JPWO2014181858A1 - 光学素子、投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
光学素子は、基材と、基材上に配置され、第一層と第一層上に配置された第二層とを有する単位積層構造が複数積層された多層膜と、単位積層構造同士の層間のうち互いに異なる層間に配置された複数のスペーサ層とを備える。
Description
本発明は、光学素子、投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
本願は、2013年5月9日に出願された特願2013−99216号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、2013年5月9日に出願された特願2013−99216号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、露光光として極端紫外(EUV:Extreme Ultra-Violet)光を用いるEUV露光装置が案出されている。EUV露光装置の投影光学系には、入射した光の少なくとも一部を反射可能な多層膜を有する多層膜反射鏡などの光学素子が用いられる。
このような多層膜として、例えば等周期多層膜が知られている。この等周期多層膜は、EUV光に対して高い反射率を有することが知られている。等周期多層膜は、第一層(例、モリブデン層)と第二層(例、シリコン層)が等周期に積層形成された構成を有している。一方、高い解像度を得るため投影光学系のNAを大きくすると、EUV光の光線がより広い入射角範囲にわたって入射する。このため、光学系には広い入射角範囲で入射するEUV光を反射することが求められる。しかし、例えば等周期構造を有する多層膜は、EUV光の波長(例、13.5nm)付近の光が広い入射角範囲で入射する場合に広い角度範囲で均一な反射率を得ることが困難であった。
これに対して、広い入射角範囲で入射する波長範囲に対応するために広帯域膜が提案されている。このような広帯域膜としては、例えば層厚が層ごとに異なっている不等周期膜構造が知られている。等周期構造においては膜構造のパラメータは1周期構造の膜厚、及び、第一層と第二層の膜厚比、の2つであるが、不等周期構造膜の場合、数十層すべての層厚がパラメータとなる。
EUV光学系では反射特性を高い精度で調整することが求められるため、多層膜を成膜するにあたっては、実際に成膜した多層膜の反射特性を評価し、その後、多層膜の膜構造の修正及び調整を行って目標の特性に近づけていくようにしている。この点、等周期構造を有する多層膜を成膜する場合には、膜構造パラメータは第一層及び第二層の2つに限られているため反射特性の修正及び調整は容易である。
しかしながら、不等周期構造多層膜の場合は、目標とする反射特性と成膜した多層膜を実測した特性との差がどの層の厚さの違いによるものなのかを明らかにすることは容易ではなく、最終的に目標とした反射特性に近づけるためには何度もの調整が必要となっていた。このため、膜構造の修正及び調整が容易な多層膜が求められていた。
本発明の態様は、広い角度範囲で実質的に一定の反射率を得ることが可能であり、膜構造の修正及び調整が容易な多層膜を有する光学素子、投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第一の態様に従えば、基材と、前記基材上に配置され、第一層と前記第一層上に配置された第二層とを有する単位積層構造が複数積層された多層膜と、前記単位積層構造同士の層間のうち互いに異なる層間に配置された複数のスペーサ層とを備える光学素子が提供される。
本発明の第二の態様に従えば、複数の反射素子を有し、第一面の像を第二面に投影する投影光学系であって、前記複数の反射素子の少なくとも一つとして、本発明の第一の態様に従う光学素子が用いられている投影光学系が提供される。
本発明の第三の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置であって、本発明の第一の態様に従う光学素子を備える露光装置が提供される。
本発明の第四の態様に従えば、本発明の第三の態様に従う露光装置を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することとを含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の態様によれば、広い角度範囲で実質的に一定の反射率を得ることが可能であり、膜構造の修正及び調整が容易な多層膜を有する光学素子、投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法を提供することができる。
[光学素子]
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
図1は、本実施形態に係る光学素子100の一例を示す模式図である。本実施形態では、光学素子100として、多層膜反射鏡を例に挙げて説明する。図1において、光学素子100は、基材Sと、基材S上に交互に積層された第一層10及び第二層20を含み、入射された光ELの少なくとも一部を反射可能な多層膜50とを備えている。
本実施形態において、多層膜50に入射する光ELは、極端紫外光を含む。極端紫外光は、例えば波長11〜14nm程度の軟X線領域の電磁波である。極端紫外光は、多層膜50で反射される。以下の説明において、極端紫外光を適宜、EUV光、と称する。
なお、多層膜50に入射する光ELが、5〜50nm程度の軟X線領域の電磁波でもよいし、5〜20nm程度の電磁波でもよい。また、光ELは、193nm以下の波長の電磁波でもよい。例えば、光ELが、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)でもよい。
基材Sは、例えば超低膨張ガラスで形成される。基材Sとして、例えばコーニング社製ULE、ショット社製Zerodur(登録商標)等が用いられる。
多層膜50は、所定の周期長dで交互に積層された第一層10及び第二層20を含む。周期長dとは、第一層10の厚さd1と第二層20の厚さd2との和(d1+d2)をいう。光干渉理論に基づいて、第一層10と第二層20との各界面で反射した反射波の位相が一致するように、第一層10の厚さd1及び第二層20の厚さd2のそれぞれが設定される。
