JP2009290149A - 測定装置、露光装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光学素子の被照射面における汚染物質の付着の程度を正確に測定する。
【解決手段】光源１から射出される光の照射により光学素子ＰＭ１〜ＰＭ６の被照射面における汚染の特性の少なくとも１つを測定する測定装置であって、前記被照射面に第１の光を照射して生じる光電子電流値と、前記被照射面に該第１の光よりも長い波長域の第２の光を照射して生じる光電子電流値とに基づいて、前記汚染の特性の少なくとも１つを測定する測定手段を備えて構成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、光源から射出される光の照射により光学素子の被照射面における汚染の特性を測定する測定装置、該測定装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いる電子デバイスの製造方法に関する。

近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長（１１〜１４ｎｍ程度）のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光（極端紫外線）を使用した露光技術が開発されている。これにより、微細なパターン（例えば、２２〜４５ｎｍ等）の露光が可能になるものと期待されている。ＥＵＶ光の波長領域での物質の屈折率は１に近いため、従来のレンズのような透過屈折型の光学素子を使用することができず、反射型の光学素子であるミラーが使用される。

ＥＵＶ光を露光光とする露光装置（以下、ＥＵＶ露光装置という）は、ＥＵＶ光を発生する光源、光を整形する照明光学系ミラー群、反射型のマスク、該マスク上の回路パターンをウエハ上に縮小投影する投影光学系ミラー群等を備えて構成されている。光源としては、レーザプラズマ方式、放電プラズマ方式等が使用される。露光光の光路は、光の吸収を抑制するため、真空とされる必要があり、光学系を構成するミラー群は真空チャンバ内に収容されている。このようなＥＵＶ露光装置は、例えば、下記特許文献１に記載されている。

ところで、ＥＵＶ光が光学系を構成する光学素子としてのミラーに照射されると、ミラーの表面の酸化や炭素等の汚染物質（コンタミネーション）が付着又は形成（以下、単に付着という）される。これは、真空中といえども存在する水分や有機物等の残留ガスとＥＵＶ光とによる光化学反応により生じるものである。このような汚染物質の付着が生じると、ミラーの反射率が低下する等、光学特性が劣化してしまう。このため、ＥＵＶ露光装置では、ミラーの表面における汚染物質の有無やその付着の程度を速やかに検出し、所望の性能が得られない場合には、光学素子の洗浄や必要に応じて交換等のメンテナンスを実施する必要がある。

ミラーの表面の汚染物質の付着を検出する方法としては、ＥＵＶ光の照射によりミラーの表面に発生する光電子電流を測定する方法が知られている。測定される光電子電流値は、ミラーの表面の汚染物質の付着の程度（量）によって変化するため、所定の初期時点（運用開始時やメンテナンス終了時等の汚染物質の付着が無い時点）における光電子電流値と、運用後の適宜な時点における光電子電流値とをそれぞれ測定して、その差分から汚染物質の付着の程度を検出することが可能である。ここで、測定対象としてのミラーに到達する光の照度は、光源の経時的な劣化や特性の変動、あるいは当該ミラーの前段に配置されている光学素子等の汚染等によって変動する。このような場合、ミラーの表面に生じる光電子電流は、照度の変動に従って変動するため、測定した光電子電流値が、汚染物質の付着により変動したのか、照度の変動により変動したのかを区別することができず、汚染物質の付着の程度を正確に測定することができない。

これを解決する技術としては、下記特許文献２に開示されているように、ミラーの表面の有効領域における光電子電流と該有効領域外の領域の光電子電流とを測定して、これらに基づいて、照度の変動と汚染物質の付着による変動とを区別するようにしたものが知られている。

