JP2010205794A - 光強度計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents
光強度計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】光学素子から射出される露光光の光束全体の光強度を計測することができる光強度計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】光源装置から射出された露光光が被照射面を照射することにより、該被照射面に形成されたパターンに対応した像を基板上に露光する露光装置に設けられる光量計測装置であって、露光光の一部を受光可能な変位部材39と、露光光の光路を横切る所定面内で、変位部材39を第1方向に変位させる変位機構と、を備え、変位部材39は、第1方向より、第1方向と交差する第2方向に大きい開口部45を有している。
【選択図】図3
【解決手段】光源装置から射出された露光光が被照射面を照射することにより、該被照射面に形成されたパターンに対応した像を基板上に露光する露光装置に設けられる光量計測装置であって、露光光の一部を受光可能な変位部材39と、露光光の光路を横切る所定面内で、変位部材39を第1方向に変位させる変位機構と、を備え、変位部材39は、第1方向より、第1方向と交差する第2方向に大きい開口部45を有している。
【選択図】図3
Description
本発明は、光源から射出された露光光が被照射面を照射することにより、該被照射面に形成されたパターンに対応した像を基板上に露光する露光装置に設けられる光強度計測装置、該光強度計測装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関する。
一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するための露光装置は、所定のパターンが形成されたレチクルなどのマスクに露光光を照射する照明光学系と、露光光が照射されたマスクのパターンの像を感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に投影する投影光学系とを備えている。このような露光装置では、半導体集積回路の高集積化及び該高集積化に伴うパターンの像の微細化を図るために、投影光学系の更なる高解像度化が要望されている。そのため、露光装置に用いる露光光の短波長化が進み、近年では、EUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光として用いるEUV露光装置の開発が行われている(特許文献1参照)。
しかしながら、EUV露光装置の光路内に配置される光学素子が透過型の光学素子である場合には、EUV光に対する透過率を十分に確保できないため、それらの光を減衰させることなく集光することが困難となっていた。そのため、従来のEUV露光装置では、ウエハに照射される露光光の一部をビームスプリッタにより光路外に反射させた後、放射状に拡がる反射光を計測レンズにより集光させた状態でCCD撮像素子やフォトダイオードからなる検出部に入射させる構成を採用することができなかった。そこで、従来のEUV露光装置では、非露光動作時に、アームの先端部に固定された微小なセンサを光路内に適宜配置することで、露光光の光強度を計測するようにしていた。
ところで、従来のEUV露光装置では、照明光学系及び投影光学系を構成する反射ミラー等の光学素子から射出される露光光に対して、その光束のうち局所的な光強度を計測するようになっていた。そのため、それらの光学素子から射出される露光光の光束全体の光強度を計測することができず、光学素子の光学特性の劣化度合いを正確に把握することができないという問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光学素子から射出される露光光の光束全体の光強度を計測することができる光強度計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図1〜図11に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の光強度計測装置は、光源(12)から射出された露光光(EL)が被照射面(Ra)を照射することにより、該被照射面(Ra)に形成されたパターンに対応した像を基板(W)上に露光する露光装置(11)に設けられる光強度計測装置(36a,36b,36c,36d,36e)であって、前記露光光(EL)の一部を受光可能な受光部(39,51)と、前記露光光(EL)の光路を横切る所定面(44)内で、前記受光部(39,51)を第1方向に変位させる変位機構(40)と、を備え、前記受光部(39,51)は、前記第1方向より、前記第1方向と交差する第2方向に大きい受光領域(45,48,52,54,56,57)を有することを要旨とする。
本発明の光強度計測装置は、光源(12)から射出された露光光(EL)が被照射面(Ra)を照射することにより、該被照射面(Ra)に形成されたパターンに対応した像を基板(W)上に露光する露光装置(11)に設けられる光強度計測装置(36a,36b,36c,36d,36e)であって、前記露光光(EL)の一部を受光可能な受光部(39,51)と、前記露光光(EL)の光路を横切る所定面(44)内で、前記受光部(39,51)を第1方向に変位させる変位機構(40)と、を備え、前記受光部(39,51)は、前記第1方向より、前記第1方向と交差する第2方向に大きい受光領域(45,48,52,54,56,57)を有することを要旨とする。
上記構成によれば、受光部の受光領域が露光光の光束全体を横切るように、変位機構によって受光部を第1方向に変位させることにより、露光光の光束全体の光強度を計測することができる。
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
本発明によれば、光学素子から射出される露光光の光束全体の光強度を計測することができる。
(第1の実施形態)
以下に、本発明を具体化した第1の実施形態について図1〜図3に基づき説明する。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、光源装置12から射出される、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光ELとして用いるEUV露光装置である。こうした露光装置11は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定されるチャンバ13(図1では二点鎖線で囲まれた部分)を備えており、該チャンバ13内には、所定のパターンが形成された反射型のレチクルRと、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハWとが設置される。なお、本実施形態の光源装置12としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該光源装置12は、波長が5〜20nm(例えば13.5nm)となるEUV光を露光光ELとして射出するようになっている。