以下の説明において、1組の第一層10と第二層20とを適宜、単位積層構造30、と表記する。本実施形態においては、1つの単位積層構造30に関して、第一層10が第二層20に対して基材S側(図中、−Z側)に配置される。第一層10及び第二層20を有する単位積層構造30が基材S上に積層されることによって、いわゆる等周期構造の多層膜50が形成される。
基材S上には、例えば数十〜数百組の単位積層構造30が積層される。一例として、本実施形態においては、基材S上に50組の単位積層構造30が積層されている。
第一層10は、EUV光に対する屈折率と真空の屈折率との差が大きい物質で形成されている。第二層20は、EUV光に対する屈折率と真空の屈折率との差が小さい物質で形成されている。本実施形態においては、第一層(重原子層)10は、モリブデン(Mo)で形成される。第二層(軽原子層)20は、シリコン(Si)で形成される。すなわち、本実施形態の多層膜50は、モリブデン層(Mo層)とシリコン層(Si層)とを交互に積層したMo/Si多層膜である。
真空の屈折率n=1である。また、例えば波長13.5nmのEUV光に対するモリブデンの屈折率nMo=0.92であり、シリコンの屈折率nSi=0.998である。このように、第二層20は、EUV光に対する屈折率が真空の屈折率と実質的に等しい物質で形成される。
また、多層膜50は、スペーサ層40を含む。スペーサ層40は、単位積層構造30同士の間に配置されている。多層膜50には、複数の単位積層構造30が積層されている。
したがって、多層膜50には、このような単位積層構造30同士の間に相当する位置(層間位置)が複数設けられることになる。本実施形態では、複数のスペーサ層40は、このような複数の層間位置(単位積層構造30同士の間に相当する位置)のうち、異なる層間位置にそれぞれ配置されている。
換言すれば、複数のスペーサ層40のうち第1のスペーサ層は、複数の層間位置のうち第1の層間位置に配置され、複数のスペーサ層40のうち第1のスペーサ層とは異なる第2のスペーサ層は、複数の層間位置のうち第1の層間位置とは異なる第2の層間位置に配置される。第1のスペーサ層は、1つの単位積層構造30とその次の単位積層構造30との間に配置され、第2のスペーサ層は、別の1つの単位積層構造30とその次の単位積層構造30との間に配置される。基材Sの表面からの距離は、第1のスペーサ層と第2のスペーサ層との間で異なる。例えば、第1のスペーサ層に比べて、第2のスペーサ層は、基材Sの表面から離れた位置に配置される。同様に、必要に応じて、第3のスペーサ層、第4のスペーサ層・・・を設けることができる。
したがって、多層膜50には、このような単位積層構造30同士の間に相当する位置(層間位置)が複数設けられることになる。本実施形態では、複数のスペーサ層40は、このような複数の層間位置(単位積層構造30同士の間に相当する位置)のうち、異なる層間位置にそれぞれ配置されている。
換言すれば、複数のスペーサ層40のうち第1のスペーサ層は、複数の層間位置のうち第1の層間位置に配置され、複数のスペーサ層40のうち第1のスペーサ層とは異なる第2のスペーサ層は、複数の層間位置のうち第1の層間位置とは異なる第2の層間位置に配置される。第1のスペーサ層は、1つの単位積層構造30とその次の単位積層構造30との間に配置され、第2のスペーサ層は、別の1つの単位積層構造30とその次の単位積層構造30との間に配置される。基材Sの表面からの距離は、第1のスペーサ層と第2のスペーサ層との間で異なる。例えば、第1のスペーサ層に比べて、第2のスペーサ層は、基材Sの表面から離れた位置に配置される。同様に、必要に応じて、第3のスペーサ層、第4のスペーサ層・・・を設けることができる。
複数のスペーサ層40は、それぞれ等しい層厚d4を有している。層厚d4は、それぞれ単位積層構造30の厚さ(周期長)に応じた寸法に形成されている。具体的には、層厚d4は、単位積層構造30の周期長dの1/3〜2/3程度の寸法、あるいは、この寸法に周期長dの光学的厚さに等しい寸法を加えた寸法となっている。また、好ましくは、単位積層構造30の周期長dの2/5〜3/5程度の寸法、あるいは、この寸法に周期長dの光学的厚さに等しい寸法を加えた層厚となっている。このように、スペーサ層40は、単位積層構造30の厚さに応じた厚さに形成されている。
本実施形態では、多層膜50は、複数の単位積層構造30と複数のスペーサ層40とで構成され、層厚Daを有する。基材Sと多層膜50との界面から多層膜50の表面までの距離は、多層膜50の層厚Daに等しい。
本実施形態では、多層膜50は、複数の単位積層構造30と複数のスペーサ層40とで構成され、層厚Daを有する。基材Sと多層膜50との界面から多層膜50の表面までの距離は、多層膜50の層厚Daに等しい。
多層膜50は、複数のスペーサ層40を有することにより、複数のスペーサ層40によって、複数の等周期ブロック(積層構造)60に分割されている。等周期ブロック60は、複数の単位積層構造30を有する構造体である。本実施形態では、複数のスペーサ層40により、複数の等周期ブロック60が形成されている。
スペーサ層40は、多層膜50によって反射されるEUV光の波長において、多層膜50を構成する物質より消衰係数が小さい物質を含んでいる。このような物質としては、例えば、C、B、Si、Zr、Nb、Ruなどの物質や、その化合物などが挙げられる。本実施形態では、スペーサ層40が消衰係数に優れたSiによって形成された構成となっている。なお、スペーサ層40がSiによって形成される場合、同じくSiによって形成される第二層20上に同一材料の層が形成されることになる。したがって、第二層20を形成する際のSi膜の厚さを、第二層20の厚さとスペーサ層40の厚さとの和となるようにSi膜を形成することにより、第二層20とスペーサ層40とが同一工程で形成されるようになっている。
次に、多層膜50に含まれるスペーサ層40の個数と、多層膜50で反射される光(無偏光)の入射角度依存性との関係について説明する。
図2は、5種類の多層膜について、スペーサ層40の個数(膜厚)と等周期ブロック60に含まれる単位積層構造30の個数とを対比させて示す表である。
図2は、5種類の多層膜について、スペーサ層40の個数(膜厚)と等周期ブロック60に含まれる単位積層構造30の個数とを対比させて示す表である。
多層膜1〜多層膜5は、それぞれMo(モリブデン)層及びSi(シリコン)層からなる等周期構造を有する多層膜である。等周期構造におけるMo層の厚さは3.0nm、Si層の厚さは4.5nmである。多層膜1〜多層膜5は、例えばMo層とSi層の間に界面拡散層が生成されない理想的な構造であるとしている。また、スペーサ層の構成材料としてSiが用いられている。