しかしながら、前記有効領域外の領域は、汚染物質が付着しずらい材料で形成し、あるいは測定時以外は遮蔽部材により遮蔽して、汚染物質の付着を抑制するようにしているが、少なくとも測定時にはＥＵＶ光が照射されるため等、当該有効領域に付着する汚染物質よりは該有効領域外の領域に付着する汚染物質は少ないものの、当該有効領域外の領域にも汚染物質が経時的に付着し、その測定値自体が誤差を含むものとなり、有効領域における汚染物質の付着を正確に測定することができない場合があるという問題があった。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、光学素子の被照射面における汚染物質の付着の程度を正確に測定することができる測定装置、該測定装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いる電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
特開平１１−３１２６３８号公報 特開２００６−１７３３６５号公報

本発明の第１の観点によると、光源から射出される光の照射により光学素子の被照射面における汚染の特性の少なくとも１つを測定する測定装置であって、前記被照射面に第１の光を照射して生じる光電子電流値と、前記被照射面に該第１の光よりも長い波長域の第２の光を照射して生じる光電子電流値との比に基づいて、前記汚染の特性の少なくとも１つを測定する測定手段を備える測定装置が提供される。ここで、汚染の特性とは、光学素子の被照射面の酸化や炭素等の汚染物質の付着等をいう。

本発明の第２の観点によると、少なくとも１つの光学素子を備え、第１面の像を第２面上に投影露光する露光装置であって、前記光学素子の被照射面における汚染の特性の少なくとも１つを測定するため、本発明の第１の観点に係る測定装置を備える露光装置が提供される。この場合において、前記光を供給する光源として、極端紫外線を含む光を射出するＥＵＶ光源を備えることができる。本発明に係る露光装置によれば、光学素子の被照射面に生じる汚染物質の付着の程度を正確に測定することができる本発明に係る測定装置を備えているので、光学素子を常に適正な状態に管理することができ、露光精度を向上することができる。

本発明の第３の観点によると、本発明の第２の観点に係る露光装置を用いて基板を露光する工程と、露光された前記基板を現像する工程とを含む電子デバイスの製造方法が提供される。本発明に係る電子デバイスの製造方法によれば、高い露光精度を実現できる本発明に係る露光装置を用いて基板を露光する工程を含んでいるので、高性能、高品質、高信頼な電子デバイスを製造することができる。

本発明によれば、光学素子の被照射面における汚染物質の付着の程度を正確に測定することができる測定装置、高い露光精度を実現できる露光装置、及び高性能、高品質、高信頼な電子デバイスを製造できる製造方法が提供されるという効果がある。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の実施形態に係る露光装置の概略構成を示す図である。この露光装置は、波長５ｎｍ〜５０ｎｍ程度（望ましくは波長１１ｎｍ〜１４ｎｍ程度）のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光（極端紫外線）を露光光として使用するＥＵＶ露光装置である。本露光装置は、光源装置１からの照明光（露光光）ＩＬで反射型のマスクＭのパターン面（マスク面）を照明する照明光学系ＩＬＳと、マスクＭを載置し、マスクＭの位置決めを行うマスクステージＭＳと、マスクＭのパターン像をウエハＷ（感光性基板）上に投影する投影光学系ＰＬと、ウエハＷを載置し、ウエハＷの位置決めを行うウエハステージＷＳとを備えて構成されている。

図１においては、ウエハＷの載置面の法線方向をＺ方向とし、Ｚ方向に垂直な平面内において図１の紙面に平行な方向をＹ方向、紙面に垂直な方向をＸ方向としている。なお、本露光装置は、マスクＭとウエハＷとを図１のＹ方向（以下、走査方向Ｙともいう）に走査移動させつつ、マスクＭ上のマスクパターンをウエハＷに投影露光する走査型の投影露光装置である。

