1 예시로서, 용량성 센서들이 바람직하게는 6 DOF 구성으로 적용될 수 있다. 이러한 용량성 센서들은, 예를 들어 인코더 측정 시스템과 같은 증분 위치 측정 시스템을 기준화 또는 영점화하기에 충분한 10 내지 50 nm 범위의 위치 정확성을 가질 수 있다.
제 2 예시로서, 예를 들어 피조(Fizeau) 간섭계들 또는 결합 공동(coupled cavity) 간섭계들과 같은 간섭계들을 포함한 광학 센서들이 언급될 수 있다.
제 3 예시로서, 절대적 인코더 기반 위치 측정 시스템들의 사용이 언급될 수 있다.
앞선 실시예에서, 센서들(450)은 대상물 테이블들 상에 장착되고, 격자들(100.1, 100.2 및 100.3)은 기준 프레임, 예를 들어 메트롤로지 프레임(MF)에 장착된다. 대안적인 실시예에서, 센서들(450)은 메트롤로지 프레임(MF)에 장착된다. 메트롤로지 프레임(MF)은 실질적으로 정지상태, 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대해 정지상태일 수 있다. 대안적인 실시예에서, 격자들(100.1, 100.2, 100.3) 중 적어도 하나는 대상물 테이블에 장착된다. 격자는 대상물 테이블의 최상면의 에지에 장착될 수 있다. 격자는 대상물 테이블의 저면에 장착될 수 있다. 대상물 테이블의 저면 상의 격자는 실질적으로 기판의 크기를 가질 수 있으며, 또는 실질적으로 저면 전체를 덮을 수 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔뿐만 아니라, (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어들의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
앞선 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수 있다는 것을 분명히 알 것이다.

Claims (19)