図2に示すように、多層膜1は、スペーサ層を含まない。このため、多層膜1は等周期ブロックを1つ含んでいる。また、等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は50である。
多層膜2は、スペーサ層を1層含んでいる。このため、多層膜2は、等周期ブロックを2つ含んでいる。多層膜2のうち表面側の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、30である。また、基材S側に配置される等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、8である。また、スペーサ層の層厚は、3.8nmである。
多層膜3は、スペーサ層を2層含んでいる。このため、多層膜3は、等周期ブロックを3つ含んでいる。多層膜3のうち表面側の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、25である。また、多層膜3のうち上層側から2つ目の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、12である。また、基材S側に配置される等周期ブロックの総数は、6である。また、2つのスペーサ層の層厚は、共に3.7nmである。
多層膜4は、スペーサ層を3層含んでいる。このため、多層膜4は、等周期ブロックを4つ含んでいる。多層膜4のうち表面側の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、20である。また、多層膜4のうち上層側から2つ目の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、9である。また、多層膜4のうち上層側から3つ目の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、6である。また、基材S側に配置される等周期ブロックの総数は、2である。また、3つのスペーサ層の層厚は、共に3.6nmである。
多層膜5は、スペーサ層を4層含んでいる。このため、多層膜5は、等周期ブロックを5つ含んでいる。多層膜5のうち表面側の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、17である。また、多層膜5のうち上層側から2つ目の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、8である。また、多層膜5のうち上層側から3つ目の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、8である。また、多層膜5のうち上層側から4つ目の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、6である。また、基材S側に配置される等周期ブロックの総数は、2である。また、4つのスペーサ層の層厚は、共に3.6nmである。
図3は、図2に示す5種類の多層膜1〜多層膜5について、光(無偏光)が入射する際の入射角と反射率との関係を示すグラフである。グラフの横軸は入射角(単位は°)であり、グラフの横軸は反射率(単位は%)である。また、図4は、多層膜に含まれるスペーサの総数と、ピーク反射率の9割が得られる角度幅との関係を示すグラフである。グラフの横軸はスペーサ総数であり、グラフの縦軸は角度幅(単位は°)である。
図3に示すように、多層膜1は、入射角が22°程度のときに反射率が実質的に最大(70%程度)となる。一方、多層膜1は、入射角が22°よりも小さくなるにつれて、また、入射角が22°よりも大きくなるにつれて、徐々に反射率が低下している。また、図4に示すように、ピーク反射率の9割が得られる角度幅は、約4°となっている。
また、多層膜2は、入射角が20°〜22°程度の場合に反射率が実質的に最大(62%程度)となる。一方、多層膜2は、入射角が20°よりも小さくなるにつれて、また、入射角が22°よりも大きくなるにつれて、徐々に反射率が低下している。このように、多層膜2は、入射角が20°〜22°において実質的に一定の反射率を維持している。多層膜2は、反射率の最大値自体は多層膜1よりも小さいものの、反射率が実質的に最大となる入射角の範囲が多層膜1に比べて広くなっている。また、図4に示すように、ピーク反射率の9割が得られる角度幅は、約5.5°となっている。
また、多層膜3は、入射角が18°〜23°程度の場合に反射率が実質的に最大(58%程度)となる。一方、多層膜3は、入射角が18°よりも小さくなるにつれて、また、入射角が23°よりも大きくなるにつれて、徐々に反射率が低下している。このように、多層膜3は、入射角が18°〜23°において実質的に一定の反射率を維持している。多層膜3は、反射率の最大値自体は多層膜1や多層膜2よりも小さいものの、反射率が実質的に最大となる入射角の範囲が多層膜1及び多層膜2に比べて広くなっている。また、図4に示すように、ピーク反射率の9割が得られる角度幅は、約7.5°となっている。
また、多層膜4は、入射角が17°〜24°程度の場合に反射率が実質的に最大(50%程度)となる。一方、多層膜4は、入射角が17°よりも小さくなるにつれて、また、入射角が24°よりも大きくなるにつれて、徐々に反射率が低下している。このように、多層膜4は、入射角が17°〜24°において実質的に一定の反射率を維持している。多層膜4は、反射率の最大値自体は多層膜1〜多層膜3よりも小さいものの、反射率が実質的に最大となる入射角の範囲が多層膜1〜多層膜3に比べて広くなっている。また、図4に示すように、ピーク反射率の9割が得られる角度幅は、約9°となっている。
また、多層膜5は、入射角が15°〜26°程度の場合に反射率が実質的に最大(40〜45%程度)となる。一方、多層膜5は、入射角が15°よりも小さくなるにつれて、また、入射角が26°よりも大きくなるにつれて、徐々に反射率が低下している。このように、多層膜5は、入射角が15°〜26°において実質的に一定の反射率を維持している。多層膜5は、反射率の最大値自体は多層膜1〜多層膜4よりも小さいものの、反射率が実質的に最大となる入射角の範囲が多層膜1〜多層膜4に比べて広くなっている。また、図4に示すように、ピーク反射率の9割が得られる角度幅は、約13°となっている。