以下に、本発明を具体化した第1の実施形態について図1〜図3に基づき説明する。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、光源装置12から射出される、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光ELとして用いるEUV露光装置である。こうした露光装置11は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定されるチャンバ13(図1では二点鎖線で囲まれた部分)を備えており、該チャンバ13内には、所定のパターンが形成された反射型のレチクルRと、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハWとが設置される。なお、本実施形態の光源装置12としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該光源装置12は、波長が5〜20nm(例えば13.5nm)となるEUV光を露光光ELとして射出するようになっている。
チャンバ13内には、該チャンバ13外に配置される光源装置12から射出された露光光ELが入射するようになっている。そして、チャンバ13内に入射した露光光ELは、照明光学系14を介してレチクルステージ15にて保持されるレチクルRを照明し、該レチクルRで反射した露光光ELは、投影光学系16を介してウエハステージ17に保持されるウエハWを照射するようになっている。
照明光学系14は、チャンバ13の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体18(図1で一点鎖線で囲まれた部分)を備えている。この筐体18内には、光源装置12から射出された露光光ELを集光するコリメート用ミラー19が設けられており、該コリメート用ミラー19は、入射した露光光ELを略平行に変換して射出するようになっている。そして、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELは、オプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系20(図1では破線で囲まれた部分)に入射するようになっている。このフライアイ光学系20は、一対のフライアイミラー21,22を備えており、該各フライアイミラー21,22のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー21は、レチクルRの被照射面Ra(即ち、図1における下面であって、パターン形成面)とは光学的に共役となる位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー21で反射された露光光ELは、射出側に配置される射出側フライアイミラー22に入射するようになっている。
また、照明光学系14には、射出側フライアイミラー22から射出された露光光ELを筐体18外に射出するコンデンサミラー23が設けられている。そして、コンデンサミラー23から射出された露光光ELは、後述する鏡筒27内に設置された折り返し用の反射ミラー24により、レチクルステージ15に保持されるレチクルRに導かれる。なお、照明光学系14を構成する各ミラー19,21,22,23,24の反射面には、露光光ELを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)を交互に積層した多層膜から構成されている。また、照明光学系14を構成する各ミラー19,21,22,23,24の射出側近傍には、各ミラー19,21,22,23,24にて反射された露光光ELの光強度を計測するための光強度計測装置36a,36b,36c,36d,36eがそれぞれ配置されている。
レチクルステージ15は、投影光学系16の物体面側に配置されており、レチクルRを静電吸着する吸着面25aを有する静電チャック25と、レチクルRをY軸方向(図1における左右方向)に所定ストロークで移動させる図示しないレチクルステージ駆動部と、静電チャック25を支持する支持ステージ26とを備えている。レチクルステージ駆動部は、レチクルRをX軸方向(図1において紙面と直交する方向)及びθz方向(Z軸周りの回転方向)に移動可能に構成されている。なお、レチクルRの被照射面Raに露光光ELが照明される場合、該被照射面Raの一部には、X軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。
投影光学系16は、露光光ELがレチクルRの被照射面Raを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率(例えば1/4倍)に縮小させる光学系であって、チャンバ13の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒27を備えている。この鏡筒27内には、複数枚(本実施形態では6枚)の反射型のミラー28,29,30,31,32,33が収容されている。これら各ミラー28〜33は、図示しないミラー保持装置を介して鏡筒27に対して変位可能な状態でそれぞれ保持されている。なお、各ミラー28〜33は、それらの光軸がZ軸方向に延びるようにそれぞれ配置されている。
そして、物体面側であるレチクルR側から導かれた露光光ELは、第1ミラー28、第2ミラー29、第3ミラー30、第4ミラー31、第5ミラー32、第6ミラー33の順に反射され、ウエハステージ17に保持されるウエハWの被照射面Wa(即ち、図1における上面)に導かれる。こうした各ミラー28〜33の反射面には、露光光ELを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)を交互に積層した多層膜から構成されている。
ウエハステージ17は、ウエハWを静電吸着する吸着面34aを有する静電チャック34と、ウエハWをY軸方向に所定ストロークで移動させる図示しないウエハステージ駆動部とを備えている。このウエハステージ駆動部は、ウエハWをX軸方向及びZ軸方向(図1における上下方向)に移動可能に構成されている。また、ウエハステージ17には、静電チャック34を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのZ軸方向における位置及びX軸周り、Y軸周りの傾斜角を調整する図示しないZレベリング機構とが組み込まれている。さらに、ウエハステージ17には、投影光学系16から射出された露光光ELの波面収差を計測するための波面収差測定装置35が設けられている。そして、波面収差測定装置35による計測結果に基づき、図示しない制御装置は、投影光学系16の各ミラー28〜33の姿勢や位置を調整すべく、上記各ミラー保持装置を制御するようになっている。