この露光装置は、その内部が真空雰囲気に維持される真空チャンバ１００を有しており、光源装置１からウエハＷまでの光路の全体は、真空チャンバ１００内に収められている。また、マスクステージＭＳには、不図示の静電チャック方式のマスクホルダが設けられ、そのマスクホルダによってマスクＭが保持される。同様に、ウエハステージＷＳには、不図示の静電チャック方式のウエハホルダが設けられ、そのウエハホルダによってウエハＷが保持される。さらに、マスクステージＭＳ及びウエハステージＷＳは、それぞれマスクステージ駆動部（不図示）及びウエハステージ駆動部（不図示）によって、Ｙ方向に所定ストロークで駆動可能であるとともに、Ｘ方向、Ｚ方向、Ｘ方向周りの回転方向であるθＸ方向、Ｙ方向回りの回転方向であるθＹ方向及びＺ方向回りの回転方向であるθＺ方向にも駆動可能である。

なお、不図示の制御部が配置されており、その制御部からマスクステージＭＳやウエハステージＷＳ等の本露光装置の各部に対して各種の指令を与える。また、この制御部は、後述するフィルタ装置ＦＬＳの動作の制御、照明光学系ＩＬＳ及び投影光学系ＰＬを構成するミラー等の光学素子の表面（被照射面）への炭素膜等の汚染物質の付着の程度を測定するための制御を行う。

光源装置１としては、レーザ励起型プラズマ光源又は放電励起型プラズマ光源等が用いられる。光源装置１からは、主として、１３．５ｎｍ程度の波長にピークを有するＥＵＶ光が射出され、この光がウエハＷの露光に用いられるが、現状では、ＥＵＶ光以外にも、これよりも波長の長い真空紫外線（ＶＵＶ光）、紫外線（ＵＶ光）、可視光線も同時に射出される。光源装置１から射出された光は、コリメータミラー２により略平行光束とされ、照明光学系ＩＬＳに入射される。

照明光学系ＩＬＳに入射した光（照明光ＩＬ）は、オプティカルインテグレータ３に入射する。すなわち、照明光ＩＬは、反射型のオプティカルインテグレータ３を構成する第１のフライアイミラー３ａ（均一化光学素子）と第２のフライアイミラー３ｂ（均一化光学素子）とにより順次反射され、第２のフライアイミラー３ｂ上（又はその近傍）である照明光学系ＩＬＳの瞳面（照明光学系瞳面）に、所定の形状を有する実質的な面光源を形成する。その後、照明光ＩＬは、コンデンサミラー４によって集光され、光路折り曲げ用の平面ミラー５によって偏向されて、マスクＭのパターン面上の露光視野内を円弧スリット状の照明光ＩＬとしてほぼ均一に照明する。

投影光学系ＰＬは、反射ミラーとしての第１ミラーＰＭ１〜第６ミラーＰＭ６を備えている。各ミラーＰＭ１〜ＰＭ６として用いられるミラーの一例が、図２の平面図及び図３の断面図に示されている。なお、図２及び図３では、ミラーを符号ＰＭとして表示している。ミラーＰＭは、低熱膨張ガラス製のミラー基板１１の表面に、多層膜１２を形成して構成されている。多層膜１２としては、波長１３．５ｎｍに反射ピークを有するモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を４０〜５０層程度交互に積層して構成されるものを用いることができる。なお、照明光学系ＩＬＳを構成するミラー等も同様に構成されている。図２及び図３に示したミラーＰＭは、汚染物質の付着を測定する対象となるミラーであるため、多層膜１２には、その上に経時的に形成される汚染物質の付着の程度を測定する測定装置の一部を構成する検出手段としての電流計Ａｍが電気的に接続されており、光の入射時に放出される光電子電流を測定できるようになっている。

マスクＭのパターン面により反射されて投影光学系ＰＬに入射した照明光ＩＬは、第１ミラーＰＭ１によって反射され、投影光学系ＰＬの瞳面に配置された開口絞りＳを介した後、第２ミラーＰＭ２に入射する。第２ミラーＰＭ２で反射された照明光ＩＬは、第３ミラーＰＭ３、第４ミラーＰＭ４、第５ミラーＰＭ５、第６ミラーＰＭ６の順に反射されて、ウエハＷ上の露光領域にマスクパターンの一部の像を形成する。マスクステージＭＳとウエハステージＷＳとを所定のスキャン方向（走査方向Ｙ）に同期的に走査することにより、マスクＭのパターンの像の全体がウエハＷ上のショット領域に転写される。