図2〜図4に示すように、多層膜50に挿入するスペーサ層40を2層以上にすることにより、多層膜50において光反射率の最大値に対して一定割合以上の光反射率が得られる入射角度の範囲が拡がることになる。また、スペーサ層40の数が増えるに従って多層膜50のピーク反射率は低下するものの、反射率の変動が1割以下の実質的に一定の反射率が得られるような入射角の角度幅は大幅に増大する。なお、入射角の角度範囲を更に広げる場合には、挿入するスペーサ層40の数を増やせばよい。
上記のように構成された多層膜50を成膜する場合、まず多層膜50を実際に成膜する。そして、成膜した多層膜50の反射特性を評価し、その後、多層膜50の膜構造の修正及び調整を行って目標の特性に近づけるようにする。
本実施形態では、多層膜50は、複数の等周期ブロック60の間に層厚d4の複数のスペーサ層40が挿入された構造である。したがって、多層膜50の構造を決めるパラメータは、等周期ブロック60に含まれる第一層10及び第二層20の厚さd1、d2と、スペーサ層40の厚さd4の3つだけである。このため、この3つのパラメータを調整すればよいため、目標とする反射特性を得るための調整が容易となる。
等周期ブロック60の調整を行う場合、例えば、総数が40〜50の単位積層構造30を成膜し、その反射率ピーク角度位置を実測すればよい。また、等周期ブロック60自体の調整は周期長dの調整のみで済むため容易である。
等周期ブロック60の調整を終えた後、スペーサ層40の厚さを調整する。スペーサ層40を挿入した多層膜50を成膜して目標とする特性に合わせ込んでいくことで目標の反射特性に近づけることができる。
図5は、図2に示す多層膜4と同一構成の多層膜に光(無偏光)が入射する際の入射角と反射率との関係を示すグラフである。
図5に示すように、多層膜4に含まれるスペーサ層の厚さが3.6nmの場合、所定の入射角の範囲において実質的に一定の反射率(50%程度)となる。一方、スペーサ層の厚さを3.4nmとした場合、上記範囲のうち高入射角側の反射率が大きくなり(53%程度)、低入射角側の光反射率が小さくなる(47%程度)。
図5に示すように、多層膜4に含まれるスペーサ層の厚さが3.6nmの場合、所定の入射角の範囲において実質的に一定の反射率(50%程度)となる。一方、スペーサ層の厚さを3.4nmとした場合、上記範囲のうち高入射角側の反射率が大きくなり(53%程度)、低入射角側の光反射率が小さくなる(47%程度)。
図5に示すように、スペーサ層40の厚さのズレは、反射率のピーク部分の傾きに影響する。このため、目標とする反射率の角度分布を得るため、スペーサ層40の膜厚をどのように調整すれば良いかは、図5に示すような反射率の評価結果を用いて容易に判断することができる。
また、入射光を無偏光ではなくS偏光、P偏光とした場合、光の入射角と多層膜50の反射率との関係が異なってくる。図6〜図8は、無偏光、S偏光、P偏光を多層膜50に入射させた場合の入射角度と反射率との関係を示すグラフである。グラフの横軸は入射角度(単位は°)であり、グラフの縦軸は反射率(単位は%)である。
図6に示される特性は、上記の多層膜4と同一構成において、スペーサ層40の厚さを3.6nmとした場合の特性である。
図6に示すように、スペーサ層40の厚さを3.6nmとした場合、無偏光の光を多層膜50に入射することにより、所定の角度範囲(例、15°〜25°)において実質的に一定の反射率(50%程度)が得られる。
図6に示すように、スペーサ層40の厚さを3.6nmとした場合、無偏光の光を多層膜50に入射することにより、所定の角度範囲(例、15°〜25°)において実質的に一定の反射率(50%程度)が得られる。
図7に示される特性は、上記の多層膜4と同一構成において、スペーサ層40の厚さを4.0nmとした場合の特性である。
図7に示すように、スペーサ層40の厚さを4.0nmとした場合、S偏光の光を多層膜50に入射することにより、所定の角度範囲(例、15°〜25°)において実質的に一定の反射率(60%程度)が得られる。なお、S偏光を多層膜50に入射した場合、無偏光の場合に比べて、得られる反射率が高くなる。
図7に示すように、スペーサ層40の厚さを4.0nmとした場合、S偏光の光を多層膜50に入射することにより、所定の角度範囲(例、15°〜25°)において実質的に一定の反射率(60%程度)が得られる。なお、S偏光を多層膜50に入射した場合、無偏光の場合に比べて、得られる反射率が高くなる。
図8に示される特性は、上記の多層膜4と同一構成において、スペーサ層40の厚さを3.3nmとした場合の特性である。
図8に示すように、スペーサ層40の厚さを3.3nmとした場合、P偏光の光を多層膜50に入射することにより、所定の角度範囲(例、15°〜25°)において実質的に一定の反射率(40%程度)が得られる。
このように、入射光の偏光に応じた設計が可能となる。
図8に示すように、スペーサ層40の厚さを3.3nmとした場合、P偏光の光を多層膜50に入射することにより、所定の角度範囲(例、15°〜25°)において実質的に一定の反射率(40%程度)が得られる。
このように、入射光の偏光に応じた設計が可能となる。
次に、複数のスペーサ層40を多層膜50に挿入することにより、広い角度範囲で一定の反射率が得られる理由を説明する。
図9は、4種類の多層膜(多層膜A〜多層膜D)についての反射率を示したものである。
図9は、4種類の多層膜(多層膜A〜多層膜D)についての反射率を示したものである。
多層膜Aは、スペーサ層を含まない。このため、多層膜Aは等周期ブロックを1つ含んでいる。また、等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は20である。
多層膜Bは、スペーサ層を1層含んでいる。このため、多層膜Bは、等周期ブロックを2つ含んでいる。多層膜Bのうち表面側の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、20である。また、基材S側に配置される等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、9である。また、スペーサ層の層厚は、3.6nmである。
多層膜Cは、スペーサ層を2層含んでいる。このため、多層膜Cは、等周期ブロックを3つ含んでいる。多層膜Cのうち表面側の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、20である。また、多層膜Cのうち上層側から2つ目の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、9である。また、基材S側に配置される等周期ブロックの総数は、6である。また、2つのスペーサ層の層厚は、共に3.6nmである。