本実施形態の露光装置11を用いてウエハWにパターンの像を投影する場合、照明光学系14による照明領域をレチクルRに照射した状態で、レチクルステージ駆動部の駆動によって、レチクルRをY軸方向(例えば、+Y方向側から−Y方向側)に所定ストローク毎に移動させるとともに、ウエハステージ駆動部の駆動によって、ウエハWをレチクルRのY軸方向に沿った移動に対して投影光学系16の縮小倍率に応じた速度比でY軸方向(例えば、−Y方向側から+Y方向側(図1では左側から右側)に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハWの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。
次に、本実施形態の露光装置11において、照明光学系14を構成する各ミラー19,21,22,23,24に各々対応する光強度計測装置36a,36b,36c,36d,36eのうち、コリメート用ミラー19にて反射された露光光ELの光強度を計測する光強度計測装置36aについて、図1〜図3に基づき説明する。なお、コリメート用ミラー19以外の他のミラー21,22,23,24に各々対応する他の光強度計測装置36b,36c,36d,36eに関しては、それらの構成がコリメート用ミラー19の光強度計測装置36aとほぼ同等の構成であるため、それらの説明は省略するものとする。
図2及び図3(a)に示すように、本実施形態の光強度計測装置36aは、略角柱状をなす一対の支持部材37,38と、該一対の支持部材37,38によって各支持部材37,38の長手方向となる第1方向に変位自在に挟持された略矩形板状の変位部材39と、該変位部材39を第1方向に沿って変位させるための駆動力を付与する変位機構40(図1参照)とを備えている。
一対の支持部材37,38は、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELの光束41を挟んで対向するように配置されている。そして、各支持部材37,38の互いに対向する面には、平面視略U字状の凹部42,43がその長手方向となる第1方向に沿うようにそれぞれ陥入形成されている。なお、各支持部材37,38は、これらの凹部42,43が照明光学系14の光軸方向と直交する所定面44(図1及び図2では点線で示す。)上に位置するように配置されている。
変位部材39は、その変位方向となる第1方向と直交する第2方向での両端部が、各支持部材37,38の凹部42,43に対して第1方向に沿って直線的に摺動可能にそれぞれ嵌合されている。また、変位部材39は、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELが入射する入射側の側面に、第2方向に沿う矩形状の開口部45が開口形成されている。また、変位部材39には、フォトダイオード等からなるセンサ46が内蔵されている。そして、センサ46は、開口部45を介して入射した露光光ELの光強度を検出し、その検出結果を光強度計測装置36aの制御部(図示略)に送信するようになっている。すなわち、変位部材39は、開口部45を介してセンサ46に入射する露光光ELを受光する受光部として機能する。また、変位部材39の開口部45は、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELがセンサ46に入射する領域、即ち、露光光ELが受光されるセンサ46上での受光領域を規定している。
なお、変位部材39は、その入射側の側面が、照明光学系14の光軸方向、即ち、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELの光束41の主光線47が延びる方向と直交するように配置されている。そのため、変位部材39の開口部45は、変位機構40の駆動によって、照明光学系14の光軸方向と直交する所定面44内にて、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELの光束41を垂直に横切るように変位する。
また、変位部材39の開口部45は、該変位部材39の変位方向となる第1方向での寸法が、該第1方向と直交する第2方向の全域で一定であると共に、第2方向での寸法が、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELの光束41の同方向での寸法(即ち、光束41の直径)よりも大きくなるように構成されている。
次に、上記のように構成された露光装置11の作用について、特に、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELの光束全体の光強度を計測する際の作用について以下説明する。
さて、図3(a)に示すように、本実施形態の光強度計測装置36aにおいて、変位部材39の開口部45が、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELの光路外に位置するように配置されているとする。この状態において、変位機構40が駆動すると、変位部材39は、その長手方向の両端部が各支持部材37,38の凹部42,43によってガイドされつつ、露光光ELの光束41を横切るように第1方向に沿って直線的に変位する。
この場合、図3(b)に示すように、変位部材39の開口部45は、その変位方向となる第1方向と直交する第2方向での寸法が、同方向での露光光ELの光束41の寸法よりも大きくなるように構成されているため、第1方向への一走査の間に、露光光ELの光束全体を横切ることになる。そのため、変位部材39内のセンサ46には、この一走査の過程で、露光光ELの光束全体が開口部45を介して入射する。そして、センサ46は、変位部材39の第1方向への変位に連動して、露光光ELの第1方向に沿う領域毎の光強度を随時検出し、その検出結果を光強度計測装置36aの制御部に送信する。
なお、変位部材39の開口部45は、露光光ELの光束41内に進入した後、露光光ELの光束41の主光線47に接近するに従って、露光光ELの光束41を横切る領域が次第に大きくなると共に、露光光ELの光束41の主光線47を通過した後、該主光線47から離間するに従って、露光光ELの光束41を横切る領域が次第に小さくなる。そのため、図3(c)に示すように、光強度計測装置36aの制御部が、変位部材39内のセンサ46の検出結果に基づいて導出する露光光ELの光束41の第1方向に沿う光強度の分布は、露光光ELの光束41内での主光線47の近傍が最も強く、該主光線47から離間するに従って次第に小さくなる凸曲線状の分布となる。そして、光強度計測装置36aの制御部は、導出した露光光ELの光強度の分布を第1方向に積分して、センサ46によって検出された第1方向に沿う各領域での露光光ELの光強度の総和を算出することにより、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELの光束全体の光強度を計測することが可能となっている。