光源装置１から射出される光は、上述したように、極端紫外域以外に、これよりも波長の長い帯域（真空紫外域、紫外域、及び可視光域）にもスペクトルを有している。本実施形態では、かかる長波長域の光を積極的に利用する。即ち、光源装置１から射出される光を、ＥＵＶ光を含む所定の波長よりも短い波長の第１の光と、該所定の光よりも長い波長の第２の光とに選択的に分離するために、フィルタ装置ＦＬＳを設けている。フィルタ装置ＦＬＳは、この実施形態では、図１に示されているように、照明光学系ＩＬＳ内のコリメータミラー２とオプティカルインテグレータ３との間の光路中に挿脱可能に配置されている。但し、フィルタ装置ＦＬＳは、汚染物質の測定対象とするミラーとの関係で、他の位置に設けてもよい。

フィルタ装置ＦＬＳは、具体的には、図４及び図５に示されているように、第１フィルタＦＬ１及び第２フィルタＦＬ２を備えて構成されている。第１フィルタＦＬ１は、光源装置１から射出される光のうち、所定の波長よりも短い波長の第１の光を選択的に透過させ、該所定の波長よりも長い波長の第２の光を遮蔽するフィルタである。第２フィルタＦＬ２は、光源装置１から射出される光のうち、該所定の波長よりも長い波長の第２の光を選択的に透過させ、該所定の波長よりも短い波長の第１の光を遮蔽するフィルタである。該所定の波長は、この実施形態では、例えば波長１１０ｎｍに設定されている。なお、第１フィルタＦＬ１としては、例えば、Ｚｒフィルタ、Ｓｉフィルタ、Ｂｅフィルタ、などが挙げられ、第２フィルタＦＬ２としては、ＬｉＦフィルタ、ＭｇＦ_２フィルタ、ＳｉＯ_２フィルタ、などが挙げられる。

これらの第１フィルタＦＬ１及び第２フィルタＦＬ２は、切換機構により光路中に選択的に挿入できるようになっている。切換機構としては、例えば、図４及び図５に示されているように、第１フィルタＦＬ１及び第２フィルタＦＬ２を装着したレボルバ（円板）ＲＶを不図示の制御部による制御の下、駆動部ＤＲを介して所定の角度だけ回転させることにより、光路中に第１フィルタＦＬ１又は第２フィルタＦＬ２を選択的に挿入配置するようにしたレボルバ方式の切換機構を用いることができる。

図４に示されているように、レボルバＲＶを回転させて、第１フィルタＦＬ１を光路中に挿入すると、光源装置１からの光ＩＬのうち波長１１０ｎｍ未満の第１の光ＩＬ１が第１フィルタＦＬ１を選択的に透過し、汚染物質の測定対象としてのミラーＰＭに供給される。なお、汚染物質の測定対象としてのミラーＰＭは、この実施形態では、図１におけるミラーＰＭ１〜ＰＭ６のうちの何れかである。このときのミラーＰＭに生じる光電子電流を電流計Ａｍで測定することにより、第１の光ＩＬ１を照射して生じるミラーＰＭの光電子電流が測定される。

図６は、第１の光ＩＬ１を照射して生じるミラーＰＭにおける光電子電流の時間経過に伴う変化の一例を示している。第１の光ＩＬ１を照射して生じるミラーＰＭにおける光電子電流は、同図に示すように、初期時点（運用開始時又はメンテナンス終了時）におけるミラーＰＭにおける光電子電流値Ａｅ０から、時間の経過とともに減少し、時間ｔにおいては光電子電流値Ａｅとなる。これらの差（Ａｅ０−Ａｅ）は、ＥＵＶ光の照射によるミラーＰＭの表面に経時的に付着する汚染物質（例えば、炭素膜）の増大に伴う、該汚染物質による光電子放出の阻止効果に起因する減少分Ｃ１と、光源装置１の経時的劣化に伴う照度の低下に起因する減少分Ｃ２とを加算したものに相当するものである。