多層膜Dは、スペーサ層を3層含んでいる。このため、多層膜Dは、等周期ブロックを4つ含んでいる。多層膜Dのうち表面側の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、20である。また、多層膜Dのうち上層側から2つ目の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、9である。また、多層膜Dのうち上層側から3つ目の等周期ブロックに含まれる単位積層構造の総数は、6である。また、基材S側に配置される等周期ブロックの総数は、2である。また、3つのスペーサ層の層厚は、共に3.6nmである。
以下、多層膜A〜Dについて、上記多層膜50の構成に対応する構成については、同一の符号を付して説明する。図9に示すように、多層膜Aは、一般的な等周期多層膜の反射率特性と同様の反射率特性が得られる。多層膜Bは、多層膜Aにスペーサ層40を挟んで9つの単位積層構造30を基材Sとの間に挿入することで形成される。多層膜Bは、多層膜Aに比べて、ピーク角度付近の反射率が低下すると共に、その周辺の反射率が上昇する。
この現象について説明する。多層膜が等周期構造の場合、ピーク角度(例、21.3°)付近では最表面から最も基材Sに近い界面まですべての界面からの反射光の位相が揃っている。このため、単位積層構造30の数が増えるほど反射率は上昇する。ただし、EUV光ではすべての物質が吸収を有するため反射に寄与する層数には上限がある。一例として、波長13.5nm付近のEUV光をMo/Si多層膜に入射させる場合、単位積層構造30の総数は50程度が限界となる。
単位積層構造30の間に厚さ3.6nmのスペーサ層40が挟まれた場合、スペーサ層40の上下で反射波の位相が180°ずれる。よって、基材S側に等周期ブロック60(9つの単位積層構造30)が挿入されることにより、位相の反転した反射波が重なり合うことになりピーク反射率が低下する。
ピークの周辺の入射角度(17°付近と24°付近)では、各界面の反射波の位相は完全には一致しておらず、単位積層構造30の数が増えていくと、位相のずれは大きくなる。そして、単位積層構造30の数がある数を超えると、反射率は低下に転じる。しかし、スペーサ層40を挟んで挿入された等周期ブロック60(9つの単位積層構造30)とは位相が揃うようになり、反射率は上昇する。
このように、スペーサ層40を挟んで等周期ブロック60を加えることにより、反射光位相が揃うことになる。このときスペーサ層40は、多層膜50によって反射される光の位相のずれを調整する調整層として用いられる。また、等周期ブロック60を加えた場合、反射光の位相が揃うことで反射率が上昇する入射角や、反射光の位相がずれることで反射率が低下する入射角が存在する。したがって、更にスペーサ層40を挟んで等周期ブロック60を挿入することにより、所定の角度範囲において反射率のバランスをとることができ、最終的に広い角度範囲で実質的に一定の反射率を得ることが可能となる。
以上のように、本実施形態によれば、基材Sと、基材S上に配置され、第一層10と第一層10上に配置された第二層20とを有する単位積層構造30が複数積層された多層膜50と、単位積層構造30同士の層間のうち互いに異なる層間に配置された複数のスペーサ層40とを備えるため、広い角度範囲で実質的に一定の反射率を得ることが可能であり、膜構造の修正及び調整が容易な多層膜を有する光学素子100が得られる。
[露光装置]
図10は、本実施形態に係る露光装置EXの一例を示す図である。本実施形態の露光装置EXは、EUV光で基板Pを露光するEUV露光装置である。上述した光学素子100が、本実施形態に係るEUV露光装置EXの光学系として用いられる。
図10は、本実施形態に係る露光装置EXの一例を示す図である。本実施形態の露光装置EXは、EUV光で基板Pを露光するEUV露光装置である。上述した光学素子100が、本実施形態に係るEUV露光装置EXの光学系として用いられる。
図10において、露光装置EXは、マスクMを保持しながら移動可能なマスクステージ111と、露光光ELが照射される基板Pを保持しながら移動可能な基板ステージ112と、EUV光を含む光(露光光)ELを発生する光源装置113と、光源装置113から射出される露光光ELでマスクステージ111に保持されているマスクMを照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、少なくとも露光光ELが通過する所定空間を形成し、その所定空間を真空状態(例えば、1.3×10−3Pa以下)にする真空システムを有するチャンバ装置VCとを備えている。
基板Pは、半導体ウエハ等の基材上に感光膜が形成されたものを含む。マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態では、露光光ELとしてEUV光が用いられ、マスクMは、EUV光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。反射型マスクの多層膜は、例えばMo/Si多層膜、Mo/Be多層膜を含む。露光装置EXは、多層膜が形成されたマスクMの反射面(パターン形成面)を露光光ELで照明し、そのマスクMで反射した露光光ELの反射光で基板Pを露光する。
本実施形態の光源装置113は、レーザ励起型プラズマ光源装置であって、レーザ光を射出するレーザ装置115と、キセノンガス等のターゲット材料を供給する供給部材116とを含む。レーザ装置115は、赤外領域及び可視領域の波長のレーザ光を発生する。
レーザ装置115は、例えば半導体レーザ励起によるYAGレーザ、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ等を含む。
レーザ装置115は、例えば半導体レーザ励起によるYAGレーザ、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ等を含む。
また、光源装置113は、レーザ装置115から射出されたレーザ光を集光する第一集光光学系117を備えている。第一集光光学系117は、レーザ装置115から射出されたレーザ光を位置119に集光する。供給部材116は、位置119にターゲット材料を供給する供給口を有する。第一集光光学系117で集光されたレーザ光は、供給部材116から供給されるターゲット材料に照射される。レーザ光が照射されたターゲット材料は、レーザ光のエネルギーによって高温になり、プラズマ状態に励起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際に、EUV光を含む光を発生する。なお、光源装置113は、放電型プラズマ光源装置でもよい。