ところで、露光装置11においては、チャンバ13内に残存する有機物が各ミラー19,21,22,23,24の表面に物理吸着した状態で露光光ELが照射されると、各ミラー19,21,22,23,24の表面上でそれらの有機物が光化学反応を生じることにより、各ミラー19,21,22,23,24の表面に曇りを生じることが有り得る。この場合、各ミラー19,21,22,23,24の光学特性が低下することにより、ウエハW上に照射される露光光ELの光量を十分に確保することができなくなる虞があった。
この点、本実施形態の露光装置11では、まず、光源装置12から射出される露光光ELの光路途中に配置された各光強度計測装置36a〜36eのうち、最も入射側(光源装置12側)に配置されたコリメート用ミラー19の光強度計測装置36aによって、コリメート用ミラー19から射出された露光光ELの光強度が計測される。そして、光強度計測装置36aによって計測された露光光ELの光強度が、コリメート用ミラー19のメンテナンスの要否の判断基準として予め設定された閾値を下回った場合には、コリメート用ミラー19の光学特性がメンテナンスを要する程度に低下していると判別される。
一方、光強度計測装置36aによって計測された露光光ELの光強度が、上記の閾値を下回らなかった場合には、コリメート用ミラー19の光学特性がメンテナンスを要する程度には低下していないと判別される。そして次に、コリメート用ミラー19の射出側に位置する入射側フライアイミラー21の光強度計測装置36bによって、該入射側フライアイミラー21から射出された露光光ELの光強度が計測される。そして、光強度計測装置36bによって計測された露光光ELの光強度が、入射側フライアイミラー21のメンテナンスの要否の判断基準として予め設定された閾値を下回った場合には、入射側フライアイミラー21の光学特性がメンテナンスを要する程度に低下していると判別される。
そして以後、照明光学系14を構成する各ミラー22,23,24に個別に対応する各光強度計測装置36c〜36eのうち、入射側(光源装置12側)に位置する光強度計測装置から順に、各々が対応するミラー22,23,24から射出される露光光ELの光強度を計測することにより、各ミラー22,23,24の光学特性がメンテナンスを要する程度に低下しているか否かが判別される。
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
(1)光強度計測装置36aは、変位機構40の駆動に伴って、変位部材39の開口部45が露光光ELの光束全体を横切るように変位部材39を第1方向に変位させることにより、露光光ELの光束全体の光強度を計測することができる。また、露光光ELの光束41よりも大きな受光領域を有する変位部材39を用いる場合と比較して、変位部材39のサイズを低減できるため、部材の製造コストを抑制できるとともに、装置全体の小型化にも寄与することができる。
(1)光強度計測装置36aは、変位機構40の駆動に伴って、変位部材39の開口部45が露光光ELの光束全体を横切るように変位部材39を第1方向に変位させることにより、露光光ELの光束全体の光強度を計測することができる。また、露光光ELの光束41よりも大きな受光領域を有する変位部材39を用いる場合と比較して、変位部材39のサイズを低減できるため、部材の製造コストを抑制できるとともに、装置全体の小型化にも寄与することができる。
(2)変位部材39の開口部45は、該変位部材39の変位方向となる第1方向での寸法が、該第1方向と直交する第2方向の全域で一定となるように構成されている。そのため、変位部材39は、該変位部材39の開口部45の第1方向での寸法に相当する距離だけ第1方向に直線的に変位した際に、露光光ELの光束41に対する計測領域を、変位前における計測領域に対して第2方向の全域で重畳することなく連なるように移動させることができる。したがって、光強度計測装置36aは、変位機構40の駆動に伴って、変位部材39の開口部45が露光光ELの光束41上の各領域を横切る際に要する時間が均一となるため、露光光ELの光束全体の光強度を正確に計測することができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態を図4(a)(b)(c)に基づき説明する。なお、第2の実施形態は、変位部材が、第2方向に沿った離散的な複数の開口部を有する点が第1の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第1の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第1の実施形態と同一又は相当する構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
次に、本発明の第2の実施形態を図4(a)(b)(c)に基づき説明する。なお、第2の実施形態は、変位部材が、第2方向に沿った離散的な複数の開口部を有する点が第1の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第1の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第1の実施形態と同一又は相当する構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
図4(a)に示すように、本実施形態の光強度計測装置36aにおいて、変位部材39は、露光光ELが入射する入射側の側面に、複数(本実施形態では7つ)の矩形状の開口部48が、第2方向に沿ってほぼ隙間なく隣接するように開口形成されている。また、変位部材39内には、各開口部48に個別に対応する複数(本実施形態では7つ)のセンサ49が内蔵されている。そして、各センサ49は、各々が対応する開口部48を介して入射した露光光ELの光強度を独立に検出し、その検出結果を光強度計測装置36aの制御部に送信するようになっている。
ここで、図4(a)に示すように、本実施形態の光強度計測装置36aにおいて、変位部材39の各開口部48が、露光光ELの光路外に位置するように配置されているとする。この状態において、変位機構40が駆動すると、変位部材39の各開口部48は、露光光ELの光束41を横切るように第1方向に沿って直線的に変位する。
この場合、図4(b)に示すように、変位部材39の各開口部48は、その変位方向となる第1方向と直交する第2方向に沿って、露光光ELの光束41の同方向での全域に及ぶように列設されているため、第1方向への一走査の間に、全体として、露光光ELの光束41のほぼ全域を横切ることになる。そのため、変位部材39の各センサ49には、この一走査の過程で、露光光ELの光束41のほぼ全域が、各々が対応する開口部48を介してそれぞれ入射する。