また、図５に示されているように、レボルバＲＶを回転させて、第２フィルタＦＬ２を光路中に挿入すると、光源装置１からの光ＩＬのうち波長１１０ｎｍ以上の第２の光ＩＬ２が第２フィルタＦＬ２を選択的に透過し、汚染物質の測定対象としてのミラーＰＭに供給される。このときのミラーＰＭに生じる光電子電流を電流計Ａｍで測定することにより、第２の光ＩＬ２を照射して生じるミラーＰＭの光電子電流が測定される。

図７は、第２の光ＩＬ２を照射して生じるミラーＰＭにおける光電子電流の時間経過に伴う変化の一例を示している。第２の光ＩＬ２を照射して生じるミラーＰＭにおける光電子電流は、同図に示すように、初期状態（運用開始時又はメンテナンス終了時）におけるミラーＰＭにおける光電子電流値Ａｖ０から、時間の経過とともに減少し、時間ｔにおいて光電子電流値Ａｖとなる。これらの差（Ａｖ０−Ａｖ）は、第２の光ＩＬ２はＥＵＶ光の照射によるミラーＰＭの表面に経時的に付着する汚染物質（例えば、炭素膜）による影響を殆ど受けないため、光源装置１の経時的劣化に伴う照度の低下に起因する減少分Ｃ２に相当するものである。

従って、第１の光ＩＬ１を照射して得られる光電子電流値と、第２の光ＩＬ２を照射して得られる光電子電流値とに基づいてミラーＰＭ上の汚染物質の付着を算出することにより、光源装置１に起因する照度低下の影響を排除した、ミラーＰＭに付着している汚染物質の量を特定することができる。具体的には、初期時点において第１の光ＩＬ１を照射して得られる光電子電流値Ａｅ０と当該初期時点において第２の光ＩＬ２を照射して得られる光電子電流値Ａｖ０との比（Ａｅ０をＡｖ０で除した値）と、その後の測定時点において第１の光ＩＬ１を照射して得られる光電子電流値Ａｅと当該測定時点において第２の光ＩＬ２を照射して得られる光電子電流値Ａｖとの比（ＡｅをＡｖで除した値）との差分から、当該ミラーＰＭの表面に付着している汚染物質の量を正確に求めることができる。

このようにして求められた汚染物質の量が所定の値を越えた場合には、当該ミラーＰＭの洗浄又は交換等のメンテナンスが実施される。ミラーＰＭの洗浄は、例えば、光洗浄用の光源装置を別途設け、この光源からパルスレーザ光（ＫｒＦ：２４８ｎｍ、パルス持続時間２０ｎｓ）を照射して、該汚染物質を除去する光洗浄により、人手を介さずに実施することが可能である。光洗浄に使用するレーザは、短パルスで短波長の方が進入深さが浅く、熱的な負荷も小さいため、均一なクリーニングができるので望ましく、エキシマレーザ等が好適である。

初期時点における第２の光ＩＬ２を照射して得られる光電子電流値Ａｖ０とその後の測定時点における第２の光ＩＬ２を照射して得られる光電子電流値Ａｖとの差に基づいて測定される光源装置１に起因する照度の低下が所定の値を越えた場合には、当該光源装置１のメンテナンスが行われることになる。