光源装置113は、極端紫外領域のスペクトルを有する光(EUV光)を発生する。露光装置EXは、位置119の周囲に配置された第二集光ミラー118を備えている。第二集光ミラー118は、楕円鏡を含む。楕円鏡を含む第二集光ミラー118は、その第一焦点と位置119とが実質的に一致するように配置されている。
第二集光ミラー118により第二焦点に集光されたEUV光(露光光)ELは、照明光学系ILに供給される。照明光学系ILは、光源装置113からの露光光ELが供給される複数の光学素子120、121、122、123、124を含み、光源装置113からの露光光ELでマスクMを照明する。照明光学系ILの光学素子120、121、122、123、124の少なくとも一つが、上述した光学素子100でもよい。
照明光学系ILの光学素子120は、コリメータミラーとして機能する第三集光ミラーであって、第二集光ミラー118からの露光光ELが供給される。第二集光ミラー118からの露光光ELは、第三集光ミラー120に導かれる。
第三集光ミラー120は、放物面鏡を含む。第三集光ミラー120は、その焦点と第二集光ミラー118の第二焦点とが実質的に一致するように配置されている。
また、照明光学系ILは、オプティカルインテグレータ125を有する。本実施形態において、オプティカルインテグレータ125は、反射型フライアイミラー光学系を含む。
反射型フライアイミラー光学系125は、入射側フライアイミラー121及び射出側フライアイミラー122を含む。第三集光ミラー120は、露光光ELを、実質的にコリメートした状態で、フライアイミラー光学系125の入射側フライアイミラー121に供給する。
反射型フライアイミラー光学系125は、入射側フライアイミラー121及び射出側フライアイミラー122を含む。第三集光ミラー120は、露光光ELを、実質的にコリメートした状態で、フライアイミラー光学系125の入射側フライアイミラー121に供給する。
入射側フライアイミラー121は、例えば米国特許第6452661号等に開示されているように、並列に配列された照野と実質的に相似な円弧状の反射面を有する複数の単位ミラー(反射素子群)を含む。入射側フライアイミラー121は、マスクMの反射面及び基板Pの表面と光学的に共役な位置又はその近傍に配置されている。
また、射出側フライアイミラー122は、入射側フライアイミラー121の複数の単位ミラーと対応する複数の単位ミラー(反射素子群)を含む。射出側フライアイミラー122の単位ミラーのそれぞれは、矩形状であり、並列に配列されている。射出側フライアイミラー122は、投影光学系PLの瞳位置と光学的に共役な位置又はその近傍に配置されている。
第三集光ミラー120からのコリメートされた光は、入射側フライアイミラー121に入射して、その入射側フライアイミラー121によって波面分割される。入射側フライアイミラー121の単位ミラーのそれぞれは、入射した光を集光し、複数の集光点(光源像)を形成する。それら複数の集光点が形成される位置近傍のそれぞれには、射出側フライアイミラー122の複数の単位ミラーが配置されている。射出側フライアイミラー122の射出面又はその近傍には、射出側フライアイミラー122の単位ミラーの数に応じた複数の集光点(二次光源)が形成される。
また、照明光学系ILは、コンデンサミラー123を有する。コンデンサミラー123は、コンデンサミラー123の焦点位置とフライアイミラー光学系125により形成される二次光源の位置近傍とが実質的に一致するように配置されている。フライアイミラー光学系125により形成された二次光源からの光は、コンデンサミラー123で反射されるとともに集光され、光路折り曲げミラー124を介して、マスクMに供給される。
このように、複数の光学素子120〜124を含む照明光学系ILは、光源装置113から射出される露光光ELでマスクM上の照明領域を均一に照明する。照明光学系ILにより照明され、マスクMで反射した露光光ELは、投影光学系PLに入射する。
なお、マスクMに供給される光と、マスクMで反射して投影光学系PLに入射する光との光路分離を空間的に行うために、本実施形態の照明光学系ILは、非テレセントリック系である。また、投影光学系PLもマスク側非テレセントリック系である。
マスクステージ111は、マスクMを保持しながら、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能な6自由度ステージである。本実施形態においては、マスクステージ111は、マスクMの反射面とXY平面とが実質的に平行となるように、マスクMを保持する。マスクステージ111(マスクM)の位置情報は、レーザ干渉計141によって計測される。レーザ干渉計141は、マスクステージ111に設けられた計測ミラーを用いて、マスクステージ111のX軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報を計測する。
また、マスクステージ111に保持されているマスクMの表面の面位置情報(Z軸、θX、及びθYに関する位置情報)は、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。レーザ干渉計141の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ111に保持されているマスクMの位置が制御される。
また、本実施形態の露光装置EXは、例えば特開2004−356415号公報等に開示されているような、マスクMの反射面の少なくとも一部と対向する位置に配置され、マスクMの反射面での露光光ELの照明領域を制限するブラインド部材160を備えている。ブラインド部材160は、露光光ELが通過可能な開口を有し、マスクMの反射面での露光光ELの照明領域を規定する。
投影光学系PLは、マスクMからの露光光ELが供給される複数の光学素子131、132、133、134、135、136を含み、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する。投影光学系PLの光学素子131、132、133、134、135、136の少なくとも一つが、上述した光学素子100でもよい。