また、本実施形態の光強度計測装置36aでは、各センサ49は、変位部材39の第1方向への変位に連動して、露光光ELの光束41内での第1方向に沿う領域毎の光強度を、各センサ49に各々対応する第2方向での領域毎に独立して随時検出し、その検出結果を光強度計測装置36aの制御部に送信する。そのため、図4(c)に示すように、光強度計測装置36aの制御部は、各センサ49の検出結果に基づき、露光光ELの光束41内にて第1方向及び第2方向に沿って区画される領域毎の光強度の分布を導出する導出部として機能する。なお、本実施形態では、露光光ELの光束41内における領域毎の光強度の分布は、光束41の主光線47の近傍が最も高く、該主光線47から離間するに従って次第に低くなる分布となる。
また、光強度計測装置36aの制御部は、導出した露光光ELの光束41内での領域毎の光強度に対して各々が対応する領域の面積を積算した後、それらの積算結果を総和することにより、露光光ELの光束全体の光強度を計測することが可能となっている。
したがって、本実施形態では、上記第1の実施形態の効果(1)、(2)に加えて以下に示す効果を得ることができる。
(3)変位部材39には、複数の開口部48が、変位方向となる第1方向と直交する第2方向に沿ってほぼ隙間なく隣接するように開口形成されている。そして、各センサ49は、変位部材39が露光光ELの光束41を横切るように第1方向に変位する過程で、露光光ELの光束41内での第1方向に沿う領域毎の光強度を、各センサ49に各々対応する第2方向での領域毎に独立して検出する。そのため、光強度計測装置36aの制御部は、各センサ49の検出結果に基づき、露光光ELの光束41を垂直に横切る所定面44内での位置毎の光強度の分布を導出することができる。
(3)変位部材39には、複数の開口部48が、変位方向となる第1方向と直交する第2方向に沿ってほぼ隙間なく隣接するように開口形成されている。そして、各センサ49は、変位部材39が露光光ELの光束41を横切るように第1方向に変位する過程で、露光光ELの光束41内での第1方向に沿う領域毎の光強度を、各センサ49に各々対応する第2方向での領域毎に独立して検出する。そのため、光強度計測装置36aの制御部は、各センサ49の検出結果に基づき、露光光ELの光束41を垂直に横切る所定面44内での位置毎の光強度の分布を導出することができる。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態を図5(a)(b)(c)に基づき説明する。なお、第3の実施形態は、変位部材が、露光光の光束の光路外に設定された軸線を中心として、光束を横切るように回動する点が第1の実施形態及び第2の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第1の実施形態及び第2の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第1の実施形態及び第2の実施形態と同一又は相当する構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
次に、本発明の第3の実施形態を図5(a)(b)(c)に基づき説明する。なお、第3の実施形態は、変位部材が、露光光の光束の光路外に設定された軸線を中心として、光束を横切るように回動する点が第1の実施形態及び第2の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第1の実施形態及び第2の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第1の実施形態及び第2の実施形態と同一又は相当する構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
図5(a)に示すように、本実施形態の光強度計測装置36aは、露光光ELの光束41の光路外にて、光束41の主光線47と平行に延びる軸線50を中心とする回動方向(第1方向)に回動自在な略矩形板状の変位部材51を備えている。そして、変位部材51は、露光光ELが入射する入射側の側面に、軸線50を中心(扇形状の要)とする略扇形状の開口部52が、回動方向となる第1方向と直交する第2方向での寸法が、同方向での露光光ELの光束41の寸法(即ち、光束41の直径)よりも長くなるように開口形成されている。
ここで、図5(b)に示すように、本実施形態の光強度計測装置36aにおいて、変位部材51の開口部52が、変位機構40の駆動に伴って、露光光ELの光束41を横切るように、第1方向に沿って回動したとする。この場合、変位部材51の開口部52は、その回動方向と直交する第2方向において、露光光ELの光束41の同方向での全域に及ぶように構成されているため、第1方向への一走査の間に、露光光ELの光束全体を横切ることになる。そのため、変位部材51のセンサ53には、この一走査の過程で、露光光ELの光束全体が開口部52を介して入射する。そして、センサ53は、変位部材51の第1方向への回動に連動して、露光光ELの第1方向に沿う領域毎の光強度を随時検出し、その検出結果を光強度計測装置36aの制御部に送信する。
なお、変位部材51の開口部52は、露光光ELの光束41内に進入した後、露光光ELの光束41の主光線47に接近するに従って、露光光ELの光束41を横切る領域が次第に大きくなると共に、露光光ELの光束41の主光線47を通過した後、該主光線47から離間するに従って、露光光ELの光束41を横切る領域が次第に小さくなる。そのため、図5(c)に示すように、光強度計測装置36aの制御部が、変位部材51内のセンサ53の検出結果に基づいて導出する露光光ELの光束41の第1方向に沿う光強度の分布は、露光光ELの光束41内での主光線47の近傍が最も強く、該主光線47から離間するに従って次第に小さくなる凸曲線状の分布となる。そして、光強度計測装置の制御部は、導出した露光光ELの光強度の分布を第1方向に積分して、センサ53によって検出された第1方向に沿う各領域での露光光ELの光強度の総和を算出することにより、露光光ELの光束全体の光強度を計測することが可能となっている。
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
(4)光強度計測装置36aは、変位機構40の駆動に伴って、変位部材51の開口部52が露光光ELの光束全体を横切るように変位部材51を第1方向に回動させることにより、露光光ELの光束全体の光強度を計測することができる。また、露光光ELの光束41よりも大きな受光領域を有する変位部材51を用いる場合と比較して、変位部材51のサイズを低減できるため、部材の製造コストを抑制できるとともに、装置全体の小型化にも寄与することができる。
(4)光強度計測装置36aは、変位機構40の駆動に伴って、変位部材51の開口部52が露光光ELの光束全体を横切るように変位部材51を第1方向に回動させることにより、露光光ELの光束全体の光強度を計測することができる。また、露光光ELの光束41よりも大きな受光領域を有する変位部材51を用いる場合と比較して、変位部材51のサイズを低減できるため、部材の製造コストを抑制できるとともに、装置全体の小型化にも寄与することができる。