  1. 리소그래피 장치 내에 대상물(object)을 위치시키는 위치설정 시스템(positioning system)에 있어서:
    작동 영역에서 이동가능한 제 1 대상물 테이블;
    상기 작동 영역에서 이동가능한 제 2 대상물 테이블;
    상기 작동 영역에 있는 경우, 기준(reference)에 대한 상기 제 2 대상물 테이블의 증분 위치 측정(incremental position measurement)을 제공하도록 구성된 제 1 위치 측정 시스템 -상기 제 1 위치 측정 시스템은 상기 기준에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정(absolute position measurement)을 제공하도록 구성됨- ; 및
    상기 제 2 대상물 테이블에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하도록 구성된 제 2 위치 측정 시스템
    을 포함하고, 상기 제 1 위치 측정 시스템은 상기 기준에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정 및 상기 제 2 대상물 테이블에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정에 기초하여, 상기 기준에 대한 상기 제 2 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하도록 더 구성되는 위치설정 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 위치 측정 시스템은 상기 기준에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 증분 위치 측정을 제공하도록 더 구성되는 위치설정 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 위치 측정 시스템은, 상기 작동 영역에 있는 경우 상기 기준에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정 및 상기 제 2 대상물 테이블의 증분 위치 측정을 결정하기 위해, 상기 기준에 장착된 센서 어레이, 상기 제 1 대상물 테이블에 장착된 제 1 센서 타겟, 및 상기 제 2 대상물 테이블에 장착된 제 2 센서 타겟을 포함하는 위치설정 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 위치 측정 시스템은 인코더 기반 측정 시스템을 포함하는 위치설정 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 위치 측정 시스템은 용량성 측정 시스템을 포함하는 위치설정 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 위치 측정 시스템은 6 DOF 측정 시스템인 위치설정 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 위치 측정 시스템은 상기 작동 영역에 있는 경우 상기 기준에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하기 위해 상기 제 1 대상물 테이블에 장착된 제 1 센서 및 상기 기준에 장착된 센서 타겟을 포함하고, 상기 제 1 위치 측정 시스템은 상기 제 2 대상물 테이블의 증분 위치 측정을 제공하기 위해 상기 센서 타겟과 상호작동하는 상기 제 2 대상물 테이블에 장착된 제 2 센서를 포함하는 위치설정 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기준에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하는 기준화 시스템(referencing system)을 더 포함하는 위치설정 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 위치 측정 시스템에는 상기 기준에 대한 상기 제 1 대상물 테이블 및 상기 제 2 대상물 테이블 중 하나의 절대 위치를 결정하기 위해 기준 피처(reference feature)가 제공되는 위치설정 시스템.
  10. 리소그래피 장치에 있어서:
    패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;
    기판 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 투영 시스템;
    상기 기판을 유지하는 기판 테이블; 및
    제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 위치설정 시스템
    을 포함하는 리소그래피 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 대상물 테이블 및 상기 제 2 대상물 테이블 중 적어도 하나는 상기 기판 테이블을 포함하고, 상기 기준은 상기 투영 시스템에 연결되는 리소그래피 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 위치 측정 시스템은 교환(swap) 동안 상기 제 2 대상물 테이블에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 제공하도록 구성되고, 상기 교환 시 상기 투영 시스템 아래의 상기 제 1 대상물 테이블 및 제 2 대상물 테이블 중 하나가 상기 제 1 대상물 테이블 및 제 2 대상물 테이블 중 다른 하나와 교환되는 리소그래피 장치.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 대상물 테이블 및 제 2 대상물 테이블 중 적어도 하나는 측정 테이블을 포함하는 리소그래피 장치.
  14. 제 1 대상물 테이블 및 제 2 대상물 테이블을 포함한 리소그래피 장치에서 기준에 대한 상기 제 2 대상물 테이블의 절대 위치를 결정하는 방법에 있어서:
    상기 기준에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 얻는 단계;
    상기 기준에 대한 상기 제 2 대상물 테이블의 증분 위치 측정을 얻는 단계;
    상기 제 2 대상물 테이블에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 얻는 단계; 및
    상기 기준에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정 및 상기 제 2 대상물 테이블에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정에 기초하여, 상기 기준에 대한 상기 제 2 대상물 테이블의 절대 위치를 결정하는 단계
    를 포함하는 방법.
  15. 제 1 대상물 테이블 및 제 2 대상물 테이블을 포함하는 리소그래피 장치를 이용하여 디바이스를 제조하는 방법에 있어서,
    기판 테이블에 장착된 기판을 위치설정하는 단계 - 상기 제 2 대상물 테이블은 위치설정될 상기 기판 테이블을 포함하고, 상기 기판을 위치설정하는 단계는,
    기준에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 얻는 단계;
    상기 기준에 대한 상기 제 2 대상물 테이블의 증분 위치 측정을 얻는 단계;
    상기 제 2 대상물 테이블에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정을 얻는 단계; 및
    상기 기준에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정 및 상기 제 2 대상물 테이블에 대한 상기 제 1 대상물 테이블의 절대 위치 측정에 기초하여, 상기 기준에 대한 상기 제 2 대상물 테이블의 절대 위치를 결정하는 단계를 포함함 -; 및
    상기 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계
    를 포함하는 디바이스를 제조하는 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016136691A1 (ja) 2015-02-23 2016-09-01 株式会社ニコン 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法
EP3264030B1 (en) * 2015-02-23 2020-07-22 Nikon Corporation Measurement device, lithography system and exposure device, and device manufacturing method
CN107250915B (zh) 2015-02-23 2020-03-13 株式会社尼康 测量装置、光刻系统及曝光装置、以及管理方法、重迭测量方法及组件制造方法
CN105427288B (zh) * 2015-11-10 2018-05-29 凌云光技术集团有限责任公司 一种机器视觉对位系统的标定方法及装置
EP3859448A1 (en) * 2020-01-28 2021-08-04 ASML Netherlands B.V. Positioning device and method to use a positioning device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070263197A1 (en) 2006-05-09 2007-11-15 Asml Nethlerlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
JP2008306099A (ja) 2007-06-11 2008-12-18 Canon Inc ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07190741A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 測定誤差補正法
JP2002195819A (ja) 2000-12-27 2002-07-10 Nikon Corp 形状測定方法、形状測定装置、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2005327993A (ja) 2004-05-17 2005-11-24 Canon Inc 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法
US7525638B2 (en) 2005-03-23 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4410216B2 (ja) * 2005-05-24 2010-02-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． ２ステージ・リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
EP1918983A4 (en) 2005-08-05 2010-03-31 Nikon Corp STAGE EQUIPMENT AND EXPOSURE DEVICE
KR100741355B1 (ko) * 2006-10-02 2007-07-20 인하대학교 산학협력단 인지 가중 필터를 이용한 전처리 방법
EP2132600B1 (en) 2007-03-27 2012-01-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Split axes stage design for semiconductor applications
JP2008306140A (ja) 2007-06-11 2008-12-18 Canon Inc ステージ装置及び露光装置並びに製造方法
NL1036180A1 (nl) 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method.
JP2009295932A (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2011054694A (ja) 2009-08-31 2011-03-17 Canon Inc 計測装置、露光装置およびデバイス製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070263197A1 (en) 2006-05-09 2007-11-15 Asml Nethlerlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
JP2008306099A (ja) 2007-06-11 2008-12-18 Canon Inc ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法

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Publication number Publication date
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JP2016502070A (ja) 2016-01-21
KR20150079805A (ko) 2015-07-08
US9470988B2 (en) 2016-10-18
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