なお、第１の光として例えば極端紫外線を光学素子の被照射面に照射して得られる光電子電流は、該光学素子の被照射面における汚染物質の付着による影響を顕著に受けるため、測定された光電子電流値は、汚染物質の付着と被照射面に照射される第１の光の照度とを反映したものとなる。一方、第２の光として例えば可視光線を光学素子の被照射面に照射して得られる光電子電流は、該光学素子の被照射面における汚染物質の付着による影響を殆ど受けないため、測定された光電子電流値は、該第２の光の照度のみを反映したものとなる。従って、第１の光を照射して得られる光電子電流値と第２の光を照射して得られる光電子電流値とに基づいて汚染物質の付着の程度を求めることにより、照度の変動による誤差を排除することができ、光学素子の被照射面における汚染物質の付着の程度を、より正確に測定することができるようになる。

なお、上述した実施形態では、単一のＥＵＶ光源としての光源装置１が真空紫外、紫外、可視光域にもスペクトルを有することを利用して、光源装置１に起因する照度の低下を補償してミラーＰＭ上の汚染物質の付着をより正確に測定した。ミラーＰＭに照射される光の照度の低下は、測定対象としてのミラーＰＭの前段に配置されているミラー、その他の光学素子の経時的な汚染によっても生じ得る。これを補償するためには、以下のようにするとよい。光源装置１として、互いに独立して、ＥＵＶ光を含む第１の光を発生する第１光源装置と、第２の光を発生する第２光源装置とを設ける。なお、ここでは、便宜的に、第１光源装置及び第２光源装置は、その劣化による経時的な照度低下はないものとする。

第１光源装置からの第１の光を測定対象のミラーＰＭに照射して得られる光電子電流は、前段の光学素子に起因する照度の低下と、ミラーＰＭ上の汚染物質の付着とを反映している。一方、第２光源装置からの第２の光をミラーＰＭに照射して得られる光電子電流は、前段の光学素子に起因する照度の低下のみを反映したものとなる。従って、第１光源装置からの第１の光を照射して得られる光電子電流値と、第２光源装置からの第２の光を照射して得られる光電子電流値とに基づいて、測定対象のミラーＰＭ上の汚染物質の付着を求めることにより、前段の光学素子等による照度低下による誤差を排除した、より正確な汚染物質の付着の程度を測定することができる。

上述した実施形態における投影光学系ＰＬは、上述の６枚の非球面の各ミラーＰＭ１〜ＰＭ６で構成される光学系に限られるものではなく、８枚のミラーや１０枚のミラーなど、他の枚数のミラーからなる反射光学系を用いることもできる。

なお、本実施形態における汚染物質の測定対象としてのミラーは、投影光学系ＰＬの各ミラーに限定されず、照明光学系ＩＬＳの各ミラーのうちの何れかであってもよい。さらに、本実施形態における所定の波長は、例えば波長５０ｎｍや１５０ｎｍ等に設定してもよい。

また、本実施形態における露光装置に用いられるミラー（例えば、コリメータミラー２、照明光学系ＩＬＳ及び投影光学系ＰＬの各ミラー）は、ＥＵＶ光を反射させるために、反射面に多層膜が形成されているが、この多層膜は、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜以外に、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜などで構成されていてもよい。さらに、本実施形態の光源装置１から射出されるＥＵＶ光（露光光）のピーク波長は、１３．５ｎｍに限られず、１１．８ｎｍであってもよい。

また、以上の説明においては、露光対象となる基板として半導体ウエハＷを想定したが、露光対象となる基板は半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）、又はフィルム部材などであってもよい。また、その基板は、その形状が円形に限られるものではなく、矩形など他の形状でもよい。

さらに、本実施形態の光学系を適用する露光装置の形態は、上述したマスクＭとウエハＷとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）に限らず、マスクＭとウエハＷとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）であってもよい。

本実施形態の走査型露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることは言うまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が完了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は、温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルーム内で行うことが望ましい。