(5)変位部材51の開口部52は、該変位部材51の回動方向となる第1方向での寸法が、該第1方向と直交する第2方向における変位部材51の回動中心となる軸線50からの距離に対して比例関係を有する略扇形状をなすように構成されている。そのため、変位部材51は、該変位部材51の開口部52の軸線50に対する中心角に相当する角度だけ第1方向に回動した際に、露光光ELの光束41に対する計測領域を、変位前における計測領域に対して第2方向の全域で重畳することなく連なるように移動させることができる。したがって、光強度計測装置36aは、変位機構40の駆動に伴って、変位部材51の開口部52が露光光ELの光束41上の各領域を横切る際に要する時間が均一となるため、露光光ELの光束全体の光強度を正確に計測することができる。
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態を図6(a)(b)(c)に基づき説明する。なお、第4の実施形態は、変位部材が、第2方向に沿った離散的な複数の開口部を有する点が第3の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第3の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第3の実施形態と同一又は相当する構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
次に、本発明の第4の実施形態を図6(a)(b)(c)に基づき説明する。なお、第4の実施形態は、変位部材が、第2方向に沿った離散的な複数の開口部を有する点が第3の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第3の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第3の実施形態と同一又は相当する構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
図6(a)に示すように、本実施形態の光強度計測装置36aにおいて、変位部材51は、露光光ELが入射する入射側の側面に、複数(本実施形態では7つ)の矩形状の開口部54が、回動方向となる第1方向と直交する第2方向に沿ってほぼ隙間なく隣接するように開口形成されている。また、変位部材51内には、各開口部54に個別に対応する複数(本実施形態では7つ)のセンサ55が内蔵されている。そして、各センサ55は、各々が対応する開口部54を介して入射した露光光ELの光強度を独立に検出し、その検出結果を光強度計測装置36aの制御部に送信するようになっている。
ここで、図6(b)に示すように、変位部材51の各開口部54が、変位機構40の駆動に伴って、露光光ELの光束41を横切るように、第1方向に沿って回動したとする。この場合、変位部材51の各開口部54は、第1方向と直交する第2方向に沿って、露光光ELの光束41の同方向での全域に及ぶように列設されているため、第1方向への一走査の間に、全体として、露光光ELの光束41のほぼ全域を横切ることになる。そのため、変位部材51の各センサ55には、この一走査の過程で、露光光ELの光束41のほぼ全域が、各々が対応する開口部54を介してそれぞれ入射する。
なお、変位部材51の各開口部54は、該変位部材51の回動方向となる第1方向での寸法が、該第1方向と直交する第2方向の全域で一定となるように構成されている。そのため、変位部材51の各開口部54は、回動中心となる軸線50周りに所定の角度だけ回動した際に、露光光ELの光束41を垂直に横切る所定面44内を通過する領域の面積が互いに異なる。具体的には、変位部材51の各開口部54が軸線50周りに回動する過程で所定面44内を通過する領域の面積は、各開口部54と軸線50との距離に対してほぼ比例する。換言すると、変位部材51の各センサ55は、露光光ELの光束41を横切るように回動する過程での所定面44上における単位時間当たりの計測領域の大きさが、各センサ55と軸線50との距離に対してほぼ比例する。
したがって、光強度計測装置36aの制御部は、変位部材51の各センサ55から独立的に入力される光強度の検出値に対して、各センサ55による所定面44上における単位時間当たりの計測領域の大きさの差分を補正するように、各センサ55と軸線50との距離をそれぞれ乗算することにより、露光光ELの光束41内での第1方向に沿う領域毎に、各センサ55に各々対応する第2方向での領域毎の光強度を算出することができる。その結果、図6(c)に示すように、光強度計測装置36aの制御部は、露光光ELの光束41内にて第1方向及び第2方向に沿って区画される領域毎の光強度の分布を導出することが可能となる。
また、光強度計測装置36aの制御部は、導出した露光光ELの光束41内での領域毎の光強度に対して各々が対応する領域の面積を積算した後、それらの積算結果を総和することにより、露光光ELの光束全体の光強度を計測することが可能となっている。
したがって、本実施形態では、上記第3の実施形態の効果(5)に加えて以下に示す効果を得ることができる。
(6)変位部材51には、複数の開口部54が、回動方向となる第1方向と直交する第2方向に沿ってほぼ隙間なく隣接するように開口形成されている。そして、各センサ55は、変位部材51が、露光光ELの光路外に設定された軸線50を中心として、露光光ELの光束41を垂直に横切る所定面44に沿って第1方向に回動する過程で、露光光ELの光束41内での第1方向に沿う領域毎の光強度を、各センサ55に各々対応する第2方向での領域毎に独立して検出する。そのため、光強度計測装置36aの制御部は、変位部材51の各センサ55から独立的に入力される光強度の検出値に対して、各センサ55による所定面44上における単位時間当たりの計測領域の大きさの差分を補正するように、各センサ55と軸線50との距離をそれぞれ乗算することにより、露光光ELの光束41を垂直に横切る所定面44内での位置毎の光強度の分布を導出することができる。
(6)変位部材51には、複数の開口部54が、回動方向となる第1方向と直交する第2方向に沿ってほぼ隙間なく隣接するように開口形成されている。そして、各センサ55は、変位部材51が、露光光ELの光路外に設定された軸線50を中心として、露光光ELの光束41を垂直に横切る所定面44に沿って第1方向に回動する過程で、露光光ELの光束41内での第1方向に沿う領域毎の光強度を、各センサ55に各々対応する第2方向での領域毎に独立して検出する。そのため、光強度計測装置36aの制御部は、変位部材51の各センサ55から独立的に入力される光強度の検出値に対して、各センサ55による所定面44上における単位時間当たりの計測領域の大きさの差分を補正するように、各センサ55と軸線50との距離をそれぞれ乗算することにより、露光光ELの光束41を垂直に横切る所定面44内での位置毎の光強度の分布を導出することができる。