投影光学系PLは、凹面状の反射面を有する第一反射ミラー131及び凹面状の反射面を有する第二反射ミラー132を含む第一ミラー対と、所定形状の反射面を有する第三反射ミラー133及び凹面状の反射面を有する第4反射ミラー134を含む第二ミラー対と、凸面状の反射面を有する第5反射ミラー135及び凹面状の反射面を有する第6反射ミラー136を含む第三ミラー対とを備えている。
それぞれのミラー対のうち、第一反射ミラー131、第三反射ミラー133、及び第5反射ミラー135のそれぞれは、反射面が投影光学系PLの物体面側(マスクM側)を向くように配置されており、第二反射ミラー132、第4反射ミラー134、及び第6反射ミラー136のそれぞれは、反射面が投影光学系PLの像面側(基板P側)を向くように配置されている。
マスクMからの露光光ELは、第一反射ミラー131及び第二反射ミラー132の順に第一ミラー対で反射された後に中間像を形成する。中間像からの光は、第三反射ミラー133及び第4反射ミラー134の順に第二ミラー対で反射される。第二ミラー対で反射された光は、第5反射ミラー135及び第6反射ミラー136の順に第三ミラー対で反射されて基板Pへ導かれる。中間像が形成される位置には、基板P上の投影領域を制限する視野絞りFSが配置されている。
第一ミラー対の第一反射ミラー131と第二反射ミラー132との間には、投影光学系PLの開口数NAを制限する開口絞りASが配置されている。開口絞りASは、大きさ(口径)が可変な開口を有する。開口の大きさ(口径)は、開口絞り制御ユニット151により制御される。
基板ステージ112は、基板Pを保持しながら、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能な6自由度ステージである。本実施形態においては、基板ステージ112は、基板Pの表面とXY平面とが実質的に平行となるように、基板Pを保持する。基板ステージ112(基板P)の位置情報は、レーザ干渉計142によって計測される。レーザ干渉計142は、基板ステージ112に設けられた計測ミラーを用いて、基板ステージ112のX軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ112に保持されている基板Pの表面の面位置情報(Z軸、θX、及びθYに関する位置情報)は、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。
レーザ干渉計142の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ112に保持されている基板Pの位置が制御される。
レーザ干渉計142の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ112に保持されている基板Pの位置が制御される。
基板Pを露光するときには、照明光学系ILがマスクM上の所定の照明領域を露光光ELで照明しながら、マスクMを保持したマスクステージ111のY軸方向への移動と同期して、基板Pを保持した基板ステージ112がY軸方向へ移動する。これにより、マスクMのパターンの像が、投影光学系PLを介して基板Pに投影される。
以上説明したように、本実施形態によれば、光学素子100が、本実施形態に係るEUV露光装置EXの照明光学系IL及び投影光学系PLの少なくとも一方に用いられるため、光学系に入射した光ELを高い反射率で反射することができる。したがって、良好な反射特性を示す照明光学系IL、投影光学系PLを有する露光装置EXが得られる。
なお、照明光学系IL、投影光学系PLに対して光学素子100を用いる場合、光ELの入射角度範囲が最も広い光学素子として用いることができる。これにより、良好な反射特性が得られる。
また、照明光学系IL、投影光学系PLに対して光学素子100を用いる場合、例えば光ELの入射角度が最も大きい位置に配置される光学素子としても用いることができる。
図11は、等周期構造のMo/Si多層膜(50層対)の反射率の入射角依存性を示すグラフである。グラフの横軸は入射角(単位は°)を示し、縦軸は反射率(単位は%)を示している。図11のグラフでは、波長が7.0nm〜7.8nmのS偏光、P偏光及び無偏光を例に挙げて示している。図11に示すように、多層膜50の反射率のピークは、入射角が大きくなると幅が狭くなる。このため、光ELの入射角が大きくなる位置に配置される光学素子(反射ミラー)は、例えば高反射率で反射可能な入射角度範囲が狭くても、広帯域の光を反射することが求められる場合がある。このような観点から、光学素子100を用いる場合、上記のように光ELの入射角度が最も大きい位置に配置される光学素子として用いることで、良好な反射特性が得られる。
また、照明光学系IL、投影光学系PLに対して光学素子100を用いる場合、例えば光ELの入射角度が最も大きい位置に配置される光学素子としても用いることができる。
図11は、等周期構造のMo/Si多層膜(50層対)の反射率の入射角依存性を示すグラフである。グラフの横軸は入射角(単位は°)を示し、縦軸は反射率(単位は%)を示している。図11のグラフでは、波長が7.0nm〜7.8nmのS偏光、P偏光及び無偏光を例に挙げて示している。図11に示すように、多層膜50の反射率のピークは、入射角が大きくなると幅が狭くなる。このため、光ELの入射角が大きくなる位置に配置される光学素子(反射ミラー)は、例えば高反射率で反射可能な入射角度範囲が狭くても、広帯域の光を反射することが求められる場合がある。このような観点から、光学素子100を用いる場合、上記のように光ELの入射角度が最も大きい位置に配置される光学素子として用いることで、良好な反射特性が得られる。
なお、上述の各実施形態においては、多層膜50がMo/Si多層膜である場合を例にして説明したが、例えばEUV光の波長帯域に応じて、多層膜50を形成する材料を変更することができる。例えば、11.3nm付近の波長帯域のEUV光を用いる場合には、モリブデン層(Mo層)とベリリウム層(Be層)とを交互に積層したMo/Be多層膜を用いることで、高い反射率を得ることができる。
また、上述の各実施形態において、多層膜50の第一層10を形成するための物質として、ルテニウム(Ru)、炭化モリブデン(Mo2C)、酸化モリブデン(MoO2)、珪化モリブデン(MoSi2)等を用いてもよい。また、多層膜50の第二層20を形成する物質として、炭化シリコン(SiC)を用いることができる。