次に、本実施形態における露光装置を用いた電子デバイスの製造方法について説明する。上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造する場合、電子デバイスは、図８に示す如く、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップＳ１１１、この設計ステップＳ１１１に基づいたマスク（レチクル）を製作するステップＳ１１２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造するステップＳ１１３、前述した実施形態の露光装置によりマスクのパターンを基板へ露光転写する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップＳ１１４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージング工程などの加工プロセスを含む）Ｓ１１５、並びに検査ステップＳ１１６等を経て製造される。言い換えると、このデバイスの製造方法は、リソグラフィ工程を含み、そのリソグラフィ工程で上記の実施形態の露光装置を用いて感光性基板を露光している。

なお、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いる事が可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

本発明の実施形態におけるＥＵＶ露光装置の概略構成を示す図である。 本発明の実施形態におけるミラーの構成を示す平面図である。 本発明の実施形態におけるミラーの構成を示す側断面図である。 本発明の実施形態におけるフィルタ装置の構成及び配置を示す図であり、第１フィルタを光路上に配置した場合（第１の光を照射する場合）を示す図である。 本発明の実施形態におけるフィルタ装置の構成及び配置を示す図であり、第２フィルタを光路上に配置した場合（第２の光を照射する場合）を示す図である。 本発明の実施形態における第１の光を照射した場合の光電子電流の経時的な変化を示すグラフである。 本発明の実施形態における第２の光を照射した場合の光電子電流の経時的な変化を示すグラフである。 本発明の実施形態における電子デバイスの製造方法の概要を示す図である。

符号の説明

１…光源装置、ＩＬＳ…照明光学系、ＰＬ…投影光学系、ＰＭ１〜ＰＭ６…ミラー、Ｍ…マスク、Ｗ…ウエハ、ＦＬＳ…フィルタ装置、１１…ミラー基板、１２…多層膜、ＰＭ…測定対象のミラー、ＩＬ…照明光（光源装置から射出される光）、ＩＬ１…第１の光（波長１１０ｎｍ未満の光）、ＩＬ２…第２の光（波長１１０ｎｍ以上の光）、ＲＶ…レボルバ、ＦＬ１…第１フィルタ、ＦＬ２…第２フィルタ、ＤＲ…駆動部、Ａｅ０…初期時点での第１の光を照射して生じる光電子電流値、Ａｅ…測定時点での第１の光を照射して生じる光電子電流値、Ａｖ０…初期時点での第２の光を照射して生じる光電子電流値、Ａｖ…測定時点での第２の光を照射して生じる光電子電流値、Ｃ１…汚染物質の付着に伴う光電子電流値の減少、Ｃ２…光源の劣化に伴う光電子電流値の減少。

Claims (8)

1. 光源から射出される光の照射により光学素子の被照射面における汚染の特性の少なくとも１つを測定する測定装置であって、
   前記被照射面に第１の光を照射して生じる光電子電流値と、前記被照射面に該第１の光よりも長い波長域の第２の光を照射して生じる光電子電流値との比に基づいて、前記汚染の特性の少なくとも１つを測定する測定手段を備えることを特徴とする測定装置。
2. 前記測定手段は、前記光学素子から放出される電子を検出する検出手段を有することを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
3. 前記第１の光は極端紫外域の光であることを特徴とする請求項１又は２に記載の測定装置。
4. 前記光学素子は反射ミラーであることを特徴とする請求項３に記載の測定装置。
5. 前記光源から射出される光のうち、前記第１の光の透過率と前記第２の光の透過率とを選択的に切り換えるフィルタ手段を、前記光源と前記被照射面との間の光路中に挿脱可能に設けたことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の測定装置。
6. 少なくとも１つの光学素子を備え、第１面の像を第２面上に露光する露光装置であって、
   前記光学素子の被照射面における汚染の特性の少なくとも１つを測定するため、請求項１〜５の何れか一項に記載の測定装置を備えることを特徴とする露光装置。
7. 前記光を供給するＥＵＶ光源を備えることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
8. 請求項６又は７に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
   露光された前記基板を現像する工程とを含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。

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