なお、上記実施形態は、以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・上記第4の実施形態において、図7(a)に示すように、変位部材51の各開口部54は、各開口部54の回動方向となる第1方向の寸法が、回動中心となる軸線50からの距離に比例した略扇形状をなすようにそれぞれ構成してもよい。この場合、図7(b)に示すように、変位部材51の各開口部54は、各開口部54の軸線50に対する中心角に相当する角度だけ回動した際に各開口部54が通過する領域の大きさの差分にほぼ対応する大きさとなっている。そのため、光強度計測装置36aの制御部は、各センサ55から出力される検出値に対して、各センサ55による所定面44上における単位時間当たりの計測領域の大きさの差分を補正することなく、各センサ55に各々対応する第2方向での領域毎の光強度を計測することができる。
・上記第4の実施形態において、図7(a)に示すように、変位部材51の各開口部54は、各開口部54の回動方向となる第1方向の寸法が、回動中心となる軸線50からの距離に比例した略扇形状をなすようにそれぞれ構成してもよい。この場合、図7(b)に示すように、変位部材51の各開口部54は、各開口部54の軸線50に対する中心角に相当する角度だけ回動した際に各開口部54が通過する領域の大きさの差分にほぼ対応する大きさとなっている。そのため、光強度計測装置36aの制御部は、各センサ55から出力される検出値に対して、各センサ55による所定面44上における単位時間当たりの計測領域の大きさの差分を補正することなく、各センサ55に各々対応する第2方向での領域毎の光強度を計測することができる。
・上記各実施形態において、図8に示すように、光強度計測装置36aは、変位部材39,51が、コリメート用ミラー19から射出される露光光EL、及び入射側フライアイミラー21から射出される露光光ELの双方を横断可能に配置してもよい。この場合、光強度計測装置36aとして、例えば、Y方向に沿う露光光ELの光束全体を横切るように直線的に変位させる構成を採用したときには、図9(a)(b)に示すように、光強度計測装置36aを構成する変位部材39におけるY方向の両側面に各露光光ELが入射される開口部56,57を形成することが望ましい。すなわち、変位部材39において、第1反射光学部材としてのコリメート用ミラー19から射出される露光光ELが入射する側の側面(図9(a)で+Y方向側の側面)には第1の受光領域としての開口部56を形成すると共に、第2反射光学部材としての入射側フライアイミラー21から射出される露光光ELが入射する側の側面(図9(b)で−Y方向側の側面)には第2の受光領域としての開口部57を形成することが望ましい。なお、光強度計測装置36aとして、露光光ELの光束全体を横切るように回動変位させる構成を採用した場合にも同様に、光強度計測装置を構成する変位部材51における両側面の双方に、各露光光ELが入射する開口部をそれぞれ形成することが望ましい。また、光強度計測装置は、照明光学系14を構成する複数のミラー19,21,22,23,24のうち、任意の組み合わせのミラー19,21,22,23,24を計測対象として、それらのミラー19,21,22,23,24から射出される露光光ELをそれぞれ横切るように配置してもよい。
・上記各実施形態において、投影光学系16を構成する各ミラー28,29,30,31,32,33の射出側近傍に光強度計測装置をそれぞれ配置してもよい。
・上記各実施形態において、光源装置12は、例えばArFエキシマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)、Kr2レーザ(146nm)、Ar2レーザ(126nm)、EB光等の短波長の光を出力可能な光源であってもよい。また、光源装置12は、DFB半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(またはエルビウムとイッテルビウムの双方)がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を出力可能な光源であってもよい。
・上記各実施形態において、光源装置12は、例えばArFエキシマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)、Kr2レーザ(146nm)、Ar2レーザ(126nm)、EB光等の短波長の光を出力可能な光源であってもよい。また、光源装置12は、DFB半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(またはエルビウムとイッテルビウムの双方)がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を出力可能な光源であってもよい。
・上記各実施形態において、露光装置11は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置11は、液晶表示素子(LCD)などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。また、露光装置11は、縮小露光型の露光装置に限定されるものではなく、例えば等倍露光型、拡大露光型の露光装置であってもよい。
次に、本発明の実施形態の露光装置11によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図10は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップS101(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS102(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクルRなど)を製作する。一方、ステップS103(基板製造ステップ)において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板(シリコン材料を用いた場合にはウエハWとなる。)を製造する。
次に、ステップS104(基板処理ステップ)において、ステップS101〜ステップS104で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS105(デバイス組立ステップ)において、ステップS104で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップS105には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS106(検査ステップ)において、ステップS105で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