なお、上述の実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第一パターンと基板Pとを実質的に静止した状態で、投影光学系を用いて第一パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第二パターンと基板Pとを実質的に静止した状態で、投影光学系を用いて第二パターンの縮小像を第一パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
また、例えば米国特許第6611316号に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域を実質的に同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
また、本発明は、米国特許6341007号、米国特許6400441号、米国特許6549269号、及び米国特許6590634号、米国特許6208407号、米国特許6262796号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
更に、例えば米国特許第6897963号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
本願実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程が行われる。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことができる。
[デバイス製造方法]
半導体デバイス等のデバイスは、図12に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板Pを露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理(露光処理)を有する基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
半導体デバイス等のデバイスは、図12に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板Pを露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理(露光処理)を有する基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、図1に示すように、第一層10と第二層20との間に、第一層10及び第二層20を構成する物質の拡散を抑制する拡散抑制層70が配置された構成であってもよい。また、多層膜50の表層に酸化抑制層80が配置された構成であってもよい。
例えば、図1に示すように、第一層10と第二層20との間に、第一層10及び第二層20を構成する物質の拡散を抑制する拡散抑制層70が配置された構成であってもよい。また、多層膜50の表層に酸化抑制層80が配置された構成であってもよい。
EX…露光装置 10…第一層 20…第二層 30…単位積層構造 40…スペーサ層 50…多層膜 60…等周期ブロック 70…拡散抑制層 80…酸化抑制層 100…光学素子。
本発明の第一の態様に従えば、基材と、前記基材上に配置され、第一層と前記第一層上に配置された第二層とを有する単位積層構造が複数積層された多層膜と、前記単位積層構造同士の層間のうち互いに異なる層間に配置された複数のスペーサ層とを備え、前記スペーサ層は、前記単位積層構造を構成する物質よりも光の消衰係数が小さくなる物質を含み、前記物質はC、B、Si、Zr若しくはRu、又はその化合物である光学素子が提供される。
Claims (13)
- 基材と、
前記基材上に配置され、第一層と前記第一層上に配置された第二層とを有する単位積層構造が複数積層された多層膜と、
前記単位積層構造同士の層間のうち互いに異なる層間に配置された複数のスペーサ層と
を備える光学素子。 - 前記スペーサ層は、前記多層膜によって反射される光の位相のずれを調整する調整層である
請求項1に記載の光学素子。 - 複数の前記スペーサ層は、等しい厚さに形成されている
請求項1又は請求項2に記載の光学素子。 - 前記スペーサ層は、前記単位積層構造の厚さに応じた厚さに形成されている
請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の光学素子。 - 前記スペーサ層は、前記単位積層構造の厚さの1/3〜2/3の厚さに形成されている
請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の光学素子。 - 前記スペーサ層は、前記単位積層構造を構成する物質よりも前記光の消衰係数が小さくなる物質を含んでいる
請求項1から請求項5のうちいずれか一項に記載の光学素子。 - 前記多層膜は、複数の前記スペーサ層によって、各々が複数の前記単位積層構造を有する複数の積層構造に分割されており、
最も表層側の前記スペーサ層よりも表層側に配置される前記積層構造に含まれる前記単位積層構造の数は、前記光の反射に寄与する他の前記積層構造に含まれる前記単位積層構造の数の1.5倍以上である
請求項1から請求項6のうちいずれか一項に記載の光学素子。 - 前記第一層と前記第二層との間には、前記第一層及び前記第二層を構成する物質の拡散を抑制する拡散抑制層が配置されている
請求項1から請求項7のうちいずれか一項に記載の光学素子。 - 前記多層膜は、表層に配置された酸化抑制層を有する
請求項1から請求項8のうちいずれか一項に記載の光学素子。 - 複数の反射素子を有し、第一面の像を第二面に投影する投影光学系であって、
前記複数の反射素子の少なくとも一つとして、請求項1から請求項9のうちいずれか一項に記載の光学素子が用いられている
投影光学系。 - 前記第一面からの光は複数の前記反射素子を介して前記第二面に照射され、
複数の前記反射素子のうち、少なくとも前記光の入射角度範囲が最も広い反射素子又は前記光の入射角度が最も大きい反射素子として、前記光学素子が用いられている
請求項10に記載の投影光学系。 - 露光光で基板を露光する露光装置であって、
請求項1から請求項9のうちいずれか一項に記載の光学素子を備える
露光装置。 - 請求項12に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと
を含むデバイス製造方法。
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