図11は、半導体デバイスの場合におけるステップS104の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS115(レジスト形成ステップ)において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップS116(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置11)によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップS117(現像ステップ)において、ステップS116にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップS118(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS119(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップS118及びステップS119において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
11…露光装置、12…光源としての光源装置、14…照明光学系、16…投影光学系、19…第1反射光学部材としてのコリメート用ミラー、21…第2反射光学部材としての入射側ミラー、36a,36b,36c,36d,36e…光強度計測装置、39…受光部としての変位部材、40…変位機構、44…所定面、45,48…受光領域としての開口部、50…軸線、51…受光部としての変位部材、52,54…受光領域としての開口部、56…第1の受光領域としての開口部、57…第2の受光領域としての開口部、EL…光としての露光光、Ra…被照射面、W…基板としてのウエハ。
Claims (12)
- 光源から射出された露光光が被照射面を照射することにより、該被照射面に形成されたパターンに対応した像を基板上に露光する露光装置に設けられる光強度計測装置であって、
前記露光光の一部を受光可能な受光部と、
前記露光光の光路を横切る所定面内で、前記受光部を第1方向に変位させる変位機構と、を備え、
前記受光部は、前記第1方向より、前記第1方向と交差する第2方向に大きい受光領域を有することを特徴とする光強度計測装置。 - 請求項1に記載の光強度計測装置であって、
前記変位機構は、前記受光部が、前記所定面内を直線的に移動するように変位させることを特徴とする光強度計測装置。 - 請求項2に記載の光強度計測装置であって、
前記受光部の受光領域は、前記所定面内における前記第1方向の寸法が、前記第2方向で一定となるように形成されていることを特徴とする光強度計測装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の光強度計測装置であって、
前記変位機構は、前記受光部を、前記露光光の光路外に設定された軸線を中心に回動変位させることを特徴とする光強度計測装置。 - 請求項4に記載の光強度計測装置であって、
前記受光部の受光領域は、前記所定面内における前記第1方向の寸法が、前記軸線からの距離が大きくなるに従って次第に大きくなるように形成されていることを特徴とする光強度計測装置。 - 請求項5に記載の光強度計測装置であって、
前記受光部の受光領域は、前記所定面内における前記第1方向の寸法が、前記軸線からの距離に対して比例関係を有するように構成されていることを特徴とする光強度計測装置。 - 請求項1〜請求項6のうち何れか一項に記載の光強度計測装置であって、
前記受光部は、前記所定面内における前記第2方向に沿った離散的な複数の受光領域を備えることを特徴とする光強度計測装置。 - 請求項7に記載の光強度計測装置であって、
複数の前記受光領域から各々独立して入力された前記露光光の光強度の受光結果に基づき、前記所定面内における前記露光光の光強度の分布を導出する導出部を更に備えたことを特徴とする光強度計測装置。 - 所定のパターンが形成された被照射面に露光光を導く照明光学系と、
前記パターンと対応した像を基板上に投影する投影光学系と、
請求項1〜請求項8のうち何れか一項に記載の光強度計測装置と、を備えたことを特徴とする露光装置。 - 請求項9に記載の露光装置において、
前記照明光学系は、入射した前記露光光を反射する第1反射光学部材と、前記第1反射光学部材で反射した前記露光光が入射する第2反射光学部材とを有し、
前記受光部は、前記第1反射光学部材に入射する前の前記露光光を受光する第1の受光領域と、前記第1反射光学部材で反射し、かつ前記第2反射光学部材に入射する前の前記露光光を受光する第2の受光領域とを備えることを特徴とする露光装置。 - 請求項10に記載の露光装置において、
前記変位機構は、前記第1反射光学部材に前記露光光が入射する前の第1位置と、前記第1反射光学部材で反射した後、前記第2反射光学部材に前記露光光が入射する前の第2位置との間で、前記受光部を移動させることを特徴とする露光装置。 - リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項9から請求項11のうち何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
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JP2009047196A JP2010205794A (ja) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | 光強度計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
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JP2009047196A JP2010205794A (ja) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | 光強度計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP (1) | JP2010205794A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013195658A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Seiko Epson Corp | 紫外線照射装置、及び紫外線強度の測定方法 |
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2009
- 2009-02-27 JP JP2009047196A patent/JP2010205794A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013195658A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Seiko Epson Corp | 紫外線照射装置、及び紫外線強度の測定方法 